JPS6149755B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6149755B2 JPS6149755B2 JP3926280A JP3926280A JPS6149755B2 JP S6149755 B2 JPS6149755 B2 JP S6149755B2 JP 3926280 A JP3926280 A JP 3926280A JP 3926280 A JP3926280 A JP 3926280A JP S6149755 B2 JPS6149755 B2 JP S6149755B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- magnetic
- pattern
- magnetic bubble
- loop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリに関し、特に一つの
ループにおいて磁気バブルがループの位置におい
て反対方向に転送されるような場合、その転送方
向によつて存在している動作マージンの差を減少
するようにした磁気バブルメモリに関するもので
ある。
ループにおいて磁気バブルがループの位置におい
て反対方向に転送されるような場合、その転送方
向によつて存在している動作マージンの差を減少
するようにした磁気バブルメモリに関するもので
ある。
磁気バブルメモリを製造する場合、例えば第１
図に示す如く、単結晶板上に結晶成長させること
により得られる磁性ガーネツトの結晶薄膜１の表
面に、好ましくないハードバブルの発生を制御す
るために、イオン・インプランテーシヨンを施
す。このイオン・インプランテーシヨンの結果、
結晶薄膜１の表面には、磁化方向が横向きの薄層
２が形成される。そしてこの薄層２の上に例えば
パーマロイで形成された複数の転送パターン３，
４を設け、バイアス磁界ＨBをこの薄層２に垂直
方向に印加して磁気バブルを発生させる。この結
晶薄膜１には回転磁界をかけ磁気バブルを転送パ
ターン３，３………に沿う矢印Ａ方向および転送
パターン４，４………に沿う矢印Ｂ方向に駆動す
る。
図に示す如く、単結晶板上に結晶成長させること
により得られる磁性ガーネツトの結晶薄膜１の表
面に、好ましくないハードバブルの発生を制御す
るために、イオン・インプランテーシヨンを施
す。このイオン・インプランテーシヨンの結果、
結晶薄膜１の表面には、磁化方向が横向きの薄層
２が形成される。そしてこの薄層２の上に例えば
パーマロイで形成された複数の転送パターン３，
４を設け、バイアス磁界ＨBをこの薄層２に垂直
方向に印加して磁気バブルを発生させる。この結
晶薄膜１には回転磁界をかけ磁気バブルを転送パ
ターン３，３………に沿う矢印Ａ方向および転送
パターン４，４………に沿う矢印Ｂ方向に駆動す
る。
結晶薄膜１に回転磁界が与えられたとき、第２
図のマージン曲線ＢUに示す如く、回転磁界ＨDの
大きさとバイアス磁界ＨBの大きさに応じて、磁
気バブルの存在領域がある。磁気バブルはバイア
ス磁界ＨBが小さい場合には存在せず、また大き
くなりすぎれば消滅し、回転磁界ＨDに応じて、
第２図のマージン曲線ＢUの内側において存在す
るものである。ところが、第１図に示す如く、磁
化方向が横向きの薄層２の存在により、転送パタ
ーンに沿つて磁気バブルが矢印Ａ方向およびＢ方
向に駆動されるとき、その一方の方向を転送する
場合には他の方向に比して磁気バブルが消滅し易
いことがあることがわかつた。例えば、第１図に
おける矢印Ａ方向に磁気バブルが駆動される場合
には、第３図におけるマージン曲線ＢU−ａによ
り磁気バブルの存在領域が決定されるが、矢印Ｂ
方向に磁気バブルが駆動される場合には、マージ
ン曲線ＢU−ｂにより磁気バブルの存在領域が決
定され、そのマージン領域は小さなものになる。
そして回転磁界ＨDが同一の場合にはバイアス磁
界ＨBが少し小さくなれば消滅することになり、
転送パターン間において非常に消滅し易い状態に
なる。
図のマージン曲線ＢUに示す如く、回転磁界ＨDの
大きさとバイアス磁界ＨBの大きさに応じて、磁
気バブルの存在領域がある。磁気バブルはバイア
ス磁界ＨBが小さい場合には存在せず、また大き
くなりすぎれば消滅し、回転磁界ＨDに応じて、
第２図のマージン曲線ＢUの内側において存在す
るものである。ところが、第１図に示す如く、磁
化方向が横向きの薄層２の存在により、転送パタ
ーンに沿つて磁気バブルが矢印Ａ方向およびＢ方
向に駆動されるとき、その一方の方向を転送する
場合には他の方向に比して磁気バブルが消滅し易
いことがあることがわかつた。例えば、第１図に
おける矢印Ａ方向に磁気バブルが駆動される場合
には、第３図におけるマージン曲線ＢU−ａによ
り磁気バブルの存在領域が決定されるが、矢印Ｂ
方向に磁気バブルが駆動される場合には、マージ
ン曲線ＢU−ｂにより磁気バブルの存在領域が決
定され、そのマージン領域は小さなものになる。
そして回転磁界ＨDが同一の場合にはバイアス磁
界ＨBが少し小さくなれば消滅することになり、
転送パターン間において非常に消滅し易い状態に
なる。
したがつて本発明は、このような問題点を改善
した磁気バブルメモリを提供することを目的とす
るものであつて、このために本発明における磁気
バブルメモリは、磁気バブルを発生する磁気バブ
ル発生手段と磁気バブルを転送する転送パターン
を有する磁気バブルメモリにおいて、磁気バブル
転送路を磁気バブルの転送方向が互に異なる経路
を有するループ状経路により形成するとともに、
上記経路の一方における転送パターンのパターン
周期が、転送方向の異なる他の経路における転送
パターンのパターン周期と異なるように構成した
ことを特徴とする。
した磁気バブルメモリを提供することを目的とす
るものであつて、このために本発明における磁気
バブルメモリは、磁気バブルを発生する磁気バブ
ル発生手段と磁気バブルを転送する転送パターン
を有する磁気バブルメモリにおいて、磁気バブル
転送路を磁気バブルの転送方向が互に異なる経路
を有するループ状経路により形成するとともに、
上記経路の一方における転送パターンのパターン
周期が、転送方向の異なる他の経路における転送
パターンのパターン周期と異なるように構成した
ことを特徴とする。
本発明の具体例を説明するに先立ち、本発明の
原理を第４図にもとづき説明する。
原理を第４図にもとづき説明する。
第４図イは転送パターンＰとそのパターン周期
λを示し、第４図ロはパターン周期λが変化する
につれて磁気バブルのマージン曲線の変化する状
態を示す。
λを示し、第４図ロはパターン周期λが変化する
につれて磁気バブルのマージン曲線の変化する状
態を示す。
第４図イにおいて示す転送パターンＰのパター
ン周期をλとするとき、第２図に示すマージン曲
線はこの転送パターンＰのパターン周期λの大き
さにより変化する。いまこの転送パターンのλを
λ＝７μｍ、８μｍおよび９μｍ、パターンギヤ
ツプは全て１μｍとしたとき、そのマージン曲線
は第４図ロに示す状態になり、転送パターンλが
大きくなる程、同一の回転磁界ＨDにおいて磁気
バブルが存在するバイアス磁界ＨBの値は大きく
なる。換言すれば磁気バブルは消滅し難くなる。
したがつて、本発明の原理は、第３図においてマ
ージン曲線ＢU−ｂで示す如く、磁気バブルの消
滅し易い転送方向における転送パターンを、その
パターン周期が大きくなるようにその形状を大き
くすれば、第１図におけるハードバブル抑制用の
薄層２の存在による影響を補正することができる
ことになる。
ン周期をλとするとき、第２図に示すマージン曲
線はこの転送パターンＰのパターン周期λの大き
さにより変化する。いまこの転送パターンのλを
λ＝７μｍ、８μｍおよび９μｍ、パターンギヤ
ツプは全て１μｍとしたとき、そのマージン曲線
は第４図ロに示す状態になり、転送パターンλが
大きくなる程、同一の回転磁界ＨDにおいて磁気
バブルが存在するバイアス磁界ＨBの値は大きく
なる。換言すれば磁気バブルは消滅し難くなる。
したがつて、本発明の原理は、第３図においてマ
ージン曲線ＢU−ｂで示す如く、磁気バブルの消
滅し易い転送方向における転送パターンを、その
パターン周期が大きくなるようにその形状を大き
くすれば、第１図におけるハードバブル抑制用の
薄層２の存在による影響を補正することができる
ことになる。
以下本発明の一実施例を第５図にもとづき説明
する。
する。
第５図イは磁気バブルメモリの構成を示し、第
５図ロはそのマイナループの状態を示す。
５図ロはそのマイナループの状態を示す。
図中、５はメジヤループ、６は磁気バブル発生
器、７はリプリケータ、８は検出器、９，９−
０，９−１，……９−ｎはマイナループ、１０−
０，１０−１，……１０−ｎはトランスフアゲー
ト、１１，１１−０，１１−１，……１１−ｎは
コーナ、１２，１３は転送パターンである。
器、７はリプリケータ、８は検出器、９，９−
０，９−１，……９−ｎはマイナループ、１０−
０，１０−１，……１０−ｎはトランスフアゲー
ト、１１，１１−０，１１−１，……１１−ｎは
コーナ、１２，１３は転送パターンである。
メジヤループ５は、記憶領域として存在する多
数のマイナループ９−０，９−１，……９−ｎに
対しデータをリードまたはライトするためのもの
である。データを読出す場合には、磁気バブルは
回転磁界によりトランスフアゲートの位置まで転
送され、磁気バブルはこのトランスフアゲートに
よりメジヤループ５上に移転される。そしてメジ
ヤループ５に移された磁気バブルはリプリケータ
で２つの磁気バブルに分割され、一つはメジヤル
ープ５上をそのまま転送される。もう一つの磁気
バブルは検出器８まで拡大されて抵抗変化を増加
させてこの検出器８に電気信号を出力してから消
滅する。そして先のメジヤループ５上を転送した
磁気バブルは再びトランスフアゲートによりマイ
ナループに移転され、再書込みされる。また新ら
たなデータを書込む場合には、磁気バブル発生器
６で磁気バブルを新らたに発生・消去させて、古
いデータを消し新しいデータをメジヤループ５上
に送出しこれをマイナループに格納するものであ
る。
数のマイナループ９−０，９−１，……９−ｎに
対しデータをリードまたはライトするためのもの
である。データを読出す場合には、磁気バブルは
回転磁界によりトランスフアゲートの位置まで転
送され、磁気バブルはこのトランスフアゲートに
よりメジヤループ５上に移転される。そしてメジ
ヤループ５に移された磁気バブルはリプリケータ
で２つの磁気バブルに分割され、一つはメジヤル
ープ５上をそのまま転送される。もう一つの磁気
バブルは検出器８まで拡大されて抵抗変化を増加
させてこの検出器８に電気信号を出力してから消
滅する。そして先のメジヤループ５上を転送した
磁気バブルは再びトランスフアゲートによりマイ
ナループに移転され、再書込みされる。また新ら
たなデータを書込む場合には、磁気バブル発生器
６で磁気バブルを新らたに発生・消去させて、古
いデータを消し新しいデータをメジヤループ５上
に送出しこれをマイナループに格納するものであ
る。
本発明では、このように構成された磁気バブル
メモリのマイナループ９−０，９−１，……９−
ｎにおいて、ハードバブル抑制用の薄層２におけ
る横向きの磁界のために悪影響を受ける転送パタ
ーン列の転送パターンを悪影響を受けない列のも
のより大きくしたものである。
メモリのマイナループ９−０，９−１，……９−
ｎにおいて、ハードバブル抑制用の薄層２におけ
る横向きの磁界のために悪影響を受ける転送パタ
ーン列の転送パターンを悪影響を受けない列のも
のより大きくしたものである。
例えば、第５図ロに示す如く、薄層２における
横向きの磁界ＨSが存在するとき、矢印Ｂ方向に
磁気バブルが転送する転送パターン列に上記悪影
響が強く及ぶ場合には、矢印Ｂ方向の転送パター
ン１３を、矢印Ａ方向の転送パターン１２よりそ
のパターン周期が大きくなるように大きくする。
これにより磁気バブルが転送パターン１３，１３
……を経由してコーナ１１において転送方向が反
対方向になり、転送パターン１２，１２……を転
送する場合、転送パターン１３，１３においては
上記横向きの磁界ＨSによる悪影響がパターン周
期の大きな転送パターン１３の存在のために打消
されるので、従来のように、この矢印Ｂにおける
転送パターン列を磁気バブルが通過するとき消滅
し易いという欠点が改善されることになる。
横向きの磁界ＨSが存在するとき、矢印Ｂ方向に
磁気バブルが転送する転送パターン列に上記悪影
響が強く及ぶ場合には、矢印Ｂ方向の転送パター
ン１３を、矢印Ａ方向の転送パターン１２よりそ
のパターン周期が大きくなるように大きくする。
これにより磁気バブルが転送パターン１３，１３
……を経由してコーナ１１において転送方向が反
対方向になり、転送パターン１２，１２……を転
送する場合、転送パターン１３，１３においては
上記横向きの磁界ＨSによる悪影響がパターン周
期の大きな転送パターン１３の存在のために打消
されるので、従来のように、この矢印Ｂにおける
転送パターン列を磁気バブルが通過するとき消滅
し易いという欠点が改善されることになる。
本発明の第２実施例を第６図にもとづき説明す
る。
る。
第６図は記憶構成が単一ループ構成の場合を示
すものであり、この単一ループ１４にリプリケー
タ７が設けられ、磁気バブルの有無は検出器８に
より検出される。そしてこの単一ループ１４上の
磁気バブルは、磁気バブル発生器６により発生・
消滅の制御を受けるものである。このような形状
の単一ループを磁気バブルが転送する場合、例え
ば磁気バブルが左側に向つて移動するループ区域
１４−１と、右側に向つて移動するループ区域１
４−２とでは、ハードバブル抑制用の薄層２の存
在により、その一方のループ区域が悪影響を受け
ることになるので、このような場合には、その悪
影響を受ける区域、例えばループ区域１４−１の
転送パターンを、ループ区域１４−２の転送パタ
ーンよりもパターン周期の大きな転送パターンに
より構成することによりその悪影響を除去するこ
とができる。
すものであり、この単一ループ１４にリプリケー
タ７が設けられ、磁気バブルの有無は検出器８に
より検出される。そしてこの単一ループ１４上の
磁気バブルは、磁気バブル発生器６により発生・
消滅の制御を受けるものである。このような形状
の単一ループを磁気バブルが転送する場合、例え
ば磁気バブルが左側に向つて移動するループ区域
１４−１と、右側に向つて移動するループ区域１
４−２とでは、ハードバブル抑制用の薄層２の存
在により、その一方のループ区域が悪影響を受け
ることになるので、このような場合には、その悪
影響を受ける区域、例えばループ区域１４−１の
転送パターンを、ループ区域１４−２の転送パタ
ーンよりもパターン周期の大きな転送パターンに
より構成することによりその悪影響を除去するこ
とができる。
上記の場合ではハードバブル抑制用の薄層にお
ける横方向磁界の影響を改善する例について説明
したが、ホールド磁界を印加する場合でも同様な
ことが現われる。即ち、磁気バブルメモリをアク
セスしない状態では磁気バブルの転送を停止させ
ておく。この停止の際には、ある一定の方向に安
定して止めなければならないので、このためにス
タテイツクなホールド磁界を横方向に与える。こ
のホールド磁界のために、マージン曲線に影響を
与え、マージンが大きくなる転送方向と悪化して
小さくなる転送方向が存在することになる。
ける横方向磁界の影響を改善する例について説明
したが、ホールド磁界を印加する場合でも同様な
ことが現われる。即ち、磁気バブルメモリをアク
セスしない状態では磁気バブルの転送を停止させ
ておく。この停止の際には、ある一定の方向に安
定して止めなければならないので、このためにス
タテイツクなホールド磁界を横方向に与える。こ
のホールド磁界のために、マージン曲線に影響を
与え、マージンが大きくなる転送方向と悪化して
小さくなる転送方向が存在することになる。
例えば、第７図に示す如く、転送パターン１
５，１５……、転送パターン１６，１６……およ
びコーナ１７，１７等により構成されるマイナル
ープに図示矢印方向のホールド磁界Ｈhを印加す
るとき、矢印A′方向の転送パターン１５，１５
……ではホールド磁界Ｈhによる悪影響を受けな
いが矢印B′方向の転送パターン１６，１６……で
は悪影響を受ける場合には、転送パターン１６の
パターン周期を転送パターン１５のそれよりも大
きな形状のものを使用する。これにより、マージ
ン領域が大きくなり、転送パターン１６，１６間
で磁気バブルが消滅するという欠点が改善され
る。
５，１５……、転送パターン１６，１６……およ
びコーナ１７，１７等により構成されるマイナル
ープに図示矢印方向のホールド磁界Ｈhを印加す
るとき、矢印A′方向の転送パターン１５，１５
……ではホールド磁界Ｈhによる悪影響を受けな
いが矢印B′方向の転送パターン１６，１６……で
は悪影響を受ける場合には、転送パターン１６の
パターン周期を転送パターン１５のそれよりも大
きな形状のものを使用する。これにより、マージ
ン領域が大きくなり、転送パターン１６，１６間
で磁気バブルが消滅するという欠点が改善され
る。
なお上記の各例では、転送パターンとしていず
れもハーフデイスク型の場合について説明した
が、これのみに限らず、第８図に示す如き非対称
シエプロンパターンあるいはこれに類似したパタ
ーンにおいても同様である。
れもハーフデイスク型の場合について説明した
が、これのみに限らず、第８図に示す如き非対称
シエプロンパターンあるいはこれに類似したパタ
ーンにおいても同様である。
結局本発明によれば、磁気バブルの転送路に対
し横方向の磁界による悪影響を改善して、磁気バ
ブルの不本意な消滅を有効に防止することができ
る。特にバイアス磁界を強くして磁気バブルを小
さくし、また転送パターンを小さくしてビツト密
度を向上する場合、ループ全体の転送パターンを
大きくすることなく悪影響を受ける側の転送パタ
ーンのみ大きくすればよいので、非常に有効であ
る。例えば、磁気バブルとして1.5μｍ乃至2.0μ
ｍ径のものを用いた場合、パターン周期の小さな
方ではこれを７μｍ乃至８μｍとし、大きなパタ
ーン周期を９μｍ乃至10μｍ程度のものとすれば
よい。
し横方向の磁界による悪影響を改善して、磁気バ
ブルの不本意な消滅を有効に防止することができ
る。特にバイアス磁界を強くして磁気バブルを小
さくし、また転送パターンを小さくしてビツト密
度を向上する場合、ループ全体の転送パターンを
大きくすることなく悪影響を受ける側の転送パタ
ーンのみ大きくすればよいので、非常に有効であ
る。例えば、磁気バブルとして1.5μｍ乃至2.0μ
ｍ径のものを用いた場合、パターン周期の小さな
方ではこれを７μｍ乃至８μｍとし、大きなパタ
ーン周期を９μｍ乃至10μｍ程度のものとすれば
よい。
第１図は従来の磁気バブルメモリを示し、第２
図、第３図はその動作状態の説明図、第４図は転
送パターンとそのパターン周期の変化したときの
動作特性説明図、第５図イは本発明の磁気バブル
メモリの回路図、第５図ロは本発明の磁気バブル
メモリの一実施例構成図の要部を示すもの、第６
図は本発明の磁気バブルメモリの他の回路図、第
７図は本発明の磁気バブルメモリの他の実施例の
要部構成図、第８図は本発明の更に他の要部構成
図である。 図中、１は結晶薄膜、２は薄層、３，４は転送
パターン、５はメジヤループ、６は磁気バブル発
生器、７はリプリケータ、８は検出器、９，９−
０，９−１，……９−ｎはマイナループ、１０−
０，１０−１，……１０−ｎはトランスフアゲー
ト、１１，１１−０，１１−１，……１１−ｎは
コーナ、１２，１３は転送パターン、１４は単一
ループ、１５，１６は転送パターン、１７はコー
ナをそれぞれ示す。
図、第３図はその動作状態の説明図、第４図は転
送パターンとそのパターン周期の変化したときの
動作特性説明図、第５図イは本発明の磁気バブル
メモリの回路図、第５図ロは本発明の磁気バブル
メモリの一実施例構成図の要部を示すもの、第６
図は本発明の磁気バブルメモリの他の回路図、第
７図は本発明の磁気バブルメモリの他の実施例の
要部構成図、第８図は本発明の更に他の要部構成
図である。 図中、１は結晶薄膜、２は薄層、３，４は転送
パターン、５はメジヤループ、６は磁気バブル発
生器、７はリプリケータ、８は検出器、９，９−
０，９−１，……９−ｎはマイナループ、１０−
０，１０−１，……１０−ｎはトランスフアゲー
ト、１１，１１−０，１１−１，……１１−ｎは
コーナ、１２，１３は転送パターン、１４は単一
ループ、１５，１６は転送パターン、１７はコー
ナをそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 磁気バブルを発生する磁気バブル発生手段と
磁気バブルを転送する転送パターンを有する磁気
バブルメモリにおいて、磁気バブル転送路を磁気
バブルの転送方向が互に異なる経路を有するルー
プ状経路により形成するとともに、上記経路の一
方における転送パターンのパターン周期が、転送
方向の異なる他の経路における転送パターンのパ
ターン周期と異なるように構成したことを特徴と
する磁気バブルメモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3926280A JPS56137575A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3926280A JPS56137575A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic bubble memory |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137575A JPS56137575A (en) | 1981-10-27 |
| JPS6149755B2 true JPS6149755B2 (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=12548213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3926280A Granted JPS56137575A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic bubble memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56137575A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60185288A (ja) * | 1984-03-03 | 1985-09-20 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1980
- 1980-03-27 JP JP3926280A patent/JPS56137575A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56137575A (en) | 1981-10-27 |
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