JPH0363921A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0363921A JPH0363921A JP20092889A JP20092889A JPH0363921A JP H0363921 A JPH0363921 A JP H0363921A JP 20092889 A JP20092889 A JP 20092889A JP 20092889 A JP20092889 A JP 20092889A JP H0363921 A JPH0363921 A JP H0363921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- vacuum
- substrate
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229910007880 ZrAl Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Zr + s Chemical compound 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、基板上に磁性記録膜等を形成した磁気記録媒
体及びその製造方法に間するものである。 さらに詳しく述べると、下地膜と磁性膜の成膜の前後の
過程に、真空中の不純物ガスを吸着により排気する非磁
性金属の中間膜を設けて、成膜室の中、特に下地膜と磁
性膜が成膜される場所、の不純物ガスを吸着により排気
し、下地膜及び磁性膜の成膜過程においての酸化を防い
だ磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
体及びその製造方法に間するものである。 さらに詳しく述べると、下地膜と磁性膜の成膜の前後の
過程に、真空中の不純物ガスを吸着により排気する非磁
性金属の中間膜を設けて、成膜室の中、特に下地膜と磁
性膜が成膜される場所、の不純物ガスを吸着により排気
し、下地膜及び磁性膜の成膜過程においての酸化を防い
だ磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
磁気ディスク装置の磁気記録媒体は様々な技術を利用し
て製造されているが、近年、ガラス基板の表面にスパッ
タ技術により磁性薄膜を形成したガラスディスクが開発
されている。この様な′８１気記録媒体としては、例え
ば第４図に示すように、ガラス基板（１０）上にＣｒ下
地Ｍ （１２）とＣｏＮｉＣｒやＣｏＮ ｉ等の記録膜
（！４）とＣ保護膜を順次積層した構造がある。 磁気記録媒体は、第６図に示すようなインライン型スパ
ッタ装置により効率よく製造される。プロセス室（２０
）の入口側と出口側にそれぞれ搬入室（２２）、 搬
出室（２４）とが設けられる。プロセス室（２０〉の内
部を高真空に維持するｋめ、搬入室（２２）及び搬出室
（２４）との間はそれぞれアイソレーションバルブ（２
６）、 （２８）で仕切られている。ガラス基板はパ
レットと呼ばれる搬送用の治具に装着されて装置内部を
矢印方向に移動する。プロセス室（２０）内ではまずヒ
ーターによりガラス基板を所定温度に加熱し、ついでＣ
ｒターゲットを持つスパッタステージ（３０）、ＣｏＮ
ｉＣｒターゲットを持つスパッタステージ（３２）、Ｃ
ターゲットを持つスパッタステージ（３４）で順次成膜
が行われる。 Ｃｒはその上に成膜される記録膜の結晶性を向上するた
めに用いられる。 特性の良好な磁気記録媒体を得るために次のような点に
注意にが払われている。 ■プロセス室内の到達真空度の向上 ■スパッタガスの高純度化 ■スパッタリングターゲット材の高純度化Ｃ膜は保護膜
であり、ヘッドとの摩擦から記録膜を保護すると同時に
、記録膜の大気中での腐食を防ぐ。
て製造されているが、近年、ガラス基板の表面にスパッ
タ技術により磁性薄膜を形成したガラスディスクが開発
されている。この様な′８１気記録媒体としては、例え
ば第４図に示すように、ガラス基板（１０）上にＣｒ下
地Ｍ （１２）とＣｏＮｉＣｒやＣｏＮ ｉ等の記録膜
（！４）とＣ保護膜を順次積層した構造がある。 磁気記録媒体は、第６図に示すようなインライン型スパ
ッタ装置により効率よく製造される。プロセス室（２０
）の入口側と出口側にそれぞれ搬入室（２２）、 搬
出室（２４）とが設けられる。プロセス室（２０〉の内
部を高真空に維持するｋめ、搬入室（２２）及び搬出室
（２４）との間はそれぞれアイソレーションバルブ（２
６）、 （２８）で仕切られている。ガラス基板はパ
レットと呼ばれる搬送用の治具に装着されて装置内部を
矢印方向に移動する。プロセス室（２０）内ではまずヒ
ーターによりガラス基板を所定温度に加熱し、ついでＣ
ｒターゲットを持つスパッタステージ（３０）、ＣｏＮ
ｉＣｒターゲットを持つスパッタステージ（３２）、Ｃ
ターゲットを持つスパッタステージ（３４）で順次成膜
が行われる。 Ｃｒはその上に成膜される記録膜の結晶性を向上するた
めに用いられる。 特性の良好な磁気記録媒体を得るために次のような点に
注意にが払われている。 ■プロセス室内の到達真空度の向上 ■スパッタガスの高純度化 ■スパッタリングターゲット材の高純度化Ｃ膜は保護膜
であり、ヘッドとの摩擦から記録膜を保護すると同時に
、記録膜の大気中での腐食を防ぐ。
この様な工程管理を厳重に行うのは、下地膜や記録膜の
成膜過程において、それらの膜の酸化をできる限り抑制
するためである。それらの膜の酸化は磁気特性等の劣化
をもたらすため、真空度を１０−’Ｔｏｒｒ以下の高真
空度に保つことが望ましい。 しかしながら、実際の生産においては、上記真空度を高
く保つことは難しく、そのため磁気特性が予想値となら
ず、比較的低い値となってしまうという問題点があった
。 本発明の目的は、下地膜と記録膜の成膜中の酸化が起こ
りにくく、そのため磁気特性が良好である磁気記録媒体
及びその製造方法を提供することである。 ｒａｍを解決するための手段】 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
ものであって、基板上に下地膜と記録膜と保護膜とを＊
ｌＬ／た磁気記録媒体において、基板と下地膜との間お
よび記録膜と保護膜との間に、真空中の不純物ガスを吸
着する非磁性金属の中間膜を形成した磁気記録媒体であ
る。 上記磁気記録媒体は、例えば、真空装置内で、基板上に
下地膜と記録膜と保護膜とを積層する磁気記録媒体の製
造方法において、下地膜積層前に基板に真空中の不純物
ガスを吸着し閉じこめ得る非磁性金属の第１中間膜を形
成し、かつ記録膜形成後に真空中の不純物ガスを吸着し
閉じこめ得る非磁性金属の第２中間膜を形成することに
より製造できる。 該非磁性金属の中間膜としては、真空中の不純物ガスを
吸着し閉じこめ得る金属であれば、Ｚｒ。 Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ等またはこれ等を主成分とする
合金等、任意のものが使用できる。中でもＡｌを含有す
るＺ ｒ、 特にＺ ｒ 自４Ａ ｌ ＋ｓ等Ａｌを
５〜３１５ａｔ％、望ましくは１３〜２０ａ ｔ％金含
有るＺｒを主成分とする合金が、真空中の不純物ガスを
吸着し閉じこめる効果が大きいので好ましい。 又、これ等の中でも酸化により耐食性のある酸化皮膜を
形成するものは耐候性の面でも有効である０例えば、記
録膜の上の該非磁性膜に含まれているＺｒは、成膜後、
大気中にて、保護膜中を通過して浸入してきた０２．Ｈ
２Ｏ等と反応して不動態となり、より強力な保護膜とな
る。 該中間膜の膜厚は、あまり厚いと生産性が低下し、また
あまり薄いと発明の効果が現れにくくなる。そこで例え
ば１１００ｎ〜７００ｎｍの厚さで設けることが好まし
い。
成膜過程において、それらの膜の酸化をできる限り抑制
するためである。それらの膜の酸化は磁気特性等の劣化
をもたらすため、真空度を１０−’Ｔｏｒｒ以下の高真
空度に保つことが望ましい。 しかしながら、実際の生産においては、上記真空度を高
く保つことは難しく、そのため磁気特性が予想値となら
ず、比較的低い値となってしまうという問題点があった
。 本発明の目的は、下地膜と記録膜の成膜中の酸化が起こ
りにくく、そのため磁気特性が良好である磁気記録媒体
及びその製造方法を提供することである。 ｒａｍを解決するための手段】 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
ものであって、基板上に下地膜と記録膜と保護膜とを＊
ｌＬ／た磁気記録媒体において、基板と下地膜との間お
よび記録膜と保護膜との間に、真空中の不純物ガスを吸
着する非磁性金属の中間膜を形成した磁気記録媒体であ
る。 上記磁気記録媒体は、例えば、真空装置内で、基板上に
下地膜と記録膜と保護膜とを積層する磁気記録媒体の製
造方法において、下地膜積層前に基板に真空中の不純物
ガスを吸着し閉じこめ得る非磁性金属の第１中間膜を形
成し、かつ記録膜形成後に真空中の不純物ガスを吸着し
閉じこめ得る非磁性金属の第２中間膜を形成することに
より製造できる。 該非磁性金属の中間膜としては、真空中の不純物ガスを
吸着し閉じこめ得る金属であれば、Ｚｒ。 Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ等またはこれ等を主成分とする
合金等、任意のものが使用できる。中でもＡｌを含有す
るＺ ｒ、 特にＺ ｒ 自４Ａ ｌ ＋ｓ等Ａｌを
５〜３１５ａｔ％、望ましくは１３〜２０ａ ｔ％金含
有るＺｒを主成分とする合金が、真空中の不純物ガスを
吸着し閉じこめる効果が大きいので好ましい。 又、これ等の中でも酸化により耐食性のある酸化皮膜を
形成するものは耐候性の面でも有効である０例えば、記
録膜の上の該非磁性膜に含まれているＺｒは、成膜後、
大気中にて、保護膜中を通過して浸入してきた０２．Ｈ
２Ｏ等と反応して不動態となり、より強力な保護膜とな
る。 該中間膜の膜厚は、あまり厚いと生産性が低下し、また
あまり薄いと発明の効果が現れにくくなる。そこで例え
ば１１００ｎ〜７００ｎｍの厚さで設けることが好まし
い。
本発明は真空装置内の真空度の向上を計るものであるが
、真空度の低下をもたらす原因としては、外気のリーク
の外、基板からの脱ガスの効果も大きい、特にガラス基
板の場合、基板の表面にはＨ２Ｏ１０ｔ＋ ＯＨ基等
が吸着している。そして一般に下地膜形成前には下地膜
の結晶性を増加させ、記録膜のエピタキシャル成長を向
上させるため基板加熱を行う、この時、基板加熱によっ
てガラス基板に吸着していたＨ２Ｏ，０２，ＯＨ基等の
一部はガラス基板から解離してプロセス室内に拡散し、
成膜時の雰囲気ガス（Ａｒガス）中の酸素分圧が高くな
る。そのため、ターゲットからスパッタされた原子は基
板表面に到達する前に酸化したり、基板に到達した段階
で雰囲気中の酸素を取り込んで酸化する問題が生じる。 本発明によれば、ガラス等の基板上及び記録膜上に形成
した非磁性中間膜は、不純物ガスを吸着するゲッター作
用により、真空室内の活性ガスを吸着して排気し、不純
物ガス分圧を下げる。すなわち、基板上に、ゲッターポ
ンプのヘッドを形成したのと同様の効果を持つ。 これによって、下地膜と記録膜を成膜する場所の前後で
不純物ガスだけが選択的に排気され、下地膜と記録膜が
成膜される場所の不純物ガス分圧が下がり、磁気特性に
特に影響を与える下地膜および磁性膜成膜中の酸化が防
止される。 膜の酸化が防止されることにより、下地膜の結晶性は向
上し、膜厚が薄くてもその上に良好な記録膜を成長させ
ることができる。また、記録膜自体も成膜中の不純物ガ
スの取り込みがなく、高純度である。
、真空度の低下をもたらす原因としては、外気のリーク
の外、基板からの脱ガスの効果も大きい、特にガラス基
板の場合、基板の表面にはＨ２Ｏ１０ｔ＋ ＯＨ基等
が吸着している。そして一般に下地膜形成前には下地膜
の結晶性を増加させ、記録膜のエピタキシャル成長を向
上させるため基板加熱を行う、この時、基板加熱によっ
てガラス基板に吸着していたＨ２Ｏ，０２，ＯＨ基等の
一部はガラス基板から解離してプロセス室内に拡散し、
成膜時の雰囲気ガス（Ａｒガス）中の酸素分圧が高くな
る。そのため、ターゲットからスパッタされた原子は基
板表面に到達する前に酸化したり、基板に到達した段階
で雰囲気中の酸素を取り込んで酸化する問題が生じる。 本発明によれば、ガラス等の基板上及び記録膜上に形成
した非磁性中間膜は、不純物ガスを吸着するゲッター作
用により、真空室内の活性ガスを吸着して排気し、不純
物ガス分圧を下げる。すなわち、基板上に、ゲッターポ
ンプのヘッドを形成したのと同様の効果を持つ。 これによって、下地膜と記録膜を成膜する場所の前後で
不純物ガスだけが選択的に排気され、下地膜と記録膜が
成膜される場所の不純物ガス分圧が下がり、磁気特性に
特に影響を与える下地膜および磁性膜成膜中の酸化が防
止される。 膜の酸化が防止されることにより、下地膜の結晶性は向
上し、膜厚が薄くてもその上に良好な記録膜を成長させ
ることができる。また、記録膜自体も成膜中の不純物ガ
スの取り込みがなく、高純度である。
第１図は本発明にかかる磁気記録媒体の一実施例を示す
拡大断面図である。ｉｌ磁気記録媒体４ｏ）は、ガラス
基板（１０）上にまず第１中間膜０４）をもうけ、その
上に順次Ｃ「下地膜（１２）、ＣｏＮｉＣｒ記録膜（１
４〉、第２中間膜（５の、Ｃ保護膜（１６）を形成した
構造である。 本発明の特徴は、ＣｒとＣｏＮｉＣｒをはさむ中間膜を
設けた点である。 この様な磁気記録媒体は、例えば第２図に示す様な、搬
送装置を内蔵し１つの真空系容器の中に複数のターゲッ
トを持つ、インライン型スパッタ装置を使用して製造で
きる。このスパッタ装置では、基本的には従来の場合と
同様、プロセス室（６０）の入口側及び出口側にそれぞ
れガラスディスク基板の搬入室（２２）と搬出室（２４
）とが設けられ、それらの間にアイソレーションパルプ
（２６）、 （２８）が取り付けられている。プロセ
ス室（６０）内には搬入側から搬出側に向かって順次Ｚ
ｒ ｓａＡ ｌ ＋ａケタ−ットを持つ第一のスパッ
タステージ（７４）、Ｃｒターゲットを持つ第二のスパ
ッタステージ（３の、ＣｏＮ１ｃｒターゲツトを持つ第
三のスパッタステージ（３２）、Ｚ ｒ Ａ ｌターゲ
ットを持つ第四のスパッタステージ（８の、Ｃターゲッ
トを持つ第五のスパッタステージ（３４）が配列されで
いる。 ガラスディスク基板（１０）は、搬入室（２２）から真
空室内に搬入され、真空室内を移動しながら順次Ｚ ｒ
Ａ Ｉ膜（４４）、 Ｃｒ膜（＋２）、ＣｏＮｉＣ
ｒ膜（１４）、第２ＺｒＡ１膜（５０）、 Ｃ膜（１
６）が被覆される。 実施例の作成諸条件は、以下の通りとした。 基板加熱温度 ３５０℃基板搬送速度
１８０ｍｍ／ｍ ｉ ｎ第１ＺｒＡ１ターゲツ
ト投入パワー １．１Ｗ／ｃｍ２ Ｃｒターゲット投入パワー ３、 ７−６、 ５Ｗ／ｃｍ２ ＣｏＮｉＣｒターゲット投入パワー ２、 ３ Ｗ／ ｃ ｍ２ 第２ＺｒＡｌターゲツト投入パワー ０．３Ｗ／ｃｍ２ Ｃターゲット投入パワー １．５Ｗ／ｃｍ２到達真空度
５Ｘ１０−７ＴｏｒｒスパツタＡｒガス圧
力 １Ｏ−２Ｔｏｒｒ膜厚 第１ＺｒＡｌ ３５ｎｍ Ｃｒ ８０〜１４０ｎｍＣｏＮｉＣｒ
６０ｎｍ 第２２ｒＡｌ １０ｎｍ Ｃ３０ｎｍ この様な製造方法によって試作したｍ気記録媒体の静磁
気特性を第３図に示す、また、第３図に、実施例の条件
とほぼ同様の排気条件、スパッタ条件で作製した、非磁
性中間膜を持たない前記従来構造の磁気記録媒体の特性
を同様に示す。 第３図から本実施例により作製されに磁気記録媒体は、
良好な８１ス特性を有し、従来品に較べて薄いＣｒ膜厚
て同程度の静磁気特性が得られることがわかる。 ここでは加熱前に非磁性膜を基板上に設けたが、加熱後
でもよい。加熱用のステージで発生した不純物ガスは、
下地膜を成膜するステージに達する前に、非磁性膜上に
吸着され、排気される。 しかしながら、加熱前に成膜したほうが、吸着している
Ｈ２Ｏ等を基板上にある状態で吸着すること、及び、Ｚ
ｒＡｌが２００℃以上で吸着作用が大きいこと等から望
ましい。 上記実施例においては、基板としてガラス基板を用いて
いるが、ガラス基板は基板からのガス脱着が多く本発明
の効果が大きく表れる。しかしながら、該基板はガラス
基板に限られず、無機質基板等任意の基板が使用できる
。
拡大断面図である。ｉｌ磁気記録媒体４ｏ）は、ガラス
基板（１０）上にまず第１中間膜０４）をもうけ、その
上に順次Ｃ「下地膜（１２）、ＣｏＮｉＣｒ記録膜（１
４〉、第２中間膜（５の、Ｃ保護膜（１６）を形成した
構造である。 本発明の特徴は、ＣｒとＣｏＮｉＣｒをはさむ中間膜を
設けた点である。 この様な磁気記録媒体は、例えば第２図に示す様な、搬
送装置を内蔵し１つの真空系容器の中に複数のターゲッ
トを持つ、インライン型スパッタ装置を使用して製造で
きる。このスパッタ装置では、基本的には従来の場合と
同様、プロセス室（６０）の入口側及び出口側にそれぞ
れガラスディスク基板の搬入室（２２）と搬出室（２４
）とが設けられ、それらの間にアイソレーションパルプ
（２６）、 （２８）が取り付けられている。プロセ
ス室（６０）内には搬入側から搬出側に向かって順次Ｚ
ｒ ｓａＡ ｌ ＋ａケタ−ットを持つ第一のスパッ
タステージ（７４）、Ｃｒターゲットを持つ第二のスパ
ッタステージ（３の、ＣｏＮ１ｃｒターゲツトを持つ第
三のスパッタステージ（３２）、Ｚ ｒ Ａ ｌターゲ
ットを持つ第四のスパッタステージ（８の、Ｃターゲッ
トを持つ第五のスパッタステージ（３４）が配列されで
いる。 ガラスディスク基板（１０）は、搬入室（２２）から真
空室内に搬入され、真空室内を移動しながら順次Ｚ ｒ
Ａ Ｉ膜（４４）、 Ｃｒ膜（＋２）、ＣｏＮｉＣ
ｒ膜（１４）、第２ＺｒＡ１膜（５０）、 Ｃ膜（１
６）が被覆される。 実施例の作成諸条件は、以下の通りとした。 基板加熱温度 ３５０℃基板搬送速度
１８０ｍｍ／ｍ ｉ ｎ第１ＺｒＡ１ターゲツ
ト投入パワー １．１Ｗ／ｃｍ２ Ｃｒターゲット投入パワー ３、 ７−６、 ５Ｗ／ｃｍ２ ＣｏＮｉＣｒターゲット投入パワー ２、 ３ Ｗ／ ｃ ｍ２ 第２ＺｒＡｌターゲツト投入パワー ０．３Ｗ／ｃｍ２ Ｃターゲット投入パワー １．５Ｗ／ｃｍ２到達真空度
５Ｘ１０−７ＴｏｒｒスパツタＡｒガス圧
力 １Ｏ−２Ｔｏｒｒ膜厚 第１ＺｒＡｌ ３５ｎｍ Ｃｒ ８０〜１４０ｎｍＣｏＮｉＣｒ
６０ｎｍ 第２２ｒＡｌ １０ｎｍ Ｃ３０ｎｍ この様な製造方法によって試作したｍ気記録媒体の静磁
気特性を第３図に示す、また、第３図に、実施例の条件
とほぼ同様の排気条件、スパッタ条件で作製した、非磁
性中間膜を持たない前記従来構造の磁気記録媒体の特性
を同様に示す。 第３図から本実施例により作製されに磁気記録媒体は、
良好な８１ス特性を有し、従来品に較べて薄いＣｒ膜厚
て同程度の静磁気特性が得られることがわかる。 ここでは加熱前に非磁性膜を基板上に設けたが、加熱後
でもよい。加熱用のステージで発生した不純物ガスは、
下地膜を成膜するステージに達する前に、非磁性膜上に
吸着され、排気される。 しかしながら、加熱前に成膜したほうが、吸着している
Ｈ２Ｏ等を基板上にある状態で吸着すること、及び、Ｚ
ｒＡｌが２００℃以上で吸着作用が大きいこと等から望
ましい。 上記実施例においては、基板としてガラス基板を用いて
いるが、ガラス基板は基板からのガス脱着が多く本発明
の効果が大きく表れる。しかしながら、該基板はガラス
基板に限られず、無機質基板等任意の基板が使用できる
。
上記実施例にみられるように、ＣｒとＣｏＮｉＣｒの前
後でゲッタースパッタを行うことは、不純物ガス分圧を
下げることができる点で好ましい。
後でゲッタースパッタを行うことは、不純物ガス分圧を
下げることができる点で好ましい。
第１図は実施例で作製しに磁気記録媒体の断面構造を示
す断面図、第２図は実施例で使用したスパッタリング装
置の構成を示す構成図、第３図は実施例および従来例の
Ｃｒ下地膜の膜厚と保磁力の間係を示す図、第４図は従
来の磁気記録媒体の断面構造を示す瞬断図、第５図は従
来のスパッタリング装置の構成を示す構成図である。 Ｃｒ下地膜の膜厚６］ 第３図 第２図
す断面図、第２図は実施例で使用したスパッタリング装
置の構成を示す構成図、第３図は実施例および従来例の
Ｃｒ下地膜の膜厚と保磁力の間係を示す図、第４図は従
来の磁気記録媒体の断面構造を示す瞬断図、第５図は従
来のスパッタリング装置の構成を示す構成図である。 Ｃｒ下地膜の膜厚６］ 第３図 第２図
Claims (3)
- （１）基板上に下地膜と記録膜と保護膜とを積層した磁
気記録媒体において、基板と下地膜との間および記録膜
と保護膜との間に、真空中の不純物ガスを吸着する非磁
性金属の中間膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒
体。 - （２）該非磁性金属の中間膜として、Ａｌを１３〜２０
ａｔ％含有するＺｒを主成分とする合金を用いる磁気記
録媒体。 - （３）真空装置内で、基板上に下地膜と記録膜と保護膜
とを積層する磁気記録媒体の製造方法において、下地膜
積層前に基板に真空中の不純物ガスを吸着し閉じこめ得
る非磁性金属の第１中間膜を形成し、かつ記録膜形成後
に真空中の不純物ガスを吸着し閉じこめ得る非磁性金属
の第２中間膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20092889A JP2819637B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20092889A JP2819637B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0363921A true JPH0363921A (ja) | 1991-03-19 |
| JP2819637B2 JP2819637B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=16432616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20092889A Expired - Fee Related JP2819637B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819637B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149320A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20092889A patent/JP2819637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149320A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US9928866B2 (en) | 2012-01-19 | 2018-03-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819637B2 (ja) | 1998-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2911782B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0363921A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0451963B2 (ja) | ||
| JP2519982B2 (ja) | 面内磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP5981564B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3136664B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| Kawanabe et al. | Cr migration in CoNiTa/Cr films by annealing | |
| JP2949875B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0821502B2 (ja) | 薄膜永久磁石 | |
| US20060021871A1 (en) | Method for fabricating L10 phase alloy film | |
| JP3304382B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2720363B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6380406A (ja) | 多層膜の製造方法 | |
| JPH01277350A (ja) | 光磁気記録媒体の製造装置 | |
| JP2625951B2 (ja) | 磁性体薄膜及びその製造方法 | |
| JP3210736B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05135343A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| EP0437904A1 (en) | Process for producing a magnetic recording medium | |
| JPH056834A (ja) | 積層磁性体膜の形成方法 | |
| JPS59167834A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2819653B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH09204659A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2001243620A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| WO1997018556A1 (en) | Magnetic recording medium and production method thereof | |
| JPH04285153A (ja) | 多層磁性体膜およびその形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |