JPH0362701A - セラミック振動共振子を用いた共振器 - Google Patents
セラミック振動共振子を用いた共振器Info
- Publication number
- JPH0362701A JPH0362701A JP19869989A JP19869989A JPH0362701A JP H0362701 A JPH0362701 A JP H0362701A JP 19869989 A JP19869989 A JP 19869989A JP 19869989 A JP19869989 A JP 19869989A JP H0362701 A JPH0362701 A JP H0362701A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- resonator
- hollow part
- porous materials
- ethylene tetrafluoride
- Prior art date
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- Granted
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、誘電体共振器に関する。
［従来の技術］
最近、マイクロ波帯を扱う装置の小型化に伴って、誘電
体共振器が広く使用されている。この誘電体共振器は、
主に、局部発振回路の周波数安定化共振素子として使用
され、円筒形共振器タイプ、４波管タイプのものが知ら
れている。
体共振器が広く使用されている。この誘電体共振器は、
主に、局部発振回路の周波数安定化共振素子として使用
され、円筒形共振器タイプ、４波管タイプのものが知ら
れている。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、誘電体共振器を高Ｑ、低損失であってさらに
小型化したいという要望が有るが、上記従来の誘電体共
振器では、その性能を維持しつつ小型化することには限
界があり、その要望を満たすことができないという問題
がある。
小型化したいという要望が有るが、上記従来の誘電体共
振器では、その性能を維持しつつ小型化することには限
界があり、その要望を満たすことができないという問題
がある。
本発明は、従来の誘電体共振器よりも小型軽量のａＡ
’ｉｌｊ体共振器を提供することを１−１的とするもの
である。
’ｉｌｊ体共振器を提供することを１−１的とするもの
である。
［課題を解決する手段］
本発明は、誘電率２．１以下の誘電体の中空部または、
２つの上記誘電体の間に、セラミック共振子を保持した
ものである。
２つの上記誘電体の間に、セラミック共振子を保持した
ものである。
［作用コ
本発明は、誘電率２．１以下の誘電体の中空部または、
２つの上記誘電体の間に、セラミック共振子を保持した
ので、誘電体共振器を高Ｑ、低損失であって、より小型
化することができる。
２つの上記誘電体の間に、セラミック共振子を保持した
ので、誘電体共振器を高Ｑ、低損失であって、より小型
化することができる。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例を示す縦断面図である。
この実施例は、２枚の平行金属板１０ａ、１０ｂの間に
４ぶつ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）２０が接合され、こ
の４ふっ化エチレン樹脂２０に長円形状の中空部３０が
設けられている。
４ぶつ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）２０が接合され、こ
の４ふっ化エチレン樹脂２０に長円形状の中空部３０が
設けられている。
中空部３０の内壁には多孔質材料４０ａ、４０ｂが設け
られ、これら多孔質材料４０ａ、４０ｂの間に円柱形状
のセラミック共振子５０が設けられている。多孔質材料
４０ａ、４０ｂとしては、多孔質ＰＴＦＥ （Ｅ−ＰＴ
ＦＥ）が好ましい。
られ、これら多孔質材料４０ａ、４０ｂの間に円柱形状
のセラミック共振子５０が設けられている。多孔質材料
４０ａ、４０ｂとしては、多孔質ＰＴＦＥ （Ｅ−ＰＴ
ＦＥ）が好ましい。
なお、金属板１０ａ、４ふっ化エチレン樹脂２０、多孔
質材料４０ａ、セラミック共振子５０、多孔質材料４０
ｂ、４ふっ化エチレン樹脂（登録商標） ２０、金属板１０ｂは、互いにテフロン系の接着剤で接
着されている。なお、損失がそれほど問題にならなけれ
ば、テフロン系の接着剤の代わりにエポキシ系の接着剤
を使用してもよい。
質材料４０ａ、セラミック共振子５０、多孔質材料４０
ｂ、４ふっ化エチレン樹脂（登録商標） ２０、金属板１０ｂは、互いにテフロン系の接着剤で接
着されている。なお、損失がそれほど問題にならなけれ
ば、テフロン系の接着剤の代わりにエポキシ系の接着剤
を使用してもよい。
中空部３０には、中心導体としての同軸アンテナ１ａ、
１ｂが設置されている。
１ｂが設置されている。
金属板１０ａ、１０ｂは、上下の共振電波の反射層を形
成するとともに、グランドに落とすためのものである。
成するとともに、グランドに落とすためのものである。
多孔質材料４０ａ、４０ｂは、機械的振動を吸収するク
ツション層の役割を果たし、このクツション層に空気が
自由に入るので、その電気的特性が優れる（高Ｑになる
）。
ツション層の役割を果たし、このクツション層に空気が
自由に入るので、その電気的特性が優れる（高Ｑになる
）。
第２図は、上記実施例における４ふっ化エチレン樹脂２
０の斜視図である。
０の斜視図である。
上記の構成にすることによって、高Ｑになり、損失が少
なく、共振器全体が軽量かつ小型になる。その形状は、
従来の誘電体共振器の約１７２〜１／３になる。また、
」二記のように４ぶつ化エチレン樹脂を一体で成型し、
その中空部３０にセラミック共振子５０を設置するよう
にすれば、セラミック共振子５０の取付位置の誤差が少
ない。
なく、共振器全体が軽量かつ小型になる。その形状は、
従来の誘電体共振器の約１７２〜１／３になる。また、
」二記のように４ぶつ化エチレン樹脂を一体で成型し、
その中空部３０にセラミック共振子５０を設置するよう
にすれば、セラミック共振子５０の取付位置の誤差が少
ない。
なお、中空部３０は長円形を威しているが、長方形等の
他の形状であってもよい。
他の形状であってもよい。
第３図は、本発明の他の実施例の縦断面図である。
この実施例において、金属板１１の内壁に、２つの４ぶ
つ化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂが接着剤で接着され、
４ふっ化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂの対向面に多孔質
材料４１ａ、４１ｂが、没けられ、これら多孔質材料４
１ａ、４１ｂの間に円柱形のセラミック共振子５１が取
付けられている。そして、金属板１１内の中空部３１に
は、同軸アンテナ２ａ、２ｂが取付けられる。
つ化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂが接着剤で接着され、
４ふっ化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂの対向面に多孔質
材料４１ａ、４１ｂが、没けられ、これら多孔質材料４
１ａ、４１ｂの間に円柱形のセラミック共振子５１が取
付けられている。そして、金属板１１内の中空部３１に
は、同軸アンテナ２ａ、２ｂが取付けられる。
−１−記者構成要素は、圧いにテフロン系の接着剤で接
着され、その損失がそれほど問題なければ、エポキシ系
の接着剤で接着するようにしてもよい。
着され、その損失がそれほど問題なければ、エポキシ系
の接着剤で接着するようにしてもよい。
第４図は、第３図に示す実施例における４ふっ化エチレ
ン樹脂２１ａ、７１ｂの斜視図である。
ン樹脂２１ａ、７１ｂの斜視図である。
第３．４図に示す実施例においては、４ふっ化エチレン
樹脂２１ａ、２１ｂが平行して設けられているが、この
２つの４ふっ化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂのたとえば
右端に縦方向に４ふり化エチレン樹脂を設け、いわゆる
コ字状に４ぶつ化エチレン樹脂を構成するようにしても
よい。また、１；記コ字状の４ふっ化エチレン樹脂に別
の４ぶつ化エチレン樹脂をその左端にも設け、４ふっ化
エチレン樹脂を額縁状に構成するようにしてもよい。
樹脂２１ａ、２１ｂが平行して設けられているが、この
２つの４ふっ化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂのたとえば
右端に縦方向に４ふり化エチレン樹脂を設け、いわゆる
コ字状に４ぶつ化エチレン樹脂を構成するようにしても
よい。また、１；記コ字状の４ふっ化エチレン樹脂に別
の４ぶつ化エチレン樹脂をその左端にも設け、４ふっ化
エチレン樹脂を額縁状に構成するようにしてもよい。
さらに、多孔質材料４０ａ、４０ｂ、４１ａ。
４１ｂの代わりに、４ふっ化エチレン樹脂を使用するよ
うにしてもよい。
うにしてもよい。
また、第１図の実施例から多孔質材料４０ａ、４０ｂを
削除し、セラミ・ンク共振子５０を４ふっ化エチレン樹
脂２０の内面に接着するようにしてもよい。この場合、
中空部３０の高さをセラミック共振子５０とほぼ同じに
する。上記と同様に、第３図の実施例から多孔質材料４
１ａ、４１ｂを削除し、セラミック共振子５１を４ぶつ
化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂの対向面に接着するよう
にしてもよい。このようにすると、電気的特性（Ｑ）が
多少低下するが、従来の誘電体共振器よりも共振器全体
の形状を小さくすることができる。
削除し、セラミ・ンク共振子５０を４ふっ化エチレン樹
脂２０の内面に接着するようにしてもよい。この場合、
中空部３０の高さをセラミック共振子５０とほぼ同じに
する。上記と同様に、第３図の実施例から多孔質材料４
１ａ、４１ｂを削除し、セラミック共振子５１を４ぶつ
化エチレン樹脂２１ａ、２１ｂの対向面に接着するよう
にしてもよい。このようにすると、電気的特性（Ｑ）が
多少低下するが、従来の誘電体共振器よりも共振器全体
の形状を小さくすることができる。
また上記実施例において、４ふっ化エチレン樹脂２０．
２１ａ、２１ｂはそノ誘電率が２．１−２．０４４’あ
り、多孔質材料４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂはその
誘電率が１．３以上である。したがって、Ｌ記実施例は
、円柱のセラミック共振子５０または５１を誘電率２．
１以下の誘電体で保持したものである。
２１ａ、２１ｂはそノ誘電率が２．１−２．０４４’あ
り、多孔質材料４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂはその
誘電率が１．３以上である。したがって、Ｌ記実施例は
、円柱のセラミック共振子５０または５１を誘電率２．
１以下の誘電体で保持したものである。
なお、４ふっ化エチレン樹脂２０．２１ａ、２１ｂの代
わりに、４ふっ化エチレン樹脂に３０重量％以下の中空
ガラスバルブスを混合して成型した誘電体を使用するよ
うにしてもよい。このようにして成型した誘電体の誘電
率は、１．８〜１．７である。
わりに、４ふっ化エチレン樹脂に３０重量％以下の中空
ガラスバルブスを混合して成型した誘電体を使用するよ
うにしてもよい。このようにして成型した誘電体の誘電
率は、１．８〜１．７である。
［発明の効果］
本発明によれば、誘電体共振器を高Ｑ、低損失であって
、より小型化することができるという効果を奏する。
、より小型化することができるという効果を奏する。
第１図は、本発明の一実施例を示す縦断面図である。
第２図は、」−記実施例における４ふつ化エチレン樹脂
２０の斜視図である。 第３図は、本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 第４図は、第３図に示す実施例における４ふつ化エチレ
ン樹脂２１ａ、２１ｂの斜視図である。 １０ａ、１０ ｂ、１１・・・・、、金属板、２０．２
１ａ、２１ｂ・・・・・・４ふつ化エチレン樹脂、 ３０、 １・・・・・・中空部、 ４０ａ 、 ４０ｂ 、 ４１ａ 、 １ ｂ・・・・・・多孔質材 料、 ０ １・・・・・・共振子。
２０の斜視図である。 第３図は、本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 第４図は、第３図に示す実施例における４ふつ化エチレ
ン樹脂２１ａ、２１ｂの斜視図である。 １０ａ、１０ ｂ、１１・・・・、、金属板、２０．２
１ａ、２１ｂ・・・・・・４ふつ化エチレン樹脂、 ３０、 １・・・・・・中空部、 ４０ａ 、 ４０ｂ 、 ４１ａ 、 １ ｂ・・・・・・多孔質材 料、 ０ １・・・・・・共振子。
Claims (3)
- （１）誘電率２．１以下の誘電体の中空部または、２つ
の上記誘電体の間に、セラミック共振子を保持したこと
を特徴とする誘電体共振器。 - （２）請求項（１）において、 上記誘電率２．１以下の誘電体と上記セラミック共振子
との間に多孔質材料が設けられていることを特徴とする
誘電体共振器。 - （３）請求項（１）において、 上記誘電率２．１以下の誘電体は、４ふっ化エチレン樹
脂または、４ふっ化エチレン樹脂に３０重量％以下の中
空ガラスバブルスを混合して成型した誘電体であること
を特徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198699A JPH07120890B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | セラミック振動共振子を用いた共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198699A JPH07120890B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | セラミック振動共振子を用いた共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362701A true JPH0362701A (ja) | 1991-03-18 |
| JPH07120890B2 JPH07120890B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16395558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198699A Expired - Lifetime JPH07120890B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | セラミック振動共振子を用いた共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120890B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160069750A1 (en) * | 2014-09-10 | 2016-03-10 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Thermal well for transformer and methods |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204601A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | 二重モ−ドフイルタ |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1198699A patent/JPH07120890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204601A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | 二重モ−ドフイルタ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160069750A1 (en) * | 2014-09-10 | 2016-03-10 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Thermal well for transformer and methods |
| US10317289B2 (en) * | 2014-09-10 | 2019-06-11 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Thermal well for transformer and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120890B2 (ja) | 1995-12-20 |
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