JPH0362497A - 薄膜エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセント素子Info
- Publication number
- JPH0362497A JPH0362497A JP1196978A JP19697889A JPH0362497A JP H0362497 A JPH0362497 A JP H0362497A JP 1196978 A JP1196978 A JP 1196978A JP 19697889 A JP19697889 A JP 19697889A JP H0362497 A JPH0362497 A JP H0362497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- moisture
- film
- proof
- electroluminescent element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は薄膜エレクトロルミネッセント素子（以下薄膜
ＥＬ素子と記す）、特に緻密な防湿膜を有する薄膜ＥＬ
素子に関する。
ＥＬ素子と記す）、特に緻密な防湿膜を有する薄膜ＥＬ
素子に関する。
［従来の技術］
薄膜ＥＬ素子は、ＥＬ発光層に高電界を印加することで
発光を得る発光素子である。ＥＬ発光層に用いられる材
料自体は、大気中において不安定な場合が多く、そのた
め素子形成後、背面からガラス板を装着し、薄膜ＥＬ素
子とガラス板との間にシリコンオイルなどの封止剤を注
入することで、素子を大気と遮断するという方法が実用
化されている。しかし、この場合、薄膜ＥＬ素子の作製
工程が複雑になり、又素子自体の重量および体積が大き
くなるという欠点がある。そのため、薄膜ＥＬ素子を大
気中から保護するために、素子が形成された後、防湿膜
を素子全面に形成するという方法が開示されている（例
えば、特開昭８１−２２４２９０）。防湿膜の条件とし
ては、化学的に安定であり、膜の緻密性が高いことが必
要である。化学的に安定な材料としては、窒化物や炭化
物等があるが、従来技術を用いて作製されたこれらの材
料の防湿膜は未だに実用化には至っていない。
発光を得る発光素子である。ＥＬ発光層に用いられる材
料自体は、大気中において不安定な場合が多く、そのた
め素子形成後、背面からガラス板を装着し、薄膜ＥＬ素
子とガラス板との間にシリコンオイルなどの封止剤を注
入することで、素子を大気と遮断するという方法が実用
化されている。しかし、この場合、薄膜ＥＬ素子の作製
工程が複雑になり、又素子自体の重量および体積が大き
くなるという欠点がある。そのため、薄膜ＥＬ素子を大
気中から保護するために、素子が形成された後、防湿膜
を素子全面に形成するという方法が開示されている（例
えば、特開昭８１−２２４２９０）。防湿膜の条件とし
ては、化学的に安定であり、膜の緻密性が高いことが必
要である。化学的に安定な材料としては、窒化物や炭化
物等があるが、従来技術を用いて作製されたこれらの材
料の防湿膜は未だに実用化には至っていない。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、化学的に安定でしかも緻密性の優れた防湿膜
を有する薄膜ＥＬ索子によって上記問題を解決しようと
するものである。
を有する薄膜ＥＬ索子によって上記問題を解決しようと
するものである。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明の構成は、少くとも片
側に絶縁体層を有するエレクトロルミネッセント発光層
の両側に互いに直交する電極を有する交流薄膜エレクト
ロルミネッセント素子の最外部に形成した防湿膜が、希
土類酸化物を含有する膜厚０．５〜２．０μ口の窒化ケ
イ素または窒化アルミニウムである薄膜エレクトロルミ
ネッセント素子である。
側に絶縁体層を有するエレクトロルミネッセント発光層
の両側に互いに直交する電極を有する交流薄膜エレクト
ロルミネッセント素子の最外部に形成した防湿膜が、希
土類酸化物を含有する膜厚０．５〜２．０μ口の窒化ケ
イ素または窒化アルミニウムである薄膜エレクトロルミ
ネッセント素子である。
この構成によって従来よりも優れたＥＬ特性を示す素子
が得られた。
が得られた。
窒化ケイ素あるいは窒化アルミニウムに希土類酸化物を
添加することで、作製した薄膜の緻密性が改善され、そ
の結果、薄膜の封止効果が向上する。そのため、添加す
る希土類酸化物の濃度は、少くとも １ｗｔ％以上が必
要である。また、５ｗｔ％以上では緻密性に変化がみら
れない。
添加することで、作製した薄膜の緻密性が改善され、そ
の結果、薄膜の封止効果が向上する。そのため、添加す
る希土類酸化物の濃度は、少くとも １ｗｔ％以上が必
要である。また、５ｗｔ％以上では緻密性に変化がみら
れない。
ゆえに添加する希土類酸化物の濃度範囲は１〜５ ｖｔ
％が望ましい。
％が望ましい。
又、防湿膜の膜厚については少くとも０．５μｍ以上で
なければ、防湿効果が得られなく、２．０μｍを越える
と薄膜作製後に剥離が生じる。
なければ、防湿効果が得られなく、２．０μｍを越える
と薄膜作製後に剥離が生じる。
そのため、最適膜厚としては０，５〜２．０μｍの範囲
が望ましい。
が望ましい。
本発明を構成する際、発光層の形成方法は特に限定する
必要はない。
必要はない。
薄膜ＥＬ素子の構造としては、何ら制限されることはな
く、したがって、従来用いられている構造、材料を用い
てもよい。
く、したがって、従来用いられている構造、材料を用い
てもよい。
以下、本発明を実施例によって、具体的に説明する。
［実施例］
ここでは、第１図に示したような構造を有するＳｒＳ：
Ｃｅ薄膜ＥＬ素子を作製した。
Ｃｅ薄膜ＥＬ素子を作製した。
ガラス基板１上にＺｎＯ：Ａｌ透明電極２を形成し、次
に絶縁層３としてＡＩＮをＲＦマグネトロンスパッタ法
を用いて作製した。
に絶縁層３としてＡＩＮをＲＦマグネトロンスパッタ法
を用いて作製した。
次に発光層４であるＳｒＳ：Ｃｅ薄膜を電子ビーム蒸着
法を用いて、基板温度５００℃で形成した。そして発光
層形成後、絶縁層５として先程と同様な方法で薄膜形成
を行い、最後に背面電極６として、ＡＩ薄膜を形成した
。
法を用いて、基板温度５００℃で形成した。そして発光
層形成後、絶縁層５として先程と同様な方法で薄膜形成
を行い、最後に背面電極６として、ＡＩ薄膜を形成した
。
最後にＡＩＮにＹ２Ｏ３をｌｖｔ％添加したターゲット
を用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法で薄膜（防湿膜
７）を作製した。その際、膜厚を０．３．０．５．１．
０．２．０μａ＋の４種類についてそれぞれ作製した（
２，０μｍを越える素子については、防湿膜が剥離を起
こしたため、本実施例では考慮しない）。
を用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法で薄膜（防湿膜
７）を作製した。その際、膜厚を０．３．０．５．１．
０．２．０μａ＋の４種類についてそれぞれ作製した（
２，０μｍを越える素子については、防湿膜が剥離を起
こしたため、本実施例では考慮しない）。
このようにして得られたＳｒＳ：Ｃｅ薄膜ＥＬ素子のそ
れぞれの発光輝度の時間変化を第２図に示す。素子の励
起には１ｋＨｚ 、 １００μｓの両極性パルス波電
圧を印加した。比較のために、防湿膜を形成していない
同様な素子とＹ２Ｏ３を添加せず、同じ膜厚を有するＡ
ＩＮ膜を防湿膜に用いた素子についても示す。
れぞれの発光輝度の時間変化を第２図に示す。素子の励
起には１ｋＨｚ 、 １００μｓの両極性パルス波電
圧を印加した。比較のために、防湿膜を形成していない
同様な素子とＹ２Ｏ３を添加せず、同じ膜厚を有するＡ
ＩＮ膜を防湿膜に用いた素子についても示す。
表
（第２図の説明）
第２図からもわかるように、何れの素子も時間と共に発
光輝度は減少していくが、その程度はＹ２Ｏ３を添加し
た防湿膜を有する素子のほうが小さい。また、それらの
中でも、防湿膜の膜厚が０．５μｍ以上の素子の特性が
優れていることがわかる。
光輝度は減少していくが、その程度はＹ２Ｏ３を添加し
た防湿膜を有する素子のほうが小さい。また、それらの
中でも、防湿膜の膜厚が０．５μｍ以上の素子の特性が
優れていることがわかる。
以上のようにＡＩＮにＹ２Ｏ３を添加することで従来技
術より優れたＥＬ特性が得られた。
術より優れたＥＬ特性が得られた。
本実施例では、希土類酸化物としてＹ２Ｏ３を用いたが
、他の希土類酸化物、例えばＬａ２Ｏ３、（： ｅ Ｏ
２、Ｐ ｒ Ｏ２、Ｎ ｄ ２０３、Ｓｍｚ ０３、Ｇ
ｄ２Ｏ３、ＤＹ２０３等を用いても同様な効果が得られ
た。
、他の希土類酸化物、例えばＬａ２Ｏ３、（： ｅ Ｏ
２、Ｐ ｒ Ｏ２、Ｎ ｄ ２０３、Ｓｍｚ ０３、Ｇ
ｄ２Ｏ３、ＤＹ２０３等を用いても同様な効果が得られ
た。
また、ＡＩＮの代わりにＳｉ３Ｎ４を用いても、希土類
酸化物の添加効果は同様なものが得られた。
酸化物の添加効果は同様なものが得られた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば従来の薄膜ＥＬ素
子より作製が容易で、しかも寿命が長い素子を提供する
ことができる。
子より作製が容易で、しかも寿命が長い素子を提供する
ことができる。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の具体的構成を示す断面
の模式図、 第２図は薄膜ＥＬ素子の防湿膜の性質とＥＬ素子の発光
強度の経時変化の関係を示すグラフである。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３．５・・・
絶縁層、４・・・発光層、 ６・・・背面電極、７・・
・防湿膜。
の模式図、 第２図は薄膜ＥＬ素子の防湿膜の性質とＥＬ素子の発光
強度の経時変化の関係を示すグラフである。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３．５・・・
絶縁層、４・・・発光層、 ６・・・背面電極、７・・
・防湿膜。
Claims (1)
- 少くとも片側に絶縁体層を有するエレクトロルミネッ
セント発光層の両側に互いに直交する電極を有する交流
薄膜エレクトロルミネッセント素子の最外部に形成した
防湿膜が、希土類酸化物を含有する膜厚０．５〜２．０
μｍの窒化ケイ素または窒化アルミニウムであることを
特徴とする薄膜エレクトロルミネッセント素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196978A JPH0362497A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196978A JPH0362497A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362497A true JPH0362497A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16366805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1196978A Pending JPH0362497A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362497A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067976B2 (en) | 2001-07-03 | 2006-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| US9178168B2 (en) | 2001-06-20 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | White light emitting device |
| CN107555488A (zh) * | 2017-08-25 | 2018-01-09 | 陕西科技大学 | 一种含钴层状钛酸钾板状粒子及其水热制备方法 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1196978A patent/JPH0362497A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9178168B2 (en) | 2001-06-20 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | White light emitting device |
| US7067976B2 (en) | 2001-07-03 | 2006-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| US7129102B2 (en) | 2001-07-03 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| US7372200B2 (en) | 2001-07-03 | 2008-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| CN107555488A (zh) * | 2017-08-25 | 2018-01-09 | 陕西科技大学 | 一种含钴层状钛酸钾板状粒子及其水热制备方法 |
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