JPH0362212B2 - - Google Patents
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- JPH0362212B2 JPH0362212B2 JP60186530A JP18653085A JPH0362212B2 JP H0362212 B2 JPH0362212 B2 JP H0362212B2 JP 60186530 A JP60186530 A JP 60186530A JP 18653085 A JP18653085 A JP 18653085A JP H0362212 B2 JPH0362212 B2 JP H0362212B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- optical component
- measured
- optical
- frequency
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
- G01M11/31—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter and a light receiver being disposed at the same side of a fibre or waveguide end-face, e.g. reflectometers
- G01M11/3172—Reflectometers detecting the back-scattered light in the frequency-domain, e.g. OFDR, FMCW, heterodyne detection
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光部品に光を照射したときのその光
が反射する反射点位置の測定方法に関するもので
あり、特に半導体レーザに正弦波等で変調をか
け、その周波数を掃引したときの出力光を被測定
光部品に入射させ、その反射光を半導体レーザに
入射させることにより半導体レーザの出力光を周
波数領域（ドメイン）で観測し、そこに現われ雑
音ピークの周波数間隔から、被測定光部品の反射
点位置を測定する光部品の反射点測定方法に関す
るものである。
が反射する反射点位置の測定方法に関するもので
あり、特に半導体レーザに正弦波等で変調をか
け、その周波数を掃引したときの出力光を被測定
光部品に入射させ、その反射光を半導体レーザに
入射させることにより半導体レーザの出力光を周
波数領域（ドメイン）で観測し、そこに現われ雑
音ピークの周波数間隔から、被測定光部品の反射
点位置を測定する光部品の反射点測定方法に関す
るものである。
（従来の技術）
従来、光フアイバケーブル等の光部品における
障害点や破断点等の不連続点までの距離を求める
方法として、OTDR法（Optical Time Domain
Reflectometory法）が一般的に用いられている。
障害点や破断点等の不連続点までの距離を求める
方法として、OTDR法（Optical Time Domain
Reflectometory法）が一般的に用いられている。
これは、反射光を時間領域で観測する技術手法
である。（例えば、特開昭51−83546号公報及び特
開昭60−86438号公報）すなわち光部品の光フア
イバケーブルの一端から光パルスを入射し、その
反射して返つてきた反射波のレベルを縦軸に時間
を横軸にとる時間領域での観測に基づいて光フア
イバケーブルの障害点若しくは破断点等の不連続
点の存否を探索し、不連続点までの距離を得てい
る。
である。（例えば、特開昭51−83546号公報及び特
開昭60−86438号公報）すなわち光部品の光フア
イバケーブルの一端から光パルスを入射し、その
反射して返つてきた反射波のレベルを縦軸に時間
を横軸にとる時間領域での観測に基づいて光フア
イバケーブルの障害点若しくは破断点等の不連続
点の存否を探索し、不連続点までの距離を得てい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
光パルスを用いて光部品、例えば被測定光フア
イバケーブルの障害若しくは破断点等の不連続点
を探索する場合、光の速度が相当大きいため、時
間領域での観測では、距離の分解能が低く、さら
に光パルスを被測定光フアイバケーブルに入射さ
せたとき、その入射面で生じるレベルの大きなフ
レネル反射のため、近距離（光パルス幅＋数ｍ以
内）に破断点が存在しても、受光系が飽和しこれ
を検出することができなかつた。従つて極々近距
離例えば光コネクタ内や光スイツチ、光減衰器内
での反射点は当然のことながらOTDR法では検
出できない。また上記のOTDR法で、たとえ入
射面で生じるフレネル反射をおさえるため、微弱
な光を入射させて使用したとしても、電気信号処
理が可能なレベルの反射光を受光できない。この
フレネル反射だけを除去する方法も考えられる
が、高速の光シヤツタが得られず、その実施が不
可能で、いずれにしてもOTDR法によつては極
く近距離の反射点を検出できない欠点があつた。
イバケーブルの障害若しくは破断点等の不連続点
を探索する場合、光の速度が相当大きいため、時
間領域での観測では、距離の分解能が低く、さら
に光パルスを被測定光フアイバケーブルに入射さ
せたとき、その入射面で生じるレベルの大きなフ
レネル反射のため、近距離（光パルス幅＋数ｍ以
内）に破断点が存在しても、受光系が飽和しこれ
を検出することができなかつた。従つて極々近距
離例えば光コネクタ内や光スイツチ、光減衰器内
での反射点は当然のことながらOTDR法では検
出できない。また上記のOTDR法で、たとえ入
射面で生じるフレネル反射をおさえるため、微弱
な光を入射させて使用したとしても、電気信号処
理が可能なレベルの反射光を受光できない。この
フレネル反射だけを除去する方法も考えられる
が、高速の光シヤツタが得られず、その実施が不
可能で、いずれにしてもOTDR法によつては極
く近距離の反射点を検出できない欠点があつた。
本発明は上記の欠点を解決することを目的とし
ており、従来技術の時間領域での観測とは異な
り、周波数領域での観測を行う点に特徴がある。
したがつて、半導体レーザに、例えば正弦波で変
調をかけ、その正弦波の周波数を掃引したときの
出力光を被測点光部品に入射させ、その反射光を
半導体レーザに入射させることにより半導体レー
ザの出力光に現われる雑音のピークの周波数間隔
から、極く近距離の被測定光部品内の反射点位置
を検出するOFDR法（Optical Frequency
Domain Reflectmetory法）による光部品の反射
点測定方法を提供することを目的としている。
ており、従来技術の時間領域での観測とは異な
り、周波数領域での観測を行う点に特徴がある。
したがつて、半導体レーザに、例えば正弦波で変
調をかけ、その正弦波の周波数を掃引したときの
出力光を被測点光部品に入射させ、その反射光を
半導体レーザに入射させることにより半導体レー
ザの出力光に現われる雑音のピークの周波数間隔
から、極く近距離の被測定光部品内の反射点位置
を検出するOFDR法（Optical Frequency
Domain Reflectmetory法）による光部品の反射
点測定方法を提供することを目的としている。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、すなわち、周波数
領域（周波数ドメイン）での観測を容易にするた
めに、本発明の光部品の反射点測定方法は半導体
レーザに交流電流を印加して変調をかけるととも
に、その変調周波数を掃引させるか、若しくは半
導体レーザのしきい値電流値近傍の直流電流を印
加して得られる出力光を被測定光部品の端面に入
射し、入射された光が該被測定光部品の不連続面
で反射して返つてくる反射光を前記半導体レーザ
に入射させ、半導体レーザの出力光に現われる雑
音のピークの周波数間隔から被測定光部品の反射
点位置を指示させるようにしたことを特徴として
いる。以下図面を参照しながら本発明を説明す
る。
領域（周波数ドメイン）での観測を容易にするた
めに、本発明の光部品の反射点測定方法は半導体
レーザに交流電流を印加して変調をかけるととも
に、その変調周波数を掃引させるか、若しくは半
導体レーザのしきい値電流値近傍の直流電流を印
加して得られる出力光を被測定光部品の端面に入
射し、入射された光が該被測定光部品の不連続面
で反射して返つてくる反射光を前記半導体レーザ
に入射させ、半導体レーザの出力光に現われる雑
音のピークの周波数間隔から被測定光部品の反射
点位置を指示させるようにしたことを特徴として
いる。以下図面を参照しながら本発明を説明す
る。
（実施例）
第１図は本発明に係る光部品の反射点測定方法
を示す図、第２図は半導体レーザに印加される電
流の周波数と反射波による雑音出力レベルとの関
係を示す図、第３図は本発明に係る光部品の反射
点測定方法の一実施例構成である。
を示す図、第２図は半導体レーザに印加される電
流の周波数と反射波による雑音出力レベルとの関
係を示す図、第３図は本発明に係る光部品の反射
点測定方法の一実施例構成である。
第１図において、１は半導体レーザ、２は変調
用電気信号発生装置、３は受光素子、４は増幅
器、５は周波数掃引付レベル測定装置、６は被測
定光部品である。
用電気信号発生装置、３は受光素子、４は増幅
器、５は周波数掃引付レベル測定装置、６は被測
定光部品である。
一般に、半導体レーザ１の出力光が、被測定光
部品６、例えば光フアイバケーブル端等から反射
してその反射光が再び半導体レーザ１の活性層に
戻ると、自己結合現象により動作特性が変化し、
雑音が発生することが知られている。例えば半導
体レーザ１の原理的な雑音発生機構は、注入キヤ
リアと光子の粒子性に基づく量子シヨツト雑音
（quantum shot noise）にある。すなわち全くラ
ンダムに自然放出や誘導放出及び吸収が発生する
ために、光出力のゆらぎ（雑音）が生じる。この
雑音は閾値でピークをもつ。そして閾値近傍では
利得の大きくなつた状態で、ランダムに発生する
自然放出及び誘導放出が増幅されて多縦モードに
寄与するから、光出力の大きなゆらぎとなる。
部品６、例えば光フアイバケーブル端等から反射
してその反射光が再び半導体レーザ１の活性層に
戻ると、自己結合現象により動作特性が変化し、
雑音が発生することが知られている。例えば半導
体レーザ１の原理的な雑音発生機構は、注入キヤ
リアと光子の粒子性に基づく量子シヨツト雑音
（quantum shot noise）にある。すなわち全くラ
ンダムに自然放出や誘導放出及び吸収が発生する
ために、光出力のゆらぎ（雑音）が生じる。この
雑音は閾値でピークをもつ。そして閾値近傍では
利得の大きくなつた状態で、ランダムに発生する
自然放出及び誘導放出が増幅されて多縦モードに
寄与するから、光出力の大きなゆらぎとなる。
半導体レーザ１と被測定光部品６の光フアイバ
ケーブルとを結合し、半導体レーザ１に例えば直
流バイアスを印加する。そして半導体レーザ１に
閾値近傍の直流電流又は交流電流を流してやる
と、上記シヨツト雑音が反射光により増大する現
象が見られる。これはコネクタ部やスプライス部
などの不連続面からの反射光が半導体レーザ１に
入射し、該半導体レーザ１の発振状態が変化する
ことにより生ずることは前述した通りである。
ケーブルとを結合し、半導体レーザ１に例えば直
流バイアスを印加する。そして半導体レーザ１に
閾値近傍の直流電流又は交流電流を流してやる
と、上記シヨツト雑音が反射光により増大する現
象が見られる。これはコネクタ部やスプライス部
などの不連続面からの反射光が半導体レーザ１に
入射し、該半導体レーザ１の発振状態が変化する
ことにより生ずることは前述した通りである。
半導体レーザ１から出た光は、被測定光部品６
に入射されると、 半導体レーザ１へのキヤリア注入電流によつ
て誘起される光 反射点から戻つてくる光 によるモード同期が起る。レーザ発振状態は上記
，の外部注入信号によつて一定周波数間隔で
雑音ピークが生じる。この雑音ピークをスペクト
ラムアナライザ等の測定器で測定する。この周波
数間隔は被測定光部品６、すなわち光フアイバケ
ーブル長に起因している。
に入射されると、 半導体レーザ１へのキヤリア注入電流によつ
て誘起される光 反射点から戻つてくる光 によるモード同期が起る。レーザ発振状態は上記
，の外部注入信号によつて一定周波数間隔で
雑音ピークが生じる。この雑音ピークをスペクト
ラムアナライザ等の測定器で測定する。この周波
数間隔は被測定光部品６、すなわち光フアイバケ
ーブル長に起因している。
次に本願発明の一実施例を第１図に示されたよ
うな系のもとに説明する。
うな系のもとに説明する。
半導体レーザ１の変調用電気信号装置２からの
正弦波電流を印加して変調をかけ、例えば周波数
掃引付レベル測定装置５からの掃引信号に基づい
て上記正弦波電流の周波数を掃引させた場合、半
導体レーザ１からの後方光を受光素子３で電気信
号に変換し、増幅器４で適宜増幅した後モニタし
てその出力波形を周波数掃引付レベル測定装置
５、例えばスペクトラムアナライザや周波数が掃
引できる選択レベル計等で観測すると、第２図に
示された如く、外部共振器等の長さできまる周波
数間隔Δfで雑音ピークが現れる。そして被測定
光部品６の反射点までの距離及びその群屈折率を
Ｌ，ｎ、光速をｃ（ｃ＝３×103m／sec）、とした
とき、 上記Δf、すなわち観測波形の雑音ピークの周
波数間隔との間には Δf＝ｃ／2Ln ……(1) が成立する。
正弦波電流を印加して変調をかけ、例えば周波数
掃引付レベル測定装置５からの掃引信号に基づい
て上記正弦波電流の周波数を掃引させた場合、半
導体レーザ１からの後方光を受光素子３で電気信
号に変換し、増幅器４で適宜増幅した後モニタし
てその出力波形を周波数掃引付レベル測定装置
５、例えばスペクトラムアナライザや周波数が掃
引できる選択レベル計等で観測すると、第２図に
示された如く、外部共振器等の長さできまる周波
数間隔Δfで雑音ピークが現れる。そして被測定
光部品６の反射点までの距離及びその群屈折率を
Ｌ，ｎ、光速をｃ（ｃ＝３×103m／sec）、とした
とき、 上記Δf、すなわち観測波形の雑音ピークの周
波数間隔との間には Δf＝ｃ／2Ln ……(1) が成立する。
従つて式(1)は
Ｌ＝ｃ／2Δfn ……(2)
となり、ｃ，ｎは定数で、Δfは周波数掃引レベ
ル測定装置５から測定できるので、被測定光部品
６の反射点位置までの距離Ｌを求めることができ
る。
ル測定装置５から測定できるので、被測定光部品
６の反射点位置までの距離Ｌを求めることができ
る。
第３図は本発明に係る光部品の反射点測定方法
の一実施例構成を示しており、７は半導体レー
ザ、８はアバランシエフオトダイオード、９はネ
ツトワークアナライザ、１０は光フアイバケーブ
ルである。
の一実施例構成を示しており、７は半導体レー
ザ、８はアバランシエフオトダイオード、９はネ
ツトワークアナライザ、１０は光フアイバケーブ
ルである。
ネツトワークアナライザ９の出力端子から周波
数が掃引された交流電力が出力され、半導体レー
ザ７に直接変調をかける。従つて半導体レーザ７
から変調された光が出力される。この出力は光フ
アイバケーブル１０の一端から入射され、光フア
イバケーブル１０内を伝送するが、該光フアイバ
ケーブル１０内の終端或いは破断点で反射された
反射光が光フアイバケーブル１０の入射点に戻つ
てくる。そして該反射光は半導体レーザ７に入射
する。
数が掃引された交流電力が出力され、半導体レー
ザ７に直接変調をかける。従つて半導体レーザ７
から変調された光が出力される。この出力は光フ
アイバケーブル１０の一端から入射され、光フア
イバケーブル１０内を伝送するが、該光フアイバ
ケーブル１０内の終端或いは破断点で反射された
反射光が光フアイバケーブル１０の入射点に戻つ
てくる。そして該反射光は半導体レーザ７に入射
する。
半導体レーザ７は前記説明の如く該反射光の入
射によつて発振状態が変化し、光強度雑音が発生
する。半導体レーザ７からの後方出力光を受光し
ているアバランシエフオトダイオード８で変換さ
れた電気信号には、上記光強度雑音が包含されて
おり、光電変換された電気信号は増幅器１１で増
幅された後、ネツトワークアナライザ９のＴ入力
端子に入力される。一方ネツトワークアナライザ
９の出力端子から出力された周波数の掃引された
交流電力が、Ｒ端子に入力されているので、上記
光強度雑音が第２図図示の如く測定されてネツト
ワークアナライザ９の表示装置に表示される。ネ
ツトワークアナライザ９の表示装置に表示された
雑音ピーク間の間隔周波数Δfを読みとり、式(2)
を適用することにより、光フアイバケーブル１０
内で反射して返つてくる反射光の反射点位置まで
の距離Ｌを求めることができる。
射によつて発振状態が変化し、光強度雑音が発生
する。半導体レーザ７からの後方出力光を受光し
ているアバランシエフオトダイオード８で変換さ
れた電気信号には、上記光強度雑音が包含されて
おり、光電変換された電気信号は増幅器１１で増
幅された後、ネツトワークアナライザ９のＴ入力
端子に入力される。一方ネツトワークアナライザ
９の出力端子から出力された周波数の掃引された
交流電力が、Ｒ端子に入力されているので、上記
光強度雑音が第２図図示の如く測定されてネツト
ワークアナライザ９の表示装置に表示される。ネ
ツトワークアナライザ９の表示装置に表示された
雑音ピーク間の間隔周波数Δfを読みとり、式(2)
を適用することにより、光フアイバケーブル１０
内で反射して返つてくる反射光の反射点位置まで
の距離Ｌを求めることができる。
ここで、ネツトワークアナライザ９の測定可能
な雑音ピーク間隔周波数Δfを例えば500MHzとす
ると、最短の反射点までの距離Ｌは、光フアイバ
ケーブル１０の群屈折率ｎを1.5としたとき Ｌ＝３×103／２×1.5×500×106＝0.2（ｍ） となる。
な雑音ピーク間隔周波数Δfを例えば500MHzとす
ると、最短の反射点までの距離Ｌは、光フアイバ
ケーブル１０の群屈折率ｎを1.5としたとき Ｌ＝３×103／２×1.5×500×106＝0.2（ｍ） となる。
このように本発明に係る反射点測点法によれ
ば、光フアイバケーブル１０の不連続点を求める
ことができる。そして特に近距離の反射点の測定
時に威力を発揮する。
ば、光フアイバケーブル１０の不連続点を求める
ことができる。そして特に近距離の反射点の測定
時に威力を発揮する。
なお反射点までの距離Ｌに対する分解能は式(2)
から明らかな様に雑音ピークの周波数間隔Δfの
精度に依存する。従つてネツトワークアナライザ
９の分解能、すなわち一般に周波数掃引付レベル
測定装置５の分解能の優れた測定器を使用すれ
ば、近点の反射点測定にも充分に使用することが
できることを意味している。このことから光フア
イバケーブル１０に換え、他の光部品、例えば光
コネクタ、光分岐器、光スイツチ、光減衰器等光
回路構成部品の近距離の反射点位置を測定するこ
とができ、光回路の障害点を容易に検出すること
ができる。
から明らかな様に雑音ピークの周波数間隔Δfの
精度に依存する。従つてネツトワークアナライザ
９の分解能、すなわち一般に周波数掃引付レベル
測定装置５の分解能の優れた測定器を使用すれ
ば、近点の反射点測定にも充分に使用することが
できることを意味している。このことから光フア
イバケーブル１０に換え、他の光部品、例えば光
コネクタ、光分岐器、光スイツチ、光減衰器等光
回路構成部品の近距離の反射点位置を測定するこ
とができ、光回路の障害点を容易に検出すること
ができる。
上記説明は交流電流を半導体レーザに印加した
実施例を主に説明したが、前述の直流電流を印加
した場合も同様である。
実施例を主に説明したが、前述の直流電流を印加
した場合も同様である。
しかも使用する周波数掃引付レベル測定装置の
読み取り精度の高い測定器を使用すれば、分解能
が高くなり、不連続点位置までの距離の精度が上
る。
読み取り精度の高い測定器を使用すれば、分解能
が高くなり、不連続点位置までの距離の精度が上
る。
（発明の効果）
以上の実施例の説明で述べたように、たとえば
スペクトラムアナライザを用いて受光した光強度
を観測し、第２図のような波形を解析して測定す
るようにした。したがつて、本発明によれば、従
来の時間領域（時間ドメイン）での測定と異な
り、周波数ドメインで反射点を検出するので光部
品の近距離の不連続点位置を容易に検出すること
ができる。さらには、実施例で述べたように、従
来の時間ドメインによるOTDR法では入射端の
レベルの高い反射光に覆い隠され、数米以内の近
距離の反射点は測定できなかつたものが0.2米ま
で本願の方法により測定できるようになつた。ま
た光回路における各光部品の障害位置を高精度で
検出することができる。また近距離の不連続点を
検出できることから、光スイツチの動作を調べる
ことが極めて容易に行える。
スペクトラムアナライザを用いて受光した光強度
を観測し、第２図のような波形を解析して測定す
るようにした。したがつて、本発明によれば、従
来の時間領域（時間ドメイン）での測定と異な
り、周波数ドメインで反射点を検出するので光部
品の近距離の不連続点位置を容易に検出すること
ができる。さらには、実施例で述べたように、従
来の時間ドメインによるOTDR法では入射端の
レベルの高い反射光に覆い隠され、数米以内の近
距離の反射点は測定できなかつたものが0.2米ま
で本願の方法により測定できるようになつた。ま
た光回路における各光部品の障害位置を高精度で
検出することができる。また近距離の不連続点を
検出できることから、光スイツチの動作を調べる
ことが極めて容易に行える。
第１図は本発明に係る光部品の反射点測定方法
を説明するための図、第２図は半導体レーザに印
加される電流の周波数と反射波による雑音出力レ
ベルとの関係を示す図、第３図は本発明に係る光
部品の反射点測定方法の一実施例構成である。 図中、１は半導体レーザ、２は変調用電気信号
発生装置、３は受光素子、４は増幅器、５は周波
数掃引付レベル測定装置、６は被測定光部品、７
は半導体レーザ、８はアバランシエフオトダイオ
ード、９はネツトワークアナライザ、１０は光フ
アイバケーブルである。
を説明するための図、第２図は半導体レーザに印
加される電流の周波数と反射波による雑音出力レ
ベルとの関係を示す図、第３図は本発明に係る光
部品の反射点測定方法の一実施例構成である。 図中、１は半導体レーザ、２は変調用電気信号
発生装置、３は受光素子、４は増幅器、５は周波
数掃引付レベル測定装置、６は被測定光部品、７
は半導体レーザ、８はアバランシエフオトダイオ
ード、９はネツトワークアナライザ、１０は光フ
アイバケーブルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザに所定の電気信号を印加して出
力光を得る段階と、該出力光を被測定光部品の端
面に入射する段部と、該被測定光部品が有する不
連続面からの反射光を前記半導体レーザに入射さ
せて、前記半導体レーザの出力光を受光する段階
と、該受光した出力光の光強度を周波数ドメイン
で観測したときにもたらされる雑音ピークの周波
数間隔を測定する段階と、該測定された周波数間
隔から被測定光部品の反射点位置を求める段階と
から成る光部品の反射点測定方法。 ２ 前記所定の電気信号が、その周波数が掃引さ
れている交流電流であることを特徴とする特許請
求の範囲第(1)項記載の光部品の反射点測定方法。 ３ 前記所定の電気信号が、前記半導体レーザの
電流しきい値の近傍の値の直流電流であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光部品の
反射点測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18653085A JPS6246227A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 光部品の反射点測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18653085A JPS6246227A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 光部品の反射点測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246227A JPS6246227A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0362212B2 true JPH0362212B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=16190105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18653085A Granted JPS6246227A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 光部品の反射点測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246227A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5694979B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-04-01 | 日本電信電話株式会社 | 光線路監視装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6086438A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバの試験方法および装置 |
-
1985
- 1985-08-24 JP JP18653085A patent/JPS6246227A/ja active Granted
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| Publication number | Publication date |
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