JPH0359543B2 - - Google Patents
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- JPH0359543B2 JPH0359543B2 JP57084189A JP8418982A JPH0359543B2 JP H0359543 B2 JPH0359543 B2 JP H0359543B2 JP 57084189 A JP57084189 A JP 57084189A JP 8418982 A JP8418982 A JP 8418982A JP H0359543 B2 JPH0359543 B2 JP H0359543B2
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- rotating disk
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- ion implantation
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- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 52
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 19
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 13
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造工程で用いられる大電流イ
オン打込装置に係り、特に、イオン打込用回転円
板の冷却機構に関するものである。
オン打込装置に係り、特に、イオン打込用回転円
板の冷却機構に関するものである。
最近のイオン打込装置においては、10mA程度
の大電流イオンを80KV程度の加速電圧でウエハ
に打込んでいるので、800Wものビーム加熱をウ
エハおよびウエハを取り付けたアルミニウム製の
回転円板に与えることになる。このようにウエハ
が強く加熱されると、結晶性の損傷や表面のマス
クの損傷が起るので、これを防ぐためには150℃
以下に冷却する必要があり、そのためには次のよ
うな水冷機構が用いられている。
の大電流イオンを80KV程度の加速電圧でウエハ
に打込んでいるので、800Wものビーム加熱をウ
エハおよびウエハを取り付けたアルミニウム製の
回転円板に与えることになる。このようにウエハ
が強く加熱されると、結晶性の損傷や表面のマス
クの損傷が起るので、これを防ぐためには150℃
以下に冷却する必要があり、そのためには次のよ
うな水冷機構が用いられている。
第1図は従来の大電流イオン打込装置の打込室
付近の断面図である。1はイオン発生器によつて
作られた特定元素のイオンビームであり、2はイ
オンビーム1の標的となつているウエハである。
このウエハ2は周辺部がアルミニウム製の回転円
板3の同一半径円周上に配列してあり、回転円板
3を定速度で回転させ乍らイオンビーム1を僅か
に上下させると、複数個のウエハ2に均一なイオ
ン打込みを行うことができる。なお、回転円板3
が収容されている真空打込室6とイオンビーム1
の通路はイオンビームの通過をさまたげない程度
の高真空に減圧されており、また、回転円板3は
水冷されている。
付近の断面図である。1はイオン発生器によつて
作られた特定元素のイオンビームであり、2はイ
オンビーム1の標的となつているウエハである。
このウエハ2は周辺部がアルミニウム製の回転円
板3の同一半径円周上に配列してあり、回転円板
3を定速度で回転させ乍らイオンビーム1を僅か
に上下させると、複数個のウエハ2に均一なイオ
ン打込みを行うことができる。なお、回転円板3
が収容されている真空打込室6とイオンビーム1
の通路はイオンビームの通過をさまたげない程度
の高真空に減圧されており、また、回転円板3は
水冷されている。
上記の如く大電流打込み時はウエハ2を加熱し
て結晶性を傷う恐れがあるので、回転円板3の中
央部をステンレス製の水冷容器4に気密に接続
し、冷却水で冷却している。そのために回転円板
3の中央部はステンレス製の円板4aとし、ステ
ンレス製の盃状カバー4bと接触させると共にね
じ12bで気密に結合させている。即ち、ステン
レス製の水冷容器4は耐食性の大きなステンレス
材によつて形成され、水の存在下で異種金属が接
触しないように構成してある。また、このステン
レス製の円板4aに接続されている回転円板3は
回転体の軽量化に役立つと共に、比較的熱伝導も
良好である。
て結晶性を傷う恐れがあるので、回転円板3の中
央部をステンレス製の水冷容器4に気密に接続
し、冷却水で冷却している。そのために回転円板
3の中央部はステンレス製の円板4aとし、ステ
ンレス製の盃状カバー4bと接触させると共にね
じ12bで気密に結合させている。即ち、ステン
レス製の水冷容器4は耐食性の大きなステンレス
材によつて形成され、水の存在下で異種金属が接
触しないように構成してある。また、このステン
レス製の円板4aに接続されている回転円板3は
回転体の軽量化に役立つと共に、比較的熱伝導も
良好である。
この回転円板3を取り付けたステンレス製の水
冷容器4の左端面に中央には1本のステンレス管
15が横方向に接続され、このステンレス管15
は電磁流体式真空シール7を介して真空打込室6
のケース6aの端面を通過すると共に、その先に
平歯車9bを固定している。更にステンレス管1
5の先端部は軸受支持部材17に回転自在に嵌合
している。
冷容器4の左端面に中央には1本のステンレス管
15が横方向に接続され、このステンレス管15
は電磁流体式真空シール7を介して真空打込室6
のケース6aの端面を通過すると共に、その先に
平歯車9bを固定している。更にステンレス管1
5の先端部は軸受支持部材17に回転自在に嵌合
している。
ステンレス管15の中には冷却水導入管5が貫
通し、この冷却水導入管5の先端はステンレス製
の水冷容器4内にまで延びており、その開口端に
はステンレス製の円板14が取り付けてある。し
たがつて、冷却水導入管5を通つてステンレス製
の水冷容器4内に入つた冷水は、ステンレス製の
円板4aの内面を冷却し乍ら円板14の周辺を通
り冷却水導入管5とステンレス管15との間の管
状の隙間を流れて排水管16より流出する。な
お、ステンレス管15は平歯車9b,9aを介し
てモータ10で定速度で回転させられるので、冷
却水導入管5は回転自在継手8を介して水道管に
接続されている。
通し、この冷却水導入管5の先端はステンレス製
の水冷容器4内にまで延びており、その開口端に
はステンレス製の円板14が取り付けてある。し
たがつて、冷却水導入管5を通つてステンレス製
の水冷容器4内に入つた冷水は、ステンレス製の
円板4aの内面を冷却し乍ら円板14の周辺を通
り冷却水導入管5とステンレス管15との間の管
状の隙間を流れて排水管16より流出する。な
お、ステンレス管15は平歯車9b,9aを介し
てモータ10で定速度で回転させられるので、冷
却水導入管5は回転自在継手8を介して水道管に
接続されている。
真空打込室6は真空排気装置に接続されると共
にイオンビーム1の通路となつている開口部を形
成したケース6aと、Oリング11を介してこれ
に対向しているケース6bとよりなり、ねじ12
aおよびナツト13によつて周辺の複数箇所を締
め付けて1体に組立てている。
にイオンビーム1の通路となつている開口部を形
成したケース6aと、Oリング11を介してこれ
に対向しているケース6bとよりなり、ねじ12
aおよびナツト13によつて周辺の複数箇所を締
め付けて1体に組立てている。
このように構成したイオン打込機の操作の概略
を次に説明する。ウエハ2を回転円板3に取り付
けて真空打込室6を封止し減圧する。次に、冷却
水導入管5より通水し乍らモータ10を作動させ
て回転円板3をステンレス製の水冷容器4と共に
回転させる。この状態で所定の元素のイオンビー
ム1を僅かに上下方向に動揺させ乍ら照射する
と、複数個のウエハ2に所定のイオンを均一に打
込むことができる。
を次に説明する。ウエハ2を回転円板3に取り付
けて真空打込室6を封止し減圧する。次に、冷却
水導入管5より通水し乍らモータ10を作動させ
て回転円板3をステンレス製の水冷容器4と共に
回転させる。この状態で所定の元素のイオンビー
ム1を僅かに上下方向に動揺させ乍ら照射する
と、複数個のウエハ2に所定のイオンを均一に打
込むことができる。
しかるにこのような従来のイオン打込装置には
次のような問題点をもつていた。
次のような問題点をもつていた。
(1) ウエハ2を多数装着している回転部材は、耐
食性アルミニウム材を用いた回転円板3として
軽量化を図ると共に、ウエハ2の重金属汚染を
防止している。また、アルミニウムは比較的熱
伝達が良好であるという利点をもつている。一
方、この回転円板3を取り付けているステンレ
ス製の水冷容器4は腐食防止と耐真空溶接の確
実性の面からステンレス材が用いられている。
しかし、熱伝導の点から考えるとステンレスは
耐食性アルミニウムよりも1桁程度低い。した
がつて、ウエハ2の冷却作用が不十分であつ
た。
食性アルミニウム材を用いた回転円板3として
軽量化を図ると共に、ウエハ2の重金属汚染を
防止している。また、アルミニウムは比較的熱
伝達が良好であるという利点をもつている。一
方、この回転円板3を取り付けているステンレ
ス製の水冷容器4は腐食防止と耐真空溶接の確
実性の面からステンレス材が用いられている。
しかし、熱伝導の点から考えるとステンレスは
耐食性アルミニウムよりも1桁程度低い。した
がつて、ウエハ2の冷却作用が不十分であつ
た。
(2) 高真空の真空打込室6内でアルミニウム製の
回転円板3とステンレス製の円板4aおよびス
テンレス製の盃状カバー4bとをねじ12bで
接続させているので、接続熱抵抗が大きく、ア
ルミニウム製の回転円板3の冷却効率が著しく
低い。即ち、金属板同志をねじ締めしても実際
は全面が密着していないので、伝熱効率が低
い。
回転円板3とステンレス製の円板4aおよびス
テンレス製の盃状カバー4bとをねじ12bで
接続させているので、接続熱抵抗が大きく、ア
ルミニウム製の回転円板3の冷却効率が著しく
低い。即ち、金属板同志をねじ締めしても実際
は全面が密着していないので、伝熱効率が低
い。
本発明は上記のような従来技術の欠点を解消
し、アルミニウム製の回転円板の冷却効率を大幅
に向上させることができるイオン打込用回転円板
の冷却機構を提供することを目的とし、その特徴
とするところは、周辺部の同一円周上に加速され
た特定イオンビームを打込む複数個の標的が配列
されている回転円板と、該回転円板の中央部にそ
の開口部が固定され該回転円板の中央部とともに
該回転円板の水冷容器を構成するステンレス製の
盃状カバーとを有し、大電流イオンの打ち込みの
行われるイオン打込用回転円板の冷却機構におい
て、上記回転円板が上記周辺部と上記中央部とが
一体のアルミニウム製の円板よりなり、上記盃状
カバーの上記開口部がステンレス薄板を介する状
態で該開口部の開口端により上記回転円板の中央
部に固定され、かつ、該中央部に複数個の小孔が
設けてあることにある。
し、アルミニウム製の回転円板の冷却効率を大幅
に向上させることができるイオン打込用回転円板
の冷却機構を提供することを目的とし、その特徴
とするところは、周辺部の同一円周上に加速され
た特定イオンビームを打込む複数個の標的が配列
されている回転円板と、該回転円板の中央部にそ
の開口部が固定され該回転円板の中央部とともに
該回転円板の水冷容器を構成するステンレス製の
盃状カバーとを有し、大電流イオンの打ち込みの
行われるイオン打込用回転円板の冷却機構におい
て、上記回転円板が上記周辺部と上記中央部とが
一体のアルミニウム製の円板よりなり、上記盃状
カバーの上記開口部がステンレス薄板を介する状
態で該開口部の開口端により上記回転円板の中央
部に固定され、かつ、該中央部に複数個の小孔が
設けてあることにある。
第2図は本発明の一実施例である大電流イオン
打込装置の打込室付近の断面図であり、第1図と
同じ部分には同一符号を付している。この場合は
回転円板3の代わりにアルミニウム製の完全な円
板状に形成したアルミニウム製回転円板30を用
い、、ステンレス製の水冷容器4の盃状カバー4
bとの間にOリング18とステンレス薄板20を
介してねじ12bでねじ止めしている。また、ア
ルミニウム製回転円板30のステンレス薄板20
の背後の部分には複数個の小孔19を設けてい
る。
打込装置の打込室付近の断面図であり、第1図と
同じ部分には同一符号を付している。この場合は
回転円板3の代わりにアルミニウム製の完全な円
板状に形成したアルミニウム製回転円板30を用
い、、ステンレス製の水冷容器4の盃状カバー4
bとの間にOリング18とステンレス薄板20を
介してねじ12bでねじ止めしている。また、ア
ルミニウム製回転円板30のステンレス薄板20
の背後の部分には複数個の小孔19を設けてい
る。
第3図は第2図A部の拡大図である。冷却水は
大気圧以上に加圧されており、真空打込室6内は
高真空状態となつているので、ステンレス薄板2
0はアルミニウム製回転円板30に向つて圧迫さ
れてこれに密着している。また、ステンレス薄板
20は0.2mm厚さであるので、ステンレスの熱伝
導度は低いが両面間を迅速に伝熱する。したがつ
て、アルミニウム製回転円板30の熱はステンレ
ス薄板20を通つて効率良く冷却水に伝達され、
アルミニウム製回転円板30のビーム加熱による
温度上昇を抑制し、ウエハ2への熱的影響を緩和
することができる。
大気圧以上に加圧されており、真空打込室6内は
高真空状態となつているので、ステンレス薄板2
0はアルミニウム製回転円板30に向つて圧迫さ
れてこれに密着している。また、ステンレス薄板
20は0.2mm厚さであるので、ステンレスの熱伝
導度は低いが両面間を迅速に伝熱する。したがつ
て、アルミニウム製回転円板30の熱はステンレ
ス薄板20を通つて効率良く冷却水に伝達され、
アルミニウム製回転円板30のビーム加熱による
温度上昇を抑制し、ウエハ2への熱的影響を緩和
することができる。
上記ステンレス薄板20は0.2mm厚であるので
相当柔軟性をもつており、流通水と真空室との間
を境する場合のアルミニウム製回転円板30への
密着性は良好であり、アルミニウム製回転円板3
0の熱を良く伝えることができた。また、小孔1
9に接する部分には1気圧以上の吸引力が局部的
に作用するが、強靭なステンレス板であるので打
ち抜けるようなことはない。なお、アルミニウム
製回転円板30に設けた複数個の小孔19は袋小
路となつているステンレス薄板20とアルミニウ
ム製回転円板30との間の空気を速やかに排気さ
せて密着性を良くするために設けたものである。
相当柔軟性をもつており、流通水と真空室との間
を境する場合のアルミニウム製回転円板30への
密着性は良好であり、アルミニウム製回転円板3
0の熱を良く伝えることができた。また、小孔1
9に接する部分には1気圧以上の吸引力が局部的
に作用するが、強靭なステンレス板であるので打
ち抜けるようなことはない。なお、アルミニウム
製回転円板30に設けた複数個の小孔19は袋小
路となつているステンレス薄板20とアルミニウ
ム製回転円板30との間の空気を速やかに排気さ
せて密着性を良くするために設けたものである。
さて、第1図の従来のステンレス円板4aの厚
さを5mmとし、本実施例のステンレス薄板20の
厚さを0.5mmとしたとすると、熱抵抗は1/10に改
善されることになる。また、従来の水冷容器と回
転円板の接触面積は、真空中での剛体間では通常
対面する面積の1/10程度しか期待できない。本実
施例のようなステンレス薄板とすることにより、
これに大気圧と水圧とが加わつてアルミニウム製
回転円板30の表面の凹凸になじんで接触面積は
従来の第1図の場合よりは5倍以上増加してい
る。したがつて、熱抵抗は従来に比して1/50に減
少すると略算できる。
さを5mmとし、本実施例のステンレス薄板20の
厚さを0.5mmとしたとすると、熱抵抗は1/10に改
善されることになる。また、従来の水冷容器と回
転円板の接触面積は、真空中での剛体間では通常
対面する面積の1/10程度しか期待できない。本実
施例のようなステンレス薄板とすることにより、
これに大気圧と水圧とが加わつてアルミニウム製
回転円板30の表面の凹凸になじんで接触面積は
従来の第1図の場合よりは5倍以上増加してい
る。したがつて、熱抵抗は従来に比して1/50に減
少すると略算できる。
本実施例のイオン打込用回転円板の冷却構造は
次のような効果をもつている。
次のような効果をもつている。
(1) 冷却水が接触するのはスレンレス材の部分だ
けであつて異種金属の接合部は存在しない。し
たがつて、腐食防止効果が大きい。即ち、ステ
ンレス製の水冷容器4はすべてスレンレス材で
形成されている。
けであつて異種金属の接合部は存在しない。し
たがつて、腐食防止効果が大きい。即ち、ステ
ンレス製の水冷容器4はすべてスレンレス材で
形成されている。
(2) ウエハ2を取り付けているアルミニウム製回
転円板30は水冷されているステンレス薄板2
0に殆んど密着している。また、ステンレス薄
板20は厚さが0.2mm程度で伝熱距離が短い。
一般にステンレス材は伝熱効率は低いが、この
ように薄くしてあるのでアルミニウム製回転円
板30の熱を迅速に冷却水に伝え、アルミニウ
ム製回転円板30の温度上昇を抑制することが
できる。
転円板30は水冷されているステンレス薄板2
0に殆んど密着している。また、ステンレス薄
板20は厚さが0.2mm程度で伝熱距離が短い。
一般にステンレス材は伝熱効率は低いが、この
ように薄くしてあるのでアルミニウム製回転円
板30の熱を迅速に冷却水に伝え、アルミニウ
ム製回転円板30の温度上昇を抑制することが
できる。
上記実施例ではステンレス薄板20に0.2mm程
度のものを使用したが、0.3mm以下0.1mm程度でも
使用できるし、薄い程伝熱効果が良くなる。
度のものを使用したが、0.3mm以下0.1mm程度でも
使用できるし、薄い程伝熱効果が良くなる。
本発明のイオン打込用回転円板の冷却構造は回
転円板の冷却効率を大幅に向上させ、ウエハのス
ループツトを増すことができるという効果が得ら
れる。
転円板の冷却効率を大幅に向上させ、ウエハのス
ループツトを増すことができるという効果が得ら
れる。
第1図は従来の大電流イオン打込装置の打込室
付近の断面図、第2図は本発明の一実施例である
大電流イオン打込装置の打込室付近の断面図、第
3図は第2図のA部の拡大図である。 1……イオンビーム、2……ウエハ、3……回
転円板、4……ステンレス製の水冷容器、4a…
…ステンレス製の円板、4b……ステンレス製の
盃状カバー、5……冷却水導入管、6……真空打
込室、7……電磁流体式真空シール、8……回転
自在継手、9……平歯車、10……モータ、1
1,18……Oリング、12……ねじ、13……
ナツト、14……円板、15……ステンレス管、
16……排水管、17……軸受支持部材、19…
…小孔、20……ステンレス薄板、30……アル
ミニウム製回転円板。
付近の断面図、第2図は本発明の一実施例である
大電流イオン打込装置の打込室付近の断面図、第
3図は第2図のA部の拡大図である。 1……イオンビーム、2……ウエハ、3……回
転円板、4……ステンレス製の水冷容器、4a…
…ステンレス製の円板、4b……ステンレス製の
盃状カバー、5……冷却水導入管、6……真空打
込室、7……電磁流体式真空シール、8……回転
自在継手、9……平歯車、10……モータ、1
1,18……Oリング、12……ねじ、13……
ナツト、14……円板、15……ステンレス管、
16……排水管、17……軸受支持部材、19…
…小孔、20……ステンレス薄板、30……アル
ミニウム製回転円板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 周辺部の同一円周上に加速された特定イオン
ビームを打込む複数個の標的が配列されている回
転円板と、該回転円板の中央部にその開口部が固
定され該回転円板の中央部とともに該回転円板の
水冷容器を構成するステンレス製の盃状カバーと
を有し、大電流イオンの打ち込みの行われるイオ
ン打込用回転円板の冷却機構において、上記回転
円板が上記周辺部と上記中央部とが一体のアルミ
ニウム製の円板よりなり、上記盃状カバーの上記
開口部がステンレス薄板を介する状態で該開口部
の開口端により上記回転円板の中央部に固定さ
れ、かつ、該中央部に複数個の小孔が設けてある
ことを特徴とするイオン打込用回転円板の冷却機
構。 2 上記ステンレス薄板が、厚さが0.3mm以下の
ステンレス板である特許請求の範囲第1項記載の
イオン打込用回転円板の冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084189A JPS5951448A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | イオン打込用回転円板の冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084189A JPS5951448A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | イオン打込用回転円板の冷却機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951448A JPS5951448A (ja) | 1984-03-24 |
| JPH0359543B2 true JPH0359543B2 (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=13823521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084189A Granted JPS5951448A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | イオン打込用回転円板の冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951448A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6977392B2 (en) | 1991-08-23 | 2005-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
| US7420628B1 (en) | 1991-02-16 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making an active-type LCD with digitally graded display |
| US7489367B1 (en) | 1991-03-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP57084189A patent/JPS5951448A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7420628B1 (en) | 1991-02-16 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making an active-type LCD with digitally graded display |
| US7489367B1 (en) | 1991-03-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
| US6977392B2 (en) | 1991-08-23 | 2005-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5951448A (ja) | 1984-03-24 |
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