JPH0360026A - 結晶性シリコン膜の製造方法 - Google Patents
結晶性シリコン膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は多結晶、成るいは１を結晶で代表される結晶性
シリコン膜の製造方法に関する。
シリコン膜の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
結晶膜の低温成膜要求や火面偵化要求を実現する方法と
して、虎板表面に低温成膜技術であるプラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶ Ｉ）法、直空蒸着法、成るいはスパッタ法な
どにより、非晶質膜や多結晶膜などの非単結晶膜を得、
その非晶質膜を多結晶膜や単結晶膜に変換したり、成る
いは多結晶膜を単結晶膜に変換する方法が挙げられる。
して、虎板表面に低温成膜技術であるプラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶ Ｉ）法、直空蒸着法、成るいはスパッタ法な
どにより、非晶質膜や多結晶膜などの非単結晶膜を得、
その非晶質膜を多結晶膜や単結晶膜に変換したり、成る
いは多結晶膜を単結晶膜に変換する方法が挙げられる。
その−例として、例えば特開昭６３−１７０９７６号公
報に開示された先行技術は、予め基板表面にプラズマＣ
ＶＤ法により非晶質膜を低温成膜し、その後にレーザビ
ーム照射によるアニーリングを施し、多結晶膜を得る方
法がある。
報に開示された先行技術は、予め基板表面にプラズマＣ
ＶＤ法により非晶質膜を低温成膜し、その後にレーザビ
ーム照射によるアニーリングを施し、多結晶膜を得る方
法がある。
（ハ）！明が解決しようとする課題
然し乍らアニーリングに用いるレーザビームの強度分布
は概して中心部にピークを持つガウス分布を呈するため
に、レーザビームの中心部と周縁部分とでは均一なアニ
ーリングを施すことができず、また多結晶膜の結晶粒径
はアニール時間と温度により決定されるために、再現性
の点で問題があった。
は概して中心部にピークを持つガウス分布を呈するため
に、レーザビームの中心部と周縁部分とでは均一なアニ
ーリングを施すことができず、また多結晶膜の結晶粒径
はアニール時間と温度により決定されるために、再現性
の点で問題があった。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明はこのような課題に鑑みて為されたものであって
、載板表面近傍にシラン系の反応ガスを漂わせた状態で
、該反応ガスを分解し得るエネルギービームを基板表面
に集光して該基板表面にシリコンの結晶核を形成すると
同時に、不活性イオンビームを照射して配向性が制御さ
れた結晶核を得、その核を基に結晶性シリコン膜を成長
させるものである。
、載板表面近傍にシラン系の反応ガスを漂わせた状態で
、該反応ガスを分解し得るエネルギービームを基板表面
に集光して該基板表面にシリコンの結晶核を形成すると
同時に、不活性イオンビームを照射して配向性が制御さ
れた結晶核を得、その核を基に結晶性シリコン膜を成長
させるものである。
（ホ〉作用
本発明によれば、不活性イオンビームによって配向性が
制御された結晶核を結晶成長の核としているので、成長
じたシリコン膜の品質は高く、欠陥の少ない結晶性シリ
コン膜が得られる。
制御された結晶核を結晶成長の核としているので、成長
じたシリコン膜の品質は高く、欠陥の少ない結晶性シリ
コン膜が得られる。
（へ）実施例
本発明の第１の工程は第１図に示すように、ガラス、セ
ラミックなどの絶縁性材料からなる基板】を、ＳｉＨ，
、Ｓｉ、ｔｌ、などのシラン系反応ガスが０．１〜１０
Ｔｏｒｒ程度の圧力で満たされた反応炉に導入した後、
エキシマレーザなどのハイパワー紫外光レーザ２を基板
１表面に集光させて該基板１表面付近に漂っている反応
ガスを分解してその基板１表面にシリコンの結晶核３・
・・を形成すると同時に、基板１の側方から、Ａｒ、Ｉ
ｌｅ、ＩＩなどの不活性イオンビーム４を照射してこの
結晶核３・・・の配向性を制御するところにある。ここ
で用いられる紫外光レーザ２はレンズ系５によってレー
ザビーム径が１帥以下に集光されて基板１表面における
パワー密度は、０．１〜１００Ｗ ／ ＣＯＩ ”程度
である。また、不活性イオンビーム４は、加速エネルギ
ー数〜数千ｅＶ、イオン電流数十＃Ａ〜数へで所望のシ
リコン結晶核の配向方向に照射するのが適している。斯
る条件下において０．１〜ｌＯ分間程度紫外光レーザ２
、並びに不活性イオンビーム４を照射することによって
、基板状態に依存せず、数μ麿以下の直径のシリコンの
任意の結晶袖に配向した結晶核３・・・が得られる。尚
、この特の基板１の温度は、その基板１がガラスであっ
ても変形などすることのない、６００℃以下であること
が望ましい。このような結晶核３を基板１表面に１０６
〜１０’／ｃｍ”程度の密度で散在させておくのが多結
晶「ヒするのに適している。
ラミックなどの絶縁性材料からなる基板】を、ＳｉＨ，
、Ｓｉ、ｔｌ、などのシラン系反応ガスが０．１〜１０
Ｔｏｒｒ程度の圧力で満たされた反応炉に導入した後、
エキシマレーザなどのハイパワー紫外光レーザ２を基板
１表面に集光させて該基板１表面付近に漂っている反応
ガスを分解してその基板１表面にシリコンの結晶核３・
・・を形成すると同時に、基板１の側方から、Ａｒ、Ｉ
ｌｅ、ＩＩなどの不活性イオンビーム４を照射してこの
結晶核３・・・の配向性を制御するところにある。ここ
で用いられる紫外光レーザ２はレンズ系５によってレー
ザビーム径が１帥以下に集光されて基板１表面における
パワー密度は、０．１〜１００Ｗ ／ ＣＯＩ ”程度
である。また、不活性イオンビーム４は、加速エネルギ
ー数〜数千ｅＶ、イオン電流数十＃Ａ〜数へで所望のシ
リコン結晶核の配向方向に照射するのが適している。斯
る条件下において０．１〜ｌＯ分間程度紫外光レーザ２
、並びに不活性イオンビーム４を照射することによって
、基板状態に依存せず、数μ麿以下の直径のシリコンの
任意の結晶袖に配向した結晶核３・・・が得られる。尚
、この特の基板１の温度は、その基板１がガラスであっ
ても変形などすることのない、６００℃以下であること
が望ましい。このような結晶核３を基板１表面に１０６
〜１０’／ｃｍ”程度の密度で散在させておくのが多結
晶「ヒするのに適している。
第２の工程は、結晶核３・・・を表面に有する基板１表
面に該結晶核３・・も含めてプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法、成るいはスパッタ法などにより、厚
さ０．１〜１０４ｍ程度のアモルファスシリコン膜６を
成長させるところにある（第２図）。
面に該結晶核３・・も含めてプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法、成るいはスパッタ法などにより、厚
さ０．１〜１０４ｍ程度のアモルファスシリコン膜６を
成長させるところにある（第２図）。
本発明の最終工程は第３図に示す如く、基板１表面のア
モルファスシリコン膜６にＡｒレーザ、エキシマレーザ
などのハイパワーのレーザビーム７を照射して該アモル
ファスシリコン膜６にレーザアニールを施すところにあ
る。具体的には例えばＡｒレーザを用いた場合、５〜１
０ Ｗ ／ ｃｌの出力のものが用いられ、数ａｍ／秒
の速度で走査される。このレーザアニール処理を施すこ
とによって、アモルファスシリコン膜６は溶融、再結晶
化が行われ、各結晶核３・・・を再結晶化の核として＋
Ｂ結晶化が進み、多結晶シリコン膜８が得られる。
モルファスシリコン膜６にＡｒレーザ、エキシマレーザ
などのハイパワーのレーザビーム７を照射して該アモル
ファスシリコン膜６にレーザアニールを施すところにあ
る。具体的には例えばＡｒレーザを用いた場合、５〜１
０ Ｗ ／ ｃｌの出力のものが用いられ、数ａｍ／秒
の速度で走査される。このレーザアニール処理を施すこ
とによって、アモルファスシリコン膜６は溶融、再結晶
化が行われ、各結晶核３・・・を再結晶化の核として＋
Ｂ結晶化が進み、多結晶シリコン膜８が得られる。
このようにして得られた多結晶シリコン膜８中に°ｆ１
：威したＴＰＴの電Ｔ−電界効果移動度は、＋５０−３
００ｃｍ ’ ／ Ｖ ・ｓを示し、プラズマＣＶ Ｄ
法を用いてｊ１トた従来品のそれが４０〜５０ｃ＋ｎ’
／Ｖ・Ｓであったことに鑑みると、本発明による特性改
善はＷ４著であろう。
：威したＴＰＴの電Ｔ−電界効果移動度は、＋５０−３
００ｃｍ ’ ／ Ｖ ・ｓを示し、プラズマＣＶ Ｄ
法を用いてｊ１トた従来品のそれが４０〜５０ｃ＋ｎ’
／Ｖ・Ｓであったことに鑑みると、本発明による特性改
善はＷ４著であろう。
尚、上記した実施例においては、基板１の表面に結晶核
３・・・を散在させた状態でアモルファスシリコンａ６
を成長させ、そのアモルファスシリコン膜６は結晶核３
・・・を再結晶化の核として結晶化していたが、結晶核
３・・・の成長工程を長時間、具体的には０．１〜１時
間程度継続することによって、その結晶核３・・・その
ものを核として０．１〜１μｍの厚みの単結晶シリコン
膜にまで拡大成長させることも可能である。
３・・・を散在させた状態でアモルファスシリコンａ６
を成長させ、そのアモルファスシリコン膜６は結晶核３
・・・を再結晶化の核として結晶化していたが、結晶核
３・・・の成長工程を長時間、具体的には０．１〜１時
間程度継続することによって、その結晶核３・・・その
ものを核として０．１〜１μｍの厚みの単結晶シリコン
膜にまで拡大成長させることも可能である。
また、上述の各実施例においては基板ｌ全面に多結晶シ
リコン膜や単結晶シリコン膜などの結晶性シリコン膜を
形成していたが、この結晶性シリコン膜を基板表面の限
られた個所にのみ設けることも考えられる。例えば液晶
ＴＶのパネルの場合、中央にデイスプレィ部、周辺部に
駆動回路部を設けることが多いが、その周辺部にのみ本
発明による桔品性シリコン膜を設ける手法を採用すれば
、液晶ＴＶ用戸パネル右動に活用することができる。
リコン膜や単結晶シリコン膜などの結晶性シリコン膜を
形成していたが、この結晶性シリコン膜を基板表面の限
られた個所にのみ設けることも考えられる。例えば液晶
ＴＶのパネルの場合、中央にデイスプレィ部、周辺部に
駆動回路部を設けることが多いが、その周辺部にのみ本
発明による桔品性シリコン膜を設ける手法を採用すれば
、液晶ＴＶ用戸パネル右動に活用することができる。
（ト）発明の効果
本発明は以−Ｅの説明から明らかなように、基板表面近
傍にシラン系の反応ガスを漂わせた状態で、該反応ガス
を分解し得るエネルギービームを基板表面に集光して該
基板表面にシリコンの結晶核を形成すると同時に、不活
性イオンビームを照射して配向性が制御された結晶核を
得、その核を基に結晶性シリコン膜を成長させているの
で、欠陥の少ない多結晶、成るいは単結晶の結晶性シリ
コン膜が得られる。その結果、本発明によって得た結晶
性シリコン膜中の電子移動度が高いことから、ダイオー
ドやトランジスタなどの素子特性の向上を図ることがで
きる。
傍にシラン系の反応ガスを漂わせた状態で、該反応ガス
を分解し得るエネルギービームを基板表面に集光して該
基板表面にシリコンの結晶核を形成すると同時に、不活
性イオンビームを照射して配向性が制御された結晶核を
得、その核を基に結晶性シリコン膜を成長させているの
で、欠陥の少ない多結晶、成るいは単結晶の結晶性シリ
コン膜が得られる。その結果、本発明によって得た結晶
性シリコン膜中の電子移動度が高いことから、ダイオー
ドやトランジスタなどの素子特性の向上を図ることがで
きる。
第１図〜第３図は本発明方法の実施例を工程順に示した
断面図である。 １・・・基板、２・・ハイパワー紫外線レーザ、３・・
・結晶核、４・・・不活性イオンビーム、６・・・アモ
ルファスシリコン膜、 ７・・・多結晶シリコン膜。
断面図である。 １・・・基板、２・・ハイパワー紫外線レーザ、３・・
・結晶核、４・・・不活性イオンビーム、６・・・アモ
ルファスシリコン膜、 ７・・・多結晶シリコン膜。
Claims (1)
- （１）基板表面に結晶性シリコン膜を成長させるに際し
、基板表面近傍にシラン系の反応ガスを漂わせた状態で
、該反応ガスを分解し得るエネルギービームを基板表面
に集光して該基板表面にシリコンの結晶核を形成すると
同時に、不活性イオンビームを照射して配向性が制御さ
れた結晶核を得、その核を基に結晶性シリコン膜を成長
させることを特徴とした結晶性シリコン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19582289A JP2765968B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 結晶性シリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19582289A JP2765968B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 結晶性シリコン膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360026A true JPH0360026A (ja) | 1991-03-15 |
| JP2765968B2 JP2765968B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16347577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19582289A Expired - Fee Related JP2765968B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 結晶性シリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765968B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766132A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Canon Sales Co Inc | 多結晶薄膜の形成方法 |
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| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
| US5766989A (en) * | 1994-12-27 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming polycrystalline thin film and method for fabricating thin-film transistor |
| JP2000260713A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 多結晶シリコン膜の形成方法 |
| KR100267145B1 (ko) * | 1993-02-03 | 2000-10-16 | 야마자끼 순페이 | 박막트랜지스터 제작방법 |
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| JP2007013194A (ja) * | 2006-08-07 | 2007-01-18 | Junichi Hanna | 半導体基材及びその製造方法 |
| JP2007165921A (ja) * | 2007-01-19 | 2007-06-28 | Junichi Hanna | 半導体基材及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19582289A patent/JP2765968B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007013194A (ja) * | 2006-08-07 | 2007-01-18 | Junichi Hanna | 半導体基材及びその製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2765968B2 (ja) | 1998-06-18 |
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