JPH0362974A - 金属基板を用いた太陽電池 - Google Patents
金属基板を用いた太陽電池Info
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- JPH0362974A JPH0362974A JP1200109A JP20010989A JPH0362974A JP H0362974 A JPH0362974 A JP H0362974A JP 1200109 A JP1200109 A JP 1200109A JP 20010989 A JP20010989 A JP 20010989A JP H0362974 A JPH0362974 A JP H0362974A
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- Japan
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- solar cell
- photoelectric conversion
- amorphous silicon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は金属基板を用いた太陽電池に関し、特に光閉じ
込め効果を利用して電圧／電流特性を改善した太陽電池
に関する。
込め効果を利用して電圧／電流特性を改善した太陽電池
に関する。
（従来の技術〉
近年、太陽電池は省エネルギーを実現するデバイスとし
て活発に開発され、既に種々の分野で利用されている。
て活発に開発され、既に種々の分野で利用されている。
これら実用化されている太陽電池の光電変換機能は、殆
どの場合、アモルファスシリコンや結晶シリコンの如き
シリコン素材が担っている。
どの場合、アモルファスシリコンや結晶シリコンの如き
シリコン素材が担っている。
例えば、時計や電卓のような小型電子機器においては、
屋内の蛍光灯のような弱い光によっても作動すると共に
小型軽量であり且つ安価であるといった長所を有するア
モルファスシリコン太陽電池が主流を占めている。
屋内の蛍光灯のような弱い光によっても作動すると共に
小型軽量であり且つ安価であるといった長所を有するア
モルファスシリコン太陽電池が主流を占めている。
この場合のアモルファスシリコン太陽電池は、通常、基
板、下部電極、アモルファスシリコン光電変換層、上部
電極、保護膜から構成され、アモルファスシリコン光電
変換層は、グロー放電によるプラズマＣＶＤによってｐ
ｉｎ接合が形成されるのが一般的である。
板、下部電極、アモルファスシリコン光電変換層、上部
電極、保護膜から構成され、アモルファスシリコン光電
変換層は、グロー放電によるプラズマＣＶＤによってｐ
ｉｎ接合が形成されるのが一般的である。
又、単一セルでは発生し得る電力が小さいので、これを
改善するために、単一セルを２〜４段に積層するタンデ
ム型太陽電池とするか、２〜４個の単一セルを平面に並
べて直列化する集積型太陽電池とすることが多い。
改善するために、単一セルを２〜４段に積層するタンデ
ム型太陽電池とするか、２〜４個の単一セルを平面に並
べて直列化する集積型太陽電池とすることが多い。
これらのうち、タンデム型太陽電池は積層時の電流マツ
チングをとるために各単一セルの特性を調整するので、
それによって取り出せる電圧が決まる、又、集積型太陽
電池は単一セルの整数倍の電圧しか取り出せない。この
ようにタンデム型、集積型のいずれの場合であっても、
所望の電圧／電流特性を得ることには限界がある。これ
らの限界は、小型電子機器等の場合の如く、限られた面
積で所望の電圧／電流特性を得ることが要求される場合
には大きな障害となる。
チングをとるために各単一セルの特性を調整するので、
それによって取り出せる電圧が決まる、又、集積型太陽
電池は単一セルの整数倍の電圧しか取り出せない。この
ようにタンデム型、集積型のいずれの場合であっても、
所望の電圧／電流特性を得ることには限界がある。これ
らの限界は、小型電子機器等の場合の如く、限られた面
積で所望の電圧／電流特性を得ることが要求される場合
には大きな障害となる。
一方、太陽電池に使用する基板としては、ガラス基板、
ステンレス等の金属基板或いはポリイミド基板等が採用
されている。この場合基板表面をテクスチャー構造とす
ることにより入射光を有効に利用して光電変換効率を高
めることができることが知られており、特に加工し易い
素材であるガラス基板の場合には、その表面に、化学的
処理等によって数１０００人の凹凸を一様に形成できる
ことが知られている。例えば平板ガラス上に不均一にＩ
ＴＯ膜やＳｎＯ，膜を形成して表面を凹凸化させる方法
（持分昭和５７−３１３１２号）、平板ガラスと微粉末
ガラスを溶着し表面に凹凸のあるガラス基板を製造する
方法（特開昭６２−９８６７７号）、表面に凹凸のある
物質とガラスを接触させ、ガラス表面に凹凸を転写する
方法（特開昭６２−９８６７８号）等が提案されている
。
ステンレス等の金属基板或いはポリイミド基板等が採用
されている。この場合基板表面をテクスチャー構造とす
ることにより入射光を有効に利用して光電変換効率を高
めることができることが知られており、特に加工し易い
素材であるガラス基板の場合には、その表面に、化学的
処理等によって数１０００人の凹凸を一様に形成できる
ことが知られている。例えば平板ガラス上に不均一にＩ
ＴＯ膜やＳｎＯ，膜を形成して表面を凹凸化させる方法
（持分昭和５７−３１３１２号）、平板ガラスと微粉末
ガラスを溶着し表面に凹凸のあるガラス基板を製造する
方法（特開昭６２−９８６７７号）、表面に凹凸のある
物質とガラスを接触させ、ガラス表面に凹凸を転写する
方法（特開昭６２−９８６７８号）等が提案されている
。
（発明が解決しようとする課題）
他方、金属基板は薄くしても丈夫であり、耐熱性がある
上フレキシブルであり、しかも安価であることから、特
に薄型化を図る場合には最も好ましい基板であるが、素
材が硬く表面を凹凸化する事が容易でないことから有効
な手段はあまり提案されていない。わずかにステンレス
鋼板の場合について、電析粒の大きさが０．０１〜１．
５μｍとなるようにニッケルめっきし、基板自体をテク
スチャー化する方法（特開昭６２−１４３４８１号）等
が提案されている程度である。
上フレキシブルであり、しかも安価であることから、特
に薄型化を図る場合には最も好ましい基板であるが、素
材が硬く表面を凹凸化する事が容易でないことから有効
な手段はあまり提案されていない。わずかにステンレス
鋼板の場合について、電析粒の大きさが０．０１〜１．
５μｍとなるようにニッケルめっきし、基板自体をテク
スチャー化する方法（特開昭６２−１４３４８１号）等
が提案されている程度である。
そこで本発明者等は、金属基板を用いた太陽電池の光電
流を低下させることなく、高い電圧を取り出すべく鋭意
検討した結果、金属基板の上に絶縁膜を設け、該絶縁膜
の上にテクスチャー構造を有する下部電極を形成せしめ
ることにより光電流を高めることができ、従ってアモル
ファスシリコン光電変換層を薄くしても光電流を低下さ
せることなく高い電圧を取り出すことができることを見
出し本発明に到達した。
流を低下させることなく、高い電圧を取り出すべく鋭意
検討した結果、金属基板の上に絶縁膜を設け、該絶縁膜
の上にテクスチャー構造を有する下部電極を形成せしめ
ることにより光電流を高めることができ、従ってアモル
ファスシリコン光電変換層を薄くしても光電流を低下さ
せることなく高い電圧を取り出すことができることを見
出し本発明に到達した。
従って本発明の第１の目的は、高い電圧を取り出すこと
のできる、金ｉ基板を用いたアモルファスシリコン太陽
電池を提供することにある。
のできる、金ｉ基板を用いたアモルファスシリコン太陽
電池を提供することにある。
本発明の第２の目的は、従来とは異なった電圧／ｉｔ流
特性を有するアモルファスシリコン太陽電池を提供する
ことにある。
特性を有するアモルファスシリコン太陽電池を提供する
ことにある。
本発明の第３の目的は、金属基板を用いた太陽電池の光
電流を低下させることなく、アモルファスシリコン光電
変換層を薄くすることのできる方法を提供することにあ
る。
電流を低下させることなく、アモルファスシリコン光電
変換層を薄くすることのできる方法を提供することにあ
る。
（課題を解決するための手段〉
本発明の上記の諸口的は、金属基板、絶縁膜、下部電極
、アモルファスシリコン光電変換層及び透明電極とを有
する太陽電池において、少くとも前記下部電極の表面が
テクスチャー構造を有することを特徴とする太陽電池に
よって達成された。
、アモルファスシリコン光電変換層及び透明電極とを有
する太陽電池において、少くとも前記下部電極の表面が
テクスチャー構造を有することを特徴とする太陽電池に
よって達成された。
次に、本発明の太陽電池を図面を用いて説明する。
第１図は、金属基板（１）、絶縁膜（２）、テクスチャ
ー構造の表面を呈した金属電極（３）、アモルファスシ
リコン光電変換Ｎ（４）及び、透明電極（５）をもって
構成された太陽電池を示したものである。
ー構造の表面を呈した金属電極（３）、アモルファスシ
リコン光電変換Ｎ（４）及び、透明電極（５）をもって
構成された太陽電池を示したものである。
金属基板としては、ステンレス、アルミニウムなどが挙
げられ、約０． ５１１Ｆ１以下、好ましくは約０．３
ｍｍ以下の厚さの薄板状基板が採用される。
げられ、約０． ５１１Ｆ１以下、好ましくは約０．３
ｍｍ以下の厚さの薄板状基板が採用される。
絶縁膜としては、ダイヤモンド、窒化珪素、炭化アルミ
ニウム、窒化ホウ素等が列挙される。膜厚は約１，００
０〜１０，０００人とすることが好ましい。
ニウム、窒化ホウ素等が列挙される。膜厚は約１，００
０〜１０，０００人とすることが好ましい。
基板表面及び絶縁膜表面は平滑でもよいが、多数の小突
起（数十穴程度）を有するものであれにより好適である
。
起（数十穴程度）を有するものであれにより好適である
。
絶縁膜の上に設ける金属電極としては、クロム、チタン
、アルミニウム、ｓｕｓ、ｉ艮なと゛導電性に優れた材
料が用いられる。膜厚は、５，０００〜８．０００人程
度とすることが好ましく、その表面には、次に示す方法
によって２，０００〜５゜０００久の凹凸が形成されて
いる。
、アルミニウム、ｓｕｓ、ｉ艮なと゛導電性に優れた材
料が用いられる。膜厚は、５，０００〜８．０００人程
度とすることが好ましく、その表面には、次に示す方法
によって２，０００〜５゜０００久の凹凸が形成されて
いる。
即ち、絶縁膜上にスパッタ法等により電極材料を被覆し
テクスチャー化する。勿論、スパッタ法、真空蒸着法等
により電極材料を被覆した後、適当な条件下で表面を凹
凸化しても良い。例えば、スパッタ法でテクスチャー化
したクロム電極を形成せしめる場合には、基板温度を１
００〜５００″Ｃの温度条件とする。１００°Ｃ以下で
は表面の凹凸が小さく有効な凹凸とならない一方、５０
０″Ｃを超えると反応装置の性能上好ましくない。
テクスチャー化する。勿論、スパッタ法、真空蒸着法等
により電極材料を被覆した後、適当な条件下で表面を凹
凸化しても良い。例えば、スパッタ法でテクスチャー化
したクロム電極を形成せしめる場合には、基板温度を１
００〜５００″Ｃの温度条件とする。１００°Ｃ以下で
は表面の凹凸が小さく有効な凹凸とならない一方、５０
０″Ｃを超えると反応装置の性能上好ましくない。
アモルファスシリコン光電変換層は、ｐｉｎ又はｎｉｐ
の接合を持ち、入射した光は、この層で電気エネルギー
に変換される。
の接合を持ち、入射した光は、この層で電気エネルギー
に変換される。
光電流は、入射光がセル内を距離的に長く進行するほど
高い値を示す。即ち、下部の金属電極がテクスチャー化
している程、入射光が該電極表面で乱反射し多方向へ散
乱するので高い光電流を得ることができ、従って従来程
度の光電流を得る場合にはアモルファス光電変換層の膜
厚を薄くすることができる。即ち、本発明の場合には光
電変換層の膜厚を２００人〜２，０００人とすることが
でき、更に３００人〜１，０００人とすることもできる
。
高い値を示す。即ち、下部の金属電極がテクスチャー化
している程、入射光が該電極表面で乱反射し多方向へ散
乱するので高い光電流を得ることができ、従って従来程
度の光電流を得る場合にはアモルファス光電変換層の膜
厚を薄くすることができる。即ち、本発明の場合には光
電変換層の膜厚を２００人〜２，０００人とすることが
でき、更に３００人〜１，０００人とすることもできる
。
透明電極としては、酸化スズ、酸化インジウム、又はＩ
ＴＯなどが採用される。膜厚は５００〜１０００大とす
ることが好ましい。
ＴＯなどが採用される。膜厚は５００〜１０００大とす
ることが好ましい。
第１図は、単一セル構造を示すものであるが、更に２以
上のセルを集積させることもでき、本発明は、そのよう
な集積型太陽電池を包含するものである。
上のセルを集積させることもでき、本発明は、そのよう
な集積型太陽電池を包含するものである。
透明電極の上には、必要に応じて保護膜が形成される。
アモルファスシリコン光電変換層は、公知のプラズマＣ
ＶＤ装置を用いて、シリコン原子を有する原料をプラズ
マ化することによって形成させることができる。シリコ
ン原子を有する原料とは、シラン（（Ｓ ｉ ） ｎ
Ｈｚｎ＋ｚ ： ｎは整数）及び／又は一般式Ｓ ｉ
ＨＯ−３Ｘ４−１ （Ｘ’ハロゲン原子）で表される
ハロゲン化シランのいずれか、又は、これらのうちの任
意の２種以上の混合ガスを意味するが、中でもシランＳ
ｉＨ４及び／又はＸが塩素又は弗素のハロゲン化シラン
ガ好ましく、特にＳｉＨ，及び／又はＳｉＦ４が好まし
い。
ＶＤ装置を用いて、シリコン原子を有する原料をプラズ
マ化することによって形成させることができる。シリコ
ン原子を有する原料とは、シラン（（Ｓ ｉ ） ｎ
Ｈｚｎ＋ｚ ： ｎは整数）及び／又は一般式Ｓ ｉ
ＨＯ−３Ｘ４−１ （Ｘ’ハロゲン原子）で表される
ハロゲン化シランのいずれか、又は、これらのうちの任
意の２種以上の混合ガスを意味するが、中でもシランＳ
ｉＨ４及び／又はＸが塩素又は弗素のハロゲン化シラン
ガ好ましく、特にＳｉＨ，及び／又はＳｉＦ４が好まし
い。
光電変換層をｐ型又はｎ型とする場合には公知の如くド
ーパントを使用する。ドーパントは、ｐ型半導体にする
場合には元素周期率表の第■族元素であり、ｎ型にする
場合には第Ｖ族の元素である。本発明においては、これ
らのドーパントを単体蒸気及び／又は気体化合物のかた
ちで原料ガス中にドーパントガスとして混在せしめる。
ーパントを使用する。ドーパントは、ｐ型半導体にする
場合には元素周期率表の第■族元素であり、ｎ型にする
場合には第Ｖ族の元素である。本発明においては、これ
らのドーパントを単体蒸気及び／又は気体化合物のかた
ちで原料ガス中にドーパントガスとして混在せしめる。
これらのドーパントガスとしては、例えばＢＺ Ｈ＆、
ＢＦ３ 、ＰＨ３、ＰＦ３等を挙げることができる。
ＢＦ３ 、ＰＨ３、ＰＦ３等を挙げることができる。
ドーパントガスは、シリコン原子を有する原料に対して
ガス比で１０−５容量％〜１容量％混在せしめる。
ガス比で１０−５容量％〜１容量％混在せしめる。
又、プラズマＣＶＤ法におけるプラズマとは、反応ガス
を！磁場中で放電せしめたプラズマ状態を意味する。
を！磁場中で放電せしめたプラズマ状態を意味する。
放電に際して使用する原料ガスとしては、単にシリコン
原子を有する原料ガスを使用するよりも、水素及び／又
は希ガスで希釈した原料ガスを使用することが好ましい
。
原子を有する原料ガスを使用するよりも、水素及び／又
は希ガスで希釈した原料ガスを使用することが好ましい
。
アモルファスシリコンのｐｉｎ接合は、基板温度１００
〜３００°Ｃ１且つ反応圧力１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏ
ｒｒ、電力密度０．０１〜０．０５ｗ／ｃｍの条件を採
用することにより形成することができる。なお、ｉＮは
通常ドーパントを含まないが、ドーパント濃度が連続的
に変化するようにｐｉｎ接合を形成させることもできる
。
〜３００°Ｃ１且つ反応圧力１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏ
ｒｒ、電力密度０．０１〜０．０５ｗ／ｃｍの条件を採
用することにより形成することができる。なお、ｉＮは
通常ドーパントを含まないが、ドーパント濃度が連続的
に変化するようにｐｉｎ接合を形成させることもできる
。
上記の如くして基板へｐｉｎ接合を設けた後、透明導電
膜を形成する。透明導電膜はスプレー法やスパッタ法に
より底膜される。
膜を形成する。透明導電膜はスプレー法やスパッタ法に
より底膜される。
（作 用）
以上の如くして得られる、金属基板を使用した本発明の
太陽電池は、下部電極がテクスチャー化しており、アモ
ルファスシリコン光電変換層に光閉じ込め効果が働くの
で電圧／電流特性は従来のものと異なり、アモルファス
光電変換層の膜厚を従来のものと同一にした場合には、
従来よりも大きな光電流を得ることができる（第２図）
。
太陽電池は、下部電極がテクスチャー化しており、アモ
ルファスシリコン光電変換層に光閉じ込め効果が働くの
で電圧／電流特性は従来のものと異なり、アモルファス
光電変換層の膜厚を従来のものと同一にした場合には、
従来よりも大きな光電流を得ることができる（第２図）
。
従って、従来と同じ光電流を得る場合には、本発明の場
合にはアモルファスシリコン光電変換層の膜厚を薄くす
ることができる。
合にはアモルファスシリコン光電変換層の膜厚を薄くす
ることができる。
一方、アモルファスシリコン太陽電池の膜厚と解放電圧
との間には第３図に示すような関係があるので、膜厚が
薄い本発明の太陽電池の出力電圧は従来の太陽電池より
も大きくなる。即ち、同一面積、同一光電流で比較すれ
ば、本発明の太陽電池からは、従来のものより大きな電
圧を得ることができる。
との間には第３図に示すような関係があるので、膜厚が
薄い本発明の太陽電池の出力電圧は従来の太陽電池より
も大きくなる。即ち、同一面積、同一光電流で比較すれ
ば、本発明の太陽電池からは、従来のものより大きな電
圧を得ることができる。
（発明の効果）
以上詳述した如く、本発明の太陽電池によって従来より
高い電圧を得ることができるので、集積化によって所望
の電圧を得る場合、従来より単一セルの枚数を減らすこ
とができ、従って、−枚当たりのセルの面積が大きくな
り、これによって取り出すことのできる電流も増大する
ので極めて高性能な電池を得ることができる。
高い電圧を得ることができるので、集積化によって所望
の電圧を得る場合、従来より単一セルの枚数を減らすこ
とができ、従って、−枚当たりのセルの面積が大きくな
り、これによって取り出すことのできる電流も増大する
ので極めて高性能な電池を得ることができる。
従って、本発明の太陽電池は、特に小型軽量且つ高性能
の電流特性が要求されるＩＣカード等に好適である。
の電流特性が要求されるＩＣカード等に好適である。
（実施例）
次に本発明を実施例によって更に詳述するが、本発明は
これによって限定されるものではない。
これによって限定されるものではない。
実施例、１
厚さ０．１鵬のステンレス基板上に、プラズマＣＶＤ装
置により、膜厚１，０００人で表面の凹凸が約２０人の
ダイヤモンド膜を形成させた。
置により、膜厚１，０００人で表面の凹凸が約２０人の
ダイヤモンド膜を形成させた。
次に、スパッタ法で３００ ”Ｃの条件下、金属クロム
を約６，０００人の厚みに成膜した。このクロム電極の
凹凸は約３，０００人であった。次いで下記の条件でア
モルファスシリコン薄膜を形成せしめ、次いで公知の方
法に従ってステンレス／ｎｉｐ／ＩＴＯタイプの太陽電
池を作製した。
を約６，０００人の厚みに成膜した。このクロム電極の
凹凸は約３，０００人であった。次いで下記の条件でア
モルファスシリコン薄膜を形成せしめ、次いで公知の方
法に従ってステンレス／ｎｉｐ／ＩＴＯタイプの太陽電
池を作製した。
ｎ層； ＰＨ３：ＳｉＨ４：Ｈｚ ＝０．０１ ：１
：３０の混合ガスを１００ｍＴｏｒｒ、２０３ＣＣＭの
流量で反応槽に流し、１００ Ｗ／ｃＩ１１の電力密度
で放電して２５０°Ｃの上記基板上にリンをドープした
アモルファスシリコン層を約２００人形成させた。
：３０の混合ガスを１００ｍＴｏｒｒ、２０３ＣＣＭの
流量で反応槽に流し、１００ Ｗ／ｃＩ１１の電力密度
で放電して２５０°Ｃの上記基板上にリンをドープした
アモルファスシリコン層を約２００人形成させた。
１層； ＳｉＨ，ガスを２００ｍＴｏｒｒ、３０ＳＣ
ＣＭの流量で反応槽に流し、基板温度を２５０゛Ｃとし
２５Ｗ／ｃ′ＩＩＴの電力密度で放電して、上記ｎ層の
上に約１，０００人のアモルファスシリコン層を形成さ
せた。
ＣＭの流量で反応槽に流し、基板温度を２５０゛Ｃとし
２５Ｗ／ｃ′ＩＩＴの電力密度で放電して、上記ｎ層の
上に約１，０００人のアモルファスシリコン層を形成さ
せた。
９層； Ｂ、 Ｈ，：ＳｉＨ，：Ｈｚ −０，００５
：１：１００の混合ガスを１００ｍＴｏ ｒ ｒ。
：１：１００の混合ガスを１００ｍＴｏ ｒ ｒ。
２０３ＣＣＭの流量で反応槽に流し、基板温度を２００
°Ｃとし、１００Ｗ／ボの電力密度で放電して、上記ｉ
層上にホウ素をドープしたアモルファスシリコン層を約
１００人形成させた。
°Ｃとし、１００Ｗ／ボの電力密度で放電して、上記ｉ
層上にホウ素をドープしたアモルファスシリコン層を約
１００人形成させた。
更に、上記９層の上にスパッタリングによってＩＴＯ約
７００人を積層し透明電極とした。
７００人を積層し透明電極とした。
以上の如くして得られた太陽電池を１，０００ルクスの
蛍光灯を用いて電流−電圧測定を行った結果、Ｖｏｃは
０． ９ボルト、Ｊｓｃは８４．４μＡ／ｄであった。
蛍光灯を用いて電流−電圧測定を行った結果、Ｖｏｃは
０． ９ボルト、Ｊｓｃは８４．４μＡ／ｄであった。
又、この太陽電池の表面反射特性を測定したところ、全
波長域にわたって反射率が低減しており、光閉じ込めが
実現されていることが実証された。
波長域にわたって反射率が低減しており、光閉じ込めが
実現されていることが実証された。
比較例、１
下部電極として、表面が平坦な従来のクロム電極（凹凸
３０人未満）を使用した他は実施例１と全く同様にして
太陽電池を作製したところ、Ｖｏｃは０．８４ボルト、
Ｊｓｃは７８．９，１／Ａ／ｃｉｌｌであった。実施例
１と比較例１の結果から、本発明のテクスチャー化した
絶縁膜を利用した太陽電池の効果が極めて優れているこ
とが実証された。
３０人未満）を使用した他は実施例１と全く同様にして
太陽電池を作製したところ、Ｖｏｃは０．８４ボルト、
Ｊｓｃは７８．９，１／Ａ／ｃｉｌｌであった。実施例
１と比較例１の結果から、本発明のテクスチャー化した
絶縁膜を利用した太陽電池の効果が極めて優れているこ
とが実証された。
第１図は、本発明の金属基板を用いた太陽電池である。
図中、符号Ｉは基板、２は絶縁膜、３は金属電極、４は
ａ−３ｉ層、５は透明導電膜である。 第２図は、本発明の太陽電池と従来のアモルファスシリ
コン太陽電池の、光電流とアモルファスシリコン光電変
換層の膜厚との関係を示す。 第３図は、アモルファスシリコン太陽電池の出力量圧と
、 アモルファス光電変換層の膜厚との関 係を示す。
ａ−３ｉ層、５は透明導電膜である。 第２図は、本発明の太陽電池と従来のアモルファスシリ
コン太陽電池の、光電流とアモルファスシリコン光電変
換層の膜厚との関係を示す。 第３図は、アモルファスシリコン太陽電池の出力量圧と
、 アモルファス光電変換層の膜厚との関 係を示す。
Claims (1)
- １）金属基板、絶縁膜、下部電極、アモルファスシリコ
ン光電変換層及び透明電極とを有する太陽電池において
、少くとも前記下部電極の表面がテクスチャー構造を有
することを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200109A JPH0362974A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 金属基板を用いた太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200109A JPH0362974A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 金属基板を用いた太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362974A true JPH0362974A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16418979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200109A Pending JPH0362974A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 金属基板を用いた太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362974A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4315959A1 (de) * | 1993-05-12 | 1994-11-24 | Max Planck Gesellschaft | Elektronische Einrichtung mit mikrostrukturierten Elektroden und Verfahren zur Herstellung einer solchen Einrichtung |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1200109A patent/JPH0362974A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4315959A1 (de) * | 1993-05-12 | 1994-11-24 | Max Planck Gesellschaft | Elektronische Einrichtung mit mikrostrukturierten Elektroden und Verfahren zur Herstellung einer solchen Einrichtung |
| US5810945A (en) * | 1993-05-12 | 1998-09-22 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Method of fabricating an electronic micropatterned electrode device |
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