JPH0359531B2 - - Google Patents
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- JPH0359531B2 JPH0359531B2 JP60036245A JP3624585A JPH0359531B2 JP H0359531 B2 JPH0359531 B2 JP H0359531B2 JP 60036245 A JP60036245 A JP 60036245A JP 3624585 A JP3624585 A JP 3624585A JP H0359531 B2 JPH0359531 B2 JP H0359531B2
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- Japan
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- contact
- slits
- contacts
- diameter
- axis
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Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
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- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/664—Contacts; Arc-extinguishing means, e.g. arcing rings
- H01H33/6642—Contacts; Arc-extinguishing means, e.g. arcing rings having cup-shaped contacts, the cylindrical wall of which being provided with inclined slits to form a coil
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、同軸に向かい合つて配置され且つ
その軸方向に相対的に移動可能な接触子を備え、
この接触子の中空円筒形の接点台が軸線に対し同
一方向に傾斜したスリツトを有すると共に、それ
ぞれ接触板を備えた真空スイツチの接触子装置に
関する。
その軸方向に相対的に移動可能な接触子を備え、
この接触子の中空円筒形の接点台が軸線に対し同
一方向に傾斜したスリツトを有すると共に、それ
ぞれ接触板を備えた真空スイツチの接触子装置に
関する。
真空スイツチの最大遮断容量は周知のように、
確実に遮断できる電流と消弧後の再起電圧との最
大値により与えられ、アーク電流の方向に平行な
磁界により適切に制御することができる。アーク
電圧とこの電圧と結びついた変換仕事率の増大を
もたらすアークの収縮は、開いた接触子間のアー
クの範囲における同軸の磁界により防ぐことがで
きる。この目的のためにこのいわゆる縦磁界式接
触子においては、遮断室を円筒形に囲むコイルを
設けることができる。このコイルは接触子と電気
的に直列に接続されて電流に比例する軸方向の磁
界を発生し、この磁界が同軸の接触子間隙を軸方
向に貫通する。接触子間隙における磁界の強さを
高めるために、コイルをまた二層に構成し且つ巻
き方をら線形に往復して作り上げることができ
る。しかしながらかかる真空スイツチの製作は比
較的大きい費用を必要とする。
確実に遮断できる電流と消弧後の再起電圧との最
大値により与えられ、アーク電流の方向に平行な
磁界により適切に制御することができる。アーク
電圧とこの電圧と結びついた変換仕事率の増大を
もたらすアークの収縮は、開いた接触子間のアー
クの範囲における同軸の磁界により防ぐことがで
きる。この目的のためにこのいわゆる縦磁界式接
触子においては、遮断室を円筒形に囲むコイルを
設けることができる。このコイルは接触子と電気
的に直列に接続されて電流に比例する軸方向の磁
界を発生し、この磁界が同軸の接触子間隙を軸方
向に貫通する。接触子間隙における磁界の強さを
高めるために、コイルをまた二層に構成し且つ巻
き方をら線形に往復して作り上げることができ
る。しかしながらかかる真空スイツチの製作は比
較的大きい費用を必要とする。
同軸上に向かい合つて配置され且つその軸方向
に相対的に移動可能なつぼ形接触子を有する真空
スイツチの接触子装置の公知の構成においては、
開いた接触子間の軸方向磁界は両接点台の中のス
リツトにより作られたコイルターンにより発生さ
れる。これらのスリツトは両接触子において同一
の回転方向を有する。接点台の向かい合つた端面
はそれぞれほぼ円板状の接触板の縁により覆われ
ている。接触板の中心部分は接触面を形成する。
接触板と接触子の底との間には、機械的に強固で
且つ導電度の低い材料から成る支持体を更に設け
ることができる。接触板はうず電流を抑制するた
め一般に半径方向のスリツトを備えている(ドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第3227482号明細書)。
に相対的に移動可能なつぼ形接触子を有する真空
スイツチの接触子装置の公知の構成においては、
開いた接触子間の軸方向磁界は両接点台の中のス
リツトにより作られたコイルターンにより発生さ
れる。これらのスリツトは両接触子において同一
の回転方向を有する。接点台の向かい合つた端面
はそれぞれほぼ円板状の接触板の縁により覆われ
ている。接触板の中心部分は接触面を形成する。
接触板と接触子の底との間には、機械的に強固で
且つ導電度の低い材料から成る支持体を更に設け
ることができる。接触板はうず電流を抑制するた
め一般に半径方向のスリツトを備えている(ドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第3227482号明細書)。
この発明が解決しようとする問題点は、頭記の
種類の接触子装置を、定格電流による温度上昇を
低く抑えるために、大きい電流容量が確保される
ように構成することにある。また本発明が解決し
ようとする問題点は、開いた接触子間の間隙にお
いてアークが発生しているときに、大きな短絡電
流を遮断するのに十分な一様な磁界を発生させる
ことにある。そのためには十分な有効巻数が必要
であるが、しかしながら同時にコイルとして作用
する接点台のスリツトの間に形成されたセグメン
トの抵抗が適切に制限されなければならない。さ
らに本発明が解決しようとする問題点は、接触子
を簡単に製作できるようにすることにある。この
発明は、必要な磁界の発生が、磁界の決定する影
響量交互に種々の関係から決定される範囲におい
てのみ可能であるという知見に基づいている。ま
た本発明が解決しようとする問題点は、接触子直
径が大きい場合にも、拡散したアークが得られ、
同時にアーク電圧ができるだけ小さくなるよう
な、大きく且つ十分に一様な磁界が確保されるよ
うにすることにある。
種類の接触子装置を、定格電流による温度上昇を
低く抑えるために、大きい電流容量が確保される
ように構成することにある。また本発明が解決し
ようとする問題点は、開いた接触子間の間隙にお
いてアークが発生しているときに、大きな短絡電
流を遮断するのに十分な一様な磁界を発生させる
ことにある。そのためには十分な有効巻数が必要
であるが、しかしながら同時にコイルとして作用
する接点台のスリツトの間に形成されたセグメン
トの抵抗が適切に制限されなければならない。さ
らに本発明が解決しようとする問題点は、接触子
を簡単に製作できるようにすることにある。この
発明は、必要な磁界の発生が、磁界の決定する影
響量交互に種々の関係から決定される範囲におい
てのみ可能であるという知見に基づいている。ま
た本発明が解決しようとする問題点は、接触子直
径が大きい場合にも、拡散したアークが得られ、
同時にアーク電圧ができるだけ小さくなるよう
な、大きく且つ十分に一様な磁界が確保されるよ
うにすることにある。
上述の問題点はこの発明によれば、接点台の外
径Dの 60mm≦D≦150mm の範囲に対して、つぼ深さHTとスリツト数sと
スリツトの方位角βが (a) 0.1D≦HT≦0.5D (b) 0.03D/mm≦s≦0.1D/mm (c) (8+0.1D/mm+3D/mm/s)°≦β≦(150 +0.5D/mm)° の条件を満足することにより解決される。接触子
のこの構成により、開いた接触子間の間隙におい
て少なくとも3.5μT/A、好ましくは少なくとも
4μT/Aの比磁束密度BZ/Iが得られる。更に
特に有利な実施態様は特許請求の範囲第2項以下
に記載されている。接触子の直径Dが予め与えら
れている場合にはつぼ深さはHT>0.1Dで十分で
あるけれども、好ましくは少なくとも0.15D、特
に少なくとも0.2Dに選ばれる。つぼ深さHTがほ
ぼ0.5Dまでの比較的大きい場合には、接触子の
軸線に対するスリツトの適当に小さい傾斜角αを
選ぶことができる。接点台の壁厚Wは好ましく
は、接点台が平均の接触子間隔にあるときヘルム
ホルツ・コイル対のように働くように、直径D及
びつぼ深さHTと協調がとられる。こうすること
により接触子間の中央において特に一様な軸方向
磁界が発生する。コイルとして働く接点台の壁厚
Wは好ましくは少なくとも7mmに選ばれ、一般に
は本質的に10mmを超えない。
径Dの 60mm≦D≦150mm の範囲に対して、つぼ深さHTとスリツト数sと
スリツトの方位角βが (a) 0.1D≦HT≦0.5D (b) 0.03D/mm≦s≦0.1D/mm (c) (8+0.1D/mm+3D/mm/s)°≦β≦(150 +0.5D/mm)° の条件を満足することにより解決される。接触子
のこの構成により、開いた接触子間の間隙におい
て少なくとも3.5μT/A、好ましくは少なくとも
4μT/Aの比磁束密度BZ/Iが得られる。更に
特に有利な実施態様は特許請求の範囲第2項以下
に記載されている。接触子の直径Dが予め与えら
れている場合にはつぼ深さはHT>0.1Dで十分で
あるけれども、好ましくは少なくとも0.15D、特
に少なくとも0.2Dに選ばれる。つぼ深さHTがほ
ぼ0.5Dまでの比較的大きい場合には、接触子の
軸線に対するスリツトの適当に小さい傾斜角αを
選ぶことができる。接点台の壁厚Wは好ましく
は、接点台が平均の接触子間隔にあるときヘルム
ホルツ・コイル対のように働くように、直径D及
びつぼ深さHTと協調がとられる。こうすること
により接触子間の中央において特に一様な軸方向
磁界が発生する。コイルとして働く接点台の壁厚
Wは好ましくは少なくとも7mmに選ばれ、一般に
は本質的に10mmを超えない。
次にこの発明に基づく接触子装置の二つの実施
例を示す図面と、接触子の形状に対する種々の限
界値を示すグラフを示した図面とに基づき、この
発明を詳細に説明する。
例を示す図面と、接触子の形状に対する種々の限
界値を示すグラフを示した図面とに基づき、この
発明を詳細に説明する。
第1図に示す実施例において、端面間に例えば
15mmの隙間Aを有する二つの接触子2と4が同軸
上に向かい合つて配置されている。それらの共通
な軸線は図において一点鎖線5により示されてい
る。接触子はそれぞれ中空円筒形の接点台6又は
8から成り、これら接点台は接触子底10又は1
2を介して棒として形成された通電部14又は1
6に結合されている。接触子2と4はそれぞれ支
持体18又は20を備え、且つそれぞれ接触板2
6又は28により覆われている。これら接触板は
その縁にそれぞれ図には詳細には示されていない
が面取り部を備えているので、それぞれその中央
部だけが接触面を形成する。支持体18と20は
それぞれ回転体として形成され、その端部は断面
がほぼ二重T字形梁の形を形成するように拡大さ
れている。
15mmの隙間Aを有する二つの接触子2と4が同軸
上に向かい合つて配置されている。それらの共通
な軸線は図において一点鎖線5により示されてい
る。接触子はそれぞれ中空円筒形の接点台6又は
8から成り、これら接点台は接触子底10又は1
2を介して棒として形成された通電部14又は1
6に結合されている。接触子2と4はそれぞれ支
持体18又は20を備え、且つそれぞれ接触板2
6又は28により覆われている。これら接触板は
その縁にそれぞれ図には詳細には示されていない
が面取り部を備えているので、それぞれその中央
部だけが接触面を形成する。支持体18と20は
それぞれ回転体として形成され、その端部は断面
がほぼ二重T字形梁の形を形成するように拡大さ
れている。
外径が接触子2と4の例えば90mmの直径Dと等
しい接点台6と8は、それぞれ接触子装置の軸線
5に対し傾斜角αを成して傾いたスリツト22又
は24を備えており、これらのスリツトは両接触
子2と4において同方向に走つているので、隣接
したスリツト22又は24の間に形成された道3
2又は34が両接触子において同一の回転方向に
続いている。その範囲においてスリツトを備えて
いる接点台の高さHTはそれぞれつぼ深さを形成
し、このつぼ深さは接触子2と4の図示された構
成においては接点台6又は8の全高さHTである。
しい接点台6と8は、それぞれ接触子装置の軸線
5に対し傾斜角αを成して傾いたスリツト22又
は24を備えており、これらのスリツトは両接触
子2と4において同方向に走つているので、隣接
したスリツト22又は24の間に形成された道3
2又は34が両接触子において同一の回転方向に
続いている。その範囲においてスリツトを備えて
いる接点台の高さHTはそれぞれつぼ深さを形成
し、このつぼ深さは接触子2と4の図示された構
成においては接点台6又は8の全高さHTである。
スリツト22と24は一定の傾斜角αによりら
線形に形成されている。かかるスリツトは円筒形
のフライスにより製作することができ、このフラ
イスの直径はスリツトの幅に等しくその長さは少
なくとも接点台6と8の壁厚に等しい。接点台6
又は8は製作の際その軸線5の回りにら線状に導
かれる。直径Dとつぼ深さHTとが予め定められ
ているときは、各スリツト22と24が包んでい
る方位角βを有するかかるら線形のスリツトの傾
斜角は tanα=(π/360°)・β・D/HT () の関係により求められる。
線形に形成されている。かかるスリツトは円筒形
のフライスにより製作することができ、このフラ
イスの直径はスリツトの幅に等しくその長さは少
なくとも接点台6と8の壁厚に等しい。接点台6
又は8は製作の際その軸線5の回りにら線状に導
かれる。直径Dとつぼ深さHTとが予め定められ
ているときは、各スリツト22と24が包んでい
る方位角βを有するかかるら線形のスリツトの傾
斜角は tanα=(π/360°)・β・D/HT () の関係により求められる。
特に簡単な方法においては、平らな切断面を有
するスリツトを例えばのこびきにより製作するこ
とができる。軸線5に対して切断面36の傾斜角
αEをするかかるスリツトは、第2図において側面
図を示されており、この図においては簡単のため
に単一の平らな切断部22だけが示されている。
第3図に示すように方位角βを有する切断面36
の接触子2と4の軸線5に対する傾斜角αEは次の
関係から求められる。
するスリツトを例えばのこびきにより製作するこ
とができる。軸線5に対して切断面36の傾斜角
αEをするかかるスリツトは、第2図において側面
図を示されており、この図においては簡単のため
に単一の平らな切断部22だけが示されている。
第3図に示すように方位角βを有する切断面36
の接触子2と4の軸線5に対する傾斜角αEは次の
関係から求められる。
tanαE={b+(D/2)sin〔β−arcsin
(2b/D)〕}/HT ()
ここでbは、スリツト22の切断面36と接点
台6の端面27とが形成する切断線30の、軸線
5からの距離である。β−arcsin(2b/D)はほ
ぼ90°に選ばれるのが有利であり、従つて β=90°+arcsin(2b/D) の条件が満たされる。第3図に示すようにarc
sin(2b/D)はγであるから、β−γが90°の場
合を考えると点Fは一点鎖線31の位置まで移動
し、あらかじめ与えられた距離bにおいて最大可
能な方位角β、したがつて最大可能な比磁束密度
が得られる。それによつて距離b、直径D及びつ
ぼ深さHTが与えられたときに、tanαEが最大にな
る。
台6の端面27とが形成する切断線30の、軸線
5からの距離である。β−arcsin(2b/D)はほ
ぼ90°に選ばれるのが有利であり、従つて β=90°+arcsin(2b/D) の条件が満たされる。第3図に示すようにarc
sin(2b/D)はγであるから、β−γが90°の場
合を考えると点Fは一点鎖線31の位置まで移動
し、あらかじめ与えられた距離bにおいて最大可
能な方位角β、したがつて最大可能な比磁束密度
が得られる。それによつて距離b、直径D及びつ
ぼ深さHTが与えられたときに、tanαEが最大にな
る。
第4図に示すグラフにつぼ深さHTの直径Dと
の関係が示されている。つぼ深さHTと直径Dと
は0.1D≦HT≦0.5Dの範囲で値を選ぶことができ
るが、特に0.15D≦HT≦0.3Dの範囲が好ましい。
60ないし150mmの直径Dについてつぼ深さに対し
て望ましくは保つべき下限値HT=0.15D及び望ま
しくは本質的に超えない上限値HT=0.3Dを用い
て、つぼ深さを下限線HTuと上限線HTpにより与
えられる範囲の中で選ぶことにより、軸方向磁界
を発生させるのに用いる接点台の深さと直径との
比率の特に好ましい値を得ることができる。例え
ばD=90mmの直径を有する接触子2と4に対し
て、グラフに破線で示すようにつぼ深さHTはほ
ぼ13.5mmと27mmの間となる。
の関係が示されている。つぼ深さHTと直径Dと
は0.1D≦HT≦0.5Dの範囲で値を選ぶことができ
るが、特に0.15D≦HT≦0.3Dの範囲が好ましい。
60ないし150mmの直径Dについてつぼ深さに対し
て望ましくは保つべき下限値HT=0.15D及び望ま
しくは本質的に超えない上限値HT=0.3Dを用い
て、つぼ深さを下限線HTuと上限線HTpにより与
えられる範囲の中で選ぶことにより、軸方向磁界
を発生させるのに用いる接点台の深さと直径との
比率の特に好ましい値を得ることができる。例え
ばD=90mmの直径を有する接触子2と4に対し
て、グラフに破線で示すようにつぼ深さHTはほ
ぼ13.5mmと27mmの間となる。
スリツト数sの直径Dとの関係を示す第5図に
よるグラフに対応して、スリツト数sは一点鎖線
によりそれぞれ決定される下限値及び条上限値の
範囲内において選ばれる。スリツト数sは整数だ
けから成るので、下限及び上限としてそれぞれ階
段線が得られる。例えばD=90mmの直径に対して
は、グラフに破線で示したように3ないし9個の
スリツトを選ぶことができる。
よるグラフに対応して、スリツト数sは一点鎖線
によりそれぞれ決定される下限値及び条上限値の
範囲内において選ばれる。スリツト数sは整数だ
けから成るので、下限及び上限としてそれぞれ階
段線が得られる。例えばD=90mmの直径に対して
は、グラフに破線で示したように3ないし9個の
スリツトを選ぶことができる。
第6図に示すグラフにおいてはスリツト22と
24の方位角βの直径Dとの関係が示されてい
る。接触子2と4の間の中央に必要な比磁束密度 BZ/I=3.5μT/A を発生させるための方位角βは一群の線により記
入されている。この比磁束密度は遮断電流が大き
な場合にも拡散したアーク形を発生させるのに十
分な値として得られたものである。良好な近似で
直線として延びている線のパラメータは各接点台
6と8におけるスリツト数sである。つぼ深さ
HTに対しては特にぎりぎりに使用可能な値HT=
0.15Dが採用され、また例えば2.6mmの比較的大き
いスリツト幅が採用された。式 β=(8+0.1D/mm+3D/mm/s)° から、スリツト数s、つば深さHT及びスリツト
幅の適切な値を用いて、接触子装置の遮断容量を
高めるために必要な最小縦磁界の発生を可能にす
る方位角βに対する範囲の下限値が得られる。式 β=(150+0.5D/mm)° に相当する破線で示す限界線βpは、スリツト数
s、つぼ深さHT及びスリツト幅2.6mmの適切な値
を用いて、接触子装置の遮断容量を高めるために
用いられるべき縦磁界の発生を可能にする方位角
βに対する範囲の上限を示す。図に破線で示すよ
うに直径D=90mmに対して、例えばスリツト数s
=3の場合には方位角βに対する下限として108°
が得られ、スリツト数s=8の場合に方位角βに
対する下限として50°が得られる。
24の方位角βの直径Dとの関係が示されてい
る。接触子2と4の間の中央に必要な比磁束密度 BZ/I=3.5μT/A を発生させるための方位角βは一群の線により記
入されている。この比磁束密度は遮断電流が大き
な場合にも拡散したアーク形を発生させるのに十
分な値として得られたものである。良好な近似で
直線として延びている線のパラメータは各接点台
6と8におけるスリツト数sである。つぼ深さ
HTに対しては特にぎりぎりに使用可能な値HT=
0.15Dが採用され、また例えば2.6mmの比較的大き
いスリツト幅が採用された。式 β=(8+0.1D/mm+3D/mm/s)° から、スリツト数s、つば深さHT及びスリツト
幅の適切な値を用いて、接触子装置の遮断容量を
高めるために必要な最小縦磁界の発生を可能にす
る方位角βに対する範囲の下限値が得られる。式 β=(150+0.5D/mm)° に相当する破線で示す限界線βpは、スリツト数
s、つぼ深さHT及びスリツト幅2.6mmの適切な値
を用いて、接触子装置の遮断容量を高めるために
用いられるべき縦磁界の発生を可能にする方位角
βに対する範囲の上限を示す。図に破線で示すよ
うに直径D=90mmに対して、例えばスリツト数s
=3の場合には方位角βに対する下限として108°
が得られ、スリツト数s=8の場合に方位角βに
対する下限として50°が得られる。
平らに切断された好ましくはのこ挽きされたス
リツト22と24に対しては、式()に方位角
βに対しそれぞれ上述の下限値、上限値を代入す
ることにより、傾斜角αEに対する使用可能な範囲
が得られる。こうして次式で示す範囲が得られ
る。
リツト22と24に対しては、式()に方位角
βに対しそれぞれ上述の下限値、上限値を代入す
ることにより、傾斜角αEに対する使用可能な範囲
が得られる。こうして次式で示す範囲が得られ
る。
なお、下限に対してはスリツト数sを6とす
る。
る。
{b+(D/2)sin〔(9+0.58D/mm)°
−arcsin(2b/D)〕}/HT≦tanαE≦ ()
{b+(D/2)sin〔(150+0.5D/mm)°
−arcsin(2b/D)〕}/HT
例えばら線形のスリツトを有し、
接触子直径 D=90mm
つぼ深さ HT=21mm
壁厚 W=7.7mm
接点台ごとのスリツト数 s=6
スリツト幅 bs=1.4mm
接触子隙間 A=15mm
の寸法を有する接触子2と4の構成において、接
触子2と4の間の中央で比磁束密度 BZ/I=4.2μT/A を得るためには、第6図のグラフからは外れ、ス
リツトは方位角 β=102° を包まなければならない。
触子2と4の間の中央で比磁束密度 BZ/I=4.2μT/A を得るためには、第6図のグラフからは外れ、ス
リツトは方位角 β=102° を包まなければならない。
ら線形のスリツトに対しては式()により
tanα=3.80
従つてスリツトの傾斜角 α=75.3°
が得られる。
このスリツトの傾斜角αは最小傾斜角に対する
限界値66.2°と最大傾斜角に対する限界値82.2°に
より設定される範囲のほぼ中央にある。
限界値66.2°と最大傾斜角に対する限界値82.2°に
より設定される範囲のほぼ中央にある。
コイルとして作動するスリツト付き接点台6又
は8の抵抗は R=2.4μΩ となり、接点台と従属する支持体18又は20と
の並列回路の抵抗は RpI=2.15μΩ となる。それによつて抵抗熱のために生じる通電
部14と16の始端に対する接点台の許容温度上
昇50Kに対し、最大電流容量 Ieff/50K=7.5KA が得られる。
は8の抵抗は R=2.4μΩ となり、接点台と従属する支持体18又は20と
の並列回路の抵抗は RpI=2.15μΩ となる。それによつて抵抗熱のために生じる通電
部14と16の始端に対する接点台の許容温度上
昇50Kに対し、最大電流容量 Ieff/50K=7.5KA が得られる。
接触子直径D、つぼ深さHT及び壁厚Wの与え
られた値により、接触子2と4は相互の隙間 AH=13mm のときヘルムホルツ・コイル対のように働き、従
つて接触子2と4の間の軸線5上に一様な磁界が
生じる。
られた値により、接触子2と4は相互の隙間 AH=13mm のときヘルムホルツ・コイル対のように働き、従
つて接触子2と4の間の軸線5上に一様な磁界が
生じる。
平らなスリツトプロフイルと90mmの直径Dを有
するこの発明に基づく接触子装置により、15kV
の定格電圧において遮断可能電流Ieff>50kA、及
び36kVの定格電圧において遮断可能電流Ieff>
31.5kAに相当する遮断容量が得られる。
するこの発明に基づく接触子装置により、15kV
の定格電圧において遮断可能電流Ieff>50kA、及
び36kVの定格電圧において遮断可能電流Ieff>
31.5kAに相当する遮断容量が得られる。
第1図はこの発明に基づく1対の接触子の実施
例の一部切欠側面図、第2図は一つの接触子の別
の実施例の側面図、第3図は第2図に示す接触子
の平面図、第4図はつぼ深さHTの限界値と接点
台直径Dとの関係を示す線図、第5図はスリツト
数sの限界値と接点台直径Dとの関係を示す線
図、第6図は方位角βの限界値と接点台直径Dと
の関係を示す線図である。 2,4……接触子、5……軸線、6,8……接
点台、22,24……スリツト、26,28……
接触板、30……切断直線、36……切断面、b
……距離、D……接点台直径、s……スリツト
数、W……壁厚、α,αE……傾斜角、β……方位
角。
例の一部切欠側面図、第2図は一つの接触子の別
の実施例の側面図、第3図は第2図に示す接触子
の平面図、第4図はつぼ深さHTの限界値と接点
台直径Dとの関係を示す線図、第5図はスリツト
数sの限界値と接点台直径Dとの関係を示す線
図、第6図は方位角βの限界値と接点台直径Dと
の関係を示す線図である。 2,4……接触子、5……軸線、6,8……接
点台、22,24……スリツト、26,28……
接触板、30……切断直線、36……切断面、b
……距離、D……接点台直径、s……スリツト
数、W……壁厚、α,αE……傾斜角、β……方位
角。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 同軸上に向かい合つて配置され且つその軸方
向に相対的に移動可能なつぼ形接触子2,4を備
え、この接触子の中空円筒形の接点台6,8が軸
線5に対し同一方向に傾斜したスリツト22,2
4を有すると共に、それぞれ接触板26,28を
備えた真空スイツチの接触子装置において、接点
台6,8の外径Dの 60mm≦D≦150mm の範囲に対して、つぼ深さHTとスリツト数sと
スリツト22,24の方位角βが (a) 0.1D≦HT≦0.5D (b) 0.03D/mm≦s≦0.1D/mm (c) (8+0.1D/mm+3D/mm/s)°≦β≦(150 +0.5D/mm)° の条件を満足することを特徴とする真空スイツチ
の接触子装置。 2 0.15D≦HT≦0.3D の条件を満足することを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の装置。 3 平らなスリツト22,24の切断面36の傾
斜角αEと接触子2,4の軸線5から切断直線30
までの距離bについて、{b+(D/2)sin〔(9
+0.58D/mm)°−arcsin(2b/D)〕}/HT≦
tanαE≦ {b+(D/2)sin〔(150+0.5D/mm)°−
arcsin(2b/D)〕}/HT の条件を満足することを特徴とする特許請求の範
囲第1項又は第2項記載の装置。 4 接点台6,8の壁厚Wが 7mm≦W≦10mm の条件を満足することを特徴とする特許請求の範
囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843407088 DE3407088A1 (de) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | Kontaktanordnung fuer vakuumschalter |
| DE3407088.5 | 1984-02-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60205925A JPS60205925A (ja) | 1985-10-17 |
| JPH0359531B2 true JPH0359531B2 (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=6228967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60036245A Granted JPS60205925A (ja) | 1984-02-27 | 1985-02-25 | 真空スイツチの接触子装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4620074A (ja) |
| EP (1) | EP0155376B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60205925A (ja) |
| DE (2) | DE3407088A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2946792A1 (fr) * | 2009-06-10 | 2010-12-17 | Areva T & D Sa | Enroulement pour contact d'ampoule a vide a moyenne tension a endurance amelioree, ampoule a vide et disjoncteur, tel qu'un disjoncteur sectionneur d'alternateur associes. |
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|---|---|---|---|---|
| DE3724813A1 (de) * | 1987-07-27 | 1989-02-09 | Bbc Brown Boveri & Cie | Kontaktanordnung fuer einen vakuumschalter |
| DE3724811A1 (de) * | 1987-07-27 | 1989-02-09 | Bbc Brown Boveri & Cie | Kontaktanordnung fuer einen vakuumschalter |
| EP0410049B1 (de) * | 1989-07-28 | 1994-12-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre |
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| DE10030670C2 (de) | 2000-06-23 | 2002-06-13 | Siemens Ag | Vakuumschaltröhre mit zwei Kontaktsystemen |
| JP2002334641A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Meidensha Corp | 真空遮断器の電極及びその製造方法 |
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| JP3840934B2 (ja) | 2001-09-12 | 2006-11-01 | 株式会社明電舎 | 真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ |
| US6639169B2 (en) * | 2001-09-12 | 2003-10-28 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Contact for vacuum interrupter and vacuum interrupter using the contact |
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| FR2946791B1 (fr) | 2009-06-10 | 2011-09-23 | Areva T & D Sa | Contact pour ampoule a vide a moyenne tension a structure renforcee, ampoule a vide et disjoncteur, tel qu'un disjoncteur sectionneur d'alternateur associes. |
| FR2946790B1 (fr) | 2009-06-10 | 2011-07-01 | Areva T & D Sa | Contact pour ampoule a vide a moyenne tension a coupure d'arc amelioree, ampoule a vide et disjoncteur, tel qu'un disjoncteur sectionneur d'alternateur associes. |
| DE102012221844A1 (de) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltkontakt für Vakuumschaltröhren |
| WO2014094724A1 (de) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Kuckuck Jochen | Kontaktsystem zur lichtbogenkontraktionskompensation bei leistungsschaltern |
| US9640353B2 (en) | 2014-10-21 | 2017-05-02 | Thomas & Betts International Llc | Axial magnetic field coil for vacuum interrupter |
| DE102015217647B4 (de) * | 2015-09-15 | 2025-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltkontakt für eine Vakuumschaltröhre sowie Vakuumschaltröhre |
| RU203212U1 (ru) * | 2020-11-30 | 2021-03-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный индустриальный университет", ФГБОУ ВО "СибГИУ" | Контактное устройство вакуумной дугогасительной камеры |
| CN112420444A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-02-26 | 西安交通大学 | 一种纵向磁场真空灭弧室触头 |
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| GB1095638A (en) * | 1965-12-16 | 1967-12-20 | Ass Elect Ind | Improvements in or relating to vacuum switch contacts |
| DE3227482A1 (de) * | 1982-07-20 | 1983-02-03 | Ernst Prof. Dr.techn.habil. 1000 Berlin Slamecka | Vakuumschalter-kontaktanordnung mit vorrichtung zur erzeugung eines achsialen magnetfeldes |
| DE3231593A1 (de) * | 1982-08-25 | 1984-03-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kontaktanordnung fuer vakuumschalter |
-
1984
- 1984-02-27 DE DE19843407088 patent/DE3407088A1/de not_active Withdrawn
- 1984-12-11 EP EP84115139A patent/EP0155376B1/de not_active Expired
- 1984-12-11 DE DE8484115139T patent/DE3464103D1/de not_active Expired
-
1985
- 1985-02-22 US US06/704,428 patent/US4620074A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-25 JP JP60036245A patent/JPS60205925A/ja active Granted
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| FR2946792A1 (fr) * | 2009-06-10 | 2010-12-17 | Areva T & D Sa | Enroulement pour contact d'ampoule a vide a moyenne tension a endurance amelioree, ampoule a vide et disjoncteur, tel qu'un disjoncteur sectionneur d'alternateur associes. |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3407088A1 (de) | 1985-08-29 |
| US4620074A (en) | 1986-10-28 |
| EP0155376B1 (de) | 1987-06-03 |
| DE3464103D1 (en) | 1987-07-09 |
| EP0155376A1 (de) | 1985-09-25 |
| JPS60205925A (ja) | 1985-10-17 |
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| US2109685A (en) | Circuit breaker |
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