JPH0361584A - Data recording medium - Google Patents
Data recording mediumInfo
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- JPH0361584A JPH0361584A JP2036174A JP3617490A JPH0361584A JP H0361584 A JPH0361584 A JP H0361584A JP 2036174 A JP2036174 A JP 2036174A JP 3617490 A JP3617490 A JP 3617490A JP H0361584 A JPH0361584 A JP H0361584A
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- JP
- Japan
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- film
- recording
- recording medium
- substrate
- metal
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- Pending
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光記録素子、光ディスク、文書画像ファイル、
光カード等に利用できる情報記録媒体に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to optical recording elements, optical discs, document image files,
This invention relates to information recording media that can be used in optical cards, etc.
[従来の技術]
従来、ヒートモード(溶融、蒸宛タイプ)の追記型情報
記録媒体としては、A、Q、Cr、Cu s A u
s N iST is B iなどの金属膜(日刊工業
新聞: 1987年4月14日版)、あるいはTe、T
e化合物などのカルコゲン化物膜[M、Terao、
et al:J、AI]p1.Phys、50.68
81(1979)] などが知られている。しかしな
がら、金属膜はレーザー光の吸収効率が悪いため記録時
に強いレーザー光と時間(100mWX 1μ5ec)
を必要とし、高速回転での記録に感度が足りず、また、
ビット形成時に生じるビット周辺等の盛り上りのため再
生時の雑音が増加しやすいという欠点を有する。又、カ
ルコゲン化物蒸着膜は熱、湿度などによって劣化すると
いう欠点を有する。[Prior Art] Conventionally, heat mode (melting, vaporization type) recordable information recording media include A, Q, Cr, Cus A u
Metal films such as s N iST is B i (Nikkan Kogyo Shimbun: April 14, 1987 edition), or Te, T
Chalcogenide films such as e compounds [M, Terao,
et al: J, AI] p1. Phys, 50.68
81 (1979)] are known. However, since the metal film has poor laser light absorption efficiency, it requires a strong laser light and time (100mW x 1μ5ec) during recording.
, the sensitivity is insufficient for recording at high speed rotation, and
This method has the disadvantage that noise during reproduction tends to increase due to the swelling around the bit that occurs during bit formation. Further, the chalcogenide vapor-deposited film has the disadvantage that it deteriorates due to heat, humidity, and the like.
相変化型情報記録媒体としては、従来よりTe5Te化
合物などのカルコゲン膜[S、R。As a phase change type information recording medium, chalcogen films such as Te5Te compounds [S, R.
Ovs旧n5ky;Appl、Phy’s、IetL、
18.254 (1971) ]が知られているが
、記録時の反射率変化は10%程度とコントラストが小
さいという欠点を有する。Ovs old n5ky; Appl, Phy's, IetL,
18.254 (1971)], but it has the disadvantage that the reflectance change during recording is about 10% and the contrast is small.
又、バブルモード記録としては、In
CH4−02等のスパッタ膜[作問、小沢、岡尾、安置
、光メモリシンポジウム゛85,39(1985)US
P4,735.8881が知られているが、構成成分が
酸化されやすいInであり、又膜中のInあるいはIn
2O3と有機成分が別々にクラスターとして存在してい
るため長期安定性や高湿下における安定性に問題があっ
た。更に、記録部であるバブルの隆起も1000大と小
さいためコントラストも小さくなるという欠点があった
。In addition, for bubble mode recording, a sputtered film such as In CH4-02 [Sakumon, Ozawa, Okao, Aki, Optical Memory Symposium 85, 39 (1985) US
P4,735.8881 is known, but the constituent component is In that is easily oxidized, and the In or In in the film is
Since 2O3 and organic components exist separately as clusters, there are problems with long-term stability and stability under high humidity. Furthermore, since the protrusion of the bubble, which is the recording portion, is as small as 1000, there is a drawback that the contrast is also reduced.
分散状態にある金属微粒子を含有するポリマー層からな
る情報記録媒体としては、特開昭6377785に、有
機金属錯体をポリマーに分散させ、それを熱分解して作
製した情報記録媒体が提案されている。しかし、ポリカ
ーボネート、ポリメチルメタクリレート等のプラスチッ
ク基板に記録膜を作製する場合、有機金属錯体の分解温
度はプラスチック基板の分解温度(〜100℃)以下に
限定されるため、実際使用可能な有機金属錯体は極めて
少ない。更に有機金属錯体とポリマーの分散性、溶解性
等によって、その組合せは限定される。As an information recording medium consisting of a polymer layer containing fine metal particles in a dispersed state, an information recording medium prepared by dispersing an organometallic complex in a polymer and thermally decomposing it has been proposed in JP-A-6377785. . However, when producing a recording film on a plastic substrate such as polycarbonate or polymethyl methacrylate, the decomposition temperature of the organometallic complex is limited to below the decomposition temperature of the plastic substrate (~100°C), so the organometallic complex that can actually be used is are extremely rare. Further, the combination is limited depending on the dispersibility, solubility, etc. of the organometallic complex and polymer.
又、上記特開昭63−77785に記載された情報記録
媒体は湿式法によって作製されており、作製プロセスの
工程数が多くなるという問題があった。Furthermore, the information recording medium described in JP-A-63-77785 is manufactured by a wet method, which has the problem of increasing the number of steps in the manufacturing process.
電磁波、特にレーザービームの照射により、情報の記録
・再生及び消去可能な情報記録媒体としては、結晶−結
晶あるいは結晶−非晶間の相変化を利用したカルコゲン
系薄膜がよく知られている。相変化型情報記録媒体は光
磁気記録媒体では困難な車−ビームによるオーバーライ
ドが可能であり、ドライブ側の光学系も単純であること
などから、最近その研究開発が活発になっている。その
代表的な材料として、USP3.530,441に開示
されているGe−Te、Ge−Te−9b、Ge−Te
−8SGe−8e −5SGe−8e−Sb、Ge−A
s−3e。Chalcogen-based thin films that utilize crystal-crystalline or crystal-amorphous phase changes are well known as information recording media that can record, reproduce, and erase information by irradiation with electromagnetic waves, particularly laser beams. Phase-change information recording media can be overridden by a beam beam, which is difficult to do with magneto-optical recording media, and the optical system on the drive side is simple, so research and development into them has recently become active. Representative materials include Ge-Te, Ge-Te-9b, and Ge-Te disclosed in USP 3.530,441.
-8SGe-8e -5SGe-8e-Sb, Ge-A
s-3e.
In−Te、5e−Tes 5e−Asなどが知られて
いる。又、安定性、高速結晶化等の向上を目的に、Ge
−Te系にAu(特開昭61−219692) 、S
n及びAu(特開昭11i1−270190)、Pb(
特開昭62−19490)等を添加した材料の提案や、
記録−消去の繰返し性能向上を目的に、Ge−Te−5
e−3bの組成比を特定した材料(特開昭62−734
38)の提案等も成されている。In-Te, 5e-Tes, 5e-As, etc. are known. In addition, for the purpose of improving stability and high-speed crystallization, Ge
-Au to Te system (Japanese Patent Application Laid-open No. 61-219692), S
n and Au (Japanese Unexamined Patent Publication No. 11i1-270190), Pb (
Proposals for materials containing additives such as JP-A-62-19490),
Ge-Te-5 for the purpose of improving the repeatability of recording and erasing.
Material with specified composition ratio of e-3b (Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-734
38) proposals have also been made.
しかしながら、そのいずれもが)日変化型書換可能情報
記録媒体として要求される諸性性のすべてを満足し得る
ものとは言えない。特に記録感度、消去感度の向上、オ
ーバーライド時の消し残りによる消去比低下の防止なら
びに記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課
題となっている。However, it cannot be said that none of these can satisfy all of the properties required of a daily changing rewritable information recording medium. In particular, the most important issues to be solved are improving recording sensitivity and erasing sensitivity, preventing a decrease in erasing ratio due to unerased areas during override, and extending the lifespan of recorded and unrecorded areas.
上記で述べた種々の技術課題のうち、記録部、未記録部
の長期安定化が、追記型、書換可能型の双方の情報記録
媒体において最優先課題である。そこで、この課題を解
決する方法の一つとして、光吸収物質を透光性のマトリ
ックスに分散させた情報記録媒体の提案がなされている
。Among the various technical issues mentioned above, long-term stabilization of recorded and unrecorded areas is the top priority issue for both write-once and rewritable information recording media. Therefore, as one method for solving this problem, an information recording medium in which a light-absorbing substance is dispersed in a transparent matrix has been proposed.
マトリックスとしては、Si、A、17.Ti。As a matrix, Si, A, 17. Ti.
Mgの各酸化物が特開昭57−208648に提案され
ている。更に、特開昭63−173240ではマトリッ
クスとして、熱伝導性の小さいSiO2、Sin、Si
3N4、TiO2、ZnZnS5ZnOSA 03、A
N N、MMgO5Ge。Various Mg oxides have been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-208648. Furthermore, in JP-A-63-173240, SiO2, Sin, and Si, which have low thermal conductivity, are used as a matrix.
3N4, TiO2, ZnZnS5ZnOSA 03, A
N N, MMgO5Ge.
SiC,ZrO2、NbzOsなどの金属酸化物、金属
窒化物、金属硫化物、金属炭化物が検討されている。し
かし、金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化
物等の無機材料によるマトリックスは、記録−消去の繰
返しによる結晶咳の生成及び結晶成長が起こり、消し残
りの原因や粒界ノイズによるC/Hの低下をもたらした
。Metal oxides, metal nitrides, metal sulfides, and metal carbides, such as SiC, ZrO2, and NbzOs, are being considered. However, with matrices made of inorganic materials such as metal oxides, metal nitrides, metal sulfides, and metal carbides, repeated recording and erasing causes crystal cough formation and crystal growth, which causes unerased areas and grain boundary noise. /H.
一方、マトリックスとして有機材料の使用を検討した例
が特開昭80−124038、特開昭63−20583
2及び特開昭63−206721に述べられている。On the other hand, examples of considering the use of organic materials as a matrix are JP-A No. 80-124038 and JP-A No. 63-20583.
2 and JP-A-63-206721.
これらの公報には、Te等の物質と耐熱性樹脂の同性ス
パッタによって金属微粒子が分散した白゛機薄膜を情報
記録媒体に利用する例が開示されている。又、電子通信
学会技術研究報告CP)I83−58には、TeとCH
4による反応性スパッ夕を利用して情報記録媒体を作製
することが開示されている。しかし、上記製膜法つまり
金属と有機物質の同時スパッタあるいは反応性スパッタ
による製膜法では、Te等の金属微粒子の粒径、分散状
態の制御は困難であった。又グロー放電によって有機マ
トリックスを作製するため、反応圧力は10 ”−”t
orr程度であり、スパッタ法では分散物質の凝集はさ
けられず、微小化は困難であった。These publications disclose examples in which white organic thin films in which fine metal particles are dispersed by homogeneous sputtering of a substance such as Te and a heat-resistant resin are used as information recording media. In addition, IEICE technical research report CP) I83-58 describes Te and CH
It has been disclosed that an information recording medium is manufactured using a reactive sputtering method according to No. 4. However, in the film forming method described above, that is, the film forming method using simultaneous sputtering of metal and organic material or reactive sputtering, it is difficult to control the particle size and dispersion state of fine metal particles such as Te. In addition, since the organic matrix is prepared by glow discharge, the reaction pressure is 10"-"t
In the sputtering method, agglomeration of the dispersed substances could not be avoided, and miniaturization was difficult.
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、以上のような従来技術の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、コントラスト及びC/Nが大きく記
録部及び非記録部の寿命が長く安定性の良好な情報記録
媒体を提供することを目的とする。[Problems to be Solved by the Invention] The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above. The purpose of this invention is to provide an information recording medium with good performance.
[課題を解決するための手段]
本発明者らは、有機金属化合物を出発材料とし、該材料
をグロー放電分解法により合成した薄膜を情報記録媒体
の記録膜として用いることにつき鋭意検討してきた。し
かし、出発材料に有機金属化合物だけを用いた場合には
、遷移金属の供給が不可能となり遷移金属を含有した記
録層の合成は出来なかった。ところが、有機金属錯体を
出発材料とした場合には金属微粒子が均一に分散された
記録膜の合成が可能となることを見い出し、本発明を完
成するに至った。[Means for Solving the Problems] The present inventors have intensively studied the use of a thin film synthesized from an organic metal compound as a starting material by a glow discharge decomposition method as a recording film of an information recording medium. However, when only an organometallic compound was used as a starting material, it was impossible to supply a transition metal, making it impossible to synthesize a recording layer containing a transition metal. However, the inventors have discovered that it is possible to synthesize a recording film in which fine metal particles are uniformly dispersed when an organometallic complex is used as a starting material, leading to the completion of the present invention.
すなわち、本発明によれば、基板上に記録層を設けてな
る情報記録媒体において、前記記録層が、グロー放電分
解法により形成された有機金属錯体のプラズマ重合膜か
らなることを特徴とするf青報S己録媒体力(提1共さ
れる。That is, according to the present invention, in an information recording medium comprising a recording layer provided on a substrate, the recording layer is made of a plasma polymerized film of an organometallic complex formed by a glow discharge decomposition method. Blue report S self-recorded media power (provided by one person).
以下本発明の情報記録媒体について詳細に説明する。The information recording medium of the present invention will be explained in detail below.
本発明の情報記録媒体は、真空反応檜内にセットされた
所望の基板上に、有機金属錯体を出発物質とし、グロー
放電分解法により該有機金属錯体のプラズマ重合膜を形
成して記録層とすることにより作製される。The information recording medium of the present invention uses an organometallic complex as a starting material on a desired substrate set in a vacuum reaction chamber, and forms a plasma polymerized film of the organometallic complex by a glow discharge decomposition method to form a recording layer. It is made by
本発明の情報記録媒体の記録層の形成に用いられる出発
材料を例示すると、例えば鉄を含むものとしては、鉄(
III)アセチルアセトナートフェロセン、あるいはタ
イロン、エチレンジアミン、 2.2′−ジピリジン、
1.10−フェナントロリン、ジチオール、オキシン、
チオキシン、3−メルカプト−p−クレゾールなどのキ
レト試薬を存する鉄錯体が用いられる。Examples of starting materials used to form the recording layer of the information recording medium of the present invention include iron-containing materials, such as iron (
III) Acetylacetonatoferrocene, or Tyrone, ethylenediamine, 2,2'-dipyridine,
1.10-phenanthroline, dithiol, oxine,
Iron complexes containing chelating reagents such as thioxine and 3-mercapto-p-cresol are used.
コバルト化合物としては、コバルト(II)アセチルア
セトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート
、コバルトセン、あるいはタイロン、エチレンジアミン
、2.2’ −ジピリジン、1.10−フェナントロリ
ン、ジチオール、オキシン、チオキシン、3−メルカプ
ト−p−クレゾールなどのキレート試薬を有するコバル
ト錯体が用いられる。Cobalt compounds include cobalt (II) acetylacetonate, cobalt (III) acetylacetonate, cobaltocene, tyron, ethylenediamine, 2,2'-dipyridine, 1,10-phenanthroline, dithiol, oxine, thioxine, 3- Cobalt complexes with chelating reagents such as mercapto-p-cresol are used.
ニッケル化合物としては、例えばニッケルアセチルアセ
トナート(NiAA)、ジメチルグリオキシム、ベンジ
ルジオキシム、シクロヘキサン−1,2−ジオンジオキ
シム、タイロン、エチレンジアミン、2.2′−ジピリ
ジン、1.10−フェナントロリン、ジチオール、オキ
シン、チオキシン、3−メルカプト−p−クレゾールな
どのキレート試薬を1つないし2つ有するニッケル錯体
が用いられる。Examples of nickel compounds include nickel acetylacetonate (NiAA), dimethylglyoxime, benzyldioxime, cyclohexane-1,2-dionedioxime, tyron, ethylenediamine, 2,2'-dipyridine, 1,10-phenanthroline, and dithiol. A nickel complex having one or two chelating reagents such as , oxine, thioxine, and 3-mercapto-p-cresol is used.
銅化合物として、例えば銅アセチルアセトナ−l・(C
uAA)、及びタイロン、エチレンジアミン、2.2′
−ジピリジン、1.10−フェナントロリン、ジチオー
ル、オキシン、チオキシン、3−メルカプト−p−クレ
ゾールなどのキレート試薬を1つないし2つ有する銅錯
体が用いられる。As a copper compound, for example, copper acetylacetoner-l (C
uAA), and Tyrone, ethylenediamine, 2.2'
A copper complex having one or two chelating reagents such as -dipyridine, 1,10-phenanthroline, dithiol, oxine, thioxine, and 3-mercapto-p-cresol is used.
チタン化合物としては、例えばジイソプロポキシチタン
ビス(アセチルアセトナート) ビス(アセチルアセト
ナート)チタンオキシド等が用いられる。As the titanium compound, for example, diisopropoxytitanium bis(acetylacetonato) bis(acetylacetonato)titanium oxide and the like are used.
テルル化合物としては、テルルジイソプロポキンジアセ
チルアセトナートなどが用いられる。As the tellurium compound, tellurium diisopropoquine diacetylacetonate or the like is used.
セレン化合物としては、セレンジイソプロポキシジアセ
チルアセトナートなどが用いられる。As the selenium compound, selenium diisopropoxy diacetylacetonate or the like is used.
他にはLa、Ce、Pr、Nd55m、Gd。Others include La, Ce, Pr, Nd55m, and Gd.
D3/% Er、Yb、5cSYSThs Mn。D3/% Er, Yb, 5cSYSThs Mn.
Mgなどのシクロペンタジェニル化合物が使用可能であ
る。Cyclopentadienyl compounds such as Mg can be used.
更に、高蒸気圧を有するC a s S r s B
B、La、Ce、YSSm、Tb、Er5YbSV。Furthermore, C a s S r s B with high vapor pressure
B, La, Ce, YSSm, Tb, Er5YbSV.
Nbなどのアセチルアセトナート錯体が使用可能である
。Acetylacetonate complexes such as Nb can be used.
又、上記有機金属錯体において、一部又は全部の水素原
子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、よう素原子など
のハロゲン原子と置換したハロゲン有機金属錯体も使用
可能である。Further, in the above-mentioned organometallic complexes, halogen-organometallic complexes in which some or all of the hydrogen atoms are replaced with halogen atoms such as fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, and iodine atoms can also be used.
本発明に使用する上記有機金属錯体として、有機物質が
配位している中心金属の標準電極電位が−0,50V以
上であるものが特に好ましい。The organometallic complex used in the present invention is particularly preferably one in which the standard electrode potential of the central metal to which the organic substance is coordinated is -0.50 V or more.
この場合配位子は特に限定されない。In this case, the ligand is not particularly limited.
標準電極電位とは、金属のイオン化傾向や酸化還元系で
の酸化力あるいは還元力を示す尺度となる。表1に代表
的な金属の標準電極電位を示す。好ましい有機金属錯体
の中心金属としてF e s Co SN t SS
n s Cu s A gなどが使用できる。もちろん
、表1に記載のない金属でも、標準電極電位が−0,5
0V以上であれば好ましく使用できる。The standard electrode potential is a measure of the ionization tendency of metals and the oxidizing or reducing power in a redox system. Table 1 shows standard electrode potentials of typical metals. Fe s Co SN t SS as the central metal of the preferred organometallic complex
n s Cu s A g etc. can be used. Of course, even for metals not listed in Table 1, the standard electrode potential is -0,5
If it is 0V or more, it can be preferably used.
表 標準電極電位(El) P t ”+ 2 e ;j P t l。table Standard electrode potential (El) Pt”+2e;jPt l.
本発明における記録層(プラズマ重合膜)の製膜手段と
しては、直流グロー放電分解法、交流グロー放電分解法
が適しており、特に「fグロー放電分解法の採用が好適
である。なお、グロー放電分解法それ自体は公知の技術
である。rrグロー放電分解広による製膜条件の一例を
あげれば次のとおりである。モノマー加熱蒸発温度につ
いては、材料(有機金属錯体)の蒸気圧が10’ to
rr−100torr程度となる温度に保持するのが望
ましい。カッコ内は好適範囲を表わしている。As a method for forming the recording layer (plasma polymerized film) in the present invention, DC glow discharge decomposition method and AC glow discharge decomposition method are suitable. The discharge decomposition method itself is a known technique.An example of film forming conditions by rr glow discharge decomposition is as follows.The monomer heating evaporation temperature is such that the vapor pressure of the material (organometallic complex) is 10 ' to
It is desirable to maintain the temperature at about rr-100 torr. The value in parentheses indicates the preferred range.
rr周波数−100KIIz 〜50Ml1z (1
3,58MIIz)rrパワー−1〜500W (5〜
200W)反応圧カー0.001〜10torr(0,
05〜2 torr)基板温度・・・−50〜300℃
(0〜200℃)このグロー放電分解法での基板温度は
、上記範囲内であれば、放電したままで製膜を行なった
り、一定温度に保持しなから製膜を行なったり、段階的
に温度を変化させて製膜を行なったりすることも可能で
ある。rr frequency -100KIIz ~50Ml1z (1
3,58MIIz)rr power-1~500W (5~
200W) reaction pressure car 0.001~10torr (0,
05~2 torr) Substrate temperature...-50~300℃
(0 to 200℃) If the substrate temperature in this glow discharge decomposition method is within the above range, it is possible to form a film while discharging, to form a film after maintaining it at a constant temperature, or to form a film in stages. It is also possible to form a film by changing the temperature.
柾板材料は限定されるものではないが、各種金属、ガラ
ス、高分子フィルム、セラミックス、無機単結晶基板な
どが好適に使用される。Although the material of the square plate is not limited, various metals, glass, polymer films, ceramics, inorganic single crystal substrates, etc. are suitably used.
又、必要に応じて反応時に他の反応物質、キャリアガス
、不純物等を」(存させてよいことはいうまでもない。It goes without saying that other reactants, carrier gas, impurities, etc. may be present during the reaction as necessary.
かくして所望の基板上に前記有機金属錯体のプラズマ重
合膜(記録膜)が形成されるが、この膜厚の好ましい範
囲は5oλ〜5μm、より好ましくは 100ス〜2μ
mである。In this way, a plasma-polymerized film (recording film) of the organometallic complex is formed on the desired substrate, and the thickness of this film is preferably in the range of 5oλ to 5μm, more preferably 100μm to 2μm.
It is m.
本発明の情報記録媒体を作製するための所望の基板には
その目的に応じて予めSiO2゜Si3N4などの薄膜
を被覆したものを用いることもできる。Depending on the purpose, a desired substrate for producing the information recording medium of the present invention may be coated with a thin film of SiO2°Si3N4 or the like in advance.
又、本発明の情報記録媒体には目的に応じて更に他の層
(例えば5i02、Si3N+、SiC,Ai)N等の
保護層;紫外線硬化性樹脂等の接着層;ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネート等の保護板;AI SC
r、Au等の反射層)を配置することができる。Further, the information recording medium of the present invention may further include other layers depending on the purpose (for example, a protective layer such as 5i02, Si3N+, SiC, Ai)N, an adhesive layer such as an ultraviolet curable resin, and a polymethyl methacrylate, polycarbonate, etc. Protective plate; AI SC
reflective layer such as r, Au, etc.).
本発明の情報記録媒体に対する情報の記録、再生及び消
去には電磁波が使用され、その電磁波としてはレーザー
光、電子線、X線、紫外線、可視線、赤外線、マイクロ
波等種々のものが採用可能であるが、ドライブに取付け
る際に有利な小型でコンパクトな半導体レーザーのビー
ムが最適である。Electromagnetic waves are used to record, reproduce, and erase information on the information recording medium of the present invention, and various types of electromagnetic waves can be used such as laser light, electron beams, X-rays, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, and microwaves. However, a small and compact semiconductor laser beam, which is advantageous when attached to a drive, is optimal.
ここで、本発明を光ディスクに適用した場合の一構成例
を第1図に示す。なお、本発明はこの例に限定されるも
のではなく、種々の変形、変更が可能であることはいう
までもない。図中1は所望の基板であり、該基板1上に
は、両面を保護層3で被覆された記録層2が設けられ、
さらに最上層には保護板4が設けられている。FIG. 1 shows an example of a configuration when the present invention is applied to an optical disc. Note that the present invention is not limited to this example, and it goes without saying that various modifications and changes can be made. In the figure, 1 is a desired substrate, on which a recording layer 2 whose both sides are covered with a protective layer 3 is provided,
Furthermore, a protection plate 4 is provided on the top layer.
記録層2は前述のように、グロー放電分解法による有機
金属媒体のプラズマ重合膜で形成されており、好ましく
は図示の如く炭素系物質5の中に光吸収物質6(金属微
粒子)が均一に分散された状態となっている。As mentioned above, the recording layer 2 is formed of a plasma-polymerized film of an organometallic medium by glow discharge decomposition, and preferably the light-absorbing material 6 (metal fine particles) is uniformly distributed in the carbon-based material 5 as shown in the figure. It is in a dispersed state.
本発明の情報記録媒体の記録層を構成する上記プラズマ
重合膜において、そのマトリックスを構成する炭化水素
系物質としては高密度に架橋した炭化水素の重合体、i
−カーボン、グラファイト、ダイヤモンド及びそれらの
複合体が挙げられる。これらの炭素系物質はCを主成分
とし、必要に応じてH,N、O等を含有させることがで
きる。このマトリックスに分散している金属微粒子の量
は通常5〜95重量%、好ましくは20〜80重量%の
範囲である。微粒子の大きさは50nI11以下、特に
30nm以下が好ましい。In the plasma polymerized film constituting the recording layer of the information recording medium of the present invention, the hydrocarbon material constituting the matrix is a highly crosslinked hydrocarbon polymer, i.
- Carbon, graphite, diamond and their composites. These carbonaceous substances have C as a main component, and can contain H, N, O, etc. as necessary. The amount of metal fine particles dispersed in this matrix is usually in the range of 5 to 95% by weight, preferably 20 to 80% by weight. The size of the fine particles is preferably 50nI11 or less, particularly 30nm or less.
膜厚は、特に限定されないが、通常lO〜1000I好
ましくは20〜500nmの範囲である。The film thickness is not particularly limited, but is usually in the range of 10 to 1000 nm, preferably 20 to 500 nm.
[実施例コ 以下に本発明を実施例により更に詳細に説明する。[Example code] The present invention will be explained in more detail below using examples.
実施例1
基板としてガラス板、シリコンウェハー ポリエチレン
テレフタレート及びポリカーボネートを用い、該基板上
に、銅アセチルアセトナートを出発物質としてグロー放
電分解法により1100n厚の記録膜をプラズマ重合し
て形成し、光ディスクを作製した。記録膜の形成には第
2図に示す構造の装置を使用した。図中、llは基板、
12は銅アセチルアセトナート、13はRF電極、L4
は対向電極、15はRF電源、16は真空計、17は油
拡散ポンプ、18は面回転ポンプ、19は基板iFA
度コントロールユニット、20は熱電対、21はM o
ヒーターである。又、成膜条件は以下の通りである。Example 1 A glass plate, a silicon wafer, polyethylene terephthalate, and polycarbonate were used as substrates. A recording film with a thickness of 1100 nm was formed on the substrate by plasma polymerization using copper acetylacetonate as a starting material by glow discharge decomposition, and an optical disc was produced. Created. An apparatus having the structure shown in FIG. 2 was used to form the recording film. In the figure, ll is the substrate,
12 is copper acetylacetonate, 13 is RF electrode, L4
is a counter electrode, 15 is an RF power supply, 16 is a vacuum gauge, 17 is an oil diffusion pump, 18 is a surface rotation pump, 19 is a substrate iFA
temperature control unit, 20 is a thermocouple, 21 is Mo
It's a heater. Further, the film forming conditions are as follows.
・基板温度:25℃
・銅アセチルアセトナートの加熱温度=80℃・反応圧
カニ I X 10’ torr・高周波型カニ 70
W、 13.56M1lz上記のようにして作製した各
光ディスクの記録膜に対してフーリエ変換赤外分光分析
(以下PTIRという)、X線光電子分光分析(以下X
PSという)及び透過型電子顕微鏡(以下TEMという
)観察を行ったところ、得られた記録膜は約10nn+
の粒径に制御された銅微粒子が均一に分散した炭素系薄
膜であることがわかった。・Substrate temperature: 25℃ ・Heating temperature of copper acetylacetonate = 80℃ ・Reaction pressure crab I X 10' torr ・High frequency crab 70
W, 13.56M1lzThe recording film of each optical disk produced as described above was subjected to Fourier transform infrared spectroscopy (hereinafter referred to as PTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (hereinafter referred to as X
When observed using a transmission electron microscope (hereinafter referred to as PS) and a transmission electron microscope (hereinafter referred to as TEM), the obtained recording film was approximately 10 nn+
It was found that this is a carbon-based thin film in which fine copper particles with a particle size controlled to be uniformly dispersed.
また、この記録膜に対して高感度示差走査熱量測定法(
以下DSCという)及び熱重量分析法(以下TGAとい
う)により熱分析した結果、250℃において熱分解と
考えられる発熱ピーク及び重量減少が認められた。We also tested this recording film using high-sensitivity differential scanning calorimetry (
As a result of thermal analysis using DSC (hereinafter referred to as DSC) and thermogravimetric analysis (hereinafter referred to as TGA), an exothermic peak and weight loss, which were considered to be due to thermal decomposition, were observed at 250°C.
次に、この記録膜の記録特性を評価するために、プレグ
ルーブ付ポリカーボネート基板上に1100n厚の記録
膜を形成し、光ディスクを作製した。なお、記録膜は上
記装置を用いて上記と同一条件で製膜した。こうして作
製した光ディスクを1800rpa+で回転させながら
記録膜上でレーザーパワーが5o+Wとなるようにレー
ザービームを照射したところ、明確な反射率変化が確認
された。走査型電子顕微鏡(以下SEMという)によっ
て記録部を観察した結果、300nmの高さをもった表
面平滑なバブル形状が観察された。Next, in order to evaluate the recording characteristics of this recording film, a recording film with a thickness of 1100 nm was formed on a pregrooved polycarbonate substrate, and an optical disc was manufactured. Note that the recording film was formed using the above-mentioned apparatus under the same conditions as above. When the thus produced optical disk was rotated at 1800 rpa+ and a laser beam was irradiated onto the recording film at a laser power of 5o+W, a clear change in reflectance was observed. As a result of observing the recording portion using a scanning electron microscope (hereinafter referred to as SEM), a bubble shape with a smooth surface and a height of 300 nm was observed.
C/Nは55dBであった。又、形成直後の記録膜の反
射率は65%であり1.この膜を30℃、90%湿度の
環境下で300日間放置した後にも反射率の変化は認め
られなかった。C/N was 55 dB. Further, the reflectance of the recording film immediately after formation was 65%, which was 1. No change in reflectance was observed even after this film was left in an environment of 30° C. and 90% humidity for 300 days.
実施例2
基板としてガラス板、シリコンウェハー ポリエチレン
テレフタレート及びポリカーボネートを用い、該基板上
に、ニッケルアセチルアセトナートを出発物質としてグ
ロー放電分解法により 1θani厚の記録膜をプラズ
マ重合して形成し、光ディスクを作製した。記録膜の形
成には突流N1で用いた装置と同様のものを使用した。Example 2 A glass plate, a silicon wafer, polyethylene terephthalate, and polycarbonate were used as substrates. A recording film having a thickness of 1θani was formed on the substrate by plasma polymerization using nickel acetylacetonate as a starting material by glow discharge decomposition, and an optical disc was produced. Created. A device similar to that used in rush current N1 was used to form the recording film.
成膜条件は以下の通りである。The film forming conditions are as follows.
・基板温度:25℃
・ニッケルアセチルアセトナートの加熱温度80℃
・反応圧カニ I X 10−”torr・高周波型カ
ニ 70W、 13.58MHz上記のようにして作製
した各光ディスクの記録膜に対してFTIR,XPS及
びTEM観察を行ったところ、得られた記録膜は約5n
IIlの粒径に制御されたニッケル微粒子が均一に分散
した炭素系薄膜であることがわかった。又、この記録膜
に対して高感度DSC及びTGAにより熱分析した結果
、250℃迄において熱分解と考えられる発熱ピーク及
び重量減少が認められた。・Substrate temperature: 25°C ・Heating temperature of nickel acetylacetonate 80°C ・Reaction pressure I X 10-”torr ・High frequency type 70W, 13.58MHz For the recording film of each optical disk prepared as above FTIR, XPS and TEM observations revealed that the recording film obtained was approximately 5nm.
It was found that this was a carbon-based thin film in which fine nickel particles with a particle size of IIl were uniformly dispersed. Further, as a result of thermal analysis of this recording film using high-sensitivity DSC and TGA, an exothermic peak and a weight loss, which are considered to be caused by thermal decomposition, were observed up to 250°C.
次に、この記録膜の記録特性を評価するために、プレグ
ルーブ付ポリカーボネート基板上に10OnI11厚の
記録膜を形成し、光ディスクを作製した。なお、記録膜
は上記装置を用いて上記と同一条件で製膜した。こうし
て作製した光ディスクを1800rpmで回転させなが
ら記録膜上でレーザーパワーが5mWとなるようにレー
ザービームを照射したところ、明確な反射率変化が確認
された。SEMによって記録部を観察した結果、300
nIIIの高さをもった表面平滑なバブル形状が観察さ
れた。C/Nは55dBであった。又、形成直後の記録
膜の反射率は40%であり、この膜を30°C190%
湿度の環境下で300日間放置した後にも反射率の変化
は認められなかった。Next, in order to evaluate the recording characteristics of this recording film, a recording film with a thickness of 10 OnI and 11 was formed on a polycarbonate substrate with pregrooves, and an optical disc was manufactured. Note that the recording film was formed using the above-mentioned apparatus under the same conditions as above. When the thus produced optical disk was rotated at 1800 rpm and a laser beam was irradiated onto the recording film at a laser power of 5 mW, a clear change in reflectance was observed. As a result of observing the recording section using SEM, it was found that 300
A bubble shape with a smooth surface and a height of nIII was observed. C/N was 55 dB. In addition, the reflectance of the recording film immediately after formation was 40%, and this film was heated at 30°C and 190%.
No change in reflectance was observed even after being left in a humid environment for 300 days.
実施例3
基板としてガラス板、シリコンウェハー、ポリエチレン
テレフタレート及びポリカーボネートを用い、該基板上
に、テルルジイソプロポキシジアセチルアセトナートを
出発物質としてグロー放電分解法により 100■厚の
記録膜をプラズマ重合して形成し、光ディスクを作製し
た。Example 3 A glass plate, a silicon wafer, polyethylene terephthalate, and polycarbonate were used as substrates, and a 100-inch thick recording film was plasma-polymerized on the substrates by glow discharge decomposition using tellurium diisopropoxy diacetylacetonate as a starting material. An optical disk was produced.
記録膜の形成には実施例1で用いた装置と同様のものを
使用した。成膜条件は以下の通りである。An apparatus similar to that used in Example 1 was used to form the recording film. The film forming conditions are as follows.
・基板温度=25℃
・テルルジイソプロポキシジアセチルアセトナートの加
熱温度=100℃
・H2流量: 100 SCCM
・反応圧カニ I X 10’ torr・高周波型カ
ニ 70W、 13.56MHz上記のようにして作製
した各光ディスクの記録膜に対してFTIR,XPS及
びTEM観察を行ったところ、得られた記録膜は約10
rvの粒径に制御されたテルル微粒子が均一に分散した
炭素系薄膜であることがわかった。又、この記録膜に対
して高感度DSC及びTGAにより熱分析した結果、5
00℃迄においては熱分解と考えられる発熱ピーク及び
重Qd少が認められなかった。この膜の形成直後の状態
は非晶質であった。- Substrate temperature = 25°C - Heating temperature of tellurium diisopropoxy diacetylacetonate = 100°C - H2 flow rate: 100 SCCM - Reaction pressure crab I When FTIR, XPS and TEM observations were performed on the recording film of each optical disc, the recording film obtained was approximately 10
It was found that this was a carbon-based thin film in which tellurium fine particles whose particle size was controlled to be rv were uniformly dispersed. In addition, as a result of thermal analysis of this recording film using high-sensitivity DSC and TGA, 5
At temperatures up to 00°C, no exothermic peaks or low Qd were observed, which were considered to be due to thermal decomposition. The state of this film immediately after formation was amorphous.
次にこの記録膜の記録・消去特性を評価するため、基板
/保護膜A/記録膜/保護層B/接着層/保護板構成の
光ディスクを作製した。基板としてはプレグルーブ付き
ポリカーボネートを用い、保護膜A及びBはSi3N4
を用いてスパッタ法により100 nm厚に成膜し、接
着層は紫外線硬化樹脂を用いて塗布法により形成し、ま
た保護板としては0.5mm厚のポリカーボネート板を
用いた。なお記録膜は前記装置を用いて同一条件で成膜
した。Next, in order to evaluate the recording/erasing characteristics of this recording film, an optical disc having a structure of substrate/protective film A/recording film/protective layer B/adhesive layer/protective plate was prepared. The substrate is polycarbonate with pregrooves, and the protective films A and B are Si3N4.
A film was formed to a thickness of 100 nm using a sputtering method, an adhesive layer was formed by a coating method using an ultraviolet curable resin, and a 0.5 mm thick polycarbonate plate was used as a protective plate. Note that the recording film was formed using the above-mentioned apparatus under the same conditions.
こうして作製した光ディスクを1800rpmで回転さ
せながらパワー変調したレーザービームをEim/se
eの線速で照肘し、記録・消去を繰返したところ、50
dBのC/Nと30dBの消去比が?すられ、充分な記
録消去特性が得られた。While rotating the thus prepared optical disk at 1800 rpm, the power modulated laser beam was emitted at Eim/se.
When I fired at a linear speed of e and repeated recording and erasing, I found that 50
What is the C/N of dB and the cancellation ratio of 30 dB? , and sufficient recording and erasing characteristics were obtained.
更に、上記条件によって光記録を行った光ディスクを3
0℃、90%湿度の環境下で300日保イIした後、記
録の再生を行ったところ、その特性は初期特性と変わら
なかった。Furthermore, 3 optical discs were recorded under the above conditions.
After being stored for 300 days in an environment of 0° C. and 90% humidity, the recorded characteristics were reproduced and the characteristics were the same as the initial characteristics.
実施例4
基板としてガラス仮、シリコンウェハー、ポリエチレン
テレフタレート及びポリカーボネートを用い、該基板上
に、トリエチルインジウムセレンジイソプロポキンジア
セチルアセトナート、トリメチルタリウム及びコバルト
(nI)アセチルアセトナートを出発材料としてグロー
放電分解法によりI00nm厚の記録膜をプラズマ重合
して形威し、光ディスクを作製した。記録膜の形成には
実施例1で用いた装置と同様のもの(トリエチルインジ
ウム、セレンジイソプロポキシジアセチルアセトナート
、トリメチルタリウムの導入配管は図示していない。)
を使用した。製膜条件は以下の通りである。Example 4 Temporary glass, silicon wafer, polyethylene terephthalate, and polycarbonate were used as substrates, and glow discharge decomposition was performed on the substrates using triethyl indium selenium diisopropoquine diacetylacetonate, trimethyl thallium, and cobalt (nI) acetylacetonate as starting materials. An optical disk was fabricated by plasma polymerizing a recording film with a thickness of 100 nm using the method. The recording film was formed using an apparatus similar to that used in Example 1 (introduction pipes for triethyl indium, selenium diisopropoxy diacetylacetonate, and trimethyl thallium are not shown).
It was used. The film forming conditions are as follows.
・基板温度:50℃
・Ar流m : 30 SCCM
・H2流ffi : 100 SCCM・反応圧カニ
I X 10’ torr・高周波型カニ 100 W
、 13.56MHzFTIR,XPS、TEM観察の
結果から、得られた記録膜は5■の粒径に制御された金
属微粒子が均一に分散した炭素系薄J摸であることがわ
かった。X線回折の結果、この膜の形成直後の状態は非
晶質であった。この薄膜を高感度DSC,TGA+、:
より熱分析した結果、500℃迄において熱分解と考え
られる発熱ピーク及び重量減少は認められなかった。・Substrate temperature: 50℃ ・Ar flow m: 30 SCCM ・H2 flow ffi: 100 SCCM ・Reaction pressure crab
I X 10' torr/high frequency crab 100W
From the results of 13.56 MHz FTIR, XPS, and TEM observation, it was found that the obtained recording film was a carbon-based thin film in which fine metal particles with a particle size of 5 cm were uniformly dispersed. As a result of X-ray diffraction, the state of this film immediately after formation was amorphous. This thin film is subjected to high-sensitivity DSC, TGA+:
As a result of further thermal analysis, no exothermic peak or weight loss, which could be considered to be thermal decomposition, was observed up to 500°C.
次にこの記録膜の記録・消去特性を評価するため、基板
/保護膜A/記録H/保護Jl!B/接着層/保譲板構
成の光ディスクを作製した。基板としてはプレグルーブ
付きポリカーボネートを用い、保護膜A及びBは5iz
N4を用いてスパッタ法により 1oorv厚に成膜し
、接着層は紫外線硬化樹脂を用いて塗布法により形成し
、又保護板としては0.5mm厚のポリカーボネート板
を用いた。なお記録膜は前記装置を用いて同一条件で成
膜した。Next, in order to evaluate the recording/erasing characteristics of this recording film, we used substrate/protective film A/recording H/protection Jl! An optical disc having the configuration B/adhesive layer/storage plate was produced. The substrate is polycarbonate with pregrooves, and the protective films A and B are 5iz.
A film with a thickness of 1 oorv was formed by sputtering using N4, an adhesive layer was formed by a coating method using an ultraviolet curable resin, and a 0.5 mm thick polycarbonate plate was used as a protective plate. Note that the recording film was formed using the above-mentioned apparatus under the same conditions.
こうして作製した光ディスクを180Orpmで回転さ
せながらパワー変調したレーザービームを10m/se
eの線速で照射し、記録・消去を繰返したところ、50
dBのC/Nと30dBの消去比が得られ、充分な記録
消去特性が得られた。While rotating the thus produced optical disk at 180 rpm, a power-modulated laser beam was emitted at 10 m/sec.
When irradiated at a linear velocity of e and repeated recording and erasing, 50
A C/N of dB and an erasure ratio of 30 dB were obtained, and sufficient recording and erasing characteristics were obtained.
更に、上記条件によって光記録を行った光ディスクを3
0℃、90%湿度の環境下で300日保存した後、記録
再生を行ったところ、その特性は初期特性と変わらなか
った。Furthermore, 3 optical discs were recorded under the above conditions.
After being stored for 300 days in an environment of 0° C. and 90% humidity, recording and reproduction were performed, and the characteristics were the same as the initial characteristics.
実施例5
出発材料として銅アセチルアセトナート(CuAA)、
ニッケルアセチルアセトナート(NiAA)、コバルト
(II)アセチルアセトナート(CoAA)、R<m>
アセチルアセトナート(FeAA)、亜鉛(II)アセ
チルアセトナート(ZnAA)、アルミニウム(III
)アセチルアセトナート(,61AA)を用いてプラズ
マCVD法によりそれぞれの薄膜を50〜200nmの
厚さで作製した。使用装置及び成膜条件は以下の通りで
ある。Example 5 Copper acetylacetonate (CuAA) as starting material,
Nickel acetylacetonate (NiAA), cobalt (II) acetylacetonate (CoAA), R<m>
Acetylacetonate (FeAA), Zinc (II) acetylacetonate (ZnAA), Aluminum (III)
) Each thin film was produced with a thickness of 50 to 200 nm using acetylacetonate (,61AA) by plasma CVD method. The equipment used and film forming conditions are as follows.
・使用装置:第2図に示す通り。・Equipment used: As shown in Figure 2.
・基 板ニガラス板、ポリエチレンテレフタレート、
シリコンウェハー
3.5インチφプレグルーブ付ポ
リカーボネート光デイスク用基
板、
・基板温度:25℃
・出発材料の加熱温度二80〜100℃・反応圧カニ
3 X 10”’ torr・高周波型カニ 70W、
13.56MHz上記出発上記上り得られた薄膜はT
EM観察から得られた結果、金属あるいは金属酸化物か
らなる微粒子を含有していることがわかった。・Substrate: glass plate, polyethylene terephthalate,
Silicon wafer 3.5 inch diameter polycarbonate optical disk substrate with pregroove, ・Substrate temperature: 25℃ ・Heating temperature of starting material 280-100℃ ・Reaction pressure crab
3 X 10'' torr, high frequency crab 70W,
Starting at 13.56 MHz, the thin film obtained above is T
The results obtained from EM observation revealed that it contained fine particles made of metal or metal oxide.
CuAA、 NIAA、 CoAA、PeAA、ZnA
A、 A、Q AAのプラズマCVD薄膜中の微粒子
の大きさは、それぞれ約15、8.6.2nmであり、
ZuAA、 AI AAのプラズマCVD薄膜には、
微粒子が認められなかった。CuAA, NIAA, CoAA, PeAA, ZnA
A, A, Q The sizes of fine particles in the plasma CVD thin film of AA are approximately 15 and 8.6.2 nm, respectively.
ZuAA, AI AA plasma CVD thin films include:
No fine particles were observed.
膜中の微粒子を構成する金属の標準電極型(立の減少に
対応して微粒子の大きさが減少しており、微粒子を生成
するためには、標準電極電位で−(1,50V以上の金
属を有する有機金属錯体を出発材料に用いることが有効
であることがわかる。The size of the fine particles decreases in response to the decrease in the standard electrode type (voltage) of the metal that makes up the fine particles in the film. It can be seen that it is effective to use an organometallic complex having the following as a starting material.
上記のような微粒子の生成は薄膜の光学特性を左右し、
CuAA、NIAA、CoAA、 FeAA 、 Zn
AA、 A I AAのプラズマCVD薄膜は、それぞ
れ銅棒色、焦茶色、灰色、黄色、無色透明、無色透明と
種々の外観を示した。これら薄膜の光学特性を第3図(
a)〜(e)に示す。膜中微粒子の粒径が大きくなるに
従い、それぞれの波長での吸収率が増大することがわか
る。可視光を情報の書き込み、読み出しに利用する場合
、吸収率及び反射率の確保が必要であり、光学特性とい
う点でも、標準電極電位で一〇、5v以上の金属を有す
る有機金属錯体を出発材料に用いることが有効であるこ
とがわかる。The generation of fine particles as described above affects the optical properties of thin films,
CuAA, NIAA, CoAA, FeAA, Zn
The plasma CVD thin films of AA and AIAA exhibited various appearances, including copper bar color, dark brown, gray, yellow, colorless and transparent, and colorless and transparent, respectively. The optical properties of these thin films are shown in Figure 3 (
Shown in a) to (e). It can be seen that as the particle size of the fine particles in the film increases, the absorption rate at each wavelength increases. When using visible light for writing and reading information, it is necessary to ensure absorption and reflectance, and in terms of optical properties, organic metal complexes containing metals with a standard electrode potential of 10.5 V or more are used as starting materials. It can be seen that it is effective to use this method.
次に、これらプラズマCVD薄膜の記録特性を評価する
ために、プレグルーブ付ポリカーボネート基板上に、1
00r+m厚の記8Mを作製した(第4図(a))。な
お記録膜は上記装置を用いて同一条件で作製した。こう
して作製した光ディスクに周波数3.7MHz、線速5
.6m/sで830■波長5mWで記録を行ったところ
CoAA、N1AAのプラズマCVD薄膜では明確な反
射率変化が確認された。SEMによって記録部を観察し
た結果、表面平滑・なバブルが観察された。C/Nは5
0dBであった。Next, in order to evaluate the recording characteristics of these plasma CVD thin films, we deposited a film on a pregrooved polycarbonate substrate.
A 8M film having a thickness of 00r+m was produced (FIG. 4(a)). Note that the recording film was produced using the above-mentioned apparatus under the same conditions. The optical disc thus produced had a frequency of 3.7 MHz and a linear velocity of 5.
.. When recording was performed at 6 m/s at 830 cm and a wavelength of 5 mW, a clear change in reflectance was confirmed for the plasma CVD thin films of CoAA and N1AA. As a result of observing the recording portion by SEM, bubbles with a smooth surface were observed. C/N is 5
It was 0dB.
CoAAのプラズマCVD薄膜は50rvのAIを積層
することで(第4図(b) ) CuAA、NIAAプ
ラズマCVD薄膜の場合と同様の結果を得た。Apを積
層することによる吸収率、反射率の増大の結果と考えら
れる。The plasma CVD thin film of CoAA was obtained by laminating AI at 50 rv (FIG. 4(b)), and the same results as in the case of the plasma CVD thin film of CuAA and NIAA were obtained. This is considered to be the result of an increase in absorption and reflectance due to the stacking of Ap.
FeAAプラズマCVD薄膜は、可視光のガスレーザー
を用いることで反射率変化が認められ情報記録媒体への
利用が確認できた。Changes in reflectance of the FeAA plasma CVD thin film were observed when using a visible light gas laser, confirming its use as an information recording medium.
これら記録のメカニズムは炭化水素物質の一部がレーザ
ー光によって発生する熱で気化するためと考えられる。The mechanism of these recordings is thought to be that some of the hydrocarbon substances are vaporized by the heat generated by the laser beam.
実施例6
ポリカーボネート基板上に、ニッケルグリオキシムのプ
ラズマCVD薄膜を作製し、ディスクの記録特性を評価
した。その結果、実施例5においでN1AAのプラズマ
CVD薄膜を記録膜に用いた場合と同様の結果を得た。Example 6 A plasma CVD thin film of nickel glyoxime was produced on a polycarbonate substrate, and the recording characteristics of the disc were evaluated. As a result, the same results as in Example 5 were obtained when a plasma CVD thin film of N1AA was used as the recording film.
実施例7
ポリカーボネート基板上に、鉄フェナントロリンのプラ
ズマCVD薄膜を作製し、ディスクの記録特性を評価し
た。その結果、実施例5においてFeAAのプラズマC
VD薄膜を記録膜に用いた場合と同様の結果を得た。Example 7 A plasma CVD thin film of iron phenanthroline was produced on a polycarbonate substrate, and the recording characteristics of the disc were evaluated. As a result, in Example 5, FeAA plasma C
Similar results were obtained when a VD thin film was used as the recording film.
[発明の効果]
本発明によれば、有機金属錯体をグロー放電分解法によ
ってプラズマ重合した膜を記録層としているので、光吸
収物質(金属微粒子)が炭素系物質に均一に分散された
状態となり、記録層に含まれている炭素系物質が光吸収
物質を3次元的に保護し、記録膜単体でも充分な機械的
強度、耐熱性、耐候性、耐腐食性を備えるようになり、
記録の長寿命化を図ることができる。[Effects of the Invention] According to the present invention, since the recording layer is a film obtained by plasma polymerizing an organometallic complex by a glow discharge decomposition method, the light-absorbing substance (metal fine particles) is uniformly dispersed in the carbon-based substance. The carbon-based material contained in the recording layer protects the light-absorbing material three-dimensionally, and the recording film itself has sufficient mechanical strength, heat resistance, weather resistance, and corrosion resistance.
It is possible to extend the lifespan of records.
又、光吸収物質が微粒子化されることによって、記録及
び/又は消去時の電磁波のエネルギーが微粒子に集中す
るため感度が向上する上、記録の消去時の結晶粒径が微
粒子の大きさよりは拡大しないため、消去比が増大する
。In addition, by making the light-absorbing material into fine particles, the energy of electromagnetic waves during recording and/or erasing is concentrated on the fine particles, improving sensitivity, and the crystal grain size when erasing records is larger than the size of the fine particles. Therefore, the erasure ratio increases.
更に、記録層中の光吸収物質(金属微粒子)の粒径、粒
径分布を任意に制御できるため、記録層の記録感度、消
去感度、寿命等の緒特性を均一にかつ任意に制御できる
。その上、記録層に使用可能な金属源を大幅に拡大でき
るという利点もある。Furthermore, since the particle size and particle size distribution of the light-absorbing substance (metal fine particles) in the recording layer can be controlled arbitrarily, the recording sensitivity, erasing sensitivity, life span, and other characteristics of the recording layer can be uniformly and arbitrarily controlled. Furthermore, there is the advantage that the metal sources that can be used for the recording layer can be greatly expanded.
第1図は本発明を光ディスクに適用した場合の一構成例
を示す断面図、第2図は本発明による光ディスクの作製
に使用される装置の構成を示す概略図、第3図 (a)
〜(e)は、それぞれCuAA(a) 、N1AA(b
) 、CoAA(c)、F e AA(d) 、Z n
AA(e)のプラズマCVD薄膜の光学特性を示す図
。第4図(a) (b)は実施例5における記録媒体
を説明する図である。
l・・・基板、2・・・記録層、3・・・保護層、4・
・・保護板、5・・・炭素系物質、6・・・光吸収物質
、11・・・基板、12・・・銅アセチルアセトナート
、I3・・・RF電極、14・・・対向電極、15・・
・RF電源、16・・・真空計、17・・・油拡散ポン
プ、18・・・油回転ポンプ、FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a configuration when the present invention is applied to an optical disk, FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of an apparatus used for manufacturing an optical disk according to the present invention, and FIG. 3 (a)
~(e) are CuAA(a) and N1AA(b), respectively.
), CoAA(c), FeAA(d), Zn
FIG. 3 is a diagram showing the optical characteristics of a plasma CVD thin film of AA(e). FIGS. 4(a) and 4(b) are diagrams illustrating a recording medium in Example 5. FIG. l... Substrate, 2... Recording layer, 3... Protective layer, 4...
... Protective plate, 5... Carbon-based material, 6... Light absorption material, 11... Substrate, 12... Copper acetylacetonate, I3... RF electrode, 14... Counter electrode, 15...
・RF power supply, 16... Vacuum gauge, 17... Oil diffusion pump, 18... Oil rotary pump,
Claims (2)
て、前記記録層が、グロー放電分解法により形成された
有機金属錯体のプラズマ重合膜からなることを特徴とす
る情報記録媒体。(1) An information recording medium comprising a recording layer provided on a substrate, wherein the recording layer is made of a plasma polymerized film of an organometallic complex formed by a glow discharge decomposition method.
金属微粒子を構成する少なくともひとつの金属の標準電
極電位が−0.5eV以上である請求項(1)記載の情
報記録媒体。(2) The information recording medium according to claim (1), wherein the standard electrode potential of at least one metal constituting the metal fine particles contained in the plasma polymerized film of the organometallic complex is -0.5 eV or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036174A JPH0361584A (en) | 1989-03-10 | 1990-02-19 | Data recording medium |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5618889 | 1989-03-10 | ||
| JP1-77838 | 1989-03-29 | ||
| JP7783889 | 1989-03-29 | ||
| JP2036174A JPH0361584A (en) | 1989-03-10 | 1990-02-19 | Data recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0361584A true JPH0361584A (en) | 1991-03-18 |
Family
ID=27289000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036174A Pending JPH0361584A (en) | 1989-03-10 | 1990-02-19 | Data recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0361584A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006185857A (en) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Metal separator for fuel cell and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP2036174A patent/JPH0361584A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006185857A (en) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Metal separator for fuel cell and manufacturing method thereof |
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