JPH0361257B2 - - Google Patents
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- JPH0361257B2 JPH0361257B2 JP60045154A JP4515485A JPH0361257B2 JP H0361257 B2 JPH0361257 B2 JP H0361257B2 JP 60045154 A JP60045154 A JP 60045154A JP 4515485 A JP4515485 A JP 4515485A JP H0361257 B2 JPH0361257 B2 JP H0361257B2
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- Japan
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- present
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- optical recording
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Links
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は光学的な記録媒体に係り、特にレーザ
光等の光及び熱エネルギーを用いて情報を高密度
に記録し、且つ再生可能な光学記録媒体に関す
る。
光等の光及び熱エネルギーを用いて情報を高密度
に記録し、且つ再生可能な光学記録媒体に関す
る。
(ロ) 従来の技術
レーザ光等のエネルギービームを照射して、基
板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発させ、ピ
ツトを形成する方式の記録材料としては感度が高
く、基板上の記録層の膜厚が均一であり化学、物
理的にも安定で長期にわたつて記録再生ができる
ものでなければならない。
板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発させ、ピ
ツトを形成する方式の記録材料としては感度が高
く、基板上の記録層の膜厚が均一であり化学、物
理的にも安定で長期にわたつて記録再生ができる
ものでなければならない。
例えば、日経エレクトロニクス1982年1月4日
号第86頁以下、「画像フアイルに使われ出した光
デイスク・メモリ」なる記事等に開示されている
如く、現在この方式の記録材料としてはテルル
(Te)が一般的に用いられている。Teは熱伝導
率が低く、光吸収係数が大きく、低融点であるの
で良好な形状のピツト(孔)が形成でき、従つて
感度の良い記録膜が得られるが、空気中の水分に
よつて容易に酸化され、光学的に透明な二酸化テ
ルル(TeO2)に変化するため信号が再生できな
くなり、長期間の情報が記録保存が難しい。すな
わち記録寿命が短いという欠点を有している。
号第86頁以下、「画像フアイルに使われ出した光
デイスク・メモリ」なる記事等に開示されている
如く、現在この方式の記録材料としてはテルル
(Te)が一般的に用いられている。Teは熱伝導
率が低く、光吸収係数が大きく、低融点であるの
で良好な形状のピツト(孔)が形成でき、従つて
感度の良い記録膜が得られるが、空気中の水分に
よつて容易に酸化され、光学的に透明な二酸化テ
ルル(TeO2)に変化するため信号が再生できな
くなり、長期間の情報が記録保存が難しい。すな
わち記録寿命が短いという欠点を有している。
そこで、本出願人は特願昭59−41167号におい
て、上述の如く記録寿命が短いという欠点を抑制
し、長期間にわたつて安定した情報の記録及び再
生を可能にする改良された光学記録媒体として、
記録膜を〔Te(100−x−y−z)。Tix・Agy・
Sez、ただしx+y+z<15;x,y,zはモル
%〕からなる非晶質膜にて形成することを出願し
ている。
て、上述の如く記録寿命が短いという欠点を抑制
し、長期間にわたつて安定した情報の記録及び再
生を可能にする改良された光学記録媒体として、
記録膜を〔Te(100−x−y−z)。Tix・Agy・
Sez、ただしx+y+z<15;x,y,zはモル
%〕からなる非晶質膜にて形成することを出願し
ている。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
本出願人はその後の追実験により、上記記録膜
が非晶質膜に限定されないことを見いだした。
が非晶質膜に限定されないことを見いだした。
本発明の目的は、長寿命及び高性能の光学記録
媒体を提供することにある。
媒体を提供することにある。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は、光学記録媒体の記録膜を〔Te(100
−x−y−z)・Tix・Agy・Sez、ただし、0<
x+y+z≦15;x,y,zは原子%で、0<
x、0<y、0<zとする。具体的には例えば、
0.7<x、10-3<y、5<zの数値を満たせば本
願発明の効果は達成できるもので、なかでもAg
は極めて微量でも良いとされるものである。〕か
らなる多結晶膜にて形成したものである。
−x−y−z)・Tix・Agy・Sez、ただし、0<
x+y+z≦15;x,y,zは原子%で、0<
x、0<y、0<zとする。具体的には例えば、
0.7<x、10-3<y、5<zの数値を満たせば本
願発明の効果は達成できるもので、なかでもAg
は極めて微量でも良いとされるものである。〕か
らなる多結晶膜にて形成したものである。
(ホ) 作用
Te(100−x−y−z)。Tix・Agy・Sez(ただ
し、0<x+y+z≦15;x,y,zは原子%
で、0<x、0<y、0<z)からなる膜におい
て、非晶質状態と多結晶状態とを比較すると、前
者に比して後者の方が少ないエネルギーで情報の
記録を行なうことができ、高S/N比を得ること
ができる。
し、0<x+y+z≦15;x,y,zは原子%
で、0<x、0<y、0<z)からなる膜におい
て、非晶質状態と多結晶状態とを比較すると、前
者に比して後者の方が少ないエネルギーで情報の
記録を行なうことができ、高S/N比を得ること
ができる。
(ヘ) 実施例
第1図は本発明の一実施例を示す断面斜視図で
ある。記録膜1を内面に形成した透明基板2と保
護板3とが、2つのリング状スペーサ4,5によ
り一定の間隔を空けて固定されている。なお、保
護板3を記録膜を形成した透明基板に変えること
によつて両面記録が可能となる。
ある。記録膜1を内面に形成した透明基板2と保
護板3とが、2つのリング状スペーサ4,5によ
り一定の間隔を空けて固定されている。なお、保
護板3を記録膜を形成した透明基板に変えること
によつて両面記録が可能となる。
透明基板2は、アクリル樹脂、ポリカーボネイ
ト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂もしくは
ガラス等からなる。
ト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂もしくは
ガラス等からなる。
記録膜1は、本発明の特徴であり、Te(100−
x−y−z)・Tix・Agy・Sez(ただし、0<x
+y+z≦15;x,y,zは原子%で、0<x、
0<y、0<zとする。具体的には例えば、0.7
<x、10-3<y、5<zの数値を満たせば本願発
明の効果は達成できるもので、なかでもAgは極
めて微量でも良いとされるものである)からなる
多結晶膜にて形成されている。
x−y−z)・Tix・Agy・Sez(ただし、0<x
+y+z≦15;x,y,zは原子%で、0<x、
0<y、0<zとする。具体的には例えば、0.7
<x、10-3<y、5<zの数値を満たせば本願発
明の効果は達成できるもので、なかでもAgは極
めて微量でも良いとされるものである)からなる
多結晶膜にて形成されている。
以下、本発明の一実施例について説明する。
記録膜1はPMMA(ポリメチルメタクリレー
ト)樹脂からなる基板上にRFスパツタリング法
を用いて非晶質薄膜を形成し、これを60℃の雰囲
気で10時間アニールすることにより多結晶薄膜と
して形成される。なお、上記RFスパツタリング
法に用いられるターゲツトは、Teのターゲツト
上にTi,Ag及びSeのタブレツトを設置した複合
ターゲツトである。
ト)樹脂からなる基板上にRFスパツタリング法
を用いて非晶質薄膜を形成し、これを60℃の雰囲
気で10時間アニールすることにより多結晶薄膜と
して形成される。なお、上記RFスパツタリング
法に用いられるターゲツトは、Teのターゲツト
上にTi,Ag及びSeのタブレツトを設置した複合
ターゲツトである。
記録膜1の膜厚は300〜500Åの範囲内に設定さ
れる。
れる。
第2図乃至第4図は、例えばxを2、yを2、
zを7としたTe89Ti2Ag2Se7の組成からなる非晶
質膜及び多結晶膜の寿命、、所望品位の録再特性
を満たすために半導体レーザLDに要求されるパ
ワー及び再生信号のC/Nの各特性を示してい
る。
zを7としたTe89Ti2Ag2Se7の組成からなる非晶
質膜及び多結晶膜の寿命、、所望品位の録再特性
を満たすために半導体レーザLDに要求されるパ
ワー及び再生信号のC/Nの各特性を示してい
る。
第2図に示す記録膜の寿命は、温度60℃湿度90
%の雰囲気中での加速試験の結果であり、上記雰
囲気中における放置時間(日)対透過率(相対
値)の特性を示している。
%の雰囲気中での加速試験の結果であり、上記雰
囲気中における放置時間(日)対透過率(相対
値)の特性を示している。
同図から明らかなように、本発明の多結晶膜
は、非晶質膜とほとんど同一の長寿命を有する。
は、非晶質膜とほとんど同一の長寿命を有する。
第3図は、光学記録媒体(デイスク)の回転数
600rpm、、記録周波数1MHzの条件で、所望品位
の録再特性を満たすために半導体レーザLDに要
求されるパワー(デイスク面上)とデイスク半径
との関係を示す。
600rpm、、記録周波数1MHzの条件で、所望品位
の録再特性を満たすために半導体レーザLDに要
求されるパワー(デイスク面上)とデイスク半径
との関係を示す。
また、第4図は、デイスクの回転数600rpm、
デイスク半径60mmの位置におけるC/Nを測定し
た結果を示す。
デイスク半径60mmの位置におけるC/Nを測定し
た結果を示す。
なお、両図において、実線Aは多結晶膜、また
実線Bは非晶質膜の特性を示している。
実線Bは非晶質膜の特性を示している。
両図から明らかなように、本発明による多結晶
膜は、非晶質膜に比して少ないパワーで記録を行
なうことができると共に高C/Nを得ることがで
きる。
膜は、非晶質膜に比して少ないパワーで記録を行
なうことができると共に高C/Nを得ることがで
きる。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、長寿命の特性を維持したまま
で、より高性能な光学記録媒体を提供することが
できる。
で、より高性能な光学記録媒体を提供することが
できる。
図は本発明の実施例に係り、第1図は光学記録
媒体の断面斜視図、第2図は相対的透過率の加速
試験結果を示す特性図、第3図はデイスク半径対
LDパワーの関係を示す特性図、第4図は再生信
号のC/Nの特性を示す特性図である。 1……記録膜、2……透明基板。
媒体の断面斜視図、第2図は相対的透過率の加速
試験結果を示す特性図、第3図はデイスク半径対
LDパワーの関係を示す特性図、第4図は再生信
号のC/Nの特性を示す特性図である。 1……記録膜、2……透明基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 エネルギービームの照射によつて情報を記録
する形式の光学記録媒体において、基板に〔Te
(100−x−y−z)・Tix・Agy・Sez、ただし、
0<x+y+z≦15;x,y,zは原子%で、0
<x、0<y、0<z〕からなる多結晶膜を形成
したことを特徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045154A JPS61204841A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045154A JPS61204841A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204841A JPS61204841A (ja) | 1986-09-10 |
| JPH0361257B2 true JPH0361257B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=12711347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045154A Granted JPS61204841A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204841A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0649391B2 (ja) * | 1986-10-27 | 1994-06-29 | ダイセル化学工業株式会社 | Draw用光記録媒体 |
-
1985
- 1985-03-07 JP JP60045154A patent/JPS61204841A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61204841A (ja) | 1986-09-10 |
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