JPH0361379A - コバルト合金の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、保磁力等の磁気特性に優れたコバルト合金
の製造方法に関する。このコバルト合金は磁気ディスク
、テレフォンカード等の表面へコーティングされる磁気
記憶媒体として、又は非磁性体へ磁界の作用力を及ぼす
ため該非磁性体の表面へコーティングされる磁性媒体等
として好適である。

〈従来の技・術〉 従来から、第５図に示すように、コバルト合金の磁気特
性（保磁力）はリンの含有量で変化することが知られて
いる（槙書店発行の「無電解めつき」の第７０．７！頁
参照）。

第６図には、リン含有量が３ｗｔ％の場合の磁気特性の
チャートを示ｌノた。第６図に示した磁気時＋１（保磁
力Ｈｃ＝７７００ｅ、角形性Ｓ″＝０．８３、角形比Ｒ
ｓ＝０．７８）が、無電解めっきで得られるコバルト合
金膜の最高値であった。

このコバルト合金は以下のような無電解めっき作業を経
て得られる。

Ａ℃基材−Ｚｎ置換めっき（二重置換）　−＋　Ｎｉ合
金めつき−コバルト合金めっき 〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、（１）昨今磁気記憶媒体に対してはより高い磁
性特性（特に記録密度）が要求されているが、上記コバ
ルト合金ではそれに充分応えることができない。

（２）磁気特性を高めるために、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｆｅ
などの金属を第３戊分として加えることが考えられる。

しかしながら、コバルト合金を三元系としたときには、
継続的に狂いのない合金組織を析出させるため、コバル
ト−リンの二元系合金に比べて、めっき浴の調整が極め
て困難になる。

（３）一方最近、磁気記憶媒体用のコバルト合金磁気膜
の形成技術の趨勢として、スパッタリング法を用いるよ
うになってきた。下記に、スパッタリング法を適用した
磁気記憶媒体の代表的な製造工程を示す。

アルミニウム基板−Ｎｉ−Ｐ下地膜→Ｃｒその他金属下
地膜−コバルト合金スパッタ磁性膜−耐食密着強化膜−
スパッタＣ（炭素）保護膜これはスパッタにより形成さ
れたコバルト合金の膜が、第７図に示すように、保磁力
Ｈｃ＝１２２７０ｅ、角形性Ｓ”　〜０．９０．角形比
Ｒｓ＝０８３と優れた磁気特性を有しているためである
またこのスパッタリング７去によれば、ｆｆｌ々の合金
組成の磁性体を作れるという利点がある。

しかし、このスパッタリング法には解決しなければなら
ないいくつかの課題が残されている。

その主な点として、経済性の面では、コバルト系合金の
堆積速度が遅いこと、スパッタ装置内発塵、装置がきわ
めて高価、低歩留まり、低稼動率などによる生産コスト
上昇などの問題がある。技術面では、特別のスパッタ法
を除いて殆どの形成膜が熱処理によって磁気特性が劣化
してしまう、などの点を挙げることができる。なかでも
、上記の熱処理によって磁気特性が劣化する現象は重大
で、磁気記憶媒体の性能を大幅に減少させる。

そのため、スパッタリング法で磁気ディスクなどの磁気
記憶媒体を製造する場合に必要な、磁性膜上への保護膜
などの形成は、熱的影響のないスパッタリング法やその
他の冷間加工できる方法に限定されてしまい、製造の全
工程を冷間で行なわなければならない。また、磁気記憶
媒体の使用に際しても、起動、停止時の磁気ヘッドとの
摩擦による熱要因で磁気特性を劣化させてしまう。その
ため、熱影響で劣化しない磁性膜が求められている。

また、このコバルト合金を非磁性体材料製の棒材、板材
、線材、′ｆ３などの表面に形成し、磁性媒体料として
活用するとき、おそらく通常の環境で熱影響や偶発的な
昇温トラブルを頻繁に被るため熱影響で劣化しない磁性
媒体を形成する必要がある。

そこでこの発明は、従来の無電解めっきにより得られた
コバルト合金より優れた磁気特性を有することはもとよ
り、コバルト−リンの２元系元素だけでスパッタ法によ
り得られたそれより高性能のコバルト合金の製造方法を
提供することを目的とする。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結
果、特定のめつき浴を用いて無電解めっきにより得られ
たコバルト合金は、スパッタ法により得られたそれと同
等若しくはそれより優れた磁気特性を備えるとともに、
かつ加熱をするとその磁気特性が更に増大することを見
い出し、この発明を完成した。

即ち、この発明は、錯化剤としてトリポリリン酸アルカ
リ塩を含んだめっき浴を用いて、無電解めっきによりコ
バルト合金を製造することを特徴とする。

く手段の詳細な説明〉 以下、この発明の詳細な説明する。

このコバルト合金を形成するために使用するこの発明の
めつき浴は、■コバルトイオン、■コバルトイオンの還
元剤、■コバルトイオンの錯化剤■錯化助剤、■ｐＨ調
整剤、■ｐＨ緩衝剤、■その他添加剤を含んでいる。

■コバルトイオン。

コバルトイオンは、通常塩のかたちで添加されめっき浴
ＩＩｌ中０．０１〜０．　１８ｍｏｌ　／ｆｌが含まれ
ている。

■コバルトイオンの還元剤、 コバルトイオンの還元剤には、通例の次亜リン酸ナトリ
ウムを用いる。添加量は０．１〜０．５ｍｏｌ　／立と
する。

■コバルトイオンの錯化剤、 コバルトイオンの錯化剤には、本発明で特記するトリポ
リリン酸の無機塩のアルカリ塩を用いるコバルトイオン
に対する合計量ｏｌ比はコバルトイオン：錯化剤＝１：
２−１５とする。更に好ましくは、１：６〜１３である
。錯化剤のｍｏｌ比が２未満であると、コバルト塩を充
分に錯化できない。一方、錯化剤の０１０１比が１５を
越えると、錯化過剰になってめっき析出が悪くなるので
、それぞれ好ましくない。

この錯化剤には、ビロリン酸アルカリ塩等の無機系錯化
剤を併用することができる（第４表参照）。

トリポリリン酸アルカリ塩とビロリン酸アルカリ塩とを
併用するときの両者の配合割合は、前者；後者−１−８
：１とすることが好ましい。更に好ましくは、５〜７：
１である。

トリポリリン酸アルカリ塩としては、トリポリリン酸ナ
トリウム、トリポリリン酸カリウム等が挙げられる。

ビロリン酸アルカリ塩としては、ビロリン酸ナトリウム
、ピロリン酸カリウム等が挙げられる。

■錯化助剤。

錯化助剤には、本発明で特記する亜りん酸アルカリ塩が
用いられる。この錯化助剤は必要に応じて添加され、添
加によりコバルト合金の磁気特性が向上する。添加の量
は特に限定されないが、磁気特性を向上させること及び
経済性等の見地から、上記錯化剤に対するｌ１ｌＯ１比
で、錯化剤：錯化助剤＝１：０．５〜５とする。更に好
ましくはｌ：１．５〜３．５である。

亜りん酸アルカリ塩としては、亜りん酸−ナトリウム二
水和物、五木和物、亜りん酸二カリウム等が挙げられる
。

■ｐｆ（調整剤。

ｐＨ調整剤には、通例の硫酸、塩酸またはリン酸等の酸
類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム水酸化リチウム
のアルカリ塩と水酸化アンモニウム等のアルカリ類から
選ばれる。そして、めっき浴を所要のｐＨに調整する。

■ＰＨ緩衝剤、 ｐＨ緩衝剤には、通例の硫酸アンモニウム、塩化アンモ
ニウム、はう酸、はう砂から選ばれる、１種類または必
要に応じて２ｆ！ｉ類以上の組合せで用いられ、添加量
は０．１５〜０．８１１Ｉｏｌ、／４２である。

■その他添加剤 その他添加剤として、析出金属の磁気特性を向上させる
のに効果のある微量添加剤として、下記の成分を必要に
応じて用いる。

亜鉛、鉄（ＩＩ）、ジルコニウム、コバルト、ランタン
、サマリウム、ニッケル等の金属硫化物及び酸化物、ア
ルミニウム並びに上記金属の水酸化物、アルミン酸アル
カリ塩。

酢酸ランタン、硫酸マンガン、酒石酸マンガン硫酸ジル
コニウム、アルミ系成分の硫酸アルミニウム、リン酸ア
ルミニウム、硫酸カリウムアルミニウム、硫酸ナトリウ
ムアルミニウム、はう酸アルミニウム、酢酸アルミニウ
ム、くえん酸アルミニウム、乳酸アルミニウム等に代表
されるアルミニウム化合物や、その他のアルミニウム化
合物使用量は各成分の種類によって異なるが、大体のと
ころ、１．ＯＸｌ（Ｍ５〜１　、　　ＯＸ　１０−’ｍ
ｏｌ／Ｉ１．の範囲とする。ｌ′ａｍ添加剤の配合量が
１．Ｏｘ　１０−’ｍｏｌ　／　ｊ２未満であると、磁
気特性（特に保磁力）に向上が認められず、また、１．
０ＸＩｏ　−’ｍｏｌ　／　ｘを越えて配合する必要は
ない。

ただし、上記微量添加剤の中のアル多ニウム化合物に関
しては、特別の挙動を示す。即ち、アルミニウム成分を
めっき浴中へ存在させておくと、アルミニウム基村上へ
コバルト合金を直接（即ちニッケルを下地めっきせずに
）無電解めっきすることが可能となる。

なお、かかるアルミニウム成分の配合量等については、
出願時の明細書において、〈実施例〉の欄の後にくアル
ミニウム成分の添加〉の欄を設けここで詳述する。

次に、このめっき浴を用いた無電解めっきの方法につい
て説明をする。

（アルミニウム（アルミニウム単体、アルくニウム合金
）基材上） アル〈ニウム基材−脱脂−１５％硝酸溶液浸漬による界
面不純物の除去−第−Ｚｎ置換めっき−２５％硝酸溶液
浸漬による第−Ｚｎ置換層の除去−第二Ｚｎ置換めっき
一重炭酸ナトリウム溶液による中和−無電解Ｎｉ合金め
つき一無電解コバルト合金めっきを施す。この工程はよ
り、磁気ディスクが形成される。

なお、めっき浴中にアル主ニウム戊分が存在し千いると
きには、無電解コバルト合金めっきを施す前に行う、ア
ルミニウム基材へ無電解Ｎｉ合金を下地めっきする工程
を省略出来る。この方法で上記磁気ディスク基板以外の
アルミニウム基板上に磁気記憶媒体層や磁性媒体層を形
成できる。

（Ｃｕその他の金属上） 第１の方法は、金属の脱脂−アルカリエッチング−３−
５％塩酸または硫酸溶液への浸漬−無電解コバルトめっ
きを直接に施す。

第２の方法は、金属脱脂−アルカリエツチング−３〜５
％塩酸または硫酸溶液への浸漬−４Ｐｄ触媒基買の付与
−上記塩酸または硫酸溶液への浸漬による活性化−無電
解コバルト合金めっきを直接心施す。

（半導体、ガラス、セラミックス上） 脱脂−ふつ化水素水にょる粗化−中和−Ｐｄ触媒基質の
付与−上記塩酸または硫酸溶液へ浸漬による活性化−無
電解コバルト合金めっきを施こす（プラスティクス基材
等の絶縁物上） 脱脂−特別の場合を除き、一般に三酸化クロームと硫酸
の混液で粗化−中和−Ｐｄ触媒基貿０付与−上記塩酸ま
たは硫酸溶液じよる浸漬による活性化−無電解コバルト
合金めっきを施す。

この工程を経て、テレフォンカード等のブリベートカー
ド、更にはキャッシュカード、アイデンティテ１カード
、乗車券等の製品が形成される。

〈発明の効果〉 このようにして得られたコバルト合金は、常温において
、無電解めっきにより得られた従来のコバルト合金はも
とより、スパッタリング法で得られたそれ辷同等若しく
はそれより高い磁気特性を有する。

従って、６ｎ気記憶媒体や磁性媒体としての性能が向上
するこヒはもとより、スパッタリング法に比べて、迅速
、低設備コスト、高歩留まり、高稼動率を達成できる。

よって、磁気記憶媒体や磁性媒体ヒして優れたコバルト
合金を低コストで提供できることとなる。

更には、加熱するヒ、第１〜３表の各実施例に示すよう
に、その磁気特性が向上するという著しい効果が認めら
れた。

これにより、コバルト合金に対する保護膜の形成が冷間
に限定されなくなる。例えば、焼成を必要とする５１０
２膜をコバルト合金上へ形成することができる。

従って、このコバルト合金で形成された磁気記憶媒体は
、予め熱処理しておくことで、磁気ヘッドとの摩擦等に
より熱が加えられても、その磁気特性は劣化しない。磁
性媒体として熱処理済の本コバルト合金を用いた場合に
も、昇温トラブルが発生しなくなる。

つまり、このコバルト合金は、磁気記憶媒体や磁性媒体
として、その応用範囲が広がる。

更にこの発明により得られたコバルト合金は、第４図の
結果から、スパッタリング法で形成されたコバルト合金
より高い記録密度をもっことがわかった。

〈実施例〉 以下、上記効果を確認するための実施例について説明を
する。

第１〜３表はめつき浴を、めっき直後の磁性膜が備える
保磁力Ｈｃの大きさによって分類したものである。つま
り、８０００ｅレベルは第１表の実施例１〜実施例８に
、９０００ｅレベルは第２表の実施例９〜実施例１４に
、ｔ００００ｅレベルは第３表の実施例１５〜実施例２
０．のどとくに３グループに分割して整理したい また、錯化剤としてトリポリリン酸アルカリ塩とビロリ
ン酸アルカリ塩を併用した場合の実施例２１．２２を第
４表に示す。比較例１は錯化剤としてピロリン酸アルカ
リ塩を単体で使用した場合を示している。

なお、表には示していないが、各実施例のめっき浴中に
は、酒石酸アンモニルカリウム０．５水が４．５　ｘ　
１０””＋＋ｏｌ　／ｆｌ配合されている。

第１〜４表のめつき浴を用い、予めＮ、−Ｐ合金の下地
めっきの施しであるアルミニウムディスク（その表面は
平滑である。）に無電解めっきを施し、実施例のコバル
ト合金膜を形成した。そして、各ディスクの磁気特性を
振動型磁気測定装置で測定した。

結果を各表に示す。

なお、第１図は実施例６のめつき浴で無電解めっきした
ディスクの磁気特性を示すチャートである。「第１図の
ａｄｊＪは、同ディスクにおし１てＮ−Ｐ合金の下地め
っきの磁気影響を補正したものである。「第１図のａｄ
ｊＴＨ」は補正と加熱を行なったディスクの磁気特性を
示すチャートである同様に第２図、第２図のａｄｊ　、
第２図のａｄＪＴＨは実施例１３のめつき浴を用いた場
合であり、第３図、第３図のａｄＪ　、第３図のａｄＪ
ＴＨは実施例１５のめつき浴を用いた場合である。

上記の結芽から、従来の無電解めっきにより得られたコ
バルト合金の磁気特性に比べ、加熱前において、上記各
実施例のコバルト合金の磁気特性は優れていることがわ
かる。また、第３表のめつき浴から得られるコバルト合
金の磁気特性は、スパッタリング法で得られたコバルト
合金のそれより優れていることがわかる。

そして加熱後において、各実施例のコバルト合金膜では
磁気特性の向上が認められる。

更には、第３図と同じディスク（実施例１５のめつき浴
を用いた。）を使用した記録密度再生試験の結果を、第
４図に示す。例えば、Ｓ／Ｎの値が３０　ＫＦＲＰＩに
おいて３０．６ｄＢを示しているこの結果から、実施例
のコバルト合金膜は、スパッタリング法で得られたコバ
ルト合金膜より、高い記録密度が得られることがわかる
。

なお、スパッタリング法を施したディスクの表面はテク
スチャー加工により粗面化されているのに対し、実施例
のそれは鏡面である。

くアルミニウム成分の添加〉 従来の無電解めっき法では、コバルト合金を、アルミニ
ウム基材じ直接的に形成されることは不可能とされてき
た。そたのめ、代表的な方法として、 アルミニウム基材−Ｚｎ置換めっき（二重置換）　−Ｎ
　ｉ合金めっき一コバルト合金めっきの工程を経て最終
的にコバルト合金をめっきしてきた。

このように前もってアルミニウム基材にＮｉ合金の下地
金属をめっきしておかなければ、コバルト合金を密着さ
せることができなかった。直接めっきができないその理
由として、アルミニウム基材がめつき浴中で容易に溶解
してしまうことや、アルミニウム・コバルト両金属の単
位格子構造の違いから、めっきに必要とする金属結合が
得られないことに原因している。

また、磁性合金をめっき法、スパッタリング法でアルミ
ニウム基材上にコバ・ルト合金層を形成する場合にも、
アルミニウム基材に予めＮｉやＣｒなどの下地金属を形
成させておく必要がある。

従って、アルミニウム基村上にコバルト合金層を形成す
る製造コストが高くなってしまう。　そこで本発明者は
、アルミニウム基村上へ直接コバルト合金を無電解めっ
き方法及びこれに用いるめっき浴について、鋭意検討を
重ねてきた。

従来、アルミニウム基材へ直接にコバルト系合金を無電
解めっきできない原因として、下記２つが考えられる。

第−原因二両性金属のアルミニウム金属が酸やアルカリ
と容易に化学反応を起こして溶解し、激しく水素を発生
するので、コバルトイオンは被着することができない。

　第二原因；アルミニウム金属が面心立方格子であるの
に対して、一方のめつきするコバルト合金の主成分であ
るコバルト金属が、通常ではα型の稠密立方格子である
ため、めっき反応が開始しても双方金属の格子構造に違
いがあるため、界面でのめつきに必要な金属結合が得ら
れない。

本発明者は、めっき浴へあらかじめ適量のアルミニウム
イオンを溶解させておくと、上記２つの原因を解決でき
ることを見出した（以下、「第２の発明」という。）。

即ち、第−原因となっているアルミニウム金属の溶解を
防止するために、無電解コバルトめつき浴中にあらかじ
め適量のアル主ニウム０イオンを溶解させておくと、ア
ルミニウム基材をめっき浴に浸漬したときに、アルミニ
ウム基質が溶解しないことを見い出した。この現象は、
今まで知られている例えば硝酸基によるアルミニウム界
面の不動態化による溶出防止や、レーキ化による溶解防
止の方法と異なり、無電解めっきの反応を阻害しない方
法である。

第二原因となっているアルミニウム・コバルト金属間の
単位格子構造の不整合を解決するためにめっき洛中にア
ルミニウムイオンを存在させておくと、アルミニウム界
面に最初に析出するコバルト原子の配列で形作られる超
薄膜層が、ｍ密立方格子構造のα型コバルトではない、
面心立方格子構造のβ型コバルトに変わり、アルミニウ
ムと同じ格子構造となり、アルミニウム基材の界へ面強
固に金属結合することを見い出した。このβ型コバルト
の生成を推測させる根拠として、ｒコバルト金属が酸化
物の形態で水素還元を受けるとβ型コバルトになる」こ
との公知事実を重要視しているが、さらには、「β型コ
バルトの単位格子構造がアルミニウム金属と同じ面心立
方格子であるＪとする事実に基づいて推理することがで
きる。

このβ型コバルト生成の可能性は、上記で説明したコバ
ルトの生成の初期の段階において、下記に示す析出金属
Ｍ、還元剤Ｒとした無電解めっきの析出原理 還元剤Ｒ＋　Ｈ２０＝　Ｏｘ＋　Ｈ”　＋　ｅ墓 Ｍｎ＋ｎｅ→ ＭＯまたは２Ｈ”＋２ｅ−＝Ｈ２ が起きており、式中の０８によるめっき初期に起きる酸
化反応で、コバルト原子が一時的に酸化コバルトに変化
するとみられ、さらに、この酸化コバルトは上記反応に
示すＨ“の影響と併せて、前もってアルミニウム基材に
形成しておいた置換Ｚｎ層の、Ｚｎ−４コバルトの置換
反応時の発生期の水素の影響と、さらにまた、アルミニ
ウム基材からの溶解反応で生じる発生期の水素の影響と
の相乗効果によって、ただちに且、強力に還元されてβ
型コバルトに変性する現象が推理できる。この酸化、還
元によるβ型コバルトの形成は、超薄膜がアルミニウム
基材面を隠蔽し終わるまでＭ続されるが、その後、β型
コバルト上には通常のα型コバルトが堆積してコバルト
合金層を形成する。

そのため、コバルト合金の最結合界面だけがβ型コバル
トとなるため、その結果、アルミニウム金属と同一の面
心立方格子構造同士の強力な金属結合が得られると推定
される。

上記のアルミニウム金属上に直接的にコバルト合金膜を
形成することの知見として、スパッタ法による例が＾Ｌ
ＬＩＴＯＰＩＡ　Ｖｏｌ、１９　Ｎｏ、２　ＦＥＢ、　
１９８９の、ｒコバルト・ニッケル系金属薄膜磁気ディ
スク１に報告されている。ここでは、磁性層の下にＣｒ
スパッタ下地層を必要としないことが述べられており、
それによると、アルマイト処理をしたアルミニウム基材
をパフ研磨し、Ｎ２雰囲気下で直接にＣｏ−Ｎｉ合金の
窒化物の膜を形成することが説明されている。そのとき
の、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｎ１１ｉは斜方晶主体で一部六方晶が
混在しているものであり、熱処理によってＮが放出され
、六方晶のｃｏ−Ｎｉ膜に変化することが記載されてい
る。上記のＩｌｌは、直接的にアルミニウム上へコバル
ト磁性膜を形成する点では米菓２の発明と類似している
が、三元合金である点、アルミニウム基材の界面をアル
マイト処理によって多孔質化して投錨効果で合金を被着
させている点、など本質的に米菓２の発明とは一線を画
するものである。

米菓２の発明では、最隣接界面のコバルト単位結晶格子
がアルミニウムと同一の面心立方構造を形成して強固な
金属結合をすることに特徴がある以下、アルミニウム金
属へ直接にコバルト合金を形成できる無電解めっき浴に
ついて詳細に説明する。

めっき浴は、■コバルトイオン、■コバルトイオンの還
元剤、■コバルトイオンの錯化剤、■ｐＨ調整剤、■ｐ
ＨｐＨ緩衝剤アルミニウム０゛イオン源の成分を含んで
いる。

■コバルトイオン、 コバルトイオンは、通常塩のかたちで添加されめっき浴
ｉｆｌ中ｏ、ｏｉ〜０．１８モルが含まれている（以下
０．０１〜０．　１８ｍｏｌ　Ｉｌｌと表わす）。

■コバルトイオンの還元剤、 コバルトイオンの還元剤には、通例の次亜リン酸ナトリ
ウムを用いる。添加量は０．１〜０．５１１ｏｌ／ｆｌ
とする。

■コバルトイオンの錯化剤、 コバルトイオンの錯化剤には、通例のくえん酸酒石酸、
マロン酸、こはく酸、グルコン酸、りんご酸等の有機酸
のアルカリ塩、ビロリン酸の無機酸のアルカリ塩、およ
び米菓２の発明で特記する第２の発明で用いるトリポリ
リン酸の無機酸のアルカリ塩から選ばれる、ｉ　Ｉｌｌ
類または２種類以上の組合せで用い、必要に応じて亜り
ん酸の無機酸のアルカリ塩を錯化助剤として用いる。コ
バルトイオンに対する錯化剤の合計ａｎｏｌ比は１：２
〜１：１０とし、錯化助剤ｍｏｌ比は１：１０〜１：５
０とする。

■ｐＨ調整剤、 ｐＨ調整剤には、通例の硫酸、塩酸またはリン酸の酸類
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム。

水酸化リチウムのアルカリ塩と水酸化アンモニウムのア
ルカリ類から選び、所要のｐＨに調整する■ｐＨ緩衝剤
、 ｐＨ緩衝剤には、通例の硫酸アンモニウム、はう酸から
選ばれ、はう砂も用いることができる。

添加量は０　、　１５〜０　、８ｍｏｌ　／　ＩＬの割
合で用いる。

■アルミニウムイオン源 アルミニウムイオン源は、米菓２の発明で特記する成分
で、水酸化アルミニウム、アルミン酸アルカリ塩、硫酸
アルミニウム、リン酸アルミニウム、硫酸カリウムアル
ミニウム、硫酸ナトリウムアルミニウム、はう酸アルミ
ニウム、酢酸アルミニウム、くえん酸アルミニウム、乳
酸アルミニウム等に代表されるアルミニウム化合物や、
その他のアルミニウム化合物であってもかまわないが、
要するにめっき浴ｐＨで溶解してアルミニウムイオンと
なる成分から選ばれ、アルミニウムイオン換算で０．０
０１〜０．２５ｍｏｌ　／Ｉｔの割合で用いる。ここで
、アルミニウム成分が０．００１ａ＋。

１／ｊ２未満であると、コバルト合金がアルミ基材に対
して金属結合をしないため、合金膜が容易に剥離してし
まう。一方、０．２５ｍｏｌ／４２を越えて配合しても
、アルミニウムーコバルト間の金属結合に変化がないの
で、経済的なロスとなる３このめっき浴を用いた無電解
めっき方法は以下の通りである。

アルくニウム基材の脱脂→アルカリエツチング＝１５％
硝酸溶液浸漬による界面不純物の除去−第−Ｚｎ置換め
っき一２５％・硝酸溶液浸漬による第−Ｚｎ置換層の除
去−第二Ｚｎ置換めっき一重炭酸ナトリウム溶液による
中和−第２の発明の無電解コバルト合金めっきを施す。

以上に説明したように、アルミニウム基材がめつき浴中
で溶解することを防止できたことと、なお且、アルミニ
ウム基材の接合最界面にアルミニウムと同じ面心立方格
子のβ型コバルトを変性させることができたので、アル
ミニウム基村上に強固に金属結合したコバルト合金膜を
直接形成させることができた。そのため、安価なアルミ
ニウム磁性材料の製造が可能になった。

これにより、アルミニウム基村上にＮｉ合金等の下地金
属のめっきを必要としないため、柔軟性が求められる磁
気記憶媒体、磁性媒体を作るのに適している。例えば、
エレクトロニクスの分野（例えば、１．ディスク基板へ
の磁気記憶媒体の形成、２．アルミニウムカード型基板
への磁気記憶媒体の形成など）に利用可能となる。また
、磁気材料の分野で、例えば、３．アルミニウム棒剤。

練剤、板剤、箔剤、ならびにダイカストなどのアルミニ
ウム成形品の、一部分または全面的に形成する安価な磁
性媒体として、様々な用途への活用が可能となる。

このときの析出したコバルト合金めっき膜の磁気特性は
、第５表の実施例２３〜実施例２６に示す保磁力Ｈｃが
得られており、その最高値は、ＨＣ＝８９１　０ｅであ
る。

上記の値は、第３表に示した従来例の無電解めっき膜の
保磁力（Ｈｃ＝７７１　０ｅ）の値を上回るものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例６のめつき浴で無電解めっきしたディス
クの磁気特性を示すチャート、第１図のａｄＪは、同デ
ィスクにおいてＮｌ　−Ｐ合金の下地めっきの磁気影響
を補正した場合の磁気特性を示すチャート、 第１図のａｄｊＴＨは、同ディスクおいて補正と加熱を
行なった場合の磁気特性を示すチャート、第２図は実施
例１３のめつき浴で無電解めっきしたディスクの磁気特
性を示すチャート、第２図のａｄｊは、同ディスクにお
いてＮ、　−Ｐ合金の下地めっきの磁気影響を補正した
場合の磁気特性を示すチャート、 第２図のａ　ｄ　ｊ　Ｔ　Ｈは、同ディスクおいて補正
と加熱を行なった場合の磁気特性を示すチャート、第３
図は実施例１５のめつき浴で無電解めっきしたディスク
の磁気特性を示すチャート、第３図のａｄｊは、同ディ
スクにおいてＮｌ　−Ｐ合金の下地めっきの磁気影響を
補正した場合の磁気特性を示すチャート、 ′ｆＳ３図のａｄＪＴＨは、同ディスクおいて補正と加
熱を行なった場合の磁気特性を示すチャート、第４図は
記録密度再生試験の結果を示すグラフ図、 第５図は従来例のコバルト−リン合金におけるリンの含
有量と保磁力との関係を示すグラフ図、第６図は従来例
のめつき浴で無電解めっきをしたディスクの磁気特性を
示すチャート、第７図はスパッタリング法を施したディ
スクの磁気特性を示すチャート。 特　許　出゛願　人 第 ４ 図 １己１１；上口１　（ＫＦＲＰＩ） 第 図 ％ｒ厚ｈ　　（Ｃｏ、ｍｇ／ｃｍ２） 図４−２　　　ソん音量、Ｈｔヒ保磁カー間係 図面の浄書（内容に変更なし） 図 Ｈ：　ｏｅｒｓｔｅｄ Ｍｉｅ重Ｕ ｍｕｌｔ：１ Ｈｍ　：　４．９５３Ｅ＊０３ Ｈｃ　：　７．７１４Ｅ＊０２ Ｍｍ　：　１．５９９Ｅ−０２ Ｍ　ｒ　：　１．２４１Ｅ−０２ ＳＳｋ　：　＊＊ｈ＊＊＊拳０ Ｓ傘　：　８．２６９Ｅ−ＱＩ Ｓ　ｋ　：　７．９８２Ｅ−０１ Ｓ　　：　８．０１５Ｅ−０１ Ｒｓ　：　７．７６１Ｅ−０１ ０Ｒ０◆◆＊傘傘◆令 図面の浄書（内容に変更なし） 図 Ｈ：　ｏｅｒｓｔｅｄ Ｍ；ｅ雪シＵ ｍｕｌｔ：１ ５．０ＤＤＥ十０３ １．２２７Ｅ◆０３ １．５４９Ｅ−０２ １，２８１Ｅ−０２ ８，８０８Ｅ−０１ ９，００５Ｅ−０１ ９，２４ＢＥ−０１ ９，７４３Ｅ−（１１ ８，２６５Ｅ−０１ 平成 午 月 日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 錯化剤としてトリポリリン酸アルカリ塩を含んだめつき
   浴を用いて、無電解めつきする ことを特徴とするコバルト合金の製造方法