JPH0362794B2 - - Google Patents
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- JPH0362794B2 JPH0362794B2 JP56155706A JP15570681A JPH0362794B2 JP H0362794 B2 JPH0362794 B2 JP H0362794B2 JP 56155706 A JP56155706 A JP 56155706A JP 15570681 A JP15570681 A JP 15570681A JP H0362794 B2 JPH0362794 B2 JP H0362794B2
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- Japan
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- mol
- plating bath
- sulfate
- concentration
- cobalt
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Description
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によ
つて記録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体(磁性膜)を作製するめつき浴に関する
ものである。
従来、一般の磁気デイスク装置、磁気テープ装
置などの磁気記録装置においては、基板上に形成
された磁気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつ
て水平方向に磁化することにより記録を行なつて
いる。
しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この問題解決のため短波
長になる程反磁界が小さくなく性質をもつ垂直記
録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気記
録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸
をもつCo−Crスパツタ膜が提案されている。そ
して、この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の
磁化による記録方式に比べて高密度記録に優れて
いることが報告されている(特開昭52−134706号
公報参照)。ところでCo−Cr膜をスパツタ法によ
り作製する場合、真空系内で行うため量産性に問
題がある。
このためこの様な製造上の問題点を改善して量
産性に優れた無電解めつき法により、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を製造す
る無電解めつき浴が見い出されている(特願昭56
−025833、“無電解めつき浴”)。ところが前記無
電解めつき浴においてはマンガン濃度が増加する
に従つてα−Co六方晶のC軸(磁化容易軸)が
基板に対して面内方向から垂直方向に変化させる
が、磁性膜の飽和磁化Msの低下が少なく2πM2 sで
表現される反磁界のエネルギーの減少が十分でな
いことが垂直磁化記録の障碍となりうるという欠
点があつた。
本発明の目的は、この問題を改善して飽和磁化
Msの低下がはかられ、かつ膜面に垂直な方向に
磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を製造できる無電
解めつき浴を提供することにある。
本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、コバルトイオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調節
剤、コバルトイオンの錯化剤としてマロン酸基お
よびリンゴ酸基またはマロン酸基およびグルコン
酸基を含み、添加剤として0.02〜0.2mol/のマ
ンガンイオンを含む水溶液に、ニツケルイオンを
加えたことを特徴としており、これにより膜面に
垂直な方向に磁化容易軸が配向した磁気記録媒体
の飽和磁化を低下するとができる。
本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオン、マンガンイオン、ニツケルイオン
としては、コバルト、マンガンあるいはニツケル
の硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電
解めつき浴中に溶解することによつて供給され
る。コバルトイオンの濃度は、0.002〜1mol/
の範囲が用いられるが、好ましくは0.01〜
0.15mol/の範囲である。マンガンイオンの濃
度は0.003〜2mol/の範囲が用いられるが好ま
しくは0.02〜0.2mol/の範囲である。
ニツケルイオンの濃度は、0〜0.5mol/の
範囲が用いられるが、好ましくは0.002〜
0.08mol/の範囲である。還元剤としては次亜
リン酸塩が普通に用いられるが、ヒドラジン酸
類、ホウ水素化物なども用いることができる。
PH緩衝剤としては アンモニウム塩、炭酸塩、
有機酸塩などが使用され、0.01〜2mol/の範
囲の濃度が用いられる。
PH調節剤としては、PHと上昇にはアンモニア、
水酸化ナトリウムのどのアルカリが用いられ、PH
の降下には硫酸、塩酸などの酸が用いられる。
錯化剤としては、マロン酸またはマロン酸の可
溶性塩、グルコン酸またはグルコン酸の可溶性
塩、リンゴ酸またはリンゴ酸の可溶性塩などが用
いられる。
以下、本発明による無電解めつき浴の特長を比
較例および実施例により説明する。
比較例
エタノール脱脂後水洗を行つた鋼基板に下記条
件にて活性化処理を施した後、下記のめつき浴組
成及びめつき条件にてその上にCo−Mn−P膜
(膜厚1μm)を形成した。
活性化処理条件
HS101B(日立化成製)60c.c./、塩酸320c.c./
純水620c.c./を組成とする活性液に3分間浸
漬する。
促進化処理条件
ADP201(日立化成製)200c.c./、純粋800
c.c./を組成とする促進液に3分間浸漬する。
めつき浴組成
硫酸コバルト 0.025mol/
次亜リン酸ナトリウム 0.20mol/
硫酸アンモニウム 0.50mol/
マロン酸ナトリウム 0.50mol/
グルコン酸 0.50mol/
硫酸マンガン 0〜0.07mol/
めつき条件
めつき浴のPH9.0(室温にてNH4OHでPH調
節)
めつき浴の温度85℃
硫酸マンガンの濃度を0から0.07mol/ま変
化させて得られたCo−Mn−P膜の結晶構造の変
化を明らかにするため、X線回析を行つた結果を
次表に示す。表中の数字は同一試料における最大
強度の回折線の強さを100とした相対強度を示す。
The present invention relates to a plating bath for producing a magnetic recording medium (magnetic film) used for so-called perpendicular recording, in which recording is performed by magnetizing the magnetic recording medium in the film thickness direction. Conventionally, in magnetic recording devices such as general magnetic disk devices and magnetic tape devices, recording is performed by horizontally magnetizing a magnetic recording medium formed on a substrate with a ring-shaped magnetic head. However, in recording using horizontal magnetization, as the wavelength of the recording signal becomes shorter, that is, as the recording density increases, the demagnetizing field within the medium increases, causing attenuation and rotation of the residual magnetization, resulting in a significant decrease in the reproduction output. There is a drawback. Therefore, in order to solve this problem, a perpendicular recording method was proposed in which the demagnetizing field is not small as the wavelength becomes shorter.A magnetic recording medium suitable for this perpendicular recording has an axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film thickness. A sputtered Co-Cr film has been proposed. It has been reported that this perpendicular magnetization recording method is superior to the conventional recording method using horizontal magnetization in high-density recording (see Japanese Patent Laid-Open No. 134706/1983). By the way, when a Co--Cr film is produced by sputtering, there is a problem in mass production because it is carried out in a vacuum system. For this reason, an electroless plating bath has been developed that solves these manufacturing problems and produces magnetic recording media with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface using an electroless plating method that is superior in mass production. It has been discovered (Special application 1982)
−025833, “Electroless plating bath”). However, in the electroless plating bath, as the manganese concentration increases, the C axis (axis of easy magnetization) of the α-Co hexagonal crystal changes from the in-plane direction to the perpendicular direction with respect to the substrate, but the saturation of the magnetic film increases. The drawback was that the decrease in magnetization Ms was small and the energy of the demagnetizing field expressed in 2πM 2 s was not sufficiently reduced, which could be an obstacle to perpendicular magnetization recording. The purpose of the present invention is to improve this problem and achieve saturation magnetization.
The object of the present invention is to provide an electroless plating bath capable of producing a magnetic recording medium in which Ms is reduced and the axis of easy magnetization is perpendicular to the film surface. The electroless plating bath according to the present invention contains malonic acid groups and malic acid groups or malonic acid groups and gluconic acid groups as cobalt ions, cobalt ion reducing agents, PH buffers, PH regulators, and cobalt ion complexing agents. It is characterized by the addition of nickel ions to an aqueous solution containing 0.02 to 0.2 mol/manganese ions as an additive, which increases the saturation magnetization of a magnetic recording medium in which the axis of easy magnetization is oriented perpendicular to the film surface. can be lowered. Cobalt ions, manganese ions, and nickel ions used as metal ions in the present invention can be obtained by dissolving soluble salts of cobalt, manganese, or nickel such as sulfates, chlorides, and acetates in an electroless plating bath. supplied. The concentration of cobalt ion is 0.002 to 1 mol/
is used, preferably 0.01 to
It is in the range of 0.15 mol/. The concentration of manganese ions used is in the range of 0.003 to 2 mol/, preferably in the range of 0.02 to 0.2 mol/. The concentration of nickel ions used is in the range of 0 to 0.5 mol/, preferably 0.002 to 0.5 mol/
It is in the range of 0.08 mol/. Hypophosphites are commonly used as reducing agents, but hydrazinic acids, borohydrides, and the like can also be used. PH buffers include ammonium salts, carbonates,
Organic acid salts and the like are used at concentrations ranging from 0.01 to 2 mol/. As a PH regulator, ammonia is used to increase the PH.
The alkali of sodium hydroxide is used and the PH
Acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid are used for the precipitation. As the complexing agent, malonic acid or a soluble salt of malonic acid, gluconic acid or a soluble salt of gluconic acid, malic acid or a soluble salt of malic acid, etc. are used. Hereinafter, the features of the electroless plating bath according to the present invention will be explained using comparative examples and examples. Comparative example A steel substrate that had been degreased with ethanol and washed with water was subjected to activation treatment under the following conditions, and then a Co-Mn-P film (film thickness 1 μm) was applied thereon using the plating bath composition and plating conditions below. was formed. Activation treatment conditions HS101B (manufactured by Hitachi Chemical) 60c.c./, hydrochloric acid 320c.c./
Immerse for 3 minutes in an active solution containing 620 c.c. of pure water. Acceleration treatment conditions ADP201 (manufactured by Hitachi Chemical) 200 c.c./, pure 800
cc/ for 3 minutes. Plating bath composition Cobalt sulfate 0.025mol / Sodium hypophosphite 0.20mol / Ammonium sulfate 0.50mol / Sodium malonate 0.50mol / Gluconic acid 0.50mol / Manganese sulfate 0 to 0.07mol / Plating conditions Plating bath PH9.0 ( (pH adjusted with NH 4 OH at room temperature) Plating bath temperature 85℃ To clarify changes in the crystal structure of Co-Mn-P films obtained by changing the concentration of manganese sulfate from 0 to 0.07 mol/min. The results of X-ray diffraction are shown in the table below. The numbers in the table indicate relative intensities with the intensity of the maximum intensity diffraction line in the same sample taken as 100.
【表】
硫酸マンガン濃度が0.02mol/以上に増加す
るに従つてα−Co六方晶のC軸(磁化容易軸)
が基板に対して面内方向から垂直方向に変化して
いく様子が窺われる。
硫酸マンガン濃度を0から0.07mol/まで変
化させた場合の磁性膜の飽和磁化Msの変化を第
1図に示す。硫酸マンガン0mol/でのMsは
132emu/g程度であるが、硫酸マンガン0.01〜
0.03mol/で増加する。硫酸マンガン
0.04mol/以上でやや減少傾向を示すが、硫酸
マンガン0.07mol/でもMsは120emu/g程度
までにしか低下しなかつた。
実施例 1
比較例と同様の手順で、Co−Ni−Mn−P膜
(膜厚1μm)のめつきを行つたが、めつき浴と
して下記の組成を用いた。
めつき浴組成
硫酸コバルト 0.025mol/
次亜リン酸ナトリウム 0.20mol/
硫酸アンモニウム 0.50mol/
マロン酸ナトリウム 0.50mol/
グルコン酸 0.50mol/
硫酸マンガン 0.05mol/
硫酸ニツケル 0〜0.015mol/
硫酸ニツケルの濃度を0〜0.015mol/まで
変化させて得られたCo−Ni−Mn−P膜のX線回
折結果を次表に示す。[Table] C axis (easy axis of magnetization) of α-Co hexagonal crystal as manganese sulfate concentration increases to 0.02 mol/or more
It can be seen that the angle changes from the in-plane direction to the perpendicular direction with respect to the substrate. Figure 1 shows the changes in the saturation magnetization Ms of the magnetic film when the manganese sulfate concentration was changed from 0 to 0.07 mol/. Ms at 0mol/manganese sulfate is
It is about 132emu/g, but manganese sulfate is 0.01~
Increases by 0.03mol/. manganese sulfate
At 0.04 mol/or more, it shows a slight decreasing tendency, but even at 0.07 mol/g of manganese sulfate, Ms decreased only to about 120 emu/g. Example 1 A Co--Ni--Mn--P film (film thickness: 1 μm) was plated in the same manner as in the comparative example, but the following composition was used as the plating bath. Plating bath composition Cobalt sulfate 0.025mol/ Sodium hypophosphite 0.20mol/ Ammonium sulfate 0.50mol/ Sodium malonate 0.50mol/ Gluconic acid 0.50mol/ Manganese sulfate 0.05mol/ Nickel sulfate 0 to 0.015mol/ Concentration of nickel sulfate to 0 The following table shows the X-ray diffraction results of the Co-Ni-Mn-P film obtained by varying the concentration up to 0.015 mol/.
【表】
硫酸ニツケル濃度を0〜0.015mol/まで増
加しても(100)及び(101)の相対強度が0とな
りα−Co六方晶のC軸が基板に対して垂直方向
に十分配向した状態を保持していた。
硫酸ニツケル濃度を0〜0.015mol/まで変
化させた時の飽和磁化Msの変化を第2図に示す。
硫酸ニツケル0mol/でのMsは124emu/g程
度であるが、硫酸ニツケル濃度増加とともに減少
し硫酸ニツケル0.015mol/ではMsは99emu/
g程度に減少した。
実施例 2
比較例と同様の手順で、Co−Ni−Mn−P膜
(膜厚1μm)のめつきを行つたが、めつき浴と
しては下記のものを用いた。
めつき浴組成
硫酸コバルト 0.025mol/
次亜リン酸ナトリウム 0.20mol/
硫酸アンモニウム 0.50mol/
マロン酸ナトリウム 0.50mol/
グルコン酸 0.50mol/
硫酸マンガン 0.04mol/
硫酸ニツケル 0〜0.020mol/
めつき条件
めつき浴のPH9.6(室温にてNH4OHでPH調
節)
めつき浴の温度85℃
硫酸ニツケルを濃度を0〜0.020mol/まで
変化させて得られたCo−Ni−Mn−P膜のX線回
折結果を次表に示す。[Table] Even if the concentration of nickel sulfate is increased from 0 to 0.015 mol/, the relative intensities of (100) and (101) become 0, and the C axis of the α-Co hexagonal crystal is fully oriented perpendicular to the substrate. was held. Figure 2 shows the changes in saturation magnetization Ms when the nickel sulfate concentration was varied from 0 to 0.015 mol/.
Ms at 0 mol/g of nickel sulfate is about 124 emu/g, but decreases as the concentration of nickel sulfate increases, and at 0.015 mol/g of nickel sulfate, Ms is 99 emu/g.
It decreased to about 1.5 g. Example 2 A Co-Ni-Mn-P film (thickness: 1 μm) was plated in the same manner as in the comparative example, but the following plating bath was used. Plating bath composition Cobalt sulfate 0.025mol / Sodium hypophosphite 0.20mol / Ammonium sulfate 0.50mol / Sodium malonate 0.50mol / Gluconic acid 0.50mol / Manganese sulfate 0.04mol / Nickel sulfate 0 to 0.020mol / Plating conditions Plating bath PH9.6 (PH adjusted with NH 4 OH at room temperature) Plating bath temperature 85℃ X-ray of Co-Ni-Mn-P film obtained by varying the concentration of nickel sulfate from 0 to 0.020 mol/ The diffraction results are shown in the table below.
【表】
硫酸ニツケルを0〜0.020mol/まで増加し
ても(100)及び(101)の相対強度が0となりα
−Co六方晶のC軸が基板に対して垂直方向に十
分配向した状態を保持していた。
硫酸ニツケル濃度を0〜0.020mol/まで変
化させた時の飽和磁化Msの変化を第3図に示す。
硫酸ニツケル0mol/までのMsは126emu/g
程度であるが、硫酸ニツケル濃度増加とともに減
少し硫酸ニツケル0.020mol/ではMsは
84emu/g程度に減少した。
以上のように実施例1及び2において硫酸ニツ
ケル濃度を増加させためつき浴より得られる磁性
膜はニツケルの共析により飽和磁化の低下がはが
れ、かつC軸が基板に対して垂直方向を向いてい
るので、垂直磁化記録の磁気記録媒体に用いるこ
とができる。
なお、実施例では金属基板の場合について述べ
たが、有機樹脂基板例えばポリイミド板を用いる
場合、活性化処理前にエタノール脱脂のかわりに
コンデイシヨナー(シプレイ・フアーイースト社
製)に3〜5分間浸漬して脱脂を行ない、実施例
と同様の手順でめつきすることによりα−Co六
方晶のC軸が垂直配向したCo−Ni−Mn−P膜が
得られ、飽和磁化の低下がはかれた。他のポリエ
ステル、ABS樹脂等の有機樹脂基板を用いる場
合も、適当な脱脂処理を行うことにより同様の
Co−Ni−Mn−P膜が得られ目的が達せられる。
以上、実施例で示された様に本発明によれば、
磁性膜を作製するためのめつき浴においてコバル
トイオン、コバルトイオンの還元剤、PH緩衝剤、
PH調節剤、コバルトイオンの錯化剤としてマロン
酸基およびリンゴ酸基またはマロン酸基およびグ
リコン酸基を含み、添加剤として0.02〜0.2mol/
のマンガンイオンを含む水溶液に、ニツケルイ
オンを加えることにより、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸が配向した磁気記録媒体の飽和磁化を低
下させることができる。[Table] Even if nickel sulfate is increased from 0 to 0.020 mol/, the relative intensities of (100) and (101) become 0 and α
The C-axis of the -Co hexagonal crystal remained fully oriented in the direction perpendicular to the substrate. Figure 3 shows the change in saturation magnetization Ms when the nickel sulfate concentration was changed from 0 to 0.020 mol/.
Ms of nickel sulfate up to 0mol/ is 126emu/g
However, as the concentration of nickel sulfate increases, it decreases, and at 0.020 mol of nickel sulfate/Ms
It decreased to about 84emu/g. As described above, in Examples 1 and 2, the magnetic films obtained from the soaking bath with increased nickel sulfate concentration had a decrease in saturation magnetization due to the eutectoid of nickel, and the C-axis was oriented perpendicular to the substrate. Therefore, it can be used in magnetic recording media for perpendicular magnetization recording. In addition, although the case of a metal substrate was described in the example, when using an organic resin substrate such as a polyimide plate, instead of degreasing with ethanol, it may be immersed in a conditioner (manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) for 3 to 5 minutes before the activation treatment. By degreasing and plating in the same manner as in the example, a Co--Ni--Mn--P film in which the C-axis of the α-Co hexagonal crystal was vertically oriented was obtained, and the saturation magnetization was reduced. When using other organic resin substrates such as polyester or ABS resin, the same effect can be achieved by performing appropriate degreasing treatment.
A Co-Ni-Mn-P film is obtained and the objective is achieved. As shown in the examples above, according to the present invention,
Cobalt ions, cobalt ion reducing agents, PH buffers,
Contains malonic acid groups and malic acid groups or malonic acid groups and glyconic acid groups as a PH regulator and complexing agent for cobalt ions, and as an additive 0.02 to 0.2 mol/
By adding nickel ions to an aqueous solution containing manganese ions, it is possible to reduce the saturation magnetization of a magnetic recording medium whose axis of easy magnetization is oriented in a direction perpendicular to the film surface.
第1図は比較例のめつき浴における硫酸マンガ
ン濃度とMsの関係を示す図である。第2図は実
施例1のめつき浴における硫酸ニツケル濃度と
Msの関係を示す図、第3図は実施例2のめつき
浴における同様の関係を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the relationship between manganese sulfate concentration and Ms in a plating bath of a comparative example. Figure 2 shows the concentration of nickel sulfate in the plating bath of Example 1.
FIG. 3 is a diagram showing a similar relationship in the plating bath of Example 2.
Claims (1)
PH緩衝剤、PH調節剤、コバルトイオンの錯化剤と
してマロン酸基およびリンゴ酸基またはマロン酸
基およびグリコン酸基を含み、添加剤として0.02
〜0.2mol/のマンガンイオンを含む水溶液に、
ニツケルイオンを加えたことを特徴とする垂直記
録に用いる磁気記録媒体(磁性膜)を作製するた
めの無電解めつき浴。1 cobalt ion, cobalt ion reducing agent,
Contains malonic acid and malic acid groups or malonic acid and glyconic acid groups as a PH buffer, PH regulator, complexing agent for cobalt ions, and 0.02 as an additive.
In an aqueous solution containing ~0.2 mol/manganese ion,
An electroless plating bath for producing magnetic recording media (magnetic films) used for perpendicular recording, characterized by the addition of nickel ions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570681A JPS5858267A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Electroless plating bath |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570681A JPS5858267A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Electroless plating bath |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858267A JPS5858267A (en) | 1983-04-06 |
| JPH0362794B2 true JPH0362794B2 (en) | 1991-09-27 |
Family
ID=15611728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15570681A Granted JPS5858267A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Electroless plating bath |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858267A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4563235B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-10-13 | トクセン工業株式会社 | Rubber reinforcing linear body excellent in corrosion resistance, and composite of rubber reinforcing linear body and rubber |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5317975B2 (en) * | 1972-05-10 | 1978-06-12 | ||
| JPS56155705A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Manufacture of aggregate wood |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15570681A patent/JPS5858267A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5858267A (en) | 1983-04-06 |
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