JPH036231A - New polymer and its use - Google Patents
New polymer and its useInfo
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- JPH036231A JPH036231A JP14070089A JP14070089A JPH036231A JP H036231 A JPH036231 A JP H036231A JP 14070089 A JP14070089 A JP 14070089A JP 14070089 A JP14070089 A JP 14070089A JP H036231 A JPH036231 A JP H036231A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はケイ素−ケイ素結合を主鎖に有する新規かつ有
用な重合体およびその用途に関する。さらに詳しくは1
本発明はケイ素−ケイ素結合と1゜5−ナフチレン基と
を交互に縁返し単位として含む新規かつ有用な重合体、
およびこの重合体からなる導電性材料に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a novel and useful polymer having a silicon-silicon bond in its main chain and its uses. For more details 1
The present invention provides novel and useful polymers containing alternating silicon-silicon bonds and 1°5-naphthylene groups as flip units,
and a conductive material made of this polymer.
高分子の主鎖にSi −Si結合を有する重合体は。 A polymer having a Si--Si bond in the main chain of the polymer.
感光性材料や絶縁材料として極めて有用な材料である。It is an extremely useful material as a photosensitive material and an insulating material.
この種の重合体としてはジャーナル・オブ・ポリマー・
サイエンス、ポリマー・レター・エデイジョン(J、
Po1y+mer Sci、、 Polymer La
tt。This type of polymer is described in the Journal of Polymers.
Science, Polymer Letter Edition (J,
Polymer Sci, Polymer La
tt.
Ed、)22.669〜671(1984)に下記式(
II)で表わされる構成単位よりなる重合体などが示さ
れているが、有機溶媒に対する溶解性や塗膜を形成する
ときの(式中、R1およびR″は、それぞれ独立にアル
キル均−性に問題を有し、実用に供されていない。Ed, ) 22.669-671 (1984), the following formula (
Polymers consisting of structural units represented by It has problems and is not put into practical use.
また、特開昭60−61744号公報には光および放射
線感応性有機高分子材料として、下記式Cm)で表わさ
れる構成単位の繰り返しからなる高分子材料が開示され
ているが、実施例としてはR,=Qの場合に限定され、
特に導電性材料として使用する場合には改善が望まれて
いる。Furthermore, Japanese Patent Application Laid-open No. 60-61744 discloses a polymer material consisting of repeating structural units represented by the following formula Cm as a light- and radiation-sensitive organic polymer material. Limited to the case R,=Q,
Improvement is desired especially when used as a conductive material.
一方、従来から導電性を必要とする用途には専ら金属が
使用され、有機高分子化合物は一般には絶縁材料として
取扱われていた。ところが従来絶縁材料として認識され
ていた有機高分子化合物のうち、ケイ素原子を含む高分
子化合物が導電性を有していることが見出され、このよ
うなケイ素含有高分子化合物を導電性材料として使用し
ようとする試みがなされている。On the other hand, metals have traditionally been used exclusively for applications requiring electrical conductivity, and organic polymer compounds have generally been treated as insulating materials. However, among organic polymer compounds that were conventionally recognized as insulating materials, it has been discovered that polymer compounds containing silicon atoms have electrical conductivity, and such silicon-containing polymer compounds have been used as conductive materials. Attempts have been made to use it.
例えば1981年には、ポリシランの一種であるメチル
フェニルポリシランに光照射することにより架橋構造を
形成させた化合物にドーパント(ドーピングエージェン
ト)を添加することにより、この化合物が高い導電率を
示すことが発見されている。ところが、ここで使用され
るドーパントとしては、AsF、のような化合物が使用
されている。そしてこのようなドーパントを使用するこ
とにより、上記のケイ素含有化合物は、 0.5 S/
cm程度の導電率を示すことが開示されている(JAC
S、103.7352−7354)。For example, in 1981, it was discovered that methylphenylpolysilane, a type of polysilane, was irradiated with light to form a crosslinked structure, and by adding a dopant (doping agent), this compound exhibited high electrical conductivity. has been done. However, the dopant used here is a compound such as AsF. And by using such a dopant, the above silicon-containing compound can be
It is disclosed that the conductivity is on the order of cm (JAC
S, 103.7352-7354).
しかしながら、このようなケイ素含有化合物を導電性材
料として使用する場合には、ドーパントとして毒性の高
いAsF、を使用しなければならない。However, when such a silicon-containing compound is used as a conductive material, highly toxic AsF must be used as a dopant.
また上記のようなケイ素含有化合物を製造する際、光照
射の制御が麺しく、良好な特性を有する化合物を再現性
よく製造することが難しいといった問題もある。Furthermore, when producing the silicon-containing compounds as described above, there are also problems in that it is difficult to control light irradiation and it is difficult to produce compounds with good properties with good reproducibility.
また特開昭62−59632号公報にはAsF、を使用
せずに優れた導電性を示すマトリックス状のポリアルキ
ルシランが開示されている。ここではドーパントとして
ポリアルキルシラン中に硫酸イオンを含有させることに
より、導電性が賦与されたポリシランが開示されている
。このときのポリアルキルシランの導電率は10′″′
〜10 S/am程度である。Further, JP-A-62-59632 discloses a matrix-like polyalkylsilane that exhibits excellent conductivity without using AsF. This publication discloses a polysilane imparted with electrical conductivity by incorporating sulfate ions into the polyalkylsilane as a dopant. The conductivity of polyalkylsilane at this time is 10''''
~10 S/am.
しかしながら、上記のようなポリシランからなる導電性
材料においても、導電率等の特性や製造条件などに改善
の余地を残している。However, even in the conductive material made of polysilane as described above, there is still room for improvement in characteristics such as conductivity and manufacturing conditions.
本発明の目的は、ケイ素−ケイ素結合およびナフチレン
結合を繰返し単位に有する新規かつ機能性高分子材料と
して有用な重合体を提供することである。An object of the present invention is to provide a novel polymer having silicon-silicon bonds and naphthylene bonds in repeating units and useful as a functional polymer material.
また本発明の他の目的は、上記のポリシラン化合物から
なる導電性材料を提供することである。Another object of the present invention is to provide a conductive material made of the above polysilane compound.
本発明は次の新規な共重合体およびその用途である。 The present invention is the following novel copolymer and its uses.
(1)下記−数式(13で表わされるポリシラン化金物
からなることを特徴とする新規な重合体。(1) A novel polymer characterized by comprising a polysilanated metal compound represented by the following formula (13).
(2)下記−数式〔I〕で表わされる重合体からなるこ
とを特徴とする導電性材料。(2) An electrically conductive material comprising a polymer represented by the following formula [I].
1
(式中、R1およびR2は、それぞれ独立にアルキル基
、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選ばれ
た基を表わし、nは2以上の整数を表わす。)
本発明の重合体は上記−数式〔I〕で表わされるポリシ
ラン化合物であり、優れた導電性を有している。1 (In the formula, R1 and R2 each independently represent a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group, and n represents an integer of 2 or more.) The polymer of the present invention has the above-mentioned - It is a polysilane compound represented by formula [I] and has excellent electrical conductivity.
一般式〔!〕において nl、nlで表わされるアルキ
ル基としては、通常炭素数1〜10のアルキル基。General formula [! ], the alkyl group represented by nl and nl is usually an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
好ましくは1〜6のアルキル基がある。このようなアル
キル基の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、ローブチル基、n−ヘキシル基なとの直鎖状アル
キル基; igo−プロピル基、5aG−ブチル基、5
ee−アミル基などの2級アルキル基;ならびにtar
t−ブチル基、tart−アミル基などの3級アルキル
基などをあげることができる。Preferably there are 1 to 6 alkyl groups. Examples of such alkyl groups include linear alkyl groups such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, lobutyl group, n-hexyl group; igo-propyl group, 5aG-butyl group, 5
Secondary alkyl groups such as ee-amyl group; and tar
Examples include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and tart-amyl group.
アリール基は少なくとも1個の芳香族環を有する1価の
基であり、この芳香族環は置換基を有していてもよい。An aryl group is a monovalent group having at least one aromatic ring, and this aromatic ring may have a substituent.
このようなアリール基の具体的な例としては、フェニル
基、ナフチル基、トリル基およびキシリル基などをあげ
ることができる。これらのアリール基のうち、本発明の
ポリシラン化合物を導電性材料として使用する場合には
、フェニル基が好ましい。Specific examples of such aryl groups include phenyl, naphthyl, tolyl, and xylyl groups. Among these aryl groups, phenyl groups are preferred when the polysilane compound of the present invention is used as a conductive material.
またアラルキル基は少なくとも1個の芳香族環を有する
脂肪族炭化水素からなる1価の基であり、ここで含まれ
る芳香族環は置換基を有していてもよい、このようなア
ラルキル基の具体的な例としてはベンジル基、フェネチ
ル基、α−メチルベンジル基、トリル基などをあげるこ
とができる。Further, an aralkyl group is a monovalent group consisting of an aliphatic hydrocarbon having at least one aromatic ring, and the aromatic ring included here may have a substituent. Specific examples include benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, and tolyl group.
上記のようなR1、R2のうち、同時に存在する基とし
ては、重合体の有機溶媒に対する溶解性を考慮して選択
することができ、中でもR1およびR3がそれぞれメチ
ルおよびエチル、メチルおよびローへキシル、メチルお
よびフェニルの組合せが好ましい。Among the above R1 and R2, the groups present simultaneously can be selected by considering the solubility of the polymer in organic solvents, and among them, R1 and R3 are methyl and ethyl, methyl and rhohexyl, respectively. , methyl and phenyl are preferred.
また上記式(r)において、nは2以上の整数であり、
好ましくは10以上の整数である。In the above formula (r), n is an integer of 2 or more,
Preferably it is an integer of 10 or more.
本発明の一般式〔I〕で示されるポリシラン化合物から
なる重合体の典型的なものをあげると、次のものがあげ
られる。Typical polymers comprising the polysilane compound represented by the general formula [I] of the present invention include the following.
ポリ〔(テトラメチルジシラニレン)−t、S−ナフチ
レン〕、ポリ((1,2−ジメチル−1,2−ジフェニ
ルジシラニレン)−1,5−ナフチレン〕、ポリ〔(テ
トラブエニルジシラニレン)−t、S−ナフチレン〕、
ポリ[(1,2=ジエチル−1,2−ジメチルジシラニ
レン)−1,5−ナフチレン]、ポリ[(1,2−ジメ
チル−1,2−ジヘキシルジシラニレン)−1,5−ナ
フチレン]。Poly[(tetramethyldisilanylene)-t,S-naphthylene], poly((1,2-dimethyl-1,2-diphenyldisilanylene)-1,5-naphthylene), poly[(tetrabuenyldisilanylene)-t,S-naphthylene], silanylene)-t, S-naphthylene],
Poly[(1,2=diethyl-1,2-dimethyldisilanylene)-1,5-naphthylene], Poly[(1,2-dimethyl-1,2-dihexyldisilanylene)-1,5-naphthylene ].
上記のような本発明の重合体の物性は後の実施例に示す
通りである。The physical properties of the polymer of the present invention as described above are as shown in the Examples below.
上記のような本発明のポリシラン化合物は、例えば次の
一般式[IV]で表わされる1、5−ビス(クロロシリ
ル)ナフタレン誘導体と、該誘導体中における塩素原子
と反応しうる量のアルカリ金属とを反応させることによ
り製造することができる。The polysilane compound of the present invention as described above contains, for example, a 1,5-bis(chlorosilyl)naphthalene derivative represented by the following general formula [IV] and an amount of an alkali metal capable of reacting with a chlorine atom in the derivative. It can be produced by reaction.
炉
(式中、R′およびR2は前記式〔I〕におけるR1お
よびR2と同じものを表わす、)
上記式(IV)で表わされるビス(クロロシリル)ナフ
タレン誘導体は、所定の置換基(R1,R2)を有する
モノクロロヒドロシランと1.5−ジブロモナフタレン
とをマグネシウムを用いて反応させ、ビス(ヒドロシリ
ル)ナフタレンとした後、これを四塩化炭素中PdCQ
、またはBPO(ベンゾイルペルオキシド)存在下に加
熱して得られる
例えば上記のようにして得られる1、5−ビス(クロロ
シリル)ナフタレン誘導体の例としては、1.5−ビス
(ジメチルクロロシリル)ナフタレン、1゜5−ビス(
メチルエチルクロロシリル)ナフタレン、1.5−ビス
(メチルn−ヘキシルクロロシリル)ナフタレン、1,
5−ビス(メチルフェニルクロロシリル)ナフタレン、
1,5−ビス(エチルフェニルクロロシリル)ナフタレ
ン、1j5−ビス(プロピルフェニルクロロシリル)ナ
フタレン、1,5−ビス(iso−プロピルフェニルク
ロロシリル)ナフタレン、1,5−ビス(ジフェニルク
ロロシリル)ナフタレン、1,5−ビス(ナフチルフェ
ニルクロロシリル)ナフタレン、 1,5−ビス(トリ
ルフェニルクロロシリル)ナフタレン、1゜5−ビス(
ベンジルフェニルクロロシリル)ナフタレン、■、5−
ビス(メチルベンジルクロロシリル)ナフタレンなどを
あげることができる。The bis(chlorosilyl)naphthalene derivative represented by the above formula (IV) (wherein R' and R2 represent the same as R1 and R2 in the above formula [I]) ) was reacted with 1,5-dibromonaphthalene using magnesium to produce bis(hydrosilyl)naphthalene, which was then reacted with PdCQ in carbon tetrachloride.
, or 1,5-bis(chlorosilyl)naphthalene derivatives obtained by heating in the presence of BPO (benzoylperoxide), for example, as described above, include 1,5-bis(dimethylchlorosilyl)naphthalene, 1゜5-screw (
methylethylchlorosilyl)naphthalene, 1,5-bis(methyl n-hexylchlorosilyl)naphthalene, 1,
5-bis(methylphenylchlorosilyl)naphthalene,
1,5-bis(ethylphenylchlorosilyl)naphthalene, 1j5-bis(propylphenylchlorosilyl)naphthalene, 1,5-bis(iso-propylphenylchlorosilyl)naphthalene, 1,5-bis(diphenylchlorosilyl)naphthalene , 1,5-bis(naphthylphenylchlorosilyl)naphthalene, 1,5-bis(tolylphenylchlorosilyl)naphthalene, 1゜5-bis(
benzylphenylchlorosilyl) naphthalene, ■, 5-
Examples include bis(methylbenzylchlorosilyl)naphthalene.
本発明のポリシラン化合物を導電性材料として使用する
場合には、上記のような化合物のうち、1.5−ビス(
メチルエチルクロロシリル)ナフタレン、1.5−ビス
(メチルフェニルクロロシリル)ナフタレンを使用する
ことが好ましい。When using the polysilane compound of the present invention as a conductive material, 1.5-bis(
Preference is given to using methylethylchlorosilyl)naphthalene, 1,5-bis(methylphenylchlorosilyl)naphthalene.
これらの化合物は通常は単独で使用されるが、例えば得
られるポリシラン化合物の導電性を調整することなどを
目的として、2種類以上の化合物を組合わせて使用する
こともできる。These compounds are usually used alone, but two or more compounds can also be used in combination, for example, for the purpose of adjusting the conductivity of the resulting polysilane compound.
本発明のポリシラン化合物の製造方法において、上記の
1.5−ビス(クロロシリル)ナフタレン誘導体と反応
させるアルカリ金属としては、金属ナトリウム、金属リ
チウム、金属カリウムなどをあげることができる。これ
らのアルカリ金属は、単独で使用することもできるし1
組合わせて使用することもできる。特に本発明において
は、金属ナトリウムを使用することが好ましい。In the method for producing a polysilane compound of the present invention, examples of the alkali metal to be reacted with the above-mentioned 1,5-bis(chlorosilyl)naphthalene derivative include sodium metal, lithium metal, and potassium metal. These alkali metals can be used alone or
They can also be used in combination. Particularly in the present invention, it is preferable to use metallic sodium.
上記のビス(クロロシリル)ナフタレン誘導体とアルカ
リ金属との反応の例を次に示す。An example of the reaction between the above bis(chlorosilyl)naphthalene derivative and an alkali metal is shown below.
上記式に示すように、アルカリ金属は少なくともビス(
クロロシリル)ナフタレン誘導体中の塩素原子と反応す
るような量で使用することが必要であり、ビス(クロロ
シリル)ナフタレン誘導体1モルに対して通常は2モル
以上、好ましくは2〜3モルの量で使用される。As shown in the above formula, the alkali metal is at least bis(
It is necessary to use it in an amount that allows it to react with the chlorine atom in the bis(chlorosilyl)naphthalene derivative, and it is usually used in an amount of 2 moles or more, preferably 2 to 3 moles, per 1 mole of the bis(chlorosilyl)naphthalene derivative. be done.
このようなアルカリ金属は、通常アルカリ金属に対して
反応性を有しない溶媒中に分散させて、ディスバージョ
ンの形態で使用される。従って本発明の製造方法は1通
常液相で行われる。そして、この場合に使用される溶媒
は、上記のようにアルカリ金属に対して反応性を有しな
い溶媒であり、さらに原料である1、5−ビス(クロロ
シリル)ナフタレン誘導体に対しても反応性を有してい
ない溶媒が使用される。Such alkali metals are generally used in the form of dispersion by being dispersed in a solvent that does not have reactivity with alkali metals. Therefore, the production method of the present invention is usually carried out in a liquid phase. The solvent used in this case is a solvent that does not have reactivity with alkali metals as described above, and is also reactive with the 1,5-bis(chlorosilyl)naphthalene derivative that is the raw material. No solvent is used.
このような溶媒の例としては、芳香族炭化水素系溶媒、
飽和炭化水素系溶媒、不飽和炭化水素系溶媒、エーテル
系溶媒などをあげることができ、特にトルエン、ベンゼ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素が好ましい。これら
の溶媒は、単独で、あるいは組合わせて使用することが
できる。また上記の反応は溶媒を用いずに行うこともで
きる。Examples of such solvents include aromatic hydrocarbon solvents,
Examples include saturated hydrocarbon solvents, unsaturated hydrocarbon solvents, and ether solvents, with aromatic hydrocarbons such as toluene, benzene, and xylene being particularly preferred. These solvents can be used alone or in combination. Moreover, the above reaction can also be carried out without using a solvent.
上記の反応における反応温度は、通常−20〜200℃
、好ましくは50〜150℃範囲が好ましい。The reaction temperature in the above reaction is usually -20 to 200°C
, preferably in the range of 50 to 150°C.
また、この反応は、減圧〜加圧のいずれの圧力条件で行
うことができるが、反応圧力は通常減圧〜60kg/a
l、好ましくはO〜30kg/ cd、さらに好ましく
は0〜5kg/cdの範囲に設定するのが好ましい。In addition, this reaction can be carried out under any pressure condition from reduced pressure to increased pressure, but the reaction pressure is usually reduced pressure to 60 kg/a.
1, preferably in the range of 0 to 30 kg/cd, more preferably in the range of 0 to 5 kg/cd.
このような反応における反応時間は圧力および温度を考
慮して適宜設定できるが、通常5分〜100時間、好ま
しくは1〜10時間である。The reaction time in such a reaction can be appropriately set in consideration of pressure and temperature, but is usually 5 minutes to 100 hours, preferably 1 to 10 hours.
さらにこのような反応は、通常不活性雰囲気下で行われ
る。そして、この反応は、通常アルゴン雰囲気下あるい
は窒素雰囲気下に行われる。Furthermore, such reactions are usually conducted under an inert atmosphere. This reaction is usually carried out under an argon atmosphere or a nitrogen atmosphere.
例えば上記のようにして得られた一般式(11で表わさ
れる本発明のポリシラン化合物は、導電性を有するため
、導電性材料として使用することができる。For example, the polysilane compound of the present invention represented by the general formula (11) obtained as described above has conductivity, and therefore can be used as a conductive material.
本発明のポリシラン化合物を導電性材料として、使用す
る場合、このポリシラン化合物にドーパントを添加して
使用するのが好ましい。When the polysilane compound of the present invention is used as a conductive material, it is preferable to add a dopant to the polysilane compound.
本発明のポリシラン化合物の導電率(σ)は通常104
S−C11−1以下であるが、ドーパントを添加するこ
とにより、その導電率(σ)は通常o、oi〜IS・c
ut−”程度になる。The electrical conductivity (σ) of the polysilane compound of the present invention is usually 104
S-C11-1 or less, but by adding a dopant, its conductivity (σ) usually increases from o, oi to IS・c
It will be about ``ut-''.
本発明において使用することができるドーパントとして
は特に限定はなく、従来から使用されているI2、SO
l、AsF、などを用いることができる他。There are no particular limitations on the dopant that can be used in the present invention, and conventionally used dopants such as I2, SO
1, AsF, etc. can also be used.
5bFsなとも使用することができる。これらのドーパ
ントは、単独で、あるいは組み合わせて使用することが
できる。このようなドーパントのうち、本発明において
は、SbF、を使用することが好ましい。5bFs can also be used. These dopants can be used alone or in combination. Among such dopants, it is preferable to use SbF in the present invention.
上記のようなドーパントの使用方法には特に限定はなく
、例えばポリシラン化合物からなる膜を形成した後、こ
の膜にドーパントを塗布する方法など種々の方法を採用
することができる。There are no particular limitations on the method of using the dopant as described above, and various methods can be employed, such as a method in which a film made of a polysilane compound is formed and then the dopant is applied to this film.
このようにドーパントを使用することにより、本発明の
ポリシラン化合物は良好な導電性を示すようになる。し
たがって、このポリシラン化合物を導電性材料として好
適に使用することができる。By using a dopant in this manner, the polysilane compound of the present invention exhibits good electrical conductivity. Therefore, this polysilane compound can be suitably used as a conductive material.
本発明のポリシラン化合物は、上記のように導電性材料
として使用できる他、5i−Si結合の有する光機能性
を利用して、感光材料などとしても使用できる。The polysilane compound of the present invention can be used not only as a conductive material as described above, but also as a photosensitive material by utilizing the optical functionality of the 5i-Si bond.
本発明は新規かつ有用なポリシラン化合物であり、利用
価値は大きい。The present invention is a new and useful polysilane compound, and has great utility value.
そしてこのポリシラン化合物は、主鎖中に5i−5L結
合およびナフタレン環の両者を有するため、導電材料と
して有効に使用することができ、特にSbF、などのド
ーパントを使用することにより、優れた導電性を有する
ようになる。Since this polysilane compound has both a 5i-5L bond and a naphthalene ring in its main chain, it can be effectively used as a conductive material. In particular, by using a dopant such as SbF, it has excellent conductivity. It comes to have.
次に本発明の実施例について説明する。 Next, examples of the present invention will be described.
実施例1
■、5−ビスメチルフェニルシリル)ナフタレンの旦
反応容器にマグネシウム7.7gを入れ、乾燥させた後
、THF 50mQを加えた。これに1,5−ジブロモ
ナフタレン33.8gとクロロメチルフェニルシラン5
5.8 gを200mQのTI(Fに溶解したものを滴
下した。Example 1 (1) 7.7 g of magnesium was placed in a reaction vessel for 5-bismethylphenylsilyl)naphthalene, and after drying, 50 mQ of THF was added. To this, 33.8 g of 1,5-dibromonaphthalene and 5 g of chloromethylphenylsilane
5.8 g dissolved in 200 mQ of TI(F) was added dropwise.
終夜かくはんの後、加水分解し、エーテル抽出を行った
。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を除き。After stirring overnight, the mixture was hydrolyzed and extracted with ether. After drying with magnesium sulfate, remove the solvent.
減圧蒸留を行って1.5−ビス(メチルフェニルシリル
)ナフタレンを27.4g(収率63%)を得た。Distillation under reduced pressure was performed to obtain 27.4 g (yield: 63%) of 1.5-bis(methylphenylsilyl)naphthalene.
この化合物の沸点は220〜235℃(O,OS〜0.
080Hg)で、融点は69〜72℃であった。The boiling point of this compound is 220-235°C (O,OS~0.
080 Hg), and the melting point was 69-72°C.
この化合物の機器分析の結果を以下に示す。The results of instrumental analysis of this compound are shown below.
111核磁気共鳴スペクトル(Cg D、溶媒中で測定
、δppm)
0.66(6H,d、 J=42Hz、 Mesi)、
6.59(2H,q。111 nuclear magnetic resonance spectrum (Cg D, measured in solvent, δppm) 0.66 (6H, d, J=42Hz, Mesi),
6.59 (2H, q.
J=4.2Hz、 H5i)、7.07.8(14Hy
II、 ringprotons)、8.33(2H
,d、 J=8.0Hz、 ringprotons)
赤外吸収スペクトル
v 5i−)12098cm−19Me−3L 125
3cm−’マススペクトル m/a=368(M”)元
素分析 C34H,、SL□
Ca1c’d C7g、20. H6,56F
ound C78,16,H6,43塩化パラジウ
ム59 、6m12の四塩化炭素100m+2を加え、
これに1,5−ビス(メチルフェニルシリル)ナフタレ
ン27.4gを四塩化炭素200mgに溶解したものを
滴下、3時間リフラックスさせた後、室温で終夜かくは
んした。反応溶液を濃縮し、得られた結晶を四塩化炭素
から再結晶して1,5−ビス(メチルフェニルクロロシ
リル)ナフタレン22.3g(収率69%)を得た。こ
の化合物の融点は205℃であった。得られた化合物の
機器分析の結果は、以下のとおりである。J=4.2Hz, H5i), 7.07.8(14Hy
II, ring protons), 8.33 (2H
, d, J=8.0Hz, ringprotons) Infrared absorption spectrum v 5i-) 12098cm-19Me-3L 125
3cm-' Mass spectrum m/a=368 (M") Elemental analysis C34H,, SL□ Ca1c'd C7g, 20. H6,56F
ound C78,16,H6,43 palladium chloride 59, add 6m12 of carbon tetrachloride 100m+2,
A solution of 27.4 g of 1,5-bis(methylphenylsilyl)naphthalene dissolved in 200 mg of carbon tetrachloride was added dropwise to the solution, refluxed for 3 hours, and then stirred overnight at room temperature. The reaction solution was concentrated, and the resulting crystals were recrystallized from carbon tetrachloride to obtain 22.3 g (yield: 69%) of 1,5-bis(methylphenylchlorosilyl)naphthalene. The melting point of this compound was 205°C. The results of instrumental analysis of the obtained compound are as follows.
1H核磁気共鳴スペクトル(CCL溶液中で測定、δp
pm)
0.72(68,s、 MeSi)、6.84〜7.6
(14H,rn。1H nuclear magnetic resonance spectrum (measured in CCL solution, δp
pm) 0.72 (68, s, MeSi), 6.84-7.6
(14H, rn.
ring protons)
7.70(2B、 d、 J=8.2Hz、 ring
protons)ZRスペクトル(KBr法により測
定)v Me−Si 1259c+a−’マススペ
クトル 膳/e=436(M”)元素分析 C24H,
、Si、CQ。ring protons) 7.70 (2B, d, J=8.2Hz, ring
protons) ZR spectrum (measured by KBr method) v Me-Si 1259c+a-' mass spectrum zen/e=436 (M") elemental analysis C24H,
, Si, CQ.
Ca1c’d C[i5.89、 H5,07F
ound C65,72、H5,0315−ビスメ
チルフェニルクロロシリルナフタナトリウム0.58g
を15rmuのトルエン リフラックス中で激しくかく
はんし、ディスバージョンにした後室温まで冷却した。Ca1c'd C [i5.89, H5,07F
ound C65,72, H5,0315-bismethylphenylchlorosilylnaphthasodium 0.58g
The mixture was vigorously stirred in 15 rmu of toluene reflux to achieve dispersion, and then cooled to room temperature.
1,5−ビス(クロロメチルフェニルシリル)ナフタレ
ン3.0gを固体のまま滴下し、8時間リフラックス、
かくはんした後。3.0 g of 1,5-bis(chloromethylphenylsilyl)naphthalene was added dropwise as a solid, and refluxed for 8 hours.
After stirring.
室温まで放冷した。酢酸、エタノール、水を順に用いて
ナトリウムを処理し、ベンゼンで抽出した。It was allowed to cool to room temperature. Sodium was treated with acetic acid, ethanol, and water sequentially, and extracted with benzene.
硫酸マグネシウムで乾燥後、溶液を濃縮し、エタノール
中に滴下して再沈を行った。得られた固体をろ過、乾燥
し、 ポリ[(1,2−ジメチル−1,2−ジフェニル
ジシラニレン)−1,5−ナフチレン〕(式〔l〕中R
1=メチル基、R2=フェニル基) 1.1g(収率4
4%)を得た。After drying with magnesium sulfate, the solution was concentrated and added dropwise to ethanol to perform reprecipitation. The obtained solid was filtered and dried, and poly[(1,2-dimethyl-1,2-diphenyldisilanylene)-1,5-naphthylene] (R in formula [l]
1=methyl group, R2=phenyl group) 1.1g (yield 4
4%).
このようにして得られたポリシラン化合物について、
GPCを用いて分子量を測定した結果、重量平均分子
jt(Mw)は25400であった。また、このポリシ
ラン化合物の融点は195〜206℃であった。このポ
リシラン化合物についての機器分析の結果を以下に示す
。Regarding the polysilane compound obtained in this way,
As a result of measuring the molecular weight using GPC, the weight average molecular jt (Mw) was 25,400. Moreover, the melting point of this polysilane compound was 195 to 206°C. The results of instrumental analysis of this polysilane compound are shown below.
1H核磁気共鳴スペクトル(CCQ、溶液中で測定、δ
ppm)
0.111(6H,brs、 MaSi)、6.5−8
.1(16H,II、 ringprotons)
13G核磁気共鳴スペクトル(CDCら溶液中で測定、
δppm)
−2,75,−2,11(MeSi)、124.47.
127.63゜128.58.131.43.134.
98.135.23.135.61.135.86.1
38.08(ring carbons)赤外吸収スペ
クトル
v Me−5i 1252cm−1
実施例2
実施例1で得られたポリジシラニレンナフチレン(式(
1)中R1=メチル基、R1=フェニル基)1gを10
m12のジクロロエタンに溶解した。この溶液を用いて
スピンコード液により絶縁基板上に7300人の厚さの
膜を形成した。1H nuclear magnetic resonance spectrum (CCQ, measured in solution, δ
ppm) 0.111 (6H, brs, MaSi), 6.5-8
.. 1 (16H, II, ringprotons) 13G nuclear magnetic resonance spectrum (measured in CDC et al. solution,
δppm) -2,75,-2,11 (MeSi), 124.47.
127.63°128.58.131.43.134.
98.135.23.135.61.135.86.1
38.08 (ring carbons) infrared absorption spectrum v Me-5i 1252 cm-1 Example 2 Polydisilanylene naphthylene obtained in Example 1 (formula (
1) R1=methyl group, R1=phenyl group) 1g to 10
Dissolved in 12 m dichloroethane. Using this solution, a film with a thickness of 7,300 wafers was formed on an insulating substrate using a spin code solution.
この膜にSbF、を気相にて供給してドーピングを行っ
た後、膜の導電性を測定した。導電性は四探針法を採用
して、膜に電圧を印加して流れる電流および電圧を測定
することにより評価した。この結果、この膜の導電率は
(σ)は0.58S/cn+であった。After doping this film by supplying SbF in a gas phase, the conductivity of the film was measured. Conductivity was evaluated by applying a voltage to the membrane and measuring the flowing current and voltage using the four-probe method. As a result, the conductivity (σ) of this film was 0.58 S/cn+.
Claims (2)
合物からなることを特徴とする新規な重合体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^2は、それぞれ独立にアルキ
ル基、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選
ばれた基を表わし、nは2以上の整数を表わす。)(1) A novel polymer characterized by comprising a polysilane compound represented by the following general formula [I]. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (In the formula, R^1 and R^2 each independently represent a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group, and n is 2 or more. (Represents an integer.)
ることを特徴とする導電性材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^2は、それぞれ独立にアルキ
ル基、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選
ばれた基を表わし、nは2以上の整数を表わす。)(2) An electrically conductive material comprising a polymer represented by the following general formula [I]. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (In the formula, R^1 and R^2 each independently represent a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group, and n is 2 or more. (Represents an integer.)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14070089A JPH036231A (en) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | New polymer and its use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14070089A JPH036231A (en) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | New polymer and its use |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036231A true JPH036231A (en) | 1991-01-11 |
Family
ID=15274704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14070089A Pending JPH036231A (en) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | New polymer and its use |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036231A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0781079A4 (en) * | 1994-09-06 | 1999-03-24 | Toshiba Silicone | METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC CIRCUIT |
| JP4916552B2 (en) * | 2007-09-07 | 2012-04-11 | 東芝キヤリア株式会社 | Recessed ceiling air conditioner |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14070089A patent/JPH036231A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0781079A4 (en) * | 1994-09-06 | 1999-03-24 | Toshiba Silicone | METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC CIRCUIT |
| JP4916552B2 (en) * | 2007-09-07 | 2012-04-11 | 東芝キヤリア株式会社 | Recessed ceiling air conditioner |
| US8636566B2 (en) | 2007-09-07 | 2014-01-28 | Toshiba Carrier Corporation | Ceiling-embedded air conditioner |
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