JPH0359405A - 位置検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は位置合わせ装置に関し、例えば半導体素子製造
用の露光装置において、マスクやレチクル（以下「マス
ク」という。）等の第１物体面上に形成されている微細
な電子回路パターンをウェハ等の第２物体面上に露光転
写する際にマスクとウェハとの相対的な位置決めを行な
う場合に好適な位置検出装置に関する。

［従来の技術］ 従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為のＴｆ
１要な一要素となっている。

特に最近の露光装置における位置合わせにおいては、半
導体素子の高集積化の為に１例えばサブミクロン以下の
位置合わ↑ト精度を有するものが要求されている。

多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウニ八面
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行なっている。このときのアライメント方法と
しては。

例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画像処理
を行なうことにより検出したり、又は米国特許第４０３
７９６９号や特開昭５６−１５７０３３号公報で堤案さ
れるようにアライメントパターンとしてゾーンプレート
を用い該ゾーンプレートに光束を照射し、このときゾー
ンプレートから射出した光束の所定面上における集光点
位置を検出すること等により行っている。

一般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、
単なるアライメントパターンを用いた方法に比べてアラ
イメントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度の
アライメントか出来る特徴かある。

第５図はゾーンプレートを利用した従来の位置合わせ装
置の概呻図である。

同図において光源７２から射出した平行光束はハーフミ
ラ−７４を通過後、集光レンズ７６で集光点７８に集光
された後、マスク６８面上のマスクアライメントパター
ン６８ａおよび支持台６２にｉｆ！ｌしたウェハ６０面
上のウェハアライメントパターン６０ａを照射する。こ
れらのアライメントパターン６８ａ、６０ａは反射型の
ゾーンプレートより構成され、各々集光点７８を含む光
軸と直交する平面上に集光点を形成する。このときの平
面上の集光点位置のずれ量を集光レンズ７６とレンズ８
０により検出面８２上に導光して検出している。

そして検出器８２からの出力信号に基づいて制御回路８
４により駆動回路６４を駆動させてマスク６８とウェハ
６０の相対的な位置決めを行っている。

マスク６８及びウェハ６０上のゾーンブレー）　６８ａ
、６０ａは焦点距離かマスク６８とウェハ６０との間の
所定の間隔値に等しい量たけ異なり、一般にはウェハ６
０上のゾーンプレート６０ａの方が焦点距離が大きい。

第６図は第５図に示したマスクアライメントパターン６
８ａとウェハアライメントパターン６０ａからの光束の
結像関係を示した説明図である。

同図において集光点７８から発散した光束はマスクアラ
イメントパターン６８ａよりその一部の光束が回折し、
集光点７８近傍にマスク位置を示す集光点７８ａを形成
する。又、その他の一部の光束はマスク６８を０次透過
光として透過し、波面を変えずにウェハ６０面上のウェ
ハアライメントパターン６０ａに入射する。このとき光
束はウェハアライメントパターン６０ａにより回折され
た後、再びマスク６８を０次透過光として透過し、集光
点７８近傍に集光しウニ八位置をあられす集光点７８ｂ
を形成する。同図においてはウェハ６０により回折され
た光束が集光点を形成する際には、マスク６８は車なる
素通し状態としての作用をする。

このようにして形成されたウェハアライメントパターン
６０ａによる集光点７８ｂの位置は、ウェハ６０のマス
ク６８に対するずれ量△σに応じて集光点７８を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ量△σに対応した量の
ずれ量Δσとして形成される。

［発明か解決しようとしている問題点］しかしながら上
記従来例では、ウェハ表面上に形成されたレジスト塗布
むら膜厚、酸化膜形状などの要因によりセンサ上でのア
ライメント信号光重の強度外１１ｉが非対称に歪んだり
１強度レベルか著しく低下することがあり、アライメン
ト精度劣化の重大な原因となることがある。

本発明は上述従来例に鑑み、ウェハーＥのレジストの状
態に影響されない高精度な相対位置検出を実現可ｔｉな
位置検出装置を提供する事を目的とする。

［問題点を解決する為の手段及び作用］本発明は、対向
する第一及び第二物体の相対位置を検出する装置におい
て、第一物体に光束を照射するための光源手段と、第一
物体によって波面変ｙされた光束を第二物体に導光する
光学系と、第二物体によって史に波面変更された光束を
検出する検出手段とを有し、検出手段の検出結果によっ
て第一及び第二物体の相対位置を検出し、かつ光学系に
よって導光される光束は少なくとも第一或は第二物体の
一方の、対向する側とは反対側の面にて反射型の波面変
更をされる様にしたものである。

本発明によれば、検出用の光束が少なくとも第一或は第
二物体の一方の対向する側とは反対側の面にて反射型の
波面変更を受ける様にしているので１例えばウニ八表面
上がいかなる悪条件にあっても、ウェハのより平坦な裏
面のみを使用して相対位置検出する事か可能なのでより
高精度な相対位置検出を実現できる。

ここで本明細書において波面変更とは光束の集光あるい
は発散、即ちレンズ作用あるいは単に回折の作用、偏向
作用等を意味し、反射型の波面変更とは、対象となる面
に入射した光束が、波面変更を受けて反射側に出射する
事を言うものとする。

［実施例］ 本発明による第１の実施例を第１図に示す。

本実施例では半導体製造装置の位置合わせにおいてマス
クｌ（或はレチクル）を第１物体とし、ウェハ３を第２
物体とし、マスク表面上に位置合わせ用マークである第
１物理光学素子３をウェハ裏面上に第２ｖｌＩ理光学素
子４を形成した。（形成の仕方については後に記す。）
第１図において、第１．第２物理光学素子（以下アライ
メントマークと記す）４，３は、例えばフレネルゾーン
プレート等のグレーティングレンズより成り、マスク１
面上とウェハ２面上のスクライブライン（またはそれに
相当する領域）　５ａ、５ｂ上に設けられている。ｌＯ
はアライメント光束であり、不図示のアライメントヘッ
ド内の光源１０ａから出射し、所定のビーム径にコリメ
ートされている。

本実施例において、光＄１０ａの種類としては半導体レ
ーザー、Ｈｅ−Ｎ、レーザー、Ａ、レーザー等のコヒー
レント光束を放射する光源や、発光ダイオード等の非コ
ヒーレント光束を放射する光源等である。６は第１検出
手段としてのセンサ（受光器）であり、アライメント光
束１０を受光する１次元ＣＣＤより成っている。

１次元ＣＣＤの素子はＸ方向に配列されている。７はウ
ェハステージ、９はステージ駆動部、１００はｃｐｕで
ある。

本実施例ではアライメント光束ｌＯはマスク１面上の第
１アライメントマーク４に所定の角度で入射した後、＋
１次で反射回折する。

マスク上の第１アライメントマークで回折され、レンズ
作用をうけたアライメント光束は、第１図に示すように
再びマスク面法線に対し所定の角度で斜出射し、アライ
メント装置本体に固定、設置されたミラー５　（５ａ、
５ｂ、５ｃ、５ｄ　）およびリレーレンズ系８によりウ
ェハ２をｌｉｔしたウェハステージ７裏面側に導光され
る。尚、ウェハステージ７はウェハチャッキング装置を
含み簡略化されて示している。ウェハステージ７は、ウ
ェハ裏面上にアライメントマークの形成される領域１例
えばウェハのスクライブライン領域に相当する所定の領
域を、ステージ表面から裏面にかけて貫通する導光孔が
設けられ。

予めウェハ２をウェハステージ７にチャッキングする際
、ウェハ裏面上のアライメントマークが該導光孔に面す
るようにセラティグしておく、またミラー５および、リ
レーレンズ系８を含むアライメント装置に固定された導
光系は、アライメント光束が、ウェハ裏面を基準面とし
、Ｚ方向に−Ｚｌの位ｎで集光するように、パワー配置
が設定されている。

アライメント光束はミラー５ｄで反射されたのち、その
主光線がウニ八裏面法線に対し、所定の角度をなすよう
にアライメントマーク３に対し斜入射し、史にウェハ２
裏面上の第２アライメントマーク３で反射回折し、セン
サ６面上に入射している。そしてセンサ６で該センサ面
上に入射したアライメント光束の重心位置を検出し、該
センサ６からの出力信号を利用してマスク１とウェハ２
をスクライブライン４ａ。

３ａ方向（Ｘ方向）について位置合わせを行っている。

ここで光束の重心とは、光束検出面内において、検出面
内各点のこの点からの位置ベクトルにその点の光強度を
乗算したものを断面全面で積分した時に積分値か０ベク
トルになる点のことである０次に本実施例による位置検
出の原理を説明する。

装置に固定されているマスクｌに対し、ウェハ２かＸ方
向に位置変動を起こした場合マスクとウェハのグレーテ
ィングレンズ４，３はレンズ光学系内でレンズ同士が軸
ずれを起こしたのと同じ状態になり、出射光束の出射角
が変動する。この為センサ６の受光面上の光束入射位置
はマスクとウェハとのＸ方向相対ズレ量に応じた量たけ
受光面上でＸ方向に移動する。前述の様にセンサ６は１
次元ＣＣＤで、その検出面上の素子配列方向はＸ方向に
一致する。マスクｌとウェハ２との相対ずれ量がそれ程
大きくない範囲ではスポットのＸ方向の移動量はマスク
とウェハとのＸ方向相対ずれ量に比例する。

今マスクとウェハとがＸ方向に△σずれておりウェハ２
から、マスクのグレーティングレンズ４及びレンズ８で
集光（あるいは発Ｐ＆）されてウェハに入射する光束の
集光点位置（あるいは発散原点位置）までの距離をａ、
ウェハ２から検出面までの距離をｂとすると受光面上で
の光束の重心ずれ量△δは Δδ＝ΔσＸ（−＋１）　　　・・・・・・・・・　（
ａ）となる、即ち重心ずれ量Δδは（ｂ　／　ａ　＋　
１　）倍に拡大される。Ａ＝　（ｂ／ａ　ト１　）は光
束重心ずれの位置ずれ量に対する倍率となる。

例えば、　ａ　＝　［１，５ａｍ、　ｂ　＝　５０ｓ＋
ｍとすれば重心ずれ量△δは（ａ）式より１０１倍に拡
大される。

従ってＡの値をあらかじめ求めておき、かつマスクを装
置に設置した時にためし焼によりマスクｌとウェハ２が
アライメントずれのない場合のセンサ６の受光面上での
光束の重心位置を基準位置として求めておいて１位置検
出時に、光束重心位置の基準位置からのずれをΔδの値
として検出し、この△δを（ａ）式に代入する事により
△σ、即ちＸ方向のマスク、ウェハ相対位置ずれ量を得
る事かできる。Ａの値を大きくとればマスクとウェハと
の微小な相対位置ずれを拡大された光束重心ずれとして
検出でき、より高精度な位置ずれ検出が可能となる。

次に本実施例における第１−＄２アライメントマーク４
・３について説明する。

アライメントマーク３・４は各々同−又は異なった値の
焦点距離を有するフレネルゾーンプレート（又はクレー
ティングレンズ）より成っている。これらのマークの寸
法は各々スクライブライン方向に２８０　μｍ、スクラ
イブライン幅方向（ｙ方向）に７０μｍである。

本実施例においてはアライメント光束 ｌＯは、マスクｌに対して入射角１０”で、マスク１面
への射影成分がスクライブライン方向（Ｘ方向）に直交
するように入射している。

これらの所定角度でマスクｌに入射したアライメント光
束７はグレーティングレンズ４のレンズ作用を受けて収
束（又は発散）光となり、マスクｌからその主光線がマ
スクｌの法線に対して所定角度（例えば本実施例では１
５°）になるように入射側に射出している。

そして＄１アライメントマーク３を反射回折したアライ
メント光束ｌＯを、ウェハ面２の鉛直上方２３８．０　
、ｍの点に集光させている。このときのアライメントマ
ーク３の焦点距離は各々２６８μｍである。又マスクｌ
とウェハ２との間隔は３０μｍにしている。

アライメントマーク３で反射回折した光は導光系により
、ウェハ裏面に斜入射しウェハ２．Ｊｊ而面の第２アラ
イメントマーク３で凹（凸）レンズ作用を受け、第１検
出ｒ段としてのセンサ６面上に集光している。このとき
センサ６面上へは光束がアライメントマーク４．３の位
置すれ、即ち軸ずれか拡大された状態となって入射し、
この結果、入射光束の重心位置か基準位置より変動して
いる。

ウェハ裏面に設けられたアライメントマーク３は上部に
レジストを検相される事はなく、又アライメントマーク
３に入射した光束ｌＯはレジストを検相したパターン形
成面側を経由する事かないので、例えばレジストの塗布
状態か均一性のない粗悪な状態であったとしても、ウェ
ハから出射した光束はレジストの悪影響を全く受けず、
センサ６の受光面上の光束断面形状は良好なままであり
、高精度な位置検出が維持できる。又レジストによるア
ライメント用光ｌＯの吸収もないので検出光量を大きく
でき。

Ｓ／Ｎ比が向上する。

本実施例におけるマスク及びウェハグレーティングレン
ズのパターンの一例を第２図に示す。第２図に示すパタ
ーンはＸ方向とｙ方向ともに同じレンズ作用をもち、か
っｙ方向に光束の進行方向を一定の角度で変更させる作
用を有している。

一般にマスク用のゾーンプレート（グレーティングレン
ズ）は、光線の透過する領域（透ＩＪＪ部〉と光線の反
射する領域（反射部）の２つの領域が交互に形成される
０、１の振幅型グレーティング素子として作成されてい
る。又、ウニへ用のゾーンプレートは、例えば矩形断面
の位相格子パターンとして作成される。

マスクｌ上のグレーティングレンズはポリイミド製の有
Ｉａｓｓ上に予めＥＢ露光で形成したレチクルのグレー
ティングレンズパターンを転写して形成した。

又、ウェハ２の裏面上マークはマスク上にウェハの露光
パターンを形成したのちウェハ裏面に露光転写して形成
した。

次に本実施例における第１、第２アライメントマーク４
，３（グレーティングレンズ〉の製造方法の一実施例を
述べる。

まず、マスク用のアライメントマーク４は所定のビーム
径の平行光束が所定の角度で入射し、所定の位置に集光
するように設計される。

一般にグレーティングレンズのパターンは光源（物点）
と像点にそれぞれ可干渉性の光源を置いたときのレンズ
面における干渉格子縞パターンとなる。今、第１図のよ
うにマスク１面上の座標系を定める。ここに原点はスク
ライブライン暢の中央にあり、スクライブライン方向に
Ｘ軸、幅方向にｙ輌、マスク面ｌの法線方向に２輌をと
る。マスク面１の法線に対しαの角度で入射し、その射
影成分がスクライブライン方向と直交する平行光束かマ
スク用のマークを透過回折後、集光点（ｘ、、ｙ、、ｚ
、）の位置で結像するようなグレーティングレンズの曲
線群の方程式は、グレーティングの輪郭位置なＸ。

ｙで表わし ｙｓｉｎ　α＋Ｐ、　（ｘ、ｙ）−Ｐ２＝ｍ入／２−（
１）Ｐ　ｔ（ｘ）＝　ｙ’−（Ｘ−Ｌ）２”　（ｙ−ｙ
＋）”　＋　ｚ、２ｐ、　　＝い７１７闇７了ｚ　、　
ｔ で与えられる。ここに□λはアライメント光の波長、ｍ
は整数である。

主光線を角度αで入射し、マスク而ｌ上の原点を通り、
集光点（Ｘ□ｈ　３’　ｒ　＊　Ｚ　＋　）に達する光
線とすると（１）式の右辺はｍの４１１によって主光線
に対して波長のｍ／２倍光路長か長い（短い）ことを示
し、左辺は主光線の光路に対しマスク上の点（ｘ、ｙ、
ｏ）を通り点（Ｘ＋　＋　’ｊｌ＊　Ｚ＋　）に到達す
る光線の光路の長さの差を表わす。

（１）式ではマスク１面上の点ｙを通った光は結像点で
はｙ方向に変化されない。

一方、ウェハ２上のグレーティングレンズは所定の点光
源から出た球面波を所定の位置（センサ面上）に集光さ
せるように設計される。ここでマスクｌとウェハ２の露
光時のギャップをｇとおく、ミラー５−　ａ〜５−ｄと
レンズ８を介して光を照射する点光源のウニ八個から見
た見かけ上の点光源位置（ミラーレンズかない時に前述
の点光源と等価な点光源の位置）をマスク面上座標系で
（Ｘ’ｒ　＊　３”ｌ　＋　Ｚ’ｒ　　！　）で表わす
、（ｙは変数）マスクｌとウェハ２の位置合わせは軸力
向に行なわれるとし、アライメント完了峙にセンサ面上
の点（ｘ２＋　ｙｉＺａ）の位置にアライメント光が集
光するものとすれば、ウェハ上のグレーティングレンズ
のｌｌＩ！線群の方程式は先に定めた座標系で＋ｍ入／
２　　　　　　　　・・・・・・・・・・・・（２）と
表わされる。

（２）式はウェハ面がｚ　＝　−ｇにあり、主光線がマ
スク面上原点及びウェハ面上の点（０゜０、−ｇ）、更
にセンサ面上の点（Ｘ　２．　Ｙ　２゜Ｚ２）を通る光
線であるとして、ウェハ面上のグレーティング（ｘ、Ｖ
＋　　ｇ）を通る光線と主光線との光路長の差が半波長
の整数倍となる条件を満たす方程式である。

具体的には（１）、（２）式で Ｘ２　＝−９１１０，０４ｍ Ｙ、　＝０．　ＯＩＬｍ Ｚ、＝１８７００．Ｏｕｍ Ｘｉ　　＝９．０　　　μｍ Ｙｌ　　＝５００．０　　　ｋｍ Ｚ　、　　＝　−１８４，７２ｕ　ｍ ｍ＝１．α＝１７．５度でパターンを設計した。

センサ６のサイズは幅１−ｍ、長さ６−量である。又、
各画素のサイズは２５α−×５００α會である。

センサの出力は受光領域の前光量で規格化されるように
信号処理される。これによりアライメント光源の出力が
多少変動しても、センサ系から出力される測定値は…確
に重心位置を示すように設定している。尚、センサの重
心位置の分解能はアライメント光のパワーにもよるが５
例えば５０ｍｗ、波長０．８３μｍの半導体レーザーを
用いて測定した結果、０．２ｐｍであった。

本実施例に係るマスク用のグレーティングレンズとウェ
ハ用のグレーティングレンズの設計例では、マスクとウ
ェハの位置ずれをｉ　ｏ　ｏ　（ｇに拡大して信号光束
がセンサ面上で重心位置を移動する。従って、マスクと
ウェハ間に０．０１ｇｍの位置ずれがあったとすると、
センサ面上ではｌＩＬｍの実行的な重心移動か起こり、
センサ系はこれを０．２ＪＬｍの分解能で測定する事か
できる。ｔＪ述Δσの算出はＣＰ　Ｕ　１００にて行な
われる。ＣＰＵ１００は又ステージ駆動ｆｌＡ９を制御
してマスクとウェハとを位置合わせすべくウェハステー
ジ７を移動させる。

本実施例において位置合わせを行う手順としては、・例
えば次の方法を取ることができる。

ｍｌの方法としては２つの物体間の位置ずれ量Δσに対
する検出器６の検出面上での光量の重心ずれ信号Δδと
の関係を示す式（ａ）を予め求めておき１重心ずれ信号
Δδの値から双方の物体間との位置ズレ量Δσを求め、
そのときの位置ずれ量Δσに相当する量たけ第１物体若
しくは第２物体を移動させる。

第２の方法としては検出！１６からの重心ずれ信号△δ
から位置ずれ量△σを打ち消す方向を求め、その方向に
第１物体若しくはｗＳ２物体を移動させて位置ずれ量△
σが許容範囲内になるまで繰り返して行う。

以上のＣＰＵの位置合わせ手順を、それぞれ第３図（Ａ
）（Ｂ）に示す。

第４図は未発ＩＪ１の第２実施例の要部概略図である。

本実施例ではウェハステージ７裏側のアライメント装置
本体に固定された半導体レーザＬＤから出射し、コリメ
ータレンズなどを含む投光系１１を通過したアライメン
ト光束７はウェハ２裏面上のｆｉｌアライメントマーク
３に乗置入射する。

アライメント光束ｌＯはウェハ２裏面上の物理光学レン
ズ素子３を反射、目新後、ウニ八面法線に対し、所定の
角度ねじ曲げられ、ミラー５（５ａ〜５ｄ）およびリレ
ーレンズ系８を含む、アライメント装置本体に固定、設
置された導光系により、マスク面上のアライメントマー
り３に斜め入射し、アライメントマーク３を１次で反射
、回折した光束の主光線は、マスク面法線に対し、所定
の角度で第３図に示すように出射し、センサ６に入射す
る。尚、第２実施例では、ウェハ上クレーティングレン
ズ３は投光光束の１次反射回折光が、凸レンズ作用を受
けるようにパターン設計されまたアライメント光束か、
導光系を通過後、マスク面上グレーティングレンズ４の
鉛直下方（−ｚ方向）に−２、の位置で集光するように
グレーティングレンズ３と導光系のパワー配置が決めら
れている。本実施例では、導光系中のリレーレンズ系は
ウェハ裏面のグレーティングレンズの結像点を等倍で所
定位置にリレー結像するものでありグレーティングレン
ズ３，４系のパワー配置、およびセンサの設定位置のみ
から、マスク、ウニへ間の位置ずれ量検出拡大倍率か決
る。同図のｙｚ而面でのアライメント光のマスク而入射
角は１７．５°、マスク面からの１次回折光の出射角は
８°である。

第２￥施例においてはマスク面上とウニへ面Ｅ物裡光学
素子は第１実施例と同様に物点な所定の位置の像点に結
像させるグレーティングレンズ素子である。グレーティ
ングレンズ系の輌ずれ、すなわちマスクとウニへ間の位
置ずれに対する倍率Ａは第１実施例と同様に１００倍。

露光ギャップ３０μｍに対応してアライメントヘット内
のセンサ上に結像するようにグレーティングレンズ系の
パワー配置を決めている。

この様に先にウェハアライメントマークに光束か照射さ
れる様にしてもよい。

なお、本発明の導光系中のリレーレンズは必ずしも設定
しなくてもよく、また導光系は一体加工のガラス部材で
もよい、即ちくラ一部材５（５−ａ〜５−ｄ）はｌユニ
ットのガラス加工部材を上記ミラー設定領域にＡｎ薄膜
を蒸着して形成してもよい。このように構成することに
より、導光系中のくラー素子などの光学部材の相対位置
変動を抑えることができる。

［発明の効果］ 以上述べた様に本発明によれば、以上のようにレジスト
や５ｉｎ２などの酸化膜、Ａｎ配線などの層状ｔｔ＋ａ
ｔ物か形成されない位置合ゎせを行う一方の物体の裏面
上にアライメントマークを形成し、更に２つのアライメ
ントマークで逐次例えばレンズ作用などの波面変換作用
をうけた光束をセンサで検出し位置ずれ量を測定するこ
とかでき上記層状唯積物の厚みむらなどによって生じる
位置ずれ検出誤差を完全になくすことかできる。

又上記層状堆８＆物を多重反射するアライメント光束か
堆積物の厚さに依存してセンサ上で光量の大幅低下を引
き起こすなどのＳ／Ｎ劣化の問題を除くことかできる。

史に前述実施例では基本的に１凹の測定て相対位置ずれ
量を、装置本体に固定されたセンサに入射する光束の入
射位置（光強度重心）から求めることかでき、画像計測
に比べてよりシンプルなセンサ信号処理で位置ずれ検出
か可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例に係る半導体製造装置の要
部概略図。 第２図はグレーティングレンズの一例、第３図（Ａ）（
Ｂ）は本装置による位置合わせの仕方を示すフローチャ
ート、 第４図は本発明の第２実施例に係る半導体製造装置の要
部概略図、 第５図、第６図は本発明の詳細な説明図である。 図中 −ａ ｌ・・・マスク ２…ウエハ ３・・・第２アライメントマーク ４・・・第１アライメントマーク 〜５−ｄ・・◆ミラー ６・・・センサ １０・・・アライメント光束 １０ａ・・・光源である （，４） ζＢ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）対向する第一及び第二物体の相対位置を検出する
   装置において、第一物体に光束を 照射するための光源手段と、第一物体によ って波面変更された光束を第二物体に導光 する光学系と、第二物体によって更に波面 変更された光束を検出する検出手段とを有 し、該検出手段の検出結果によって第一及 び第二物体の相対位置を検出し、かつ前記 光学系によって導光される光束は少なくと も第一或は第二物体の一方の、対向する側 とは反対側の面にて反射型の波面変更をさ れることを特徴とする位置検出装置。
2. （２）前記第一及び第二物理光学素子はそれぞれ第一及
   び第二物理光学素子を設けられ、 前記光源手段からの光束は前記第一及び第 二物理光学素子それぞれによって集光ある いは発散されて前記検出手段に検出される ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記 載の位置検出装置。