JPS6161722B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマイクロウエーブ・フイルタに、細目
的には周波数マルチプレクサ又はデマルチプレク
サの如き信号変換装置中のマイクロウエーブ・フ
イルタとして使用される誘導体共振器のコンパク
トなハウジングに関する。

マイクロウエーブ・フイルタは通常高効率でか
つコンパクトとなるように設計される。効率は低
損失フアクタまたは高品質フアクタで特徴づける
ことが出来る。多数のフイルタが限られた空間内
に近接して配置される周波数マルチプレクサ又は
デマルチプレクサなどの応用用途にあつてはフイ
ルタの大きさがコンパクトであることが要求され
る。更に、フイルタは共振器間結合の如き近接配
置されたフイルタ間の干渉が最小となるよう設計
される。

当業者において周知のマイクロウエーブ・フイ
ルタは空洞共振器（これに関してはエヌ・エール
リツヒ等による“セル・サイト・ハードウエ
ア”、ザ・ベル・システム・テクニカル・ジヤー
ナル、第58巻、1979年１月、pp.153−199を参照
されたい）または誘電体共振器を用いて設計され
ている。マイクロウエーブ・フイルタにおいては
誘電体共振器を使用した方がより高い品質フアク
タが得られる。米国特許第3938064号に示されて
いるようにバリウム・タンタネイトBa₂Ti₉O₂₀か
ら成るセラミツク誘電体共振器は相応する空洞共
振器よりも高い品質のフアクタを呈する。従つ
て、誘電体共振器はより効率の高いマイクロウエ
ーブ・フイルタであると言えよう。

誘電体共振器はその共振周波数における電磁放
射により励起される。励起された誘電体共振器か
らの放射は近傍に配置された他の誘電体共振器と
干渉し、これを励起する可能性がある。この型の
干渉現象は共振器間結合と呼ばれる。各々の誘電
体共振器を個別に囲み、電磁伝播の特定のモード
および周波数に適応するよう設計されたハウジン
グにより共振器間結合は実質的に除去される。し
かし、これらハウジングはハウジングと励起され
た誘電体共振器との間の電磁結合によりマイクロ
ウエーブ・フイルタの効率を低下させることがあ
る。

誘電体共振器に電磁的に結合された理論的に最
適な従来のハウジングは通常予め定められた形状
を有するハウジングとなる。この従来のハウジン
グは最適な電気特性は有しているが、ハウジング
の大きさは極度に大きくなり、限られた空間内に
幾つかのフイルタを納めなければならないような
場合には非現実的である。このように誘電体共振
器を用いるマイクロウエーブ・フイルタにおいて
は電気的特性の最適化と大きさを減少させること
とは相矛盾する。

ある例においては、直円柱形状のハウジング
は、TE₀₁〓の如きTE伝播モードを支援するべく
ハウジング内に同心円を成すように配置された同
じような形状の誘電体共振器を取囲んでいる。こ
のようなハウジングを有するマイクロウエーブ・
フイルタを電気的に最適化すると、その直径が誘
電体共振器の直径の少くとも２倍のハウジングが
必要となる。結果として得られたハウジングの大
きさは限られた空間中に配置し得るマイクロウエ
ーブ・フイルタの数を大幅に制限することにな
る。従つて、この電気的に最適化されたマイクロ
ウエーブ・フイルタは、周波数マルチプレクサ又
はデマルチプレクサの如くマイクロウエーブ・フ
イルタの大きさが重要な評価基準となるような応
用用途で使用することは非現実的である。

大きさが減少されかつ実質的に最適な電気特性
は、平面状断面が実質的に楕円形状を有している
囲まれた空洞を形成する内側表面を含むハウジン
グを有するマイクロウエーブ・フイルタにより達
成された。各楕円断面の少くとも１つの軸は空洞
中の第１の表面からの垂直距離と共にその長さが
単調に増加するようになつている。その結果得ら
れるユニークな空洞の形状は実質的に最適な電気
特性を呈するコンパクトなハウジングを与える。

本発明の１実施例では、ハウジングの内部表面
は実質的に平坦な上部および下部表面を有する空
洞を形成する。誘電体共振器は空洞内において予
め定められた関係を有するよう配置されており、
少くとも２つの端子メンバがハウジングの外側か
ら空洞中に延びている。上部および下部表面とそ
の間においてこれら表面と平行な平面状断面は実
質的に楕円である。各々の相続く断面の楕円の軸
は下部表面からの垂直距離に伴つて増加する。そ
の結果コンパクトな低域マイクロウエーブ・フイ
ルタが得られる。ハウジングと誘電体共振器の間
の電磁結合はマイクロウエーブ・フイルタの電気
的に最適な特性を保持したまま最小化される。

本発明の更に完全な理解は以下の詳細な記述な
らびに図面から得られよう。

第１図は本発明の特徴を実現するマイクロウエ
ーブ・フイルタの分解図である。該マイクロウエ
ーブ・フイルタはハウジング・セクシヨン２１お
よび２２、誘電体共振器アセンブリ１０、端子メ
ンバ３０，３５およびチユーナ・アセンブリ４０
を含んでいる。

ハウジング・セクシヨン２１および２２は適当
に整列させて結合させたとき、囲われた空洞を形
成する内部表面を有するハウジングを形成する。
該空洞は互いに平行な２つの実質的に平坦な表
面、即ちハウジング・セクシヨン２１中の表面２
３（第２図）とハウジング・セクシヨン２２中の
表面２３（第２図）を有している。空洞の表面２
３および２４（第２図）の中間において平行に切
つた平断面は楕円形をしている。各楕円は長軸お
よび短軸の両者を有している。各々の相続く楕円
の少くとも１つの予め定められた軸は表面２３
（第２図）からの垂直距離に関して単調にその長
さが増大する。実験例では、少くとも１つの予め
定められた軸は各楕円の短軸である。従つて各々
の楕円断面は表面２３（第２図）により近い楕円
断面に比べてより遠いものは円形状に近づく傾向
を有している。この例では楕円断面が円形となる
と、即ち長軸と短軸の長さが等しくなると、相続
く断面は円形状態に留まる。このユニークな形状
の結果、コンパクトな最適電気特性（即ち同じ誘
電体共振器を囲む最適設計された直円柱ハウジン
グと比べて0.3dB以内の損失）を有するマイクロ
ウエーブ・フイルタが得られる。

ハウジング・セクシヨン２１および２２は導電
性を持つた内部表面を有するよう構成されてい
る。図示の例ではハウジング・セクシヨン２１お
よび２２を製造するのにアルミニウムが使用され
ている。他は実施例では、ハウジング・セクシヨ
ン２１および２２は、電導性を有する内部表面を
形成するようその上に導電物質がボンドされたプ
ラスチツク物質から構成されている。

誘電体共振器１１は空洞の表面２３および２４
（第２図）に平行な少くとも２つの平坦な表面を
有する誘電体物質のブロツクである。実験例では
誘電体共振器１１は前述の米国特許第3938064号
で示されているような例えばBa₂Ti₉O₂₀の如きセ
ラミツク物質である。第１図に示すように誘電体
共振器１１は直円柱として構成されている。この
形状は実験例で使用したマイクロウエーブ・フイ
ルタの誘電体共振器１１の共振周波数の特定の
TEモード（例えばTE₀₁〓）の伝播を支援するの
に望ましい。TE₀₁〓は最も低次の円柱状モード
である。

誘電体共振器１１の実際の大きさは特定の共振
周波数、フイルタの同調レンジおよび電磁モード
を決定すれば、周知の手法によつて求めることが
出来る。図示の例では誘電体共振器１１の直径対
高さの比はTE₀₁〓モードにおいて周波数レンジ
880MHz±10MHzにわたつて共振周波数を支援す
るため約２：１に選ばれている。誘電体共振器１
１の大きさはハウジング・セクシヨン２１および
２２の大きさと相関関係があることは明らかであ
る。詳細に述べると、ハウジング・セクシヨン２
１および２２の内側表面の大きさは、ハウジン
グ・セクシヨン２１および２２と誘電体共振器１
１の間の電磁結合により導入される損失を最少と
し、かつマイクロウエーブ・フイルタの大きさを
コンパクトな状態に保持するよう選択される。

誘電体共振器１１は誘電体共振器アセンブリ１
０を形成するべく基板１２上にマウント・保持さ
れている。基板１２は低電導性（誘電率が小）か
好ましくは非電導性の物質で出来ている。エポキ
シが誘電体共振器１１を基板１２上に付着させる
ために使用されている。誘電体共振器１１を基板
１２上にマウントすることにより誘電体共振器１
１と少くとも空洞の表面２３および２４（第２
図）との間の適当な空間的位置関係が保証され
る。誘電体共振器１１の２つの平行で平坦な表面
は基板１２によつて空洞の表面２３および２４
（第２図）に平行した状態に保持される。図示の
例においては、誘電体共振器１１の外側円柱表面
は空洞の中央に位置し、端子メンバ３０および３
５から等距離にあり、それによつてマイクロウエ
ーブ・フイルタの端子メンバ３０と３５の間にお
ける最適電力転送が行なわれることを保証してい
る。

端子メンバ３０および３５はマイクロウエー
ブ・フイルタの入出力ポートである。いずれの端
子メンバ３０および３５もハウジング・セクシヨ
ン２１の外側から空洞の内側に向つて延びてお
り、ハウジング・セクシヨン２１の対向した位置
に設けられている。コネクタ３１および端子ルー
プ３２が端子メンバ３０を形成し、コネクタ３３
および端子ループ３４（第２図）が端子メンバ３
５を形成している。コネクタ３１および３３はマ
イクロウエーブ・フイルタへの電気的接続を可能
とする。コネクタ３１および３３の各々の中心電
導性端子（図示せず）はハウジング・セクシヨン
２１およびコネクタ３１および３３の各々から電
気的に絶縁されている。端子ループ３２および３
４（第２図）の各々はハウジング・セクシヨン２
１とコネクタ３１および３３の中心電導性端子の
間に接続されている。実施例においては、同軸コ
ネクタをコネクタ３１および３３に使用した。ま
た端子ループ３２および３４（第２図）の各々は
空洞中に延びる引き伸ばされた半円形ループを形
成している。端子ループ３２および３４（第２
図）の大きさおよび形状はマイクロウエーブ・フ
イルタに対して選択された特定の電磁モード（例
えばTE₀₁〓）と関連しており、端子メンバ３０
および３５の間における最適電力転送を保証す
る。

誘電体共振器１１は特定の電磁動作モードが与
えられると、その共振周波数を中心とする周波数
特性を有する。ハウジング・セクシヨン２２中に
納められたチユーナ・アセンブリ４０は、周波数
応答特性の中心周波数を共振周波数からシフトさ
せる手段を提供するものである。実験例では、誘
電体共振器１１は870MHzの共振周波数を有して
おり、周波数レンジ880MHz±10MHzにわたつて
同調可能である。

チユーニング板４１、シヤフト４２およびノブ
４３がチユーナ・アセンブリ４０を形成してい
る。シヤフト４２はハウジング・セクシヨン４２
の外側から空洞中に延びており、チユーニング調
整を容易にするためチユーニング板４１およびノ
ブ４３に接続されている。シヤフト４２はハウジ
ング・セクシヨン２２中のアパーチヤを通してス
ライド可能であり、チユーニング板４１を誘電体
共振器１１に近づけたり、遠ざけたりすることが
出来る。チユーニング板４１は誘電体共振器１１
の平坦な表面に平行で平坦な表面を有している。
実験例ではチユーニング板４１および誘電体共振
器１１はほぼ等しい直径を有している。しかし、
チユーニング板の直径はハウジング・セクシヨン
２２内に形成された空洞の内側の物理的限界まで
拡大することは可能である。

動作状態において、チユーニング板４１が誘電
体共振器１１に近づけられると、周波数応答特性
は誘電体共振器１１の共振周波数より高い中心周
波数の周りの位置にシフトされる。ハウジング・
セクシヨン２２中のチユーナ・アセンブリを取り
除き、空洞の表面２４（第２図）から誘電体共振
器１１の最も近い平坦な表面までの垂直距離を慎
重に選択することにより同調式でない固定周波数
マイクロウエーブ・フイルタが実現し得ることは
当業者にあつては明白である。同調式マイクロウ
エーブ・フイルタ装置では、チユーニング板４１
は非同調式マイクロウエーブ・フイルタの空洞の
表面２４（第２図）と類似の仕方で機能する。何
故ならば該チユーニング板４１は誘電体共振器１
１から生起する電磁界と直接相互作用するからで
ある。

第２図は第１図に示すマイクロウエーブ・フイ
ルタの１部分を切取つて示す図である。この図か
ら誘電体共振器１１、チユーニング板４１および
空洞の表面２３および２４が互いに平行な関係に
あることは明らかである。更に、端子ループ３２
および３４も誘電体共振器１１の平坦な表面に平
行で共平面を成すことは明らかである。

第３図は空洞の表面２３から垂直な方向に向つ
て延びる空洞の相続く断面の楕円形状を示すもの
である。このユニークな形状により、誘電体共振
器１１（第１および２図）とハウジング・セクシ
ヨン２１および２２の間の電磁結合によつて導入
される損失を最小限にしたままコンパクトなマイ
クロウエーブ・フイルタを提供するものである。
２つの断面、４−４および５−５がハウジング・
セクシヨン２１の断面図を与える。平面４−４は
各楕円の長軸に沿つており、平面５−５は短軸に
沿つている。

切断平面４−４および５−５に沿うハウジン
グ・セクシヨン２１の断片図を第４および５図に
示す。第５図において各楕円の短軸は表面２３か
ら表面２４に至る垂直距離に比例して単調に増加
する。

周波数マルチプレクサ／デマルチプレクサが本
ハウジングを使用するコンパクトな低域マイクロ
ウエーブ・フイルタの重要な応用用途である。周
波数マルチプレクサまたはデマルチプレクサは広
帯域チヤネルと多数の狭帯域チヤネルの間で信号
を変換する装置を使用する。各々の狭帯域チヤネ
ルは広帯域チヤネル内の周波数を互いに重ならな
い状態で占有する。周波数マルチプレクサに応用
する場合、互いに重ならない周波数帯域の各々の
中心周波数に同調されたマイクロウエーブ・フイ
ルタは狭帯域チヤネルからの入力信号を整形す
る。周波数デマルチプレクサにあつては、マイク
ロウエーブ・フイルタは広帯域チヤネル上の他の
信号から狭帯域チヤネルを抽出する。

第６図は本発明の特徴を実現する16個のコンパ
クトな低域マイクロウエーブ・フイルタを含む信
号変換装置（即ち周波数マルチプレクサまたは周
波数デマルチプレクサ）の部分図である。第６図
には５個のコンパクトな低域マイクロウエーブ・
フイルタ６００ａ−ｅが示されている。これらフ
イルタに関しては既に詳細に述べ、第１図乃至第
５図に示されている。信号変換装置はフイルタ６
００ａ−ｐ（フイルタ６００ｆ−ｐは図示せ
ず）、信号変換デイスク６０１および共通端子６
０３を有している。

広帯域チヤネル信号は共通端子６０３に存在す
る。狭帯域チヤネル信号は各マイクロウエーブ・
フイルタ６００ａ−ｐの端子メンバ、例えばフイ
ルタ６００ａ（第７図）のコネクタ３３ａに存在
する。信号変換デイスク６０１は各フイルタ６０
０ａ−ｐ（フイルタ６００ｆ−ｐは図示せず）中
の端子メンバを電気的に共通端子６０３に接続す
る。

切断平面７−７および８−８が第６図に示され
ている。第７図および第８図は第６図の切断平面
７−７および８−８で切断した断面図である。

１実施例にあつては信号変換器デイスク６０１
は平坦な、即ち平面状多層円形デイスクである。
フイルタ６００ａ−ｐ（フイルタ６００ｆ−ｐは
図示せず）は信号変換器デイスク６０１上に配置
支持されている。第６図、第７図および８図に示
す実施例においては、８つのフイルタが信号変換
器デイスク６０１の見える側に配置支持されてお
り、残りの８つのフイルタは信号変換器デイスク
６０１の反対側に配置支持されている。

ストリツプ・コネクタ６０２ａ−ｐ（第６
図）、信号変換器デイスク層６１０，６１１，６
１２および６１３、およびスペーサ６０６が信号
変換器デイスク６０１中に含まれている。層６１
０および６１１は電導性の金属物質より出来てお
り、信号変換器デイスク６０１上のフイルタ６０
０ａ−ｐの共通電位点、即ち地気面として使用さ
れている。層６１２および６１３は非電導性物質
より出来ており、金属ストリツプ・コネクタ６０
２ａ−ｐ（第６図）のキヤリアとして使用されて
いる。この例では層６１０，６１１，６１２およ
び６１３は円形である。層６１０および６１１の
直径は実質的に等しく、層６１２または６１３の
直径（これらもまた等しい）より大である。スペ
ーサ６０６は層６１０または６１１の直径にほぼ
等しい外側直径を有し、層６１２または６１３の
直径より大なる内側直径を有する円形リングであ
る。スペーサ６０６は信号変換器デイスク６０１
の外側部分を支持するのに使用される。空気ギヤ
ツプ６０５はストリツプ・コネクタ６０２ａ−ｐ
（第６図）とスペーサ６０６の間の付加的絶縁媒
質を形成する。

図示の例ではストリツプ・コネクタ６０２ａ−
ｐ（第６図）は層６１２又は層６１３又は層６１
２および６１３の上に配置されている。ある技法
においては、金属コーテイングを層６１２の平面
状表面から選択的にエツチングして取り去ること
により、ストリツプ・コネクタ６０２ａ（第７
図）および６０２ｃ，ｅ，ｇ，ｉ，ｋ，ｍおよび
ｏ（第６図）が形成される。同様に、層６１３の
平面状表面を選択的にエツチングして取り除いた
金属コーテイングがストリツプ・コネクタ６０２
ｂ（第８図）および６０２ｄ，ｆ，ｈ，ｊ，ｌ，
ｎおよびｐ（第６図）を形成する。信号変換器デ
イスク６０１に組み立てるとき、ストリツプ・コ
ネクタ６０２ａ−ｐは多層信号変換器デイスク６
０１の最も内側の表面において実質的に共平面を
成す。

第７図に示す例では、フイルタ６００ａのハウ
ジングおよび層６１０から絶縁されているフイル
タ６００ａの端子ループ６００ａは信号変換器デ
イスク６０１の最も内側の表面において層６１２
上のストリツプ・コネクタ６０２ａに接続されて
いる。同様に図示はしてないが、端子ループ６０
０ｃ，ｅ，ｇ，ｉ，ｋ，ｍおよびｏ中の端子ルー
プ３２ｃ，ｅ，ｇ，ｉ，ｋ，ｍおよびｏ（これら
はフイルタ・ハウジングおよび層６１０から絶縁
されている）は信号変換器デイスク６０１の最も
内側の表面において夫々層６１２上のストリツ
プ・コネクタ６０２ｃ，ｅ，ｇ，ｉ，ｋ，ｍおよ
びｏに接続されている。第８図において、フイル
タ６００ｂ中の端子ループ３２ｂを信号変換器デ
イスク６０１の最も内側の表面において層６１３
上のストリツプ・コネクタ６０２ｂに接続するこ
とは上述したと同様な接続を意味する。同様に図
示はしないが端子ループ３２ｄ，ｆ，ｈ，ｊ，
ｌ，ｎおよびｐは信号変換器デイスクの最も内側
表面において層６１３上のストリツプ・コネクタ
６０２ｄ，ｆ，ｈ，ｊ，ｌ，ｎおよびｐに接続さ
れている。

共通端子６０３は該共通端子６０３から絶縁さ
れた中心導線６０４を有している。各ストリツ
プ・コネクタ６０２ａ−ｐの終端に接続された中
心導線６０４（第７および８図）は各フイルタ６
００ａ−ｐに対する共通接続終端点となつてい
る。各ストリツプ導線６０２ａ−ｐの長さおよび
それに相応する端子ループ３２ａ−ｐは各端子ル
ープ３４ａ−ｐから共通端子６０３への電力転送
を最適化するように選択されている。この例では
各ストリツプ・コネクタ６０２ａ−ｐの長さおよ
びそれに相応する端子ループ３２ａ−ｐは予め定
められた周波数の1/4波長の奇数倍、例えば3/4波
長となつている。予め定められた１つの周波数と
は広帯域チヤネルの中心周波数である。１実施例
においては、広帯域チヤネルは中心周波数
880MHzを有し870〜890MHzの間に広がつてい
る。従つて、各ストリツプ・コネクタ６０２ａ−
ｐの長さは880MHzの波長の3/4として計算され
る。第６図、第７図および８図に示す装置におい
ては、フイルタ６００ａ−ｐは各フイルタ６００
ａ−ｐを対象とする広帯域チヤネル内の特定の狭
帯域チヤネルに同調させるセラミツク
（Ba₂Ti₉O₂₀）誘電体共振器およびチユーナ・アセ
ンブリを含んでいる。16個のフイルタを使用して
いるのは単に例として示すものであつて信号変換
器装置の他の実施例で使用されるフイルタまたは
チヤネルの数に制限を加えるものではないことは
当業者にあつては明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図は本発明の特徴を
実現する誘電体共振器およびハウジングを合体さ
せたマイクロウエーブ・フイルタを示す図、第４
図は第３図に示す矢印の方向に向つて平面４−４
で切断した本発明の特徴を実現するマイクロウエ
ーブ・フイルタの１部分の断片図、第５図は第３
図に示す矢印の方向に向つて平面５−５で切断し
た本発明の特徴を実現するマイクロウエーブ・フ
イルタの１部分の断片図、第６図、第７図および
第８図は本発明の特徴を実現するマルチプレクサ
装置を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、ハウジング……２
１，２２、第１の表面……２３、第２の表面……
２４，４１、誘電体共振器……１１、支持手段…
…１２、端子メンバ……３０，３５、引き伸ばさ
れた半円形ループ……３２，３４。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 実質的に平坦な第１の表面から実質的に平坦
   な第２の表面に向かつて延びる囲まれた空洞を形
   成する導電性の内部表面を有するハウジング； 前記空洞の第１及び第２の表面に平行で、その
   共振周波数のTEモードを支援するべく作られた
   空洞中において予め定められた空間的位置関係を
   有するよう配置されている平面状表面を有する誘
   電体共振器；及び ハウジングの外側から、空洞の中に延びており
   電磁エネルギーを誘電体共振器との間で転送する
   べくハウジングから電気的に絶縁されている入力
   及び出力端子メンバを含むマイクロウエーブ・フ
   イルタとして使用し得る装置において、 ハウジングの内側表面は第１及び第２の表面と
   該両表面の間にこれと平行な断面が実質的に第１
   及び第２の軸を有する楕円形の側面を有し該第１
   及び第２の軸の少なくとも一方は第１の表面から
   の垂直距離と共に長さが単調に増大し、該装置は
   実質的に最適な電気特性を有することを特徴とす
   るマイクロウエーブ・フイルタとして使用し得る
   装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の装置におい
   て、 前記誘電体共振器の平面状表面と平行な関係を
   保持したまま前記第１の表面に対して選択的に変
   位し得るチユーニング板を更に備えたことを特徴
   とするマイクロウエーブ・フイルタとして使用し
   得る装置。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の装
   置において、 ハウジングは更に、 実質的に平坦な第１の表面から第１の平面状開
   口に延びる空洞を形成する内側表面を有する第１
   のハウジング・セクシヨン、及び 少なくとも実質的に平坦な第２の表面から第２
   の平面状開口に延びる空洞を形成する内部表面を
   有する第２のハウジング・セクシヨン、を有し 前記第１及び第２の平面状開口の各断面中の楕
   円の第１及び第２の軸が実質的に等しいことを特
   徴とするマイクロウエーブ・フイルタとして使用
   し得る装置。 ４ 特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の装
   置において、 更に誘電体共振器を空洞中の予め定められた空
   間的位置に保持する低い誘電率を有する支持手段
   を備えたことを特徴とするマイクロウエーブ・フ
   イルタとして使用し得る装置。 ５ 特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の装
   置において、 前記端子メンバが空洞中に引伸ばされた反円形
   ループを含み、各ループは該端子メンバ間の電力
   転送を最適化するよう配置されていることを特徴
   とするマイクロウエーブ・フイルタとして使用し
   得る装置。 ６ 特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の装
   置において、 前記誘電体共振器はセラミツクであることを特
   徴とするマイクロウエーブ・フイルタとして使用
   し得る装置。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載の装置におい
   て、 前記セラミツクはBa₂Ti₉O₂₀であることを特徴
   とするマイクロウエーブ・フイルタとして使用し
   得る装置。