JPH0362010B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0362010B2 JPH0362010B2 JP3533284A JP3533284A JPH0362010B2 JP H0362010 B2 JPH0362010 B2 JP H0362010B2 JP 3533284 A JP3533284 A JP 3533284A JP 3533284 A JP3533284 A JP 3533284A JP H0362010 B2 JPH0362010 B2 JP H0362010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- area
- alignment marks
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、比較的大面積の連続的または途切の
ないパターンを基板に分割転写するために利用さ
れるアライメント方法、特には液晶装置や集積回
路等の製造に利用されるアライメント方法に関す
る。
ないパターンを基板に分割転写するために利用さ
れるアライメント方法、特には液晶装置や集積回
路等の製造に利用されるアライメント方法に関す
る。
近年、上述した液晶装置や集積回路等の製造分
野においては、大面積の連続または途切れのない
パターンを形成することが望まれている。
野においては、大面積の連続または途切れのない
パターンを形成することが望まれている。
特にCCD、ラインセンサの分野においては、
大面積で且つ矩形の連続パターンを形成すること
が強く望まれている。
大面積で且つ矩形の連続パターンを形成すること
が強く望まれている。
パターンの連続性を保持するためには、同一サ
イズの単一のマスクで光学的リソグラフイー法等
により大面積の基板に集積パターンを形成するの
が最も都合良い。
イズの単一のマスクで光学的リソグラフイー法等
により大面積の基板に集積パターンを形成するの
が最も都合良い。
しかしながら、大面積の基板は特別困難なく作
ることができるけれども大きなマスクの製造は実
現が困難である。これは主として技術的難易およ
びそれに伴なう製造コストの上昇のためである。
ることができるけれども大きなマスクの製造は実
現が困難である。これは主として技術的難易およ
びそれに伴なう製造コストの上昇のためである。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、基板上に比較的大面積の連続的
なパターンを分割転写により形成することを可能
とするアライメント方法を提供することにある。
で、その目的は、基板上に比較的大面積の連続的
なパターンを分割転写により形成することを可能
とするアライメント方法を提供することにある。
この目的を達成するために、本発明は、パター
ンを基板Ｓに分割転写するために利用されるアラ
イメント方法において、複数のアライメントマー
ク４ａ，４ｂ及び５ａ，５ｂを備えたホルダー３
で基板を保持し、アライメントマークの一つ４
ａ，４ｂを用いて基板の一つの区域にパターンの
構成部分の一つを位置合せすると共に、アライメ
ントマークの他の一つ５ａ，５ｂを用いて基板の
他の一つの区域にパターンの構成部分の他の一つ
を位置合せしている。
ンを基板Ｓに分割転写するために利用されるアラ
イメント方法において、複数のアライメントマー
ク４ａ，４ｂ及び５ａ，５ｂを備えたホルダー３
で基板を保持し、アライメントマークの一つ４
ａ，４ｂを用いて基板の一つの区域にパターンの
構成部分の一つを位置合せすると共に、アライメ
ントマークの他の一つ５ａ，５ｂを用いて基板の
他の一つの区域にパターンの構成部分の他の一つ
を位置合せしている。
また、パターン基板Ｓに分割転写するために利
用されるアライメント方法において、複数のアラ
イメントマーク４ａ，４ｂ、及び５ａ，５ｂを備
えたホルダー３で基板を保持し、アライメントマ
ークの一つ４ａ，４ｂを用いて基板の一つの区域
にパターンの構成部分の一つを位置合せした後に
最初の転写動作を行なわせると共に、アライメン
トマークの他の一つ５ａ，５ｂを用いて基板の他
の一つの区域にパターンの構成部分の他の一つを
位置合せした後に次の転写動作を行なわせてい
る。
用されるアライメント方法において、複数のアラ
イメントマーク４ａ，４ｂ、及び５ａ，５ｂを備
えたホルダー３で基板を保持し、アライメントマ
ークの一つ４ａ，４ｂを用いて基板の一つの区域
にパターンの構成部分の一つを位置合せした後に
最初の転写動作を行なわせると共に、アライメン
トマークの他の一つ５ａ，５ｂを用いて基板の他
の一つの区域にパターンの構成部分の他の一つを
位置合せした後に次の転写動作を行なわせてい
る。
本発明に従うと、それぞれお互いに補足し合う
パターン構成部分は、それぞれホルダー上のアラ
イメントマークによつて基板上でアライメントさ
れる。その結果、基板上へ転写されたパターン構
成部分は、お互いにアライメントされ、パターン
の連続性が基板上で保証される。このため、本発
明に従うと、現在利用できるマスクのような比較
的小面積のものを用いても、基板上に比較的大面
積の連続パターンを形成することができる。
パターン構成部分は、それぞれホルダー上のアラ
イメントマークによつて基板上でアライメントさ
れる。その結果、基板上へ転写されたパターン構
成部分は、お互いにアライメントされ、パターン
の連続性が基板上で保証される。このため、本発
明に従うと、現在利用できるマスクのような比較
的小面積のものを用いても、基板上に比較的大面
積の連続パターンを形成することができる。
また、本発明に従うと、連続的なパターンが転
写される基板上のパターン転写領域は、少なくと
も２つの区域に分割され、パターン転写は各区域
に対して連続的に行なわれる。
写される基板上のパターン転写領域は、少なくと
も２つの区域に分割され、パターン転写は各区域
に対して連続的に行なわれる。
以下、本発明のアライメント方法を図に示した
実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図を参照すればガラス板、シリコンウエハ
等のような基板Ｓは面上にパターン転写領域１
（破線で示す）を有し、この領域１上に連続的な
パターンが転写される。
等のような基板Ｓは面上にパターン転写領域１
（破線で示す）を有し、この領域１上に連続的な
パターンが転写される。
本実施例においてパターン転写領域１は、中心
線Ｃ（第２図）に関して上半分区域および下半分
区域に分割されている。
線Ｃ（第２図）に関して上半分区域および下半分
区域に分割されている。
ホルダー３は適当な手段によつて基板Ｓを解放
自在に保持する。ホルダー３上にはアライメント
マーク４ａ，４ｂ，５ａおよび５ｂが形成されて
おり、パターン転写領域１の中心線Ｃ（第２図）
に関して且つお互いに関して所定の位置関係に配
置されている。アライメントマーク４ａおよび４
ｂはパターン転写領域１の上半分区域用であり、
アライメントマーク５ａおよび５ｂは領域１の下
半分区域用である。
自在に保持する。ホルダー３上にはアライメント
マーク４ａ，４ｂ，５ａおよび５ｂが形成されて
おり、パターン転写領域１の中心線Ｃ（第２図）
に関して且つお互いに関して所定の位置関係に配
置されている。アライメントマーク４ａおよび４
ｂはパターン転写領域１の上半分区域用であり、
アライメントマーク５ａおよび５ｂは領域１の下
半分区域用である。
これらのアライメントマークは、第５図に示さ
れるようなマスク２０を使用し既知の光学的リン
グラフイー技術によつてホルダーに形成すること
ができる。即ち対応するアライメントマークが形
成されたマスク２０を、マスク２０の中心がホル
ダー３の中心と一致するようにホルダー３の上又
は上方に配置する。続いてマスク２０を不図示の
照射源によつて照射し、ホルダー３の上に塗布さ
れたフオトレジストは、マスク２０を通つて伝達
された光ビームに露光される。これによつてアラ
イメントマーク４ａ，４ｂ，５ａおよび５ｂはホ
ルダー３上へ転写される。それからアライメント
マークの像を既知の現像法により可視化する。
れるようなマスク２０を使用し既知の光学的リン
グラフイー技術によつてホルダーに形成すること
ができる。即ち対応するアライメントマークが形
成されたマスク２０を、マスク２０の中心がホル
ダー３の中心と一致するようにホルダー３の上又
は上方に配置する。続いてマスク２０を不図示の
照射源によつて照射し、ホルダー３の上に塗布さ
れたフオトレジストは、マスク２０を通つて伝達
された光ビームに露光される。これによつてアラ
イメントマーク４ａ，４ｂ，５ａおよび５ｂはホ
ルダー３上へ転写される。それからアライメント
マークの像を既知の現像法により可視化する。
周囲の温度のような環境状態に影響されずにア
ライメントマーク間の正確な位置関係を維持する
ため、ホルダー３に対し適当な材料が選択され
る。
ライメントマーク間の正確な位置関係を維持する
ため、ホルダー３に対し適当な材料が選択され
る。
本発明によるアライメントおよびパターン転写
を一層詳細に説明する。
を一層詳細に説明する。
最初に基板Ｓをホルダーによつて保持する。基
板Ｓの位置決め精度はホルダーによる機械的な位
置決めに依存する。
板Ｓの位置決め精度はホルダーによる機械的な位
置決めに依存する。
基板Ｓを位置決めした後パターン転写領域１に
対するパターン転写を第２〜４図に示したような
方法で行なう。
対するパターン転写を第２〜４図に示したような
方法で行なう。
本実施例において、一つの完全なパターンの相
補的な半分部分を有する２つの実素子マスク６Ａ
および６Ｂは、パターン転写領域１の区域の数に
従つて使用される。回路はパターンの区域に加え
て、マスク６Ａおよび６Ｂはそれぞれ、基板Ｓの
アライメントマーク４ａおよび４ｂ（又は５ａお
よび５ｂ）に対応するアライメントマーク８ａお
よび８ｂ又は９ａおよび９ｂを備えている。
補的な半分部分を有する２つの実素子マスク６Ａ
および６Ｂは、パターン転写領域１の区域の数に
従つて使用される。回路はパターンの区域に加え
て、マスク６Ａおよび６Ｂはそれぞれ、基板Ｓの
アライメントマーク４ａおよび４ｂ（又は５ａお
よび５ｂ）に対応するアライメントマーク８ａお
よび８ｂ又は９ａおよび９ｂを備えている。
これらのアライメントマーク間の位置的な関係
は以下の如く予め決定される。マスク６Ａおよび
６Ｂのアライメントマーク８ａ，８ｂ，９ａおよ
び９ｂ間の位置的な関係は、正確に連続的なパタ
ーンを画定するためにパターン構成部分がお互い
に正確に接続されるようにマスクを並べて配置す
るとき確立され、ホルダー３のアライメントマー
ク４ａ，４ｂ，５ａおよび５ｂ間の位置的な関係
と正確に同一又は厳密に一致する。既知の電子ビ
ームパターニング法等を使用することによつて、
上述の位置関係を正確に維持しながら、これらの
アライメントマーク８ａ，８ｂ，９ａおよび９ｂ
をマスク６Ａおよび６Ｂにそれぞれ容易に形成す
ることができる。
は以下の如く予め決定される。マスク６Ａおよび
６Ｂのアライメントマーク８ａ，８ｂ，９ａおよ
び９ｂ間の位置的な関係は、正確に連続的なパタ
ーンを画定するためにパターン構成部分がお互い
に正確に接続されるようにマスクを並べて配置す
るとき確立され、ホルダー３のアライメントマー
ク４ａ，４ｂ，５ａおよび５ｂ間の位置的な関係
と正確に同一又は厳密に一致する。既知の電子ビ
ームパターニング法等を使用することによつて、
上述の位置関係を正確に維持しながら、これらの
アライメントマーク８ａ，８ｂ，９ａおよび９ｂ
をマスク６Ａおよび６Ｂにそれぞれ容易に形成す
ることができる。
例えばパターン転写領域１の上半分区域に対し
て最初にパターン転写をすることを望むならば、
マスク６Ａを基板Ｓの上半分区域の上又は上方に
配置し、アライメントマーク８のバー要素１０と
アライメントマーク４との間の間隔が第３図に示
されているようにお互いに等しくなるまで、基板
に対するマスク６Ａの位置調整を、例えば米国特
許4167677に開示されているような方法でアライ
メントマーク４ａ，４ｂ，８ａおよび８ｂによつ
て行なう。これを達成したら正確な位置関係がマ
スク６Ａと基板Ｓの上半分区域との間に確立さ
れ、かくて基板の上半分区域の露光を行なう。こ
れによマスク６Ａに形成されたパターン構成部分
がパターン転写領域１の上半分区域上へ転写され
る。この露光の際基板の下半分区域は、適当な遮
蔽部材によつて露光ビームに対して保護される。
て最初にパターン転写をすることを望むならば、
マスク６Ａを基板Ｓの上半分区域の上又は上方に
配置し、アライメントマーク８のバー要素１０と
アライメントマーク４との間の間隔が第３図に示
されているようにお互いに等しくなるまで、基板
に対するマスク６Ａの位置調整を、例えば米国特
許4167677に開示されているような方法でアライ
メントマーク４ａ，４ｂ，８ａおよび８ｂによつ
て行なう。これを達成したら正確な位置関係がマ
スク６Ａと基板Ｓの上半分区域との間に確立さ
れ、かくて基板の上半分区域の露光を行なう。こ
れによマスク６Ａに形成されたパターン構成部分
がパターン転写領域１の上半分区域上へ転写され
る。この露光の際基板の下半分区域は、適当な遮
蔽部材によつて露光ビームに対して保護される。
次に類似パターン転写法がパターン転写領域１
の下半分区域に対して行なわれる。これは、領域
１の上半分区域に対するフオトレジスト材料の処
理の後又は処理に先立つておこなわれる。
の下半分区域に対して行なわれる。これは、領域
１の上半分区域に対するフオトレジスト材料の処
理の後又は処理に先立つておこなわれる。
領域１の上半分区域および下半分区域に対する
マスク６Ａおよび６Ｂを通した第１のパターン転
写を完了した後で、基板Ｓをホルダー３から離
す。
マスク６Ａおよび６Ｂを通した第１のパターン転
写を完了した後で、基板Ｓをホルダー３から離
す。
第２図および第４図に示されているように、マ
スク６Ａおよび６Ｂはそれぞれ付加的なアライメ
ントマーク７ａおよび７ｂ（又は１１ａおよび１
１ｂ）を有する。基板Ｓの露光の際、基板Ｓの外
側境界部とパターン転写領域１との間の基板Ｓの
領域２（第１図参照）の上へこれらのアライメン
トマークを同時に転写する。このようにして転写
されたアライメントマーク７ａおよび７ｂ（又は
１１ａおよび１１ｂ）は、パターン転写領域１の
同一区域に対してパターン転写を繰り返すときア
ライメントをおこなうために、即ち既にパターン
を転写された区域とこの区域に転写される予定の
パターン構成部分との間のオーバーレイ精度を達
成するために使用される。
スク６Ａおよび６Ｂはそれぞれ付加的なアライメ
ントマーク７ａおよび７ｂ（又は１１ａおよび１
１ｂ）を有する。基板Ｓの露光の際、基板Ｓの外
側境界部とパターン転写領域１との間の基板Ｓの
領域２（第１図参照）の上へこれらのアライメン
トマークを同時に転写する。このようにして転写
されたアライメントマーク７ａおよび７ｂ（又は
１１ａおよび１１ｂ）は、パターン転写領域１の
同一区域に対してパターン転写を繰り返すときア
ライメントをおこなうために、即ち既にパターン
を転写された区域とこの区域に転写される予定の
パターン構成部分との間のオーバーレイ精度を達
成するために使用される。
パターン転写領域１へ転写されたパターン構成
部分の連続性の程度は、領域１を覆う大面積の単
一マスクで得られる連続性に比べてわずかに劣る
可能性があるが、これは、液晶や特定種類の集積
回路を製造する際には無視できるものである。
部分の連続性の程度は、領域１を覆う大面積の単
一マスクで得られる連続性に比べてわずかに劣る
可能性があるが、これは、液晶や特定種類の集積
回路を製造する際には無視できるものである。
以上説明したように、本発明によれば、基板上
に比較的大面積の連続的なパターンを分割転写に
より形成することが可能となる。
に比較的大面積の連続的なパターンを分割転写に
より形成することが可能となる。
第１図はホルダーによつて保持された基板を概
略的に示す平面図、第２図および第４図は、本発
明のアライメントおよびパターン転写の方法を概
略的に示した平面図、第３図はアライメント時に
おけるアライメントマークを示す拡大図、第５図
は第１図のホルダーにアライメンマークを形成す
るためのマスクを示す平面図である。 Ｓ…基板、１…パターン転写領域、３…ホルダ
ー、４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ…アライメントマー
ク、２０…マスク。
略的に示す平面図、第２図および第４図は、本発
明のアライメントおよびパターン転写の方法を概
略的に示した平面図、第３図はアライメント時に
おけるアライメントマークを示す拡大図、第５図
は第１図のホルダーにアライメンマークを形成す
るためのマスクを示す平面図である。 Ｓ…基板、１…パターン転写領域、３…ホルダ
ー、４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ…アライメントマー
ク、２０…マスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パターンを基板に分割転写するために利用さ
れるアライメント方法において、複数のアライメ
ントマークを備えたホルダーで前記基板を保持
し、前記アライメントマークの一つを用いて前記
基板の一つの区域に前記パターンの構成部分の一
つを位置合せすると共に、前記アライメントマー
ク他の一つを用いて前記基板の他の一つの区域に
前記パターンの構成部分の他の一つを位置合せす
ることを特徴とするアライメント方法。 ２ パターンを基板に分割転写するために利用さ
れるアライメント方法において、複数のアライメ
ントマークを備えたホルダーで前記基板を保持
し、前記アライメントマークの一つを用いて前記
基板の一つの区域に前記パターンの構成部分の一
つを位置合せした後に最初の転写動作を行なわせ
ると共に、前記アライメントマークの他の一つを
用いて前記基板の他の一つの区域に前記パターン
の構成部分の他の一つを位置合せした後に次の転
写動作を行なわせることを特徴とするアライメン
ト方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035332A JPS60180120A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | アライメント方法 |
| US07/186,773 US4883359A (en) | 1984-02-28 | 1988-04-25 | Alignment method and pattern forming method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035332A JPS60180120A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180120A JPS60180120A (ja) | 1985-09-13 |
| JPH0362010B2 true JPH0362010B2 (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=12438874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035332A Granted JPS60180120A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180120A (ja) |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP59035332A patent/JPS60180120A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60180120A (ja) | 1985-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4883359A (en) | Alignment method and pattern forming method using the same | |
| JP2001066757A (ja) | 露光方法 | |
| JPH10213895A (ja) | レチクルの合わせ測定用マーク | |
| TW559884B (en) | Divided exposure method | |
| US4937162A (en) | Method of obtaining relatively aligned patterns on two opposite surfaces of an opaque slice | |
| JPH0362010B2 (ja) | ||
| JP3120345B2 (ja) | 位相シフトマスク及び半導体装置 | |
| JPH0276214A (ja) | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク | |
| JPH10213896A (ja) | レチクル | |
| JPS6312133A (ja) | パタ−ン形成基板 | |
| JPS63275115A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
| KR100904728B1 (ko) | 회전이 가능한 마스크 | |
| JPS60180119A (ja) | アライメントマ−ク作成方法 | |
| JP2854921B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62254423A (ja) | 半導体焼付装置 | |
| JPH024270A (ja) | 自動目合せ露光装置 | |
| JPS5842233A (ja) | パタ−ンマスクの作製方法 | |
| JP2987899B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPS62144168A (ja) | レチクル | |
| JPS61169850A (ja) | 写真製版法 | |
| JPH0144009B2 (ja) | ||
| JPS63196029A (ja) | 半導体チツプにマ−クを形成する方法 | |
| JPS60224227A (ja) | レジスト膜のパタ−ン形成方法 | |
| JPS5986221A (ja) | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 | |
| JPH0461110A (ja) | 文字パターンの視認性向上方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |