JPH0359999A - 光量制御閃光発光装置 - Google Patents
光量制御閃光発光装置Info
- Publication number
- JPH0359999A JPH0359999A JP19254989A JP19254989A JPH0359999A JP H0359999 A JPH0359999 A JP H0359999A JP 19254989 A JP19254989 A JP 19254989A JP 19254989 A JP19254989 A JP 19254989A JP H0359999 A JPH0359999 A JP H0359999A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- switching element
- trigger
- diode
- discharge tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は、光量制御閃光発光装置に関し、特に、光量制
御素子として、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、静電誘
導型トランジスタ（ＳＩＴ）或はバイポーラトランジス
タ等のスイッチ素子を用いた直列制御方式の光量制御閃
光発光装置に関するものである。
御素子として、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、静電誘
導型トランジスタ（ＳＩＴ）或はバイポーラトランジス
タ等のスイッチ素子を用いた直列制御方式の光量制御閃
光発光装置に関するものである。
（発明の背景）
放電管と直列接続したサイリスタを導通制御して、放電
時間すなわち閃光時間を制御する事により、発光量を調
節する直列制御方式といわれる閃光発光装置が知られて
いる。
時間すなわち閃光時間を制御する事により、発光量を調
節する直列制御方式といわれる閃光発光装置が知られて
いる。
この種のサイリスタによる調光制御を行う従来の閃光発
光装置では、サイリスタをターンオフさせる際、あらか
じめ転流キャパシタに蓄積した電荷を該サイリスタに逆
方向に印加する事により、該サイリスクを強制転流させ
、放電電流を遮断して発光を停止させる事が行われてい
る。この際、放電管の電流は転流キャパシタに流入し、
この時の電流が予定外の発光増加をもたらす。その結果
、小光量域での制御特性が悪く、写真撮影に於ては特に
近距離撮影において露出オーバーとなる問題が生じる。
光装置では、サイリスタをターンオフさせる際、あらか
じめ転流キャパシタに蓄積した電荷を該サイリスタに逆
方向に印加する事により、該サイリスクを強制転流させ
、放電電流を遮断して発光を停止させる事が行われてい
る。この際、放電管の電流は転流キャパシタに流入し、
この時の電流が予定外の発光増加をもたらす。その結果
、小光量域での制御特性が悪く、写真撮影に於ては特に
近距離撮影において露出オーバーとなる問題が生じる。
従って、近距離における撮影距離を制限せざるを得なか
った。
った。
又、上記調光動作に際し、サイリスクをターンオフさせ
る為には、転流キャパシタ、転流させる為のスイッチ素
子等が必要となり、回路の簡素化が出来ず、装置の小型
化が出来なかった。
る為には、転流キャパシタ、転流させる為のスイッチ素
子等が必要となり、回路の簡素化が出来ず、装置の小型
化が出来なかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、近距離撮影における露光オバーを防止
でき、且つ該装置の小型化を達成することのできる光量
制御閃光発光装置を提供することである。
でき、且つ該装置の小型化を達成することのできる光量
制御閃光発光装置を提供することである。
（発明の特徴）
上記目的を達成するために、本発明は、直流電源を昇圧
するコンバータと、該コンバータに並列接続される主キ
ャパシタと、前記コンバータ及び主キャパシタに並列接
続される、放電管、ダイオード及びスイッチング素子の
直列接続体と、前記ダイオードに並列接続されるキャパ
シタと、前記スイッチング素子に並列接続される、前記
ダイオードのアノードに負電圧、カソードに正電圧が印
加するように接続される抵抗、トリガコイルの１次巻線
及びトリガキャパシタとの直列接続体とを備え、以て、
光量制御を行うための素子として、光量制御性能の向上
並びに回路構成の簡素化の容易なスイッチング素子を用
いるようにしたことを特徴とする。
するコンバータと、該コンバータに並列接続される主キ
ャパシタと、前記コンバータ及び主キャパシタに並列接
続される、放電管、ダイオード及びスイッチング素子の
直列接続体と、前記ダイオードに並列接続されるキャパ
シタと、前記スイッチング素子に並列接続される、前記
ダイオードのアノードに負電圧、カソードに正電圧が印
加するように接続される抵抗、トリガコイルの１次巻線
及びトリガキャパシタとの直列接続体とを備え、以て、
光量制御を行うための素子として、光量制御性能の向上
並びに回路構成の簡素化の容易なスイッチング素子を用
いるようにしたことを特徴とする。
（発明の実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す回路図である。
旅回において、Ｅは電池等の低電圧を発生する直流電源
、ＣＮＶは直流電源Ｅを昇圧し高電圧に変換するＤ Ｃ
／Ｄ Ｃコンバータ、ＭＣは主キャパシタ、Ｘｅは主キ
ャパシタＭＣの放電電荷により発光する放電管、Ｄは放
電管Ｘｅに直列接続され、該放電管Ｘｅの発光電圧を低
下させる為に設けられたダイオード、ＦＥＴは放電管Ｘ
ｅに直列接続された電界効果トランジスタであり、その
入力電極には駆動電源として前記直流電源Ｅが直接印加
（昇圧される前の電圧が印加）されている。
、ＣＮＶは直流電源Ｅを昇圧し高電圧に変換するＤ Ｃ
／Ｄ Ｃコンバータ、ＭＣは主キャパシタ、Ｘｅは主キ
ャパシタＭＣの放電電荷により発光する放電管、Ｄは放
電管Ｘｅに直列接続され、該放電管Ｘｅの発光電圧を低
下させる為に設けられたダイオード、ＦＥＴは放電管Ｘ
ｅに直列接続された電界効果トランジスタであり、その
入力電極には駆動電源として前記直流電源Ｅが直接印加
（昇圧される前の電圧が印加）されている。
Ｔ、ＣＴは放電管Ｘｅを励起する為のトリガ回路を成す
もので、それぞれトリガコイル、トリガキャパシタであ
る。ＣＢは放電管Ｘｅの励起時に該放電管Ｘｅのカソー
ド側に負バイアスを印加する為の逆バイアスキャパシタ
、Ｒ４はトリガキャパシタＣＴ、逆バイアスキャパシタ
ＣＢの充電用抵抗、Ｒ３は逆バイアスキャパシタＣＢの
充電経路用に接続された抵抗、Ｒ２は電界効果トランジ
スタＦＥＴのゲートソース間に接続され、該電界効果ト
ランジスタＦＥＴが非導通時のゲート・ソース間容量の
電荷を抜く為の抵抗、１は直流電源Ｅを電源として電界
効果トランジスタＦＥＴのゲート駆動を行う為のゲート
駆動回路である。
もので、それぞれトリガコイル、トリガキャパシタであ
る。ＣＢは放電管Ｘｅの励起時に該放電管Ｘｅのカソー
ド側に負バイアスを印加する為の逆バイアスキャパシタ
、Ｒ４はトリガキャパシタＣＴ、逆バイアスキャパシタ
ＣＢの充電用抵抗、Ｒ３は逆バイアスキャパシタＣＢの
充電経路用に接続された抵抗、Ｒ２は電界効果トランジ
スタＦＥＴのゲートソース間に接続され、該電界効果ト
ランジスタＦＥＴが非導通時のゲート・ソース間容量の
電荷を抜く為の抵抗、１は直流電源Ｅを電源として電界
効果トランジスタＦＥＴのゲート駆動を行う為のゲート
駆動回路である。
次に、上の構成から成る装置の動作を第２図のタイミン
グチャートを用いて説明する。
グチャートを用いて説明する。
直流電源ＥはコンバータＣＮＶにより昇圧され、主キャ
パシタＭＣは充電され、同時にトリガキャパシタＣＴは
抵抗Ｒ４、トリガコイルＴの１次巻線を介し、又逆バイ
アスキャパシタＣＢは抵抗Ｒ４，Ｒ３を介し充電される
。この時、第２図時刻Ｔ１において、発光制御信号Ｓ１
がＬ゛°に立下げられる事により、ゲート駆動回路１の
トランジスタＱがオンせしめられ、電界効果トランジス
タＦＥＴのゲートが直流電源Ｅを電源として抵抗Ｒ１を
介して第２図３２の如く駆動され、該電界効果トランジ
スタＦＥＴは導通状態となる。またこの駆動開始の際、
直流電源Ｅによりあらかじめ抵抗Ｒ１を通し直流電源Ｅ
と同電位にまで充電されたゲート駆動回路１内のキャパ
シタＣＧの電荷がトランジスタＱのオンと同時に電界効
果トランジスタＦＥＴのゲートに印加される為、駆動開
始直後該ゲートは直流電源Ｅと同じ電圧が印加され、そ
の後直流電源Ｅを抵抗Ｒ１，Ｒ２で分割した電圧Ｅ′が
印加される。この様な電界効果トランジスタＦＥＴのゲ
ート駆動により、該トランジスタＦＥＴのターンオン動
作がゲート・ソース間容量の影響を受けずにスムーズに
行われる。
パシタＭＣは充電され、同時にトリガキャパシタＣＴは
抵抗Ｒ４、トリガコイルＴの１次巻線を介し、又逆バイ
アスキャパシタＣＢは抵抗Ｒ４，Ｒ３を介し充電される
。この時、第２図時刻Ｔ１において、発光制御信号Ｓ１
がＬ゛°に立下げられる事により、ゲート駆動回路１の
トランジスタＱがオンせしめられ、電界効果トランジス
タＦＥＴのゲートが直流電源Ｅを電源として抵抗Ｒ１を
介して第２図３２の如く駆動され、該電界効果トランジ
スタＦＥＴは導通状態となる。またこの駆動開始の際、
直流電源Ｅによりあらかじめ抵抗Ｒ１を通し直流電源Ｅ
と同電位にまで充電されたゲート駆動回路１内のキャパ
シタＣＧの電荷がトランジスタＱのオンと同時に電界効
果トランジスタＦＥＴのゲートに印加される為、駆動開
始直後該ゲートは直流電源Ｅと同じ電圧が印加され、そ
の後直流電源Ｅを抵抗Ｒ１，Ｒ２で分割した電圧Ｅ′が
印加される。この様な電界効果トランジスタＦＥＴのゲ
ート駆動により、該トランジスタＦＥＴのターンオン動
作がゲート・ソース間容量の影響を受けずにスムーズに
行われる。
このようにして電界効果トランジスタＦＥＴが導通状態
になると、トリガ回路の１次電流を制限する事なく十分
に流しつる事が出来て、放電管Ｘｅには十分なトリガ２
次出力が印加出来る事になる。該電界効果トランジスタ
ＦＥＴの導通により、第１図の如く予め抵抗Ｒ４，Ｒ３
を介して充電されていた逆バイアスキャパシタＣＢが放
電する事で、放電管Ｘｅのカソード電位（第１図逆バイ
アスキャパシタＣＢの一側端子）が第２図８４の如く主
キャパシタＭＣの充電電圧と同じ逆の電圧（−ＥＭＣ）
まで逆バイアスされるので、放電管Ｘｅの極間電圧は主
キャパシタＭＣの電圧ＥＭＣの倍の電圧が印加される事
になり、従来よりも低い電圧で放電管Ｘｅを発光させる
事が出来る状態になる。また、逆バイアス動作と同時に
トリガ回路のトリガキャパシタＣＴ、 トリガコイル
Ｔの１次巻線を介して電流が流れるので、トリガコイル
Ｔの２次巻線から第２図Ｓ３のごとくトリガ２次出力が
放電管Ｘｅに印加される。極間に主キャパシタＭＣの倍
の電圧を印加され、且つトリガ２次出力印加により励起
された放電管Ｘｅは導通状態となり、第２図Ｔ２の時点
から電界効果トランジスタＦＥＴを介して主キャパシタ
ＭＣの充電電荷を放電しながら、第２図Ｓ、の如く発光
する。
になると、トリガ回路の１次電流を制限する事なく十分
に流しつる事が出来て、放電管Ｘｅには十分なトリガ２
次出力が印加出来る事になる。該電界効果トランジスタ
ＦＥＴの導通により、第１図の如く予め抵抗Ｒ４，Ｒ３
を介して充電されていた逆バイアスキャパシタＣＢが放
電する事で、放電管Ｘｅのカソード電位（第１図逆バイ
アスキャパシタＣＢの一側端子）が第２図８４の如く主
キャパシタＭＣの充電電圧と同じ逆の電圧（−ＥＭＣ）
まで逆バイアスされるので、放電管Ｘｅの極間電圧は主
キャパシタＭＣの電圧ＥＭＣの倍の電圧が印加される事
になり、従来よりも低い電圧で放電管Ｘｅを発光させる
事が出来る状態になる。また、逆バイアス動作と同時に
トリガ回路のトリガキャパシタＣＴ、 トリガコイル
Ｔの１次巻線を介して電流が流れるので、トリガコイル
Ｔの２次巻線から第２図Ｓ３のごとくトリガ２次出力が
放電管Ｘｅに印加される。極間に主キャパシタＭＣの倍
の電圧を印加され、且つトリガ２次出力印加により励起
された放電管Ｘｅは導通状態となり、第２図Ｔ２の時点
から電界効果トランジスタＦＥＴを介して主キャパシタ
ＭＣの充電電荷を放電しながら、第２図Ｓ、の如く発光
する。
この放電管Ｘｅからの発光光量が所定の光量に達した時
（第２図Ｔ３の時点）に発光制御信号ＳＩをＬ”から“
Ｈ゛レベル立上げる事で、ゲート駆動回路１のトランジ
スタＱがオフし、電界効果トランジスタＦＥＴのゲート
電位も第２図Ｓ２の如く立下り、該トランジスタＦＥＴ
が非導通状態となって放電管Ｘｅは瞬時に発光を停止す
る。尚この電界効果トランジスタＦＥＴのターンオフ時
、オフ直前のゲート電圧が高ければ高いほど該ターンオ
フに時間がかかり、制御特性が悪くなる為、電界効果ト
ランジスタＦＥＴのゲート駆動電圧は第２図８２のごと
く放電管Ｘｅの放電電流を流しつる最低の電圧Ｅ′にな
る様に抵抗Ｒ１、Ｒ２を設定する。
（第２図Ｔ３の時点）に発光制御信号ＳＩをＬ”から“
Ｈ゛レベル立上げる事で、ゲート駆動回路１のトランジ
スタＱがオフし、電界効果トランジスタＦＥＴのゲート
電位も第２図Ｓ２の如く立下り、該トランジスタＦＥＴ
が非導通状態となって放電管Ｘｅは瞬時に発光を停止す
る。尚この電界効果トランジスタＦＥＴのターンオフ時
、オフ直前のゲート電圧が高ければ高いほど該ターンオ
フに時間がかかり、制御特性が悪くなる為、電界効果ト
ランジスタＦＥＴのゲート駆動電圧は第２図８２のごと
く放電管Ｘｅの放電電流を流しつる最低の電圧Ｅ′にな
る様に抵抗Ｒ１、Ｒ２を設定する。
本実施例によれば、放電管の放電電流をオン。
オフ導通制御するスイッチング素子として入力電極制御
型の素子、例えば電界効果トランジスタＦＥＴ（或は絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ、静電誘導
型トランジスタＳＩＴ等）を用いることから転流キャパ
シタは不要となり、制御性能が向上し、近距離撮影時に
おける露光オーバーといった問題点を解消できる。その
上意に放電管の電流を従来の電流値の１／２程度に減少
させることでより制御性能を向上させ得る。
型の素子、例えば電界効果トランジスタＦＥＴ（或は絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ、静電誘導
型トランジスタＳＩＴ等）を用いることから転流キャパ
シタは不要となり、制御性能が向上し、近距離撮影時に
おける露光オーバーといった問題点を解消できる。その
上意に放電管の電流を従来の電流値の１／２程度に減少
させることでより制御性能を向上させ得る。
放電管の放電電流を減少するためには、放電管内の希ガ
ス圧力を増大することにより実現できる。この様にする
と放電管の発光開始電圧が上昇して今までの電圧では発
光させることができないという問題が生じる。そこで放
電管に印加する電圧を高くすると、放電電流が増え制御
性を劣化するという矛盾が生じていた。
ス圧力を増大することにより実現できる。この様にする
と放電管の発光開始電圧が上昇して今までの電圧では発
光させることができないという問題が生じる。そこで放
電管に印加する電圧を高くすると、放電電流が増え制御
性を劣化するという矛盾が生じていた。
また、昇圧される前の電源電圧が駆動電源として印加さ
れる入力電極制御型スイッチング素子を使用する様にし
ているため、光量制御回路が簡素化し、該装置の小型化
を図れる。
れる入力電極制御型スイッチング素子を使用する様にし
ているため、光量制御回路が簡素化し、該装置の小型化
を図れる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、光量制御を行う
ための素子として、光量制御性能の向上並びに回路構成
の簡素化の容易なスイッチング素子を用いるようにした
から、近距離撮影における露光オーバーを防止でき、且
つ該装置の小型化を達成することが可能となる。
ための素子として、光量制御性能の向上並びに回路構成
の簡素化の容易なスイッチング素子を用いるようにした
から、近距離撮影における露光オーバーを防止でき、且
つ該装置の小型化を達成することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図はその
タイミングチャートである。 ＣＮＶ・・・・・・コンバータ、ＭＣ・・・・・・主キ
ャパシタ、Ｘｅ・・・・・・放電管、Ｄ・・・・・・ダ
イオード、ＦＥＴ・・・・・・電界効果トランジスタ、
ＣＢ・・・・・・キャパシタ、Ｔ・・・・・・トリガコ
イル、ＣＴ・・・・・・トリガキャパシタ。
タイミングチャートである。 ＣＮＶ・・・・・・コンバータ、ＭＣ・・・・・・主キ
ャパシタ、Ｘｅ・・・・・・放電管、Ｄ・・・・・・ダ
イオード、ＦＥＴ・・・・・・電界効果トランジスタ、
ＣＢ・・・・・・キャパシタ、Ｔ・・・・・・トリガコ
イル、ＣＴ・・・・・・トリガキャパシタ。
Claims (2)
- （１）直流電源を昇圧するコンバータと、該コンバータ
に並列接続される主キャパシタと、前記コンバータ及び
主キャパシタに並列接続される、放電管、ダイオード及
びスイッチング素子の直列接続体と、前記ダイオードに
並列接続されるキャパシタと、前記スイッチング素子に
並列接続される、前記ダイオードのアノードに負電圧、
カソードに正電圧が印加するように接続される抵抗、ト
リガコイルの１次巻線及びトリガキャパシタとの直列接
続体とを備え、前記トリガコイルの２次巻線は前記放電
管のトリガ電極とカソード電極に接続されて成る光量制
御閃光発光装置。 - （２）スイッチング素子の駆動電源として、その入力電
極に直流電源を直接印加した構成としたことを特徴とす
る請求項１記載の光量制御閃光発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19254989A JPH0359999A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 光量制御閃光発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19254989A JPH0359999A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 光量制御閃光発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359999A true JPH0359999A (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=16293130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19254989A Pending JPH0359999A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 光量制御閃光発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0359999A (ja) |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19254989A patent/JPH0359999A/ja active Pending
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