JPH035987A - ブロッホラインメモリデバイス - Google Patents
ブロッホラインメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPH035987A JPH035987A JP1141321A JP14132189A JPH035987A JP H035987 A JPH035987 A JP H035987A JP 1141321 A JP1141321 A JP 1141321A JP 14132189 A JP14132189 A JP 14132189A JP H035987 A JPH035987 A JP H035987A
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- JP
- Japan
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- pattern
- magnetic
- striped
- film
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は記憶単位として垂直ブロッホライン対を用いた
ブロッホラインメモリデバイスに関する。
ブロッホラインメモリデバイスに関する。
高密度記憶素子の開発に伴って、ブロッホラインメモリ
デバイスが記憶容量の膨大さ及び不揮発性であることか
ら近時注目されている。
デバイスが記憶容量の膨大さ及び不揮発性であることか
ら近時注目されている。
ブロッホラインメモリデバイスは、情報記憶部をバブル
磁区を細長く伸ばしたストライプ磁区周辺磁壁で構成し
、その中に、安定に存在する垂直ブロッホライン対（Ｖ
ＢＬ対）の有無の形で情報を記憶させるというものであ
る。このブロッホラインメモリデバイスは基本的には（
ｉ）書込み部、（註）記録転送部、（ｉｉｉ）読出し部
の三要素から成立っている。
磁区を細長く伸ばしたストライプ磁区周辺磁壁で構成し
、その中に、安定に存在する垂直ブロッホライン対（Ｖ
ＢＬ対）の有無の形で情報を記憶させるというものであ
る。このブロッホラインメモリデバイスは基本的には（
ｉ）書込み部、（註）記録転送部、（ｉｉｉ）読出し部
の三要素から成立っている。
これらの要素によってブロッホラインメモリデバイスを
構成する際、前提となる技術としてストライプ磁区を安
定に存在させる技術と共に、（ｉ）及び（ｉｉｉ）の操
作において膜面に対し垂直方向のバイアス磁界Ｈ，を変
化（減少）させて所望の位置までストライプ磁区ヘッド
部を移動（引伸ばす）した時の位置制御技術が必要であ
る。
構成する際、前提となる技術としてストライプ磁区を安
定に存在させる技術と共に、（ｉ）及び（ｉｉｉ）の操
作において膜面に対し垂直方向のバイアス磁界Ｈ，を変
化（減少）させて所望の位置までストライプ磁区ヘッド
部を移動（引伸ばす）した時の位置制御技術が必要であ
る。
このため従来は（ａ）磁性膜に棒状のグルーピングを行
なってグループの周囲にストライプ磁区を安定化させる
、（ｂ）磁性膜上に高磁力面内磁化膜パタンを形成して
ストライプ磁区を静磁的に安定化させる。（Ｃ）磁性膜
表面にイオン注入を行なって注入領域内でストライプ磁
区を安定化させる等の方法が提案され、中でも（ａ）の
方法が現在広く採用されている。しかしこの方法はグル
ープを形成するために燐酸による化学エツチング、イオ
ンミリングによる物理的エツチング等を施す必要があり
、作製工程が複雑になり、またデバイスにダメージを与
え易いという欠点がある。
なってグループの周囲にストライプ磁区を安定化させる
、（ｂ）磁性膜上に高磁力面内磁化膜パタンを形成して
ストライプ磁区を静磁的に安定化させる。（Ｃ）磁性膜
表面にイオン注入を行なって注入領域内でストライプ磁
区を安定化させる等の方法が提案され、中でも（ａ）の
方法が現在広く採用されている。しかしこの方法はグル
ープを形成するために燐酸による化学エツチング、イオ
ンミリングによる物理的エツチング等を施す必要があり
、作製工程が複雑になり、またデバイスにダメージを与
え易いという欠点がある。
一方、（ｂ）の高磁力膜によるストライプ磁区の安定化
に関しては例えばＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、 ６３（
８） 、３１７１（１９８８）にストライプ磁区の安定
化と共に、ストライプ磁区ヘッド部引伸ばしのための構
成及び原理が示されている。しかしこの方法は高磁力膜
として面内方向に磁化した膜を使用するため、ストライ
プ磁区の周囲を囲む磁壁の中に高磁力膜と重なる位置に
形成された部分と高磁力膜と重ならない位置に形成され
た部分とが生じて両部会の磁壁の挙動に差が生じること
になり、ＶＢＬ対の円滑な輸送には不利となる。
に関しては例えばＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、 ６３（
８） 、３１７１（１９８８）にストライプ磁区の安定
化と共に、ストライプ磁区ヘッド部引伸ばしのための構
成及び原理が示されている。しかしこの方法は高磁力膜
として面内方向に磁化した膜を使用するため、ストライ
プ磁区の周囲を囲む磁壁の中に高磁力膜と重なる位置に
形成された部分と高磁力膜と重ならない位置に形成され
た部分とが生じて両部会の磁壁の挙動に差が生じること
になり、ＶＢＬ対の円滑な輸送には不利となる。
第１図はこの様子を示したもので、図中１は高磁力膜パ
タン、２はこの高磁力膜により安定化されたストライプ
磁区、３− ａは高磁力膜と重なる位置に形成された磁
壁、３−ｂは同じく重ならない位置に形成された磁壁を
示す。また第２図には第１図の状態からバイアス磁界Ｈ
Ｂを減少させた時のストライプ磁区ヘッド部の引伸ばし
の様子を示す１図中１−１はストライプ磁区を安定に存
在させるために必要な領域（以下パタンＡという）であ
り、また２−２はバイアス磁界Ｈ８の減少によりストラ
イプ磁区ヘッド部を引伸ばした時のヘッド部の位置制御
を行なうのに必要な領域（以下パタンＢという）である
。
タン、２はこの高磁力膜により安定化されたストライプ
磁区、３− ａは高磁力膜と重なる位置に形成された磁
壁、３−ｂは同じく重ならない位置に形成された磁壁を
示す。また第２図には第１図の状態からバイアス磁界Ｈ
Ｂを減少させた時のストライプ磁区ヘッド部の引伸ばし
の様子を示す１図中１−１はストライプ磁区を安定に存
在させるために必要な領域（以下パタンＡという）であ
り、また２−２はバイアス磁界Ｈ８の減少によりストラ
イプ磁区ヘッド部を引伸ばした時のヘッド部の位置制御
を行なうのに必要な領域（以下パタンＢという）である
。
以上のような（ｂ）の高磁力垂直磁化膜によるストライ
プ磁区の安定化、或いは（ｃ）のイオン注入によるスト
ライプ磁区の安定化に関しては特開昭５９−９６５８９
号、Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎ、Ｍａｇｎ。
プ磁区の安定化、或いは（ｃ）のイオン注入によるスト
ライプ磁区の安定化に関しては特開昭５９−９６５８９
号、Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎ、Ｍａｇｎ。
Ｍ Ａ Ｇ −２２，５，７９９（１９８６）等に示さ
れているが、パタンＡに関する記載だけであり、パタン
Ｂ、即ちストライプ磁区ヘッド部の位置制御に関する記
載はない。
れているが、パタンＡに関する記載だけであり、パタン
Ｂ、即ちストライプ磁区ヘッド部の位置制御に関する記
載はない。
本発明の目的は従来技術における以上のような問題を解
消し、ストライプ磁区を安定に保持すると共に、バイア
ス磁界を変化させた時のストライプ磁区ヘッド部の位置
制御を正確に行なえるブロッホラインメモリデバイスを
提供することである。
消し、ストライプ磁区を安定に保持すると共に、バイア
ス磁界を変化させた時のストライプ磁区ヘッド部の位置
制御を正確に行なえるブロッホラインメモリデバイスを
提供することである。
本発明のブロッホラインメモリデバイスは磁壁によって
囲まれたストライプ磁区の磁壁に垂直ブロッホライン（
ＶＢＬ）対を記憶するための磁性膜を有するブロッホラ
インメモリデバイスにおいて、ストライプ磁区内に、磁
性膜面に対し垂直方向のバイアス磁界を印加した状態で
ストライプ磁区を安定に保持するためのパタンＡとバイ
アス磁界を変化させた時に移動するストライプ磁区ヘッ
ド部の位置制御を行なうためのパタンＢとを隣接させて
設けてなり、前記パタンＡ及びＢはイオン注入され、更
にパタンＡ上には高磁力垂直磁化膜が積層されているこ
とを特徴とするものである。
囲まれたストライプ磁区の磁壁に垂直ブロッホライン（
ＶＢＬ）対を記憶するための磁性膜を有するブロッホラ
インメモリデバイスにおいて、ストライプ磁区内に、磁
性膜面に対し垂直方向のバイアス磁界を印加した状態で
ストライプ磁区を安定に保持するためのパタンＡとバイ
アス磁界を変化させた時に移動するストライプ磁区ヘッ
ド部の位置制御を行なうためのパタンＢとを隣接させて
設けてなり、前記パタンＡ及びＢはイオン注入され、更
にパタンＡ上には高磁力垂直磁化膜が積層されているこ
とを特徴とするものである。
本発明デバイスの原理を図面によって説明すると、第３
図において５は基板１５上に設けられた磁性膜で、この
中に矢印で示したＶＢＬ対４が記憶されるが、このＶＢ
Ｌ対４は磁壁３によって周囲を囲まれたストライプ磁区
２の周囲に形成される。６は磁性膜５の膜面に対し垂直
方向のバイアス磁界ＨＢを印加した状態でストライプ磁
区２を安定に保持すると共に、Ｈ３を変化させた時に移
動するストライプ磁区ヘッド部の位置制御を行なうため
のパタンである。このパタンをまず２つに分けて考える
。即ちこれらのパタンは（１）ストライプ磁区を安定に
保持するために設けられた領域（パタンＡ）、及び（２
）Ｈａを変化させた時に移動するストライプ磁区ヘッド
部の位置制御を行なうために設けられた領域（パタンＢ
）である。こＮである大きさのＨ，に対してパタンＡの
形状に沿った形でストライプ磁区が安定に存在し、且つ
この垂直磁界をΔＨＢだけ減少させることによりストラ
イプ磁区ヘッド部がパタンＢ領域に沿った領域まで引伸
ばされた時、パタンＡ及びパタンＢ領域下部に形成され
たストライプ磁区が感じる有効磁界（Ｈｅと逆向きで、
反磁界、異方性磁界等の和）を夫々Ｈｅｆｆ＾、 Ｈｅ
ｆｆｇとし、またパタンのない部分に形成されたストラ
イプ磁区が感じる有効磁界をＨｅｆｆｏとすれば、 Ｈｅｆｆｏ Ｉ ＜ ｌ Ｈｅｆｆ＋、 ｌ ＜ ｌ
ＨｅｆｆＡ１という関係が成立する。
図において５は基板１５上に設けられた磁性膜で、この
中に矢印で示したＶＢＬ対４が記憶されるが、このＶＢ
Ｌ対４は磁壁３によって周囲を囲まれたストライプ磁区
２の周囲に形成される。６は磁性膜５の膜面に対し垂直
方向のバイアス磁界ＨＢを印加した状態でストライプ磁
区２を安定に保持すると共に、Ｈ３を変化させた時に移
動するストライプ磁区ヘッド部の位置制御を行なうため
のパタンである。このパタンをまず２つに分けて考える
。即ちこれらのパタンは（１）ストライプ磁区を安定に
保持するために設けられた領域（パタンＡ）、及び（２
）Ｈａを変化させた時に移動するストライプ磁区ヘッド
部の位置制御を行なうために設けられた領域（パタンＢ
）である。こＮである大きさのＨ，に対してパタンＡの
形状に沿った形でストライプ磁区が安定に存在し、且つ
この垂直磁界をΔＨＢだけ減少させることによりストラ
イプ磁区ヘッド部がパタンＢ領域に沿った領域まで引伸
ばされた時、パタンＡ及びパタンＢ領域下部に形成され
たストライプ磁区が感じる有効磁界（Ｈｅと逆向きで、
反磁界、異方性磁界等の和）を夫々Ｈｅｆｆ＾、 Ｈｅ
ｆｆｇとし、またパタンのない部分に形成されたストラ
イプ磁区が感じる有効磁界をＨｅｆｆｏとすれば、 Ｈｅｆｆｏ Ｉ ＜ ｌ Ｈｅｆｆ＋、 ｌ ＜ ｌ
ＨｅｆｆＡ１という関係が成立する。
本発明のデバイスを作るには第４図（ａ）及び（ｂ）（
（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図、以下同様〕に示すよ
うに、まずＨｅｆｆ＾を形成するために、基板１５上に
磁性膜５を形成し、その表面のパタンＡ（１−１）及び
パタンＢ（１−２）領域内にイオン注入を行なう。注入
用イオンとしてはＨ＋、Ｈｅ、Ｎｅ”等が適している。
（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図、以下同様〕に示すよ
うに、まずＨｅｆｆ＾を形成するために、基板１５上に
磁性膜５を形成し、その表面のパタンＡ（１−１）及び
パタンＢ（１−２）領域内にイオン注入を行なう。注入
用イオンとしてはＨ＋、Ｈｅ、Ｎｅ”等が適している。
また注入量としてはＨｌを用いた場合はＩ Ｘｌ０１５
／Ｃ♂以上が望ましい。このイオン注入による効果は重
直界方性の減少であり、これによりストライプ磁区が安
定に存在し易くなる。次に第５図（ａ）及び（ｂ）に示
すように、イオン注入されたパタンＡ及びＢパタン領域
のうちパタンＡ （１−１）の上部に高磁力垂直磁化膜
８を積層する。この時、非磁性のスペーサーを介して積
層してもよい。高磁力垂直磁化膜の材料としてはアモル
ファスＴｂＦｅＣｏ合金、ＣｏＣｒ合金等が好適である
。またスペーサーの材料としてはＳ ｉ Ｏ２、ＳｉＮ
等が適している。なお高磁力垂直磁化膜はＨｇとは逆向
きに磁化して使用されるが、これにより前記膜から浮遊
磁界が生じ、これが有効磁界としてストライプ磁区の安
定化に寄与する。
／Ｃ♂以上が望ましい。このイオン注入による効果は重
直界方性の減少であり、これによりストライプ磁区が安
定に存在し易くなる。次に第５図（ａ）及び（ｂ）に示
すように、イオン注入されたパタンＡ及びＢパタン領域
のうちパタンＡ （１−１）の上部に高磁力垂直磁化膜
８を積層する。この時、非磁性のスペーサーを介して積
層してもよい。高磁力垂直磁化膜の材料としてはアモル
ファスＴｂＦｅＣｏ合金、ＣｏＣｒ合金等が好適である
。またスペーサーの材料としてはＳ ｉ Ｏ２、ＳｉＮ
等が適している。なお高磁力垂直磁化膜はＨｇとは逆向
きに磁化して使用されるが、これにより前記膜から浮遊
磁界が生じ、これが有効磁界としてストライプ磁区の安
定化に寄与する。
本発明のデバイスにおいてはパタンＡ及びＢは第６図及
び第７図に示すような構成にすることも可能である。即
ち第６図は高磁力垂直磁化膜だけでパタンＡ及びＢを形
成した場合のデバイスの構成図で、パタンＡ部（１−１
）の厚さを３５２８部（１−２）よりも厚くすることに
より、パタンＡ部での有効磁界を３５２８部での有効磁
界よりも大きくすることができる。また第７図は磁性膜
５内にイオン注入だけでパタンＡ （１−１）及びパタ
ンＢ（１−２）を形成した場合の注入部の断面図で、パ
タンＡ部での注入量を３５２８部よりも多くすることに
より、第６図の場合と同様、パタンＡ部での有効磁界を
３５２８部での有効磁界よりも大きくすることができる
。
び第７図に示すような構成にすることも可能である。即
ち第６図は高磁力垂直磁化膜だけでパタンＡ及びＢを形
成した場合のデバイスの構成図で、パタンＡ部（１−１
）の厚さを３５２８部（１−２）よりも厚くすることに
より、パタンＡ部での有効磁界を３５２８部での有効磁
界よりも大きくすることができる。また第７図は磁性膜
５内にイオン注入だけでパタンＡ （１−１）及びパタ
ンＢ（１−２）を形成した場合の注入部の断面図で、パ
タンＡ部での注入量を３５２８部よりも多くすることに
より、第６図の場合と同様、パタンＡ部での有効磁界を
３５２８部での有効磁界よりも大きくすることができる
。
いずれにしても本発明のデバイスにおいては、通常（信
号の書込み及び読出し時以外）はストライプ磁区がパタ
ンＡ下に安定化されて存在し。
号の書込み及び読出し時以外）はストライプ磁区がパタ
ンＡ下に安定化されて存在し。
信号の書込み及び読出し時にはＨｇを変化させることに
より、ストライプ磁区ヘッド部がパタンＢの下部まで移
動するという特徴を持っている。
より、ストライプ磁区ヘッド部がパタンＢの下部まで移
動するという特徴を持っている。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例
ガーネット基板上にＬＰＥ法により（ＹＬｕＢｉ）。
（ＦｅＧａ）ｓｏｔａを４．０μｍ厚に成長させ、磁性
膜を形成した。次にこの磁性膜上の８μｍ巾の領域に１
００に６Ｖ（７） ！ネルギー”？’Ｈ”イオンを３Ｘ
１０ｉｓ／Ｃ１１２注入した。このイオン注入部分を光
学顕微鏡でｉ＋ｕｓしたところ、前記部分でイオン注入
領域が安定化しているのを確認した。
膜を形成した。次にこの磁性膜上の８μｍ巾の領域に１
００に６Ｖ（７） ！ネルギー”？’Ｈ”イオンを３Ｘ
１０ｉｓ／Ｃ１１２注入した。このイオン注入部分を光
学顕微鏡でｉ＋ｕｓしたところ、前記部分でイオン注入
領域が安定化しているのを確認した。
次に８μ重巾のストライプ磁区をカバーするように１０
μｍ巾の領域にスペーサーとしてスパッタ法で０．２μ
ｍ厚のＳｉＮ膜を形成し、更にその上に高磁力垂直磁化
膜として０．２μｍ厚のＴｂ２゜（ＦｓＣｏ）、。アモ
ルファス合金膜を形成した。
μｍ巾の領域にスペーサーとしてスパッタ法で０．２μ
ｍ厚のＳｉＮ膜を形成し、更にその上に高磁力垂直磁化
膜として０．２μｍ厚のＴｂ２゜（ＦｓＣｏ）、。アモ
ルファス合金膜を形成した。
以上のようにして得られたブロッホラインメモリデバイ
スにおいてはアモルファス合金膜により磁性膜に寄与す
る有効磁界は磁性膜の中心付近で第８図に示すような値
をとることが計算により判明した。但し横軸の０．００
〜１０．００μｍの範囲内にアモルファス合金膜が存在
しているものと仮定する。この図からパタンＡの有効磁
界はパタンＢに比べて約９０ａ大きく、従ってｌＨｅｆ
ｆ５ ｌ ＜ Ｉ ＨｅｆｆＡｌの関係にあり、パタン
Ａ領域ではパタンＢ領域に比べてストライプ磁区が安定
化され易いことを確認した。
スにおいてはアモルファス合金膜により磁性膜に寄与す
る有効磁界は磁性膜の中心付近で第８図に示すような値
をとることが計算により判明した。但し横軸の０．００
〜１０．００μｍの範囲内にアモルファス合金膜が存在
しているものと仮定する。この図からパタンＡの有効磁
界はパタンＢに比べて約９０ａ大きく、従ってｌＨｅｆ
ｆ５ ｌ ＜ Ｉ ＨｅｆｆＡｌの関係にあり、パタン
Ａ領域ではパタンＢ領域に比べてストライプ磁区が安定
化され易いことを確認した。
以上のように本発明のブロッホラインメモリデバイスに
おい４てはパタンＡ＠域をイオン注入及び高磁力垂直磁
化膜の積層により形成し、またパタンＢ領域をイオン注
入により形成することにより、ストライプ磁区を安定に
保持すると共に、ＨＢを変化させた時に移動するストラ
イプ磁区ヘッド部の位置制御を正確に行なうことができ
る。
おい４てはパタンＡ＠域をイオン注入及び高磁力垂直磁
化膜の積層により形成し、またパタンＢ領域をイオン注
入により形成することにより、ストライプ磁区を安定に
保持すると共に、ＨＢを変化させた時に移動するストラ
イプ磁区ヘッド部の位置制御を正確に行なうことができ
る。
また第６図のようなパタン構成にすれば、パタンＡ及び
Ｂが高磁力垂直磁化膜だけで形成できるため、前記効果
の他にデバイスの作製工程が簡略化できるという効果も
生じる。
Ｂが高磁力垂直磁化膜だけで形成できるため、前記効果
の他にデバイスの作製工程が簡略化できるという効果も
生じる。
更に第７図のようなパタン構成の場合はパタンＡ及びＢ
を、イオン注入量を変化させるだけで形成できるため、
第６図の場合と同様の効果が得られる。
を、イオン注入量を変化させるだけで形成できるため、
第６図の場合と同様の効果が得られる。
第１図は従来法において高磁力膜によりストライプ磁区
を安定化させた時の状態を示す断面図、第２図は第１図
のストライプ磁区のヘッド部を引伸ばした時の状態を示
す断面図、第３図は本発明デバイスに用いられるパタン
の動作原理及び構成についての説明図、第４図及び第５
図は本発明のデバイスの一例の製造工程図、第６図及び
第７図は本発明デバイスの変形例、また第８図は磁性膜
中心付近での有効磁界を示す。 １．６・・・パタン又は高磁力膜パタン１−１・・・パ
タンＡ １−２・・・パタンＢ２・・・スト
ライプ磁区 ３・・・磁壁４・・・垂直ブロッホラ
イン対（ＶＢＬ）５・・・磁性膜 ＨＢ・・・膜面に垂直方向のバイアス磁界８・・・高磁
力垂直磁化膜 １５・・・基板第１図
を安定化させた時の状態を示す断面図、第２図は第１図
のストライプ磁区のヘッド部を引伸ばした時の状態を示
す断面図、第３図は本発明デバイスに用いられるパタン
の動作原理及び構成についての説明図、第４図及び第５
図は本発明のデバイスの一例の製造工程図、第６図及び
第７図は本発明デバイスの変形例、また第８図は磁性膜
中心付近での有効磁界を示す。 １．６・・・パタン又は高磁力膜パタン１−１・・・パ
タンＡ １−２・・・パタンＢ２・・・スト
ライプ磁区 ３・・・磁壁４・・・垂直ブロッホラ
イン対（ＶＢＬ）５・・・磁性膜 ＨＢ・・・膜面に垂直方向のバイアス磁界８・・・高磁
力垂直磁化膜 １５・・・基板第１図
Claims (1)
- １）磁壁によって囲まれたストライプ磁区の磁壁に垂直
ブロッホライン対を記憶するための磁性膜を有するブロ
ッホラインメモリデバイスにおいて、ストライプ磁区内
に、磁性膜面に対し垂直方向のバイアス磁界を印加した
状態でストライプ磁区を安定に保持するためのパタンＡ
とバイアス磁界を変化させた時に移動するストライプ磁
区ヘッド部の位置制御を行なうためのパタンＢとを隣接
させて設けてなり、前記パタンＡ及びＢはイオン注入さ
れ、更にパタンＡ上には高磁力垂直磁化膜が積層されて
いることを特徴とするブロッホラインメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141321A JP2763917B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | ブロッホラインメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141321A JP2763917B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | ブロッホラインメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035987A true JPH035987A (ja) | 1991-01-11 |
| JP2763917B2 JP2763917B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=15289200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141321A Expired - Lifetime JP2763917B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | ブロッホラインメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2763917B2 (ja) |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1141321A patent/JP2763917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2763917B2 (ja) | 1998-06-11 |
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