JPH0360083A - Method for manufacturing piezoelectric protective film - Google Patents

Method for manufacturing piezoelectric protective film

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JPH0360083A
JPH0360083A JP1195808A JP19580889A JPH0360083A JP H0360083 A JPH0360083 A JP H0360083A JP 1195808 A JP1195808 A JP 1195808A JP 19580889 A JP19580889 A JP 19580889A JP H0360083 A JPH0360083 A JP H0360083A
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piezoelectric
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insulating polymer
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Abstract

PURPOSE:To form a piezoelectric element protective film having high adhesive properties with a base material without pinhole and to prevent its electric insulation from decreasing under water by coating the base material with a silane coupling agent, drying it, and then coating it with electrically insulating polymer resin by a thermal CVD method. CONSTITUTION:A ceramic cylindrical bass material 1 in which a silver electrode is baked to inner and outer wall faces is cleaned with chlorocene, and dried. Then, leads 4a, 4b are respectively soldered to inner and outer electrodes 2a, 2b, dipped in silicone oil to be polarized, and then left to stand in the silicone oil. Then, it is cleaned with chlorocene, and dried. Thereafter, it is dipped in solution mixed with silane coupling agent. Subsequently, it is dried, coated with electrically insulating polymer resin by a thermal CVD method to form a protective film 3. Eventually, the parts soldered with the leads are reinforced with epoxy resin to complete a piezoelectric element. Thus, an underwater acoustic sensor having high sensitivity and long lifetime can be realized.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、圧電子保護膜の製造方法にかかり、特に水中
音響センサー用の圧電子に保護膜を形成する方法に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric protective film, and particularly to a method for forming a protective film on a piezoelectric film for an underwater acoustic sensor.

[従来の技術] 一般に圧電子は、セラミック等の基材の両面に電極をコ
ーティングし、基材を分極して圧電効果をもたせるよう
にしている。さらに水中音響センサーなどの用途に際し
ては、耐湿性を向上させるために基材全体をコーテイン
グ材で被覆するのが通常である。
[Prior Art] Generally, piezoelectric devices are made by coating electrodes on both sides of a base material such as ceramic, and polarizing the base material to create a piezoelectric effect. Furthermore, in applications such as underwater acoustic sensors, the entire base material is usually covered with a coating material to improve moisture resistance.

第2図は円筒型圧電子の概略断面図を示したもので、多
くの水中音響センサーに用いられている。
FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of a cylindrical piezoelectric device, which is used in many underwater acoustic sensors.

基材としてはセラミック材1を用いるのが一般的であり
、このようなセラミック材1として一般にチタン酸バリ
ウムやチタン酸ジルコン酸鉛が用いられる。セラミック
材lは、円筒状に形成されており、その内壁面には内側
電極2aが、外壁面には外側型ti2bがそれぞれ形成
される。これらの電tif1.2 a、2bの材料とし
て通常は銀が用いられる。このようにして電極を形成し
た後、高温で内側電極2aと外側電極2bとの間に静電
界を加えセラミック材1を分極する0分極されたセラミ
ック材1は圧電特性を示し、機械的歪みが加えられると
これが電圧として検出されるようになる。
A ceramic material 1 is generally used as the base material, and barium titanate or lead zirconate titanate is generally used as the ceramic material 1. The ceramic material 1 is formed into a cylindrical shape, and an inner electrode 2a is formed on its inner wall surface, and an outer mold ti2b is formed on its outer wall surface. Silver is usually used as the material for these electrodes tif1.2a and 2b. After forming the electrodes in this way, an electrostatic field is applied between the inner electrode 2a and the outer electrode 2b at high temperature to polarize the ceramic material 1.The polarized ceramic material 1 exhibits piezoelectric properties and has no mechanical strain. Once applied, this will be detected as a voltage.

このようにして形成された円筒型圧電子11の内壁面お
よび外壁面は、電気絶縁のために保護膜3で被覆される
。また内側電極2aと外側電極2bとからはリード線4
aおよび4bが導出される。
The inner and outer wall surfaces of the cylindrical piezoelectric element 11 thus formed are covered with a protective film 3 for electrical insulation. Also, a lead wire 4 is connected from the inner electrode 2a and the outer electrode 2b.
a and 4b are derived.

第3図は第2図に示した円筒型圧電子11を使用した水
中音響センサー10の概略断面図を示したものである0
円筒型圧電子11の内部を空気室13とするために圧電
子の両端部には、スペーサー12aと12bとが挿入さ
れている。
FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of an underwater acoustic sensor 10 using the cylindrical piezoelectric element 11 shown in FIG.
In order to create an air chamber 13 inside the cylindrical piezoelectric element 11, spacers 12a and 12b are inserted at both ends of the piezoelectric element.

なお空気室13は円筒型圧電子11の内側を加えられた
音場から音響的に遮断する役割を果たしている。このよ
うにして内部に空気室13を形成した円筒型圧電子11
はモールド14中に埋め込まれ密閉されて水中音響セン
サー20となる。
Note that the air chamber 13 plays the role of acoustically shielding the inside of the cylindrical piezoelectric element 11 from the applied sound field. Cylindrical piezoelectric element 11 with air chamber 13 formed inside in this way
is embedded in the mold 14 and sealed to form the underwater acoustic sensor 20.

次にこのような構造を持つ圧電子の従来の製造方法を第
4図に示す工程図に従って説明する。
Next, a conventional method for manufacturing a piezoelectric element having such a structure will be explained with reference to the process diagram shown in FIG.

まず、セラミック等の基材を洗浄、乾燥させた後(ステ
ップ400,401)電極用リード線がハンダ付けされ
る部分に樹脂が被着しないようにシールを施す(ステッ
プ402)、分極後に高温で加熱すると圧電子の感度を
低下させるため、樹脂のコーティングと熱硬化とは一般
に分極前に行なわれる(ステップ40:l 404)、
コーテイング材としてはエポキシ樹脂、フェノール樹脂
、ウレタン樹脂およびシリコン樹脂等の電子部品コーテ
ィング用樹脂として通常使用されている耐湿性の高い樹
脂が用いられる。コーティング方法としては、ハケ塗り
法、浸漬法、スプレー法および静電塗装法等が用いられ
る。
First, after cleaning and drying a base material such as ceramic (steps 400 and 401), a seal is applied to prevent resin from adhering to the part where the electrode lead wire is soldered (step 402). Resin coating and thermal curing is generally performed before polarization (step 40:l 404), since heating reduces the piezoelectric sensitivity.
As the coating material, resins with high moisture resistance, such as epoxy resins, phenol resins, urethane resins, and silicone resins, which are commonly used as resins for coating electronic components, are used. As a coating method, a brush coating method, a dipping method, a spray method, an electrostatic coating method, etc. are used.

保護膜の厚さは厚すぎると圧電子の感度の低下が大きく
なるため、一般には30〜50μmに選定される。つい
でハンダ付は部のシールを剥離しくステップ405)、
洗浄、乾燥を行なった後(ステップ406)、電極とな
るリード線をハンダ付けする(ステップ407)、つい
でリード線を介して内側電極と外側電極との間に静電圧
を印加して基材に分極処理を施す(ステップ408)。
The thickness of the protective film is generally selected to be 30 to 50 μm because if it is too thick, the piezoelectric sensitivity will be greatly reduced. Next, peel off the soldering seal (step 405).
After cleaning and drying (step 406), lead wires that will become electrodes are soldered (step 407), and then an electrostatic voltage is applied between the inner and outer electrodes via the lead wires to bond the base material to the base material. Polarization processing is performed (step 408).

さらにその後洗浄、乾燥を行ない(ステップ409)、
リード線部の補強を施して(ステップ410)圧電子を
完成させる(ステップ411)。
After that, washing and drying are performed (step 409).
The lead wire portion is reinforced (step 410) and the piezoelectric element is completed (step 411).

[発明が解決しようとする課題] しかし上述した従来の製造方法では、基材表面に形成す
る保護膜は、コーテイング材を溶媒に溶かし、これをハ
ケ塗り法、浸漬法、スプレー法、静電塗装法等を用いて
コーティングするため、コーテイング材を溶媒に溶かす
際空気を巻き込んだ時及び溶媒が飛ぶ時等に保護膜にピ
ンホールが生じやすく、これが水中での電気絶縁性の低
下の原因となっていた。すなわちモールド材14の吸水
やその他の原因で保護膜3が水にさらされると、ピンホ
ールを通して電極近傍まで水が浸入する。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional manufacturing method described above, the protective film formed on the surface of the base material is formed by dissolving the coating material in a solvent and applying it by brushing, dipping, spraying, or electrostatic coating. Since the coating is applied using a method such as a method, pinholes are likely to form in the protective film when air is drawn in when the coating material is dissolved in a solvent or when the solvent flies off, which can cause a decline in electrical insulation properties in water. was. That is, when the protective film 3 is exposed to water due to water absorption by the molding material 14 or other causes, the water penetrates into the vicinity of the electrodes through the pinholes.

電極部では電解反応が起こり、その生成物が時間ととも
に保護膜3の表面まで成長する。従って電気絶縁性が低
下してしまう。
An electrolytic reaction occurs in the electrode portion, and its products grow to the surface of the protective film 3 over time. Therefore, the electrical insulation properties are reduced.

さらに従来の製造方法では、基材と保護膜との接着性が
不十分で保護膜が剥がれ水中での電気絶縁性が低下する
という問題点もあった。
Further, in the conventional manufacturing method, there was a problem that the adhesion between the base material and the protective film was insufficient, and the protective film peeled off, resulting in a decrease in electrical insulation properties in water.

本発明は上述した圧電子保護膜の水中での電気MJI性
の低下を改善するためになされたもので。
The present invention was made in order to improve the above-mentioned reduction in electrical MJI properties of the piezoelectric protective film in water.

ピンホールのない、しかも基材との密着性の高い圧電子
保護膜の製造方法を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a piezoelectric protective film that is free from pinholes and has high adhesion to a base material.

[課題を解決するための手段] 本発明は圧電子保護膜の製造方法において、基材表面に
シランカップリング剤をコーティングし乾燥処理を施し
た後、熱CVD (Ch emi c al  Vap
our  Deposi、tion)法により電気絶縁
性高分子樹脂をコーティングするようにしたものである
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a method for manufacturing a piezoelectric protective film, in which the surface of a base material is coated with a silane coupling agent and dried, and then thermal CVD (Chemical Vap
The electrically insulating polymeric resin is coated using the our deposition method.

[作用] シランカップリング剤はその分子中に2個以上の異なっ
た反応基を持つ有機けい索車量体である。
[Function] A silane coupling agent is an organic silicate polymer having two or more different reactive groups in its molecule.

2個の反応基の1つは無機質と化学反応するメトキシ基
、エトキシ基、シラノール基等の反応基であり、他の1
つの反応基は、有機剤と化学結合するビニール基、エポ
キシ基、メタクリル基、アミノ基、メルカプト基等の反
応基であり、圧電子基材と保護膜とを化学的に結合し接
着性を向上させる。
One of the two reactive groups is a reactive group such as a methoxy group, ethoxy group, or silanol group that chemically reacts with inorganic substances, and the other one is a reactive group such as a methoxy group, an ethoxy group, or a silanol group.
The two reactive groups are vinyl groups, epoxy groups, methacrylic groups, amino groups, mercapto groups, etc. that chemically bond with organic agents, and chemically bond the piezoelectric substrate and protective film to improve adhesion. let

また熱CVD法は熱エネルギーを利用して原料ガスを活
性化し、基板上で重合させる方法である。
Further, the thermal CVD method is a method of activating raw material gas using thermal energy and polymerizing it on a substrate.

熱CVD法は無溶剤、;v触媒、さらに熱硬化が不要で
あるため、ピンホールのない電気絶縁性の優れた高分子
被膜を形成することができる。
Since the thermal CVD method is solvent-free, does not require a catalyst, and does not require thermal curing, it is possible to form a pinhole-free polymer film with excellent electrical insulation properties.

[実施例コ 以下1本発明の実施例を比較例と対比しながら詳細に説
明する。
[Example 1] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail in comparison with a comparative example.

第1図は、本発明の圧電子の製造工程を示す図で、下記
の実施例は同図を参照しながら説明する。
FIG. 1 is a diagram showing the manufacturing process of the piezoelectric element of the present invention, and the following embodiments will be explained with reference to the diagram.

(実施例1) 厚さ約20μmの銀電極を内壁面と外壁面とに焼付けた
チタン酸ジルコン酸鉛の円筒基材(外径38mm、内径
28 m m 、高さ30 m m )をクロロセンで
洗浄し、80℃で乾燥する(ステップ100、 101
)。
(Example 1) A cylindrical base material of lead zirconate titanate (outer diameter 38 mm, inner diameter 28 mm, height 30 mm) with silver electrodes about 20 μm thick baked on the inner and outer walls was coated with chlorocene. Wash and dry at 80°C (steps 100, 101
).

次に内側電極と外側電極とにリード線を半田付けしくス
テップ102)、100℃のシリコンオイル中に浸漬し
6kVで30分間分極した後(ステップ103)、10
0℃のシリコンオイル中に30分間放置する。ついでク
ロロセンで洗浄し、80℃で乾燥する(ステップ104
)。N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン(信越化学工業層)1.5mlに純水15
0m1とイソプロピルアルコール150m1とを加え混
合した溶液に、30分間浸漬する(ステップ105)、
その後室温で30分間乾燥し、80℃で10分間乾燥す
る(ステップ106)、ジ−p−キシレンを原料として
パリレン蒸着装置(巴工業製)を用いて、ポリ−p−キ
シリレンを厚さ40μmコーティングする(ステップ1
07)。
Next, solder the lead wires to the inner and outer electrodes (step 102), immerse them in silicone oil at 100°C and polarize them at 6 kV for 30 minutes (step 103),
Leave it in silicone oil at 0°C for 30 minutes. It is then washed with chlorocene and dried at 80°C (step 104).
). 1.5 ml of N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 15 ml of pure water
0ml and 150ml of isopropyl alcohol for 30 minutes (step 105).
After that, it is dried at room temperature for 30 minutes and then at 80°C for 10 minutes (step 106). Using di-p-xylene as a raw material, a parylene vapor deposition device (manufactured by Tomoe Kogyo) is used to coat poly-p-xylylene to a thickness of 40 μm. (Step 1
07).

最後にリード線を半田付けした部分をエポキシ樹脂で補
強して(ステップl○8)、圧電子を完成させる(ステ
ップ109)。
Finally, the portion to which the lead wires are soldered is reinforced with epoxy resin (step l○8), and the piezoelectric element is completed (step 109).

なお、上記パリレン蒸着装置(巴工業)は、熱CVD法
により、電気絶縁性高分子材料をコーティングする蒸着
装置である。
The parylene vapor deposition apparatus (Tomoe Kogyo) is a vapor deposition apparatus that coats an electrically insulating polymer material using a thermal CVD method.

(実施例2) 実施例1において用いたジ−p−キシレンの代わりにジ
−モノクロローp−キシレンを用いる以外は実施例1と
同様な工程で、ポリ−モノクロロ−p−キシリレンを厚
さ40Pmコーティングする。
(Example 2) Poly-monochloro-p-xylylene was prepared to a thickness of 40 Pm in the same process as in Example 1 except that di-monochloro-p-xylene was used instead of di-p-xylene used in Example 1. Coat.

(実施例3) 実施例1において用いたジ−p−キシレンの代わりにジ
−ジクロロ−P−キシレンを用い、他は実施例1と同様
な方法によりポリ−ジクロロ−P−キシリレンを厚さ4
0μmコーティングする。
(Example 3) Di-dichloro-P-xylene was used in place of the di-p-xylene used in Example 1, and poly-dichloro-P-xylylene was made to a thickness of 4 by the same method as in Example 1.
Coat 0 μm.

(実施例4) 実施例1において用いたジ−p−キシレンの代わりに、
ジ−テトラフルオロ−p−キシレンを用い、他は実施例
1と同様な方法により、ポリ−テトラフルオロ−p−キ
シリレンを厚さ40μmコーティングする。
(Example 4) Instead of di-p-xylene used in Example 1,
Poly-tetrafluoro-p-xylylene is coated to a thickness of 40 μm using di-tetrafluoro-p-xylene, but in the same manner as in Example 1 except that di-tetrafluoro-p-xylene is used.

次に、本発明と対比するために本発明とは異なる製造方
法により保護膜を形成したのでこれを比較例として説明
する。
Next, in order to compare with the present invention, a protective film was formed by a manufacturing method different from that of the present invention, and this will be described as a comparative example.

(比較例1) 上述した実施例においてシランカップリング剤として用
いたN−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランのコーティングを行なわない以外は同様な
工程でポリ−p−キシリレンを厚さ40μmコーティン
グする。
(Comparative Example 1) Poly-p-xylylene was coated with a thickness of Coat 40 μm.

(比較例2) 実施例1で使用したのと同様な円筒基材をクロロセンで
洗浄し、80℃で乾燥する。ついでポリイミドテープで
リード線を半田付けする部分をシールする。その後浸漬
法でエポキシ樹脂(日本ベルノックス製XW−2240
)を円筒基材表面にコーティングする。さらに室温で3
0分間乾燥し150’Cで30分間加熱処理し、エポキ
シ樹脂を硬化させる。その後ポリイミドテープを剥がし
、クロロセンで洗浄して80℃で乾燥する。内側電極と
外側電極とにリード線を半田付けし、100℃のシリコ
ンオイル中に浸漬し、6kVで30分間分極処理を施し
、さらに100℃のシリコンオイル中に30分間放置す
る。その後クロロセンで洗浄し80℃で乾燥する。加熱
硬化後のエポキシ樹脂の厚さは約40μmであった。
(Comparative Example 2) A cylindrical substrate similar to that used in Example 1 is washed with chlorocene and dried at 80°C. Next, seal the part where the lead wires will be soldered with polyimide tape. After that, epoxy resin (XW-2240 manufactured by Bellnox Japan) was applied using the dipping method.
) is coated on the surface of the cylindrical substrate. Further at room temperature 3
The epoxy resin is dried for 0 minutes and heat treated at 150'C for 30 minutes to cure the epoxy resin. Thereafter, the polyimide tape is removed, washed with chlorocene, and dried at 80°C. Lead wires are soldered to the inner and outer electrodes, immersed in silicone oil at 100°C, polarized at 6 kV for 30 minutes, and left in silicone oil at 100°C for 30 minutes. Thereafter, it is washed with chlorocene and dried at 80°C. The thickness of the epoxy resin after heat curing was approximately 40 μm.

最後にリード線を半田付けした部分をエポキシ樹脂で補
強する。
Finally, reinforce the part where the lead wire is soldered with epoxy resin.

(比較例3) 比較例2において用い4たエポキシ樹脂の代わりにフェ
ノール樹脂(住友ベークライト製PC−1)を用いる以
外は同様な工程でフェノール樹脂を厚さ40μm円筒基
材表面にコーティングする。
(Comparative Example 3) A 40 μm thick cylindrical base material surface is coated with a phenol resin using the same process except that a phenol resin (PC-1 manufactured by Sumitomo Bakelite) is used instead of the epoxy resin used in Comparative Example 2.

(比較例4) 比較例2において用いたエポキシ樹脂の代わりにウレタ
ン樹脂(トムスilSレイア#100)を用い、他は同
様な工程でウレタン樹脂を厚さ約40μmコーティング
する。
(Comparative Example 4) Urethane resin (Tom's ILS Leia #100) was used instead of the epoxy resin used in Comparative Example 2, and the urethane resin was coated to a thickness of about 40 μm in the same process except for the same procedure.

(比較例5) 比較例2において用いたエポキシ樹脂の代わりにシリコ
ン樹脂(信越化学工業層KR255)を用い、他は同様
な工程でシリコン樹脂を厚さ約4Opmコーティングす
る。
(Comparative Example 5) A silicone resin (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KR255) was used instead of the epoxy resin used in Comparative Example 2, and the silicone resin was coated to a thickness of about 4 Opm using the same process except for the epoxy resin used in Comparative Example 2.

このようにして作成した円筒型圧電子について水中での
電気絶縁性の評価試験を行ない、実施例1〜4と比較例
上〜5とでその結果を測定した。
The cylindrical piezoelectric elements thus produced were subjected to an evaluation test for electrical insulation properties in water, and the results were measured for Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5.

なお評価試験は円筒型圧電子を20℃の水中に浸漬した
状態で、直流100Vを印加し、200秒後の電流値を
測定し、電気抵抗を算出することにより実施した。その
測定結果は以下の通りである。
The evaluation test was carried out by applying a direct current of 100 V to the cylindrical piezoelectric device while immersing it in water at 20° C., measuring the current value after 200 seconds, and calculating the electrical resistance. The measurement results are as follows.

実施例1  1 X 1013Ω 実施例2  1XIO”Ω 実施例3  1XIO13Ω 実施例4  1 X 10 ”Ω 比較例1  2 X 10 I0Ω 比較例2  2XIO’Ω 比較例3  2X10’Ω 比較例4  2X10’Ω 比較例5  2X10’Ω 次に電気抵抗の高かった実施例1〜4と比較例1で形成
された円筒型圧電子を60℃の温水中に浸漬した。一定
時間経過後温水から取り出し水中で1時間冷却し、20
℃の水中で電気抵抗を測定した。その結果は以下の通り
であった。
Example 1 1 X 1013 Ω Example 2 1XIO" Ω Example 3 1 Example 5 2X10'Ω Next, the cylindrical piezoelectric elements formed in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, which had high electrical resistance, were immersed in hot water at 60°C. After a certain period of time, take it out of the hot water and cool it in water for 1 hour.
Electrical resistance was measured in water at ℃. The results were as follows.

10時間後 100時間後 1000時間後実施例1 
1 X 10”Ω lXl0”Ω lXl0”Ω実施例
2 2 X 10”Ω 2 X 1012Ω 2 X 
10”Ω実施例3 2X10目Q  2 X10’jQ
  2 XIO”Ω実施例4 1 X 10”Q  I
 X 10”Q  I X 10”Ω比較例1 8X1
0’Ω 5X107Ω 4 X 10’Ω以上の結果か
らも明らかなように、実施例1〜4で作成した圧電子で
は、60℃の温水に1000時間浸漬後も高い電気絶縁
性を保つことがわかる。
After 10 hours After 100 hours After 1000 hours Example 1
1 X 10"Ω lXl0"Ω lXl0"Ω Example 2 2 X 10"Ω 2 X 1012Ω 2 X
10"Ω Example 3 2X10th Q 2 X10'jQ
2 XIO”Ω Example 4 1 X 10”Q I
X 10"Q I X 10"Ω Comparative example 1 8X1
As is clear from the results of 0'Ω 5X107Ω 4 X 10'Ω or more, it can be seen that the piezoelectric elements created in Examples 1 to 4 maintain high electrical insulation properties even after being immersed in hot water at 60°C for 1000 hours. .

なお上述した実施例ではシランカップリング剤としてN
−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシ
シランを用いているが、ビニール系。
In addition, in the above-mentioned examples, N was used as the silane coupling agent.
-β(aminoethyl)γ-aminopropyltrimethoxysilane is used, but it is vinyl-based.

メタクリロキシ系、エポキシ系、アミノ系、メルカプト
系またはクロロビル系のシランヵップリング剤を用いて
も本実施例と同様の結果が得られる。
The same results as in this example can be obtained even if a methacryloxy, epoxy, amino, mercapto, or chlorovir silane coupling agent is used.

[発明の効果] 以上実施例に基づいて詳細に説明したように、本発明で
は前処理として基材表面にシランカップリング剤をコー
ティングし、その上に熱CVD法により電気絶縁性高分
子樹脂をコーティングしているため、基材との密着性も
優れかつピンホールのない保護膜を得ることができる。
[Effects of the Invention] As described above in detail based on the examples, in the present invention, a silane coupling agent is coated on the surface of a base material as a pretreatment, and an electrically insulating polymer resin is coated on the surface by a thermal CVD method. Because it is coated, a protective film with excellent adhesion to the base material and no pinholes can be obtained.

従って水中での電気絶縁性の優れた圧電子保護膜が得ら
れる。
Therefore, a piezoelectric protective film with excellent electrical insulation properties in water can be obtained.

これにより高感度でかつ高寿命の水中音響センサを実現
できる。
This makes it possible to realize an underwater acoustic sensor with high sensitivity and long life.

また本発明の製造方法はどのような場所にもコーティン
グが可能であるため、どんな形状の圧電子にも適用可能
である。
Further, since the manufacturing method of the present invention can coat any location, it can be applied to any shape of piezoelectric element.

また熱硬化を必要としないため分極後にコーティングが
可能となる。したがって高温高電圧化で行なう分極工程
に保護膜をさらさなくても済むという利点がある。
Furthermore, since no heat curing is required, coating can be applied after polarization. Therefore, there is an advantage that there is no need to expose the protective film to the polarization process performed at high temperature and high voltage.

また従来の製造方法に比し、工程数も短縮できるという
利点もある。
It also has the advantage that the number of steps can be reduced compared to conventional manufacturing methods.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明にかかる圧電子の製造工程図、第2図は
円筒型圧電子の概略断面図、第3図は水中音響センサー
の概略断面図、第4図は従来の圧電子の製造工程図であ
る。 1・・・・・・セラミック材、2a・・・・・・内側電
極、2b・・・・・・外側電極、3・・・・・・保護膜
、4a、4b・・・・・・リード線、11・・・・・・
円筒型圧電子、20・・・・・・水中音響センサ。
Figure 1 is a manufacturing process diagram of a piezoelectric element according to the present invention, Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a cylindrical piezoelectric element, Figure 3 is a schematic cross-sectional view of an underwater acoustic sensor, and Figure 4 is a conventional piezoelectric manufacturing process. It is a process diagram. 1...Ceramic material, 2a...Inner electrode, 2b...Outer electrode, 3...Protective film, 4a, 4b...Lead Line, 11...
Cylindrical piezoelectric, 20... Underwater acoustic sensor.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)圧電子基材上に電極を形成し、この電極間に静電
界を印加して前記圧電子基板を分極した後乾燥させる第
1の工程と、ついで前記圧電子基材上にシランカップリ
ング剤をコーティングした後乾燥させる第2の工程と、
ついで熱CVD法により電気絶縁性高分子樹脂をコーテ
ィングする第3の工程とを具備してなる圧電子保護膜の
製造方法。
(1) A first step of forming an electrode on the piezoelectric substrate, applying an electrostatic field between the electrodes to polarize the piezoelectric substrate, and then drying the substrate, and then placing a silane cup on the piezoelectric substrate. a second step of coating and drying the ring agent;
and a third step of coating an electrically insulating polymer resin using a thermal CVD method.
(2)前記シランカップリング剤としてN−β(アミノ
エチル)−アミノプロピルトリメトキシシランを用いる
ことを特徴とする請求項(1)記載の圧電子保護膜の製
造方法。
(2) The method for manufacturing a piezoelectric protective film according to claim (1), characterized in that N-β (aminoethyl)-aminopropyltrimethoxysilane is used as the silane coupling agent.
(3)前記シランカップリング剤としてビニール系、メ
タクリロキシ系、エポキシ系、アミノ系、メルカプト系
またはクロロピル系シランを用いることを特徴とする請
求項(1)記載の圧電子保護膜の製造方法。
(3) The method for producing a piezoelectric protective film according to claim (1), characterized in that a vinyl-based, methacryloxy-based, epoxy-based, amino-based, mercapto-based, or chloropyr-based silane is used as the silane coupling agent.
(4)ジ−p−キシレンを原料としてポリ−p−キシリ
レンを前記絶縁性高分子樹脂としてコーティングするこ
とを特徴とする請求項(1)記載の圧電子保護膜の製造
方法。
(4) The method for manufacturing a piezoelectric protective film according to claim (1), characterized in that di-p-xylene is used as a raw material and poly-p-xylylene is coated as the insulating polymer resin.
(5)ジ−モノクロロ−p−キシレンを原料としてポリ
−モノクロロ−p−キシリレンを前記電気絶縁性高分子
樹脂としてコーティングすることを特徴とする請求項(
1)記載の圧電子保護膜の製造方法。
(5) Claim characterized in that di-monochloro-p-xylene is used as a raw material and poly-monochloro-p-xylylene is coated as the electrically insulating polymer resin (
1) The method for producing a piezoelectric protective film as described above.
(6)ジ−ジクロロ−p−キシレンを原料としてポリ−
ジクロロ−pキシリレンを前記絶縁性高分子樹脂として
コーティングすることを特徴とする請求項(1)記載の
圧電子保護膜の製造方法。
(6) Polyethylene using di-dichloro-p-xylene as a raw material
2. The method of manufacturing a piezoelectric protective film according to claim 1, wherein dichloro-p-xylylene is coated as the insulating polymer resin.
(7)ジ−テトラフルオロ−p−キシレンを原料として
ポリ−テトラフルオロ−p−キシリレンを前記電気絶縁
性高分子樹脂としてコーティングすることを特徴とする
請求項(1)記載の圧電子保護膜の製造方法。
(7) The piezoelectric protective film according to claim (1), wherein the electrically insulating polymer resin is coated with poly-tetrafluoro-p-xylylene using di-tetrafluoro-p-xylene as a raw material. Production method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006502452A (en) * 2002-08-15 2006-01-19 ノースロップ グラマン コーポレーション Moisture barrier sealing of optical fiber coil

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