JPH0360489A - 粒状シリコン供給装置 - Google Patents

粒状シリコン供給装置

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JPH0360489A
JPH0360489A JP1193715A JP19371589A JPH0360489A JP H0360489 A JPH0360489 A JP H0360489A JP 1193715 A JP1193715 A JP 1193715A JP 19371589 A JP19371589 A JP 19371589A JP H0360489 A JPH0360489 A JP H0360489A
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silicon
rotary cylinder
particles
raw material
cylindrical body
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毛利 吉男
Kenji Araki
健治 荒木
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NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はシリコン単結晶引き上げ装置において、るつ
ぼ内に供給する粒状シリコン原料の供給装置に関するも
のである。
[従来の技術] チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引き上げ装置
において、粒状原料をるつぼ内に供給しながら、シリコ
ン単結晶の連続引き上げを行う装置が従来から知られて
いる。この場合に原料供給装置として、一般的には、構
造が簡単なことから振動フィーダが考え易い、振動フィ
ーダは、振動板の上に原料粒子を供給し、該振動板を振
動させて原料粒子を供給するもので、供給量の制御は、
振動板の振動振幅あるいは振動数を制御することにより
行われる。特公昭61−17537では、振動フィーダ
の一種が提案されている。
その他の供給装置としては、水平な軸に数枚の羽根を取
り付けたロータをケース内で回転し、上部の原料の貯溜
ホッパより排出された原料粒子を羽根とテースの間の空
間に受は入れ、ロータの回転によりケースの下部より順
次排出する。
[発明が解決しようとする課題] 振動フィーダの供給量は、原料粒子の寸法の影響を大き
く受ける。すなわち、粒子径が大きいと供給量が多くな
り、小さいとその逆になる。シリコン粒子は、その寸法
に大きなばらつきがあり、またそれらを完全に混合する
のは困難で、大きな粒子あるいは小さな粒子の偏析は避
けられない。
したがって、振動フィーダでは、原料粒子の偏析による
供給量の変動は避けられない、この変動は、単結晶育成
炉の熱環境を変動させるため、単結晶育成上好ましくな
い。
他方、ロータリバルブは、粒状物質を供給する場合に、
ロータの羽根とケースの間に粒子が噛み込み、ロータの
回転が出来なくなるという問題がある。また、粒子がロ
ータの回転によってケース内を移動する際、粒子と羽根
またはケース内面との摩擦によって羽根またはケース内
面が摩耗し、原料内に不純が混入する虞がある。
[課題を解決するための手段] 本発明による粒状シリコン供給装置は、シリコン原料粒
子をるつぼ中に供給しながら、単結晶を育成するシリコ
ン単結晶の連続チョクラルスキー法引き上げ装置におい
て、不活性ガス雰囲気に置換可能な箱体内に、外周部に
複数の突起物または複数のくぼみを有し、回転軸が水平
な回転円筒体と、前記回転円筒体の上方に設けられたシ
リコン粒子の貯溜ホッパーと、を有し、前記貯溜ホッパ
ーの排出口下端と前記回転円筒体の外縁部との距離は、
シリコン粒子の最大径を超えるもので、かつ前記回転円
筒体の回転停止時に、ホッパー下部排出口より排出され
たシリコン粒子が回転円筒体の上側に安息角を形成して
堆積し、その供給が停止されるように定められてあるこ
とを特徴とする。
[作用] 貯溜ホッパの下部排出口より排出された粒状シリコン原
料は、回転体の外周表面に落下し、前記外周表面には複
数の突起物またはくぼみを設けであるので、粒状のシリ
コン原料は転がり落ちないで前記外周面に滞留し、回転
円筒体の回転によって、下方に落下しるつぼに供給され
る。このときのシリコン原料の供給量は前記回転円筒体
の回転速度によって定められる。
また、回転円筒体の停止時には、貯溜ホッパの下部排出
口から排出された粒状シリコン原料は、粒子の安息角に
より円筒体外周面上に堆積し、るつぼ内への供給が停止
される。貯溜ホッパーの排出口下端と前記回転円筒体の
外縁部との距離は、シリコン粒子の最大径より小さいと
シリコン粒子の排出に支障を生じ、またこの距離が安息
角が形成されないほど大きいと、前記回転円筒体の停止
時にシリコン粒子の排出が止まらない虞がある。
シリコン粒子の供給量に影響を及ぼす因子は、貯溜ホッ
パ下部の排出口と回転円筒体外周面との距離および回転
円筒体の回転速度で5原料粒子径の影響は殆ど受けない
、したがって、操業上、シリコン粒子の供給量制御は、
回転円筒体の回転数制御により行われる。
[実施例] 本発明の実施例を添付の図面を参照しながら詳細に説明
する。第1図は本実施例のシリコン原料供給装置の縦断
面図である。シリコン単結晶引き上げ装置のチャンバ3
0の開口部24の上部に、仕切り弁23を介して、前記
チャンバ3oと連通する箱体11を設け、箱体11の内
部と同様に、不活性ガス雰囲気に置換可能とするととも
に、箱体11の上部には、シリコン粒子27補充用の開
閉用蓋20を設け、前記開閉用蓋20は箱体11とOリ
ング21を介してボルト締めされている。
箱体11の内部には、シリコン粒子27を貯溜し、下部
の排出口から排出する貯溜ホッパ12、前記、貯溜ホッ
パ12を保持する貯溜ホッパ受は台18、水平な回転軸
16を有する回転円筒体14、第1のロート状案内管1
7および案内管受け台19が設けられ、チャンバM24
の開口部には、シリコン粒子をるつぼに導く第2のロー
ト状案内管25が設けられている。
また、回転円筒体14の外周表面には、シリコン粒子2
7が転がり落ちないように、複数の突起物またはくぼみ
15が設けられている。第2図乃至第9図は前記突起物
またはくぼみを示す見取り図または断面図である。
第2図は歯車の歯形状突起物15を設けた場合の見取り
図、第3図は第2図の突起物を設けた回転円筒体14と
ホッパ下部排出口13の縦断面図である。第4図乃至第
9図は回転円筒体14の外周部に前記突起物またはくぼ
みを設けた実施例を示すもので、それぞれ板状の突起物
(第4図〉、棒状の突起物(第5図〉、すし状のくぼみ
(第6図〉、編目状のくぼみ(第7図)、穴状のくぼみ
(第8図)、棒状の突起物と穴状のくぼみ(第9図)を
設けた例である。
以上のように構成された本実施例の作用について説明す
る。貯溜ホッパ12内に装入されたシリコン粒子27は
貯溜ホッパ12の下部排出口13から連続的に排出され
、排出口13の真下にに設けられた回転円筒体14の外
周部に供給される。
供給されたシリコン粒子は、回転円筒体14の外周表部
に設けられた複数の突起物またはくぼみにより、転がり
落ちることなく、回転円筒体14の外周部に滞留し、回
転円筒体14の回転によって移動され、順次重力によっ
て前記外周部から下方に落下する。落下したシリコン粒
子は第1および第2のロート上案内管を経てるつぼに供
給される。
シリコン粒子12の供給量は、貯溜ホッパ12の下部排
出口13の下端と回転円筒体14の外周表面との距離お
よび回転円筒体14の回転速度によって決まるので、回
転円筒体14の回転速度を制御することにより制御する
ことが出来る。
回転円筒体14の回転を停止した場合には、貯溜ホッパ
の下部は排出口13より排出されたシリコン粒子は、回
転円筒体14の上部に一定の安息角で堆積し、移動が停
止されて、るつぼへの供給が止まる。
本実施例による粒状シリコン供給装置では、従来の振動
フィーダのように供給量が原料寸法の影響を受けないの
で、品質の優れた単結晶が安定して生産される。
さらに、ロータリバルブのよにケースがないので、構造
が簡単であるばかりでなく、ケースとロータの間に粒子
が噛み込むという問題も解消される。
また、本実施例の原料供給装置では、貯溜ホッパ12、
回転円筒体14、ロート上案内管17.25その他のシ
リコン粒子を接する部分を石英、シリコンまたはテフロ
ンの材料で構成することにより、シリコン供給の際に、
るつぼ内への不純物の混入を避けることができる。
[発明の効果] 本発明の粒状シリコン供給装置によれば、外周部に複数
の突起物またはくぼみを有する回転円筒体が設けられ、
ここに貯溜ホッパから排出された粒状シリコンが供給さ
れて、前記回転円筒体の回転によりるつぼに粒状シリコ
ンが供給されるので、原料供給量が安定し、製造される
シリコン単結晶の品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例のシリコン原料供給装置の縦断面図、
第2図乃至第9図は本実施例の回転円同体の外周部に設
けられた突起物またはくぼみの図である。 11・・・箱体、12・・・貯溜ホッパ、13・・・排
出口、14・・・回転円筒体、15・・・くぼみまたは
突起物、16・・・回転軸、17・・・第1のロート状
案内管、18・・・貯溜ホッパ受は台、19・・・案内
管受は台、20・・・開閉用蓋、21・・・○リング、
23・・・仕切り弁、24・・・チャンバの開口部、2
5・・・第2のロート状案内管、 27・・・シリコン粒子、30・・・チャンバ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シリコン原料粒子をるつぼ中に供給しながら、単
    結晶を育成するシリコン単結晶の連続チョクラルスキー
    法引き上げ装置において、不活性ガス雰囲気に置換可能
    な箱体内に、外周部に複数の突起物または複数のくぼみ
    を有し、回転軸が水平な回転円筒体と、前記回転円筒体
    の上方に設けられたシリコン粒子の貯溜ホッパーとを有
    し、前記貯溜ホッパーの排出口下端と前記回転円筒体の
    外縁部との距離は、シリコン粒子の最大径を超えるもの
    で、かつ前記回転円筒体の回転停止時に、ホッパー下部
    排出口より排出されたシリコン粒子が回転円筒体の上側
    に安息角を形成して堆積し、その供給が停止されるよう
    に定められてあることを特徴とする粒状シリコン供給装
    置
  2. (2)シリコン粒子と接する部分が、石英、シリコンま
    たはテフロンで構成されてあることを特徴とする請求項
    1に記載の粒状シリコン供給装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004353868A (ja) * 2004-07-14 2004-12-16 I M N Kk 回転部支持体における潤滑油供給方法
JP2004353869A (ja) * 2004-07-14 2004-12-16 I M N Kk 回転部支持体における潤滑油供給方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51137442U (ja) * 1975-04-28 1976-11-06

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100467417B1 (ko) * 2002-08-09 2005-01-24 송유철 윤활유 자동 주유장치
JP2004353868A (ja) * 2004-07-14 2004-12-16 I M N Kk 回転部支持体における潤滑油供給方法
JP2004353869A (ja) * 2004-07-14 2004-12-16 I M N Kk 回転部支持体における潤滑油供給方法

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