JPH0362921A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0362921A JPH0362921A JP1198965A JP19896589A JPH0362921A JP H0362921 A JPH0362921 A JP H0362921A JP 1198965 A JP1198965 A JP 1198965A JP 19896589 A JP19896589 A JP 19896589A JP H0362921 A JPH0362921 A JP H0362921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier gas
- organometallic compound
- pulp
- introducing
- pipe
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は化合物半導体等の気相エピタキシャル成長させ
る装置に関したものであり、特に結晶成長を行なう前の
有機金属化合物ボンベを装置に取り付けた際に またｌ
よ 結晶成長を行なったあとに またζよ 有機金属化
合物ボンベを装置から取り外す際に 充分なパージを容
易に行なわしめるためのものであも 従来の技術 看板 化合物半導体の単結晶薄膜を形成する技術として
、大面積にわたる均一性および再現性等から有機金属気
相成長法（以下ＭＯＶＰＥ法と記す）が注目されていも
このＭＯＶＰＥ法は 制御性にも優れ 量産化にも適
していも 第５図に従来用いられているＭ○ＶＰＥ装置の有機金属
化合物の供給部分を示す。所定の温度に保たれた恒温槽
１中に有機金属化合物ボンベ２を入れ マスフローコン
トローラー３によりキャリアガスである高純度水素ガス
を正確に制御し 有機金属化合物ボンベ２内に導入する
ことにより所定量の有機金属化合物をリアクター内に導
入することができも ７、８は有機金属化合物ボンベの
パルプであり一般にダイアフラムパルプやベローパルプ
が使用されも ５．６、９、１０、１１．１５はＭＯＶ
ＰＥ装置のパルプであり、 ４、５．６は２方パルプ、
１１は３方パルス １０は４方パルプ、 １２はキャリ
アガス配管である。パルプ８とパルプ９の間は非常に短
く構成できも 例えばパルプ８とパルプ９をパルプ直結
にすると、有機金属化合物ボンベ２の取り付１す、取り
外し等を容易にするためや有機金属化合物ボンベの１ｎ
−ｏｕｔ間の距離がボンベ間で必ずしも一定ではなくパ
ルプ５とパルプ７の間は一般にフレキシブルな配管が用
いられなければならず、できる限り短くされているとは
い丸 たとえばキャリアガス配管１２は数１０センチメ
ートルにおよ４Ｚ発明が解決しようとする課題 最近は量子井戸構造等を利用した新構造素子の開発が進
水 数原子層のオーダーでの膜束 組成の制御性や化学
的に非常に活性なＡＩを多量に含んだ結晶薄膜の高品質
化が要求されていもこれらの前提となるのは有機金属化
合物をＭ○ＶＰＥ装置に取り付けて用いる阪 有機金属
化合物の品質を落とさないことであん しかしなが転上
述のような装置の構成では有機金属化合物ボンベをＭＯ
ＶＰＥ装置に取り付けた後、パルプ５とパルプ７の間の
キャリアガス配管１２がデッドスペースとなりかなり長
時間真空引きを行なって転有機金属化合物ボンベを取り
付ける際にキャリアガス配管１２内に混入した空気成分
は充分にはパージできないという課題があっｔも 課題を解決するための手段 本発明はかかる課題を解決するために 有機金属化合物
ボンベ内にキャリアガスを導入される配管を直接有機金
属化合物ボンベのｉｎ側に接続するのではなく、Ｔ字管
あるいは３方パルプを介して有機金属化合物ボンベに接
続されており、Ｔ字管の他方の接続口にはパルプを介し
て第２のキャリアガスを導入する配管が具備されてい太
あるいは３方パルプの他方の接続口にはパルプを介し
て第２のキャリアガスを導入する配管が具備されている
ことを特徴とする有機金属気相成長装置を提供するもの
であも 作用 上述のごとく有機金属化合物を送り出す第１のキャリア
ガス配管だけでなく、有機金属化合物ボンベと第１のキ
ャリアガス配管の間にＴ字管あるいは３方パルプを挿入
し これらの他の接続口にＴ字管の場合はパルプを介し
て、３方パルプの場合はそのまま第２のキャリアガス配
管を接続することにより、有機金属化合物ボンベを取り
付けたのム 有機金属化合物ボンベのパルプは締めてお
き、Ｔ字管に接続されているパルプあるいは３方パルプ
を開けて、第１のキャリアガス配管から第２のキャリア
ガス配管へたとえば高純度の水素ガス等を流すことによ
り、有機金属化合物ボンベと第１のキャリアガス配管間
にはデッドスペースは存在せず、有機金属化合物ボンベ
を取り付は時に配管に混入する空気成分は充分パージす
ることができも 真空引きと組み合わせるときわめて有
効な手段となん また有機金属化合物ボンベをＭ○ＶＰ
Ｅ装置から取り外す場合にＬ 本来有機金属化合物はｉ
ｎ側には付着しないはずである力支 長時間同有機金属
化合物ボンベを使用しているとｉｎ側にも若干の有機金
属化合物が付着している場合があり、有機金属化合物ボ
ンベを装置から取り外す隊 危険であるとともに装置を
汚染していた力ｔ 有機金属化合物ボンベのｉｎ側を充
分パージできるので、有機金属化合物ボンベの取り外し
に伴う、安全性が向上するとともに装置の汚染は全くな
くなっｔも 実施例 本発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。
る装置に関したものであり、特に結晶成長を行なう前の
有機金属化合物ボンベを装置に取り付けた際に またｌ
よ 結晶成長を行なったあとに またζよ 有機金属化
合物ボンベを装置から取り外す際に 充分なパージを容
易に行なわしめるためのものであも 従来の技術 看板 化合物半導体の単結晶薄膜を形成する技術として
、大面積にわたる均一性および再現性等から有機金属気
相成長法（以下ＭＯＶＰＥ法と記す）が注目されていも
このＭＯＶＰＥ法は 制御性にも優れ 量産化にも適
していも 第５図に従来用いられているＭ○ＶＰＥ装置の有機金属
化合物の供給部分を示す。所定の温度に保たれた恒温槽
１中に有機金属化合物ボンベ２を入れ マスフローコン
トローラー３によりキャリアガスである高純度水素ガス
を正確に制御し 有機金属化合物ボンベ２内に導入する
ことにより所定量の有機金属化合物をリアクター内に導
入することができも ７、８は有機金属化合物ボンベの
パルプであり一般にダイアフラムパルプやベローパルプ
が使用されも ５．６、９、１０、１１．１５はＭＯＶ
ＰＥ装置のパルプであり、 ４、５．６は２方パルプ、
１１は３方パルス １０は４方パルプ、 １２はキャリ
アガス配管である。パルプ８とパルプ９の間は非常に短
く構成できも 例えばパルプ８とパルプ９をパルプ直結
にすると、有機金属化合物ボンベ２の取り付１す、取り
外し等を容易にするためや有機金属化合物ボンベの１ｎ
−ｏｕｔ間の距離がボンベ間で必ずしも一定ではなくパ
ルプ５とパルプ７の間は一般にフレキシブルな配管が用
いられなければならず、できる限り短くされているとは
い丸 たとえばキャリアガス配管１２は数１０センチメ
ートルにおよ４Ｚ発明が解決しようとする課題 最近は量子井戸構造等を利用した新構造素子の開発が進
水 数原子層のオーダーでの膜束 組成の制御性や化学
的に非常に活性なＡＩを多量に含んだ結晶薄膜の高品質
化が要求されていもこれらの前提となるのは有機金属化
合物をＭ○ＶＰＥ装置に取り付けて用いる阪 有機金属
化合物の品質を落とさないことであん しかしなが転上
述のような装置の構成では有機金属化合物ボンベをＭＯ
ＶＰＥ装置に取り付けた後、パルプ５とパルプ７の間の
キャリアガス配管１２がデッドスペースとなりかなり長
時間真空引きを行なって転有機金属化合物ボンベを取り
付ける際にキャリアガス配管１２内に混入した空気成分
は充分にはパージできないという課題があっｔも 課題を解決するための手段 本発明はかかる課題を解決するために 有機金属化合物
ボンベ内にキャリアガスを導入される配管を直接有機金
属化合物ボンベのｉｎ側に接続するのではなく、Ｔ字管
あるいは３方パルプを介して有機金属化合物ボンベに接
続されており、Ｔ字管の他方の接続口にはパルプを介し
て第２のキャリアガスを導入する配管が具備されてい太
あるいは３方パルプの他方の接続口にはパルプを介し
て第２のキャリアガスを導入する配管が具備されている
ことを特徴とする有機金属気相成長装置を提供するもの
であも 作用 上述のごとく有機金属化合物を送り出す第１のキャリア
ガス配管だけでなく、有機金属化合物ボンベと第１のキ
ャリアガス配管の間にＴ字管あるいは３方パルプを挿入
し これらの他の接続口にＴ字管の場合はパルプを介し
て、３方パルプの場合はそのまま第２のキャリアガス配
管を接続することにより、有機金属化合物ボンベを取り
付けたのム 有機金属化合物ボンベのパルプは締めてお
き、Ｔ字管に接続されているパルプあるいは３方パルプ
を開けて、第１のキャリアガス配管から第２のキャリア
ガス配管へたとえば高純度の水素ガス等を流すことによ
り、有機金属化合物ボンベと第１のキャリアガス配管間
にはデッドスペースは存在せず、有機金属化合物ボンベ
を取り付は時に配管に混入する空気成分は充分パージす
ることができも 真空引きと組み合わせるときわめて有
効な手段となん また有機金属化合物ボンベをＭ○ＶＰ
Ｅ装置から取り外す場合にＬ 本来有機金属化合物はｉ
ｎ側には付着しないはずである力支 長時間同有機金属
化合物ボンベを使用しているとｉｎ側にも若干の有機金
属化合物が付着している場合があり、有機金属化合物ボ
ンベを装置から取り外す隊 危険であるとともに装置を
汚染していた力ｔ 有機金属化合物ボンベのｉｎ側を充
分パージできるので、有機金属化合物ボンベの取り外し
に伴う、安全性が向上するとともに装置の汚染は全くな
くなっｔも 実施例 本発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。
第１の実施例を第１図に示す。 ｌは恒温棟 ２は有機
金属ボンベたとえばＴＭＧ （）リメチルガリウム）、
３．４はマスフローコントローラ、 ５．６．９．１５
は２方パルス ９、１１は３方パルプ、 １０は４方バ
ルズ ７、８は有機金属ボンベ２に付いているパルス
１２、１３はキャリアガス配管、１４はパルス ２０は
Ｔ字管、２１は石英製リアクタコ ２２はカーボン製サ
セプター、２３は基板たとえばＧａＡｓ、２４は高周波
コイルであも 有機金属ボンベ２をＭＯＶＰＥ装置に取
り付ける場合、パルプ５、６．９、１５、１１゜１０は
すべて閉じておき、パルプ１４のみ開きＮｔを流しなが
ら取り付けも 有機金属ボンベ２を取り付けた後、パル
プ１４、６、１５、１１のみを開き、破線で示すように
高純度水素ガスを多量、たとえば１０１／ｍｉｎ流す。
金属ボンベたとえばＴＭＧ （）リメチルガリウム）、
３．４はマスフローコントローラ、 ５．６．９．１５
は２方パルス ９、１１は３方パルプ、 １０は４方バ
ルズ ７、８は有機金属ボンベ２に付いているパルス
１２、１３はキャリアガス配管、１４はパルス ２０は
Ｔ字管、２１は石英製リアクタコ ２２はカーボン製サ
セプター、２３は基板たとえばＧａＡｓ、２４は高周波
コイルであも 有機金属ボンベ２をＭＯＶＰＥ装置に取
り付ける場合、パルプ５、６．９、１５、１１゜１０は
すべて閉じておき、パルプ１４のみ開きＮｔを流しなが
ら取り付けも 有機金属ボンベ２を取り付けた後、パル
プ１４、６、１５、１１のみを開き、破線で示すように
高純度水素ガスを多量、たとえば１０１／ｍｉｎ流す。
この後、水素パージを停止しベントから真空引きを行な
う。これを何度か繰り返すことにより、キャリアガス配
管１２に混入した空気成分は完全に取り除かれる。
う。これを何度か繰り返すことにより、キャリアガス配
管１２に混入した空気成分は完全に取り除かれる。
このようにして取り付けた有機金属化合物を用いて実際
に結晶成長を行なうと非ドープのＧａＡＳの場合、長期
間にわたりｎ≦ｌＸｌ０’″ｃｍ−”のエビが可能とな
った まｆ：、、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を
追加取り付けをおこなってＡｌＧａＡｓを成長を行なう
と非ドープの場合、ＧａＡｓと同様長期にわたりｎ≦１
ｘ １０ Ｉ′ｃ＋ｃ’のエビが可能となっ九 次に
第２の実施例について第２図を用いて説明する。第１の
実施例と異なる点はＴ字管２０とパルプ１４の働きを３
方パルプ１６で行うことであん 部品点数が少なくなる
とともに 第１の実施例ではキャリアガス配管１２から
みてパルプ１４の方向のＴ字管２０がデッドスペースと
なるが第２の実施例ではこのデッドスペースさえなくな
も 有機金属ボンベ２の取り付（す、取り外しおよびパ
ージの手順は第１の実施例と同じであも 第１の実施例
および第２の実施例ともにキャリアガス配管にヒーター
線を巻き、パージや真空引きの瓢 温度を上げることに
より、パージの効果をより一層上げることができる。実
際にエビを行なうと第１の実施例と同様非ドープのＧａ
Ａｓの場合、長期間にわたりｎ≦ｌ ｘ １０ ”ｃｍ
−’のエビが可能となった ま？、：、ＴＭＡ（）リメ
チルアルミニウム）を追加取り付けをおこなってＡｌＧ
ａＡｓを成長を行なうと非ドープの場合、ＧａＡｓと同
様長期にわたりｎ≦Ｉ Ｘ １０ ”ｃｌ’のエビが可
能となっ九 第３図に示す第３の実施例および第４図に示す第４の実
施例ではキャリアガス配管１２の一部を有機金属ボンベ
２の恒温槽ｌ内もしくは別の恒温槽内に入れであるもの
であも 有機金属ボンベ２の取り付（す、取り外し お
よびパージの手順は第１の実施例と同じである力曳 真
空引きやパージのとき恒温槽１の温度を上げておくと、
ヒーター線はど温度は上がらないがパージの効果は犬き
鶏また 有機金属ボンベ２を取り付けて、実際に結晶成
長を行う阪 第１のキャリアガスと有機金属を同じ温度
にできるので第１のキャリアガスの流量を変化させても
有機金属の供給量の直線性は保たれも 非ドープの場合
、第１および第２の実施例と同様のレベルである。組成
変動に関しては特にＡｌＧａＡｓ等の混晶をエビしたと
きの再現性に効果を発挿すも エビ毎の組成のばらつき
は±１％以内である。
に結晶成長を行なうと非ドープのＧａＡＳの場合、長期
間にわたりｎ≦ｌＸｌ０’″ｃｍ−”のエビが可能とな
った まｆ：、、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を
追加取り付けをおこなってＡｌＧａＡｓを成長を行なう
と非ドープの場合、ＧａＡｓと同様長期にわたりｎ≦１
ｘ １０ Ｉ′ｃ＋ｃ’のエビが可能となっ九 次に
第２の実施例について第２図を用いて説明する。第１の
実施例と異なる点はＴ字管２０とパルプ１４の働きを３
方パルプ１６で行うことであん 部品点数が少なくなる
とともに 第１の実施例ではキャリアガス配管１２から
みてパルプ１４の方向のＴ字管２０がデッドスペースと
なるが第２の実施例ではこのデッドスペースさえなくな
も 有機金属ボンベ２の取り付（す、取り外しおよびパ
ージの手順は第１の実施例と同じであも 第１の実施例
および第２の実施例ともにキャリアガス配管にヒーター
線を巻き、パージや真空引きの瓢 温度を上げることに
より、パージの効果をより一層上げることができる。実
際にエビを行なうと第１の実施例と同様非ドープのＧａ
Ａｓの場合、長期間にわたりｎ≦ｌ ｘ １０ ”ｃｍ
−’のエビが可能となった ま？、：、ＴＭＡ（）リメ
チルアルミニウム）を追加取り付けをおこなってＡｌＧ
ａＡｓを成長を行なうと非ドープの場合、ＧａＡｓと同
様長期にわたりｎ≦Ｉ Ｘ １０ ”ｃｌ’のエビが可
能となっ九 第３図に示す第３の実施例および第４図に示す第４の実
施例ではキャリアガス配管１２の一部を有機金属ボンベ
２の恒温槽ｌ内もしくは別の恒温槽内に入れであるもの
であも 有機金属ボンベ２の取り付（す、取り外し お
よびパージの手順は第１の実施例と同じである力曳 真
空引きやパージのとき恒温槽１の温度を上げておくと、
ヒーター線はど温度は上がらないがパージの効果は犬き
鶏また 有機金属ボンベ２を取り付けて、実際に結晶成
長を行う阪 第１のキャリアガスと有機金属を同じ温度
にできるので第１のキャリアガスの流量を変化させても
有機金属の供給量の直線性は保たれも 非ドープの場合
、第１および第２の実施例と同様のレベルである。組成
変動に関しては特にＡｌＧａＡｓ等の混晶をエビしたと
きの再現性に効果を発挿すも エビ毎の組成のばらつき
は±１％以内である。
発明の効果
本発明の効果は次の通りである。有機金属気相成長では
有機金属化合物が非常に活性であるためＭＯＶＰＥ装置
はリアクター以外はすべてステンレス製でありリークタ
イトであるが有機金属化合物の取り付１す、取り外しの
胤 わずかとはいえ空気の混入は避けられなっかた力交
本発明により配管内への空気の混入は完全に防ぐこと
ができ、有機金属化合物の品質低下は全く起こらなくな
っ池特にＡＩを含む有機金属化合物を用いる暇 結晶薄
膜の品質低下がほとんど無く、大きな効果を発揮すも
非ドープのＧａＡｓの場合、長期間にわたりｎ≦Ｉ Ｘ
１０ ”ｃｒ”のエビが可能となったま；＃＝ＴＭＡ
（ｈリメチルアルミニウム）を追加取り付けをおこなっ
てＡ Ｉ ＧａＡｓを成長を行なうと非ドープの場合、
ＧａＡｓと同様長期にわたりｎ≦Ｉ Ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ
−”のエビが可能となったまた組成変動に関してはエビ
毎の組成のばらつきが±１％以内であん 本発明により
、結晶成長の歩留まりが向上し 結果的にはデバイスの
低価格化に対する効果は非常に大である。
有機金属化合物が非常に活性であるためＭＯＶＰＥ装置
はリアクター以外はすべてステンレス製でありリークタ
イトであるが有機金属化合物の取り付１す、取り外しの
胤 わずかとはいえ空気の混入は避けられなっかた力交
本発明により配管内への空気の混入は完全に防ぐこと
ができ、有機金属化合物の品質低下は全く起こらなくな
っ池特にＡＩを含む有機金属化合物を用いる暇 結晶薄
膜の品質低下がほとんど無く、大きな効果を発揮すも
非ドープのＧａＡｓの場合、長期間にわたりｎ≦Ｉ Ｘ
１０ ”ｃｒ”のエビが可能となったま；＃＝ＴＭＡ
（ｈリメチルアルミニウム）を追加取り付けをおこなっ
てＡ Ｉ ＧａＡｓを成長を行なうと非ドープの場合、
ＧａＡｓと同様長期にわたりｎ≦Ｉ Ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ
−”のエビが可能となったまた組成変動に関してはエビ
毎の組成のばらつきが±１％以内であん 本発明により
、結晶成長の歩留まりが向上し 結果的にはデバイスの
低価格化に対する効果は非常に大である。
第１は 第２は 第３図および第４図はそれぞれ本発明
の第１の実施風 第２の実施風 第３の実施例および第
４の実施例の成長装置の要部を示す配管諷 第５図は従
来の装置の要部配管図であも １・・・・・・恒温権 ２・・・・・・有機金属ボンベ
３．４・・・・・・マスフローコントローラ、５．６
．９．１５・・・・・・２方パルプ、 ７．８・・・・
・・パルプ、 １１・・・・・・３方パルプ、 １０・
・・・・・４方パルス １２・・・・・・第１のキャリ
アガス配管、 １３・・・・・・第２のキャリアガス配
管、 １４・・・・・・パルプ、２０・・・・・・Ｔ字
管、 １６・・・・・・３方パルス ２１・・・・・・
リアクター、２２・・・・・・サセプター、 ２３・・
・・・・基板 ２４・・・・・・高周波コイ／ｌｚ。
の第１の実施風 第２の実施風 第３の実施例および第
４の実施例の成長装置の要部を示す配管諷 第５図は従
来の装置の要部配管図であも １・・・・・・恒温権 ２・・・・・・有機金属ボンベ
３．４・・・・・・マスフローコントローラ、５．６
．９．１５・・・・・・２方パルプ、 ７．８・・・・
・・パルプ、 １１・・・・・・３方パルプ、 １０・
・・・・・４方パルス １２・・・・・・第１のキャリ
アガス配管、 １３・・・・・・第２のキャリアガス配
管、 １４・・・・・・パルプ、２０・・・・・・Ｔ字
管、 １６・・・・・・３方パルス ２１・・・・・・
リアクター、２２・・・・・・サセプター、 ２３・・
・・・・基板 ２４・・・・・・高周波コイ／ｌｚ。
Claims (5)
- （１）有機金属化合物ボンベ内の有機金属化合物を第１
のキャリアガスにより所定量リアクター内に導入するこ
とにより結晶成長を行う装置において、前記第１のキャ
リアガスを導入する配管はＴ字管を介して前記有機金属
化合物ボンベに接続されており、前記Ｔ字管の他方の接
続口にはパルプを介して第２のキャリアガスを導入する
配管が具備されていることを特徴とする有機金属気相成
長装置 - （２）有機金属化合物ボンベ内の有機金属化合物を第１
のキャリアガスにより所定量リアクター内に導入するこ
とにより結晶成長を行う装置において、前記第１のキャ
リアガスを導入する配管は３方パルプを介して有機金属
化合物ボンベに接続されており、前記３方パルプの他方
の接続口には第２のキャリアガスを導入する配管が具備
されていることを特徴とする有機金属気相成長装置 - （３）有機金属化合物ボンベ内の有機金属化合物を第１
のキャリアガスにより所定量リアクター内に導入するこ
とにより結晶成長を行う装置において、前記第１のキャ
リアガスを導入する配管は有機金属化合物ボンベと同温
度の恒温槽の中を通したのちＴ字管を介して前記有機金
属化合物ボンベに接続されており、前記Ｔ字管の他方の
接続口にはパルプを介して第２のキャリアガスを導入す
る配管が具備されていることを特徴とする有機金属気相
成長装置 - （４）有機金属化合物ボンベ内の有機金属化合物を第１
のキャリアガスにより所定量リアクター内に導入するこ
とにより結晶成長を行う装置において、前記第１のキャ
リアガスを導入する配管は前記有機金属化合物ボンベと
同温度の恒温槽の中を通したのち３方パルプを介して有
機金属化合物ボンベに接続されており、前記３方パルプ
の他方の接続口には第２のキャリアガスを導入する配管
が具備されていることを特徴とする有機金属気相成長装
置。 - （５）第１または第２のキャリアガスを導入する配管は
ステンレス製であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項、第３項又は第４項のいずれかに記載の有
機金属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198965A JPH0362921A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198965A JPH0362921A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362921A true JPH0362921A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16399875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198965A Pending JPH0362921A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203208A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | ４方弁を有する半導体素子の製造装置、半導体素子の製造装置の弁制御方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387723A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-19 | Fujitsu Ltd | バブラ容器 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1198965A patent/JPH0362921A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387723A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-19 | Fujitsu Ltd | バブラ容器 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203208A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | ４方弁を有する半導体素子の製造装置、半導体素子の製造装置の弁制御方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| US9029244B2 (en) | 2005-01-19 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| US9406502B2 (en) | 2005-01-19 | 2016-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| US9702041B2 (en) | 2005-01-19 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
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