JPH0364111A - Memory device and digital signal processing device using the same - Google Patents

Memory device and digital signal processing device using the same

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JPH0364111A
JPH0364111A JP20054089A JP20054089A JPH0364111A JP H0364111 A JPH0364111 A JP H0364111A JP 20054089 A JP20054089 A JP 20054089A JP 20054089 A JP20054089 A JP 20054089A JP H0364111 A JPH0364111 A JP H0364111A
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水岡 久子
Tooru Kengaku
見学 徹
Eiichi Teraoka
栄一 寺岡
Tetsuaki Oga
大賀 哲明
Hiroichi Ishida
博一 石田
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Abstract

PURPOSE:To reduce power consumption by providing an access means writing a data to an address of a 1st memory represented by a 1st initial value, and reading a data written in an address represented by a count of a 2nd counter. CONSTITUTION:The device is provided with a 2n-bit 1st counter 1 counting clocks, a 2nd counter counting clocks by using a count of high-order n-bit as the initial value when low-order n-bit of the 1st counter 1 has a carry or reaches an optional initial value and a 1st memory 200 using the count of the 2nd counter as the address for the access. Then a data is written to an address represented by the initial value of the 2nd counter 2. That is, when the low-order bit of the 1st counter 1 is counted for 2<n> number of times, the succeeding sampling is implemented, the count of the 2nd counter 2 is incremented and the data at that time is written. Thus, only one write is implemented for sampling periods caused for each 2<n> number of times of the low-order n-bit and the power consumption for the write is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] この発明は、ディジタルフィルタに用いるディジタル信
号処理装置及びそれに内蔵されたメモリ装置に関し、特
にFIR(F 1nite  I mpulse  R
e5ponse)フィルタの積和演算用の数値を格納す
るメモリ装置及びその演算を行うディジタル信号処理装
置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a digital signal processing device used in a digital filter and a memory device built therein, and particularly relates to a digital signal processing device used in a digital filter and a memory device built therein.
The present invention relates to a memory device that stores numerical values for product-sum calculations of filters, and a digital signal processing device that performs the calculations.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ディジタルフィルタとして例えばFIRフィルタを実現
する場合、サンプリング周期毎にサンプリングデータX
。−〇 とフィルタ係数り、とで下記(1)式に示す積
和演算を実行しなければならない。
For example, when implementing an FIR filter as a digital filter, sampling data
. −〇 and the filter coefficients must be used to perform the sum-of-products operation shown in equation (1) below.

但しに:サンプリング回数 n:ディジタルフィルタのタップ数 (自然数) 第14図はPIRフィルタによる(1)式に示すフィル
タ演算の処理フロー図であり、最新のサンプリングデー
タXつとフィルタ係数h0とを乗算し、それと前回のサ
ンプリングデータXk−1とフィルタ係数り、との乗算
結果とを加算し、これを順に繰り返して(1)式に示す
積和演算を行う。
However: Number of samplings n: Number of taps of the digital filter (natural number) Figure 14 is a processing flow diagram of the filter calculation shown in equation (1) by the PIR filter, in which the latest sampling data X is multiplied by the filter coefficient h0. , and the result of multiplying the previous sampling data Xk-1 by the filter coefficient , and repeat this in order to perform the product-sum operation shown in equation (1).

第9図はFIRフィルタを実現するための従来のディジ
タル信号処理装置(以下Degital  S ign
alP rocessor DSPという)の主要部の
構成を示すブロック図である。図において200はサン
プリングデータX(k、、i、を格納するためのデータ
RAMであり、該データl1lAl’l 200内のサ
ンプリングデータX(kはデータROM201に予め格
納しであるフィルタ係数h8と共に乗算器202に与え
られる。乗算器202ではそれらを乗算し、その乗算結
果を加算器(ALU)203の一端に与える。加算器2
03の他端には後述するアキュムレータ(ACC) 2
04に保持されたそれ以前の加算結果が与えられており
、それらの加算が行われる。加算結果はアキュムレータ
204に保持され、次のタイミングで加算器203の他
端に与えられる。
Figure 9 shows a conventional digital signal processing device (hereinafter referred to as Digital Sign) for realizing an FIR filter.
1 is a block diagram showing the configuration of a main part of an alProcessor DSP. In the figure, 200 is a data RAM for storing sampling data X(k,,i,), and the sampling data The multiplier 202 multiplies them and provides the multiplication result to one end of the adder (ALU) 203.Adder 2
At the other end of 03 is an accumulator (ACC) 2 which will be described later.
The previous addition results held in 04 are given, and these additions are performed. The addition result is held in the accumulator 204 and given to the other end of the adder 203 at the next timing.

このように構成されたDSPでは、データRAM 20
0に格納されたサンプリングデータXn−=r  と、
データROM201に格納されているフィルタ係数り、
とが毎サイクル毎に続出され、乗算器202に入力され
る。その乗算結果が加算器203の一端に入力され、他
端に入力されたアキュムレータ204の保持値即ち前回
の加算結果と加算される。このようにして第14図の処
理フローで示す(1)式の積和演算を高速に実行できる
In the DSP configured in this way, the data RAM 20
Sampling data Xn-=r stored in 0,
The filter coefficients stored in the data ROM 201,
are successively output every cycle and input to the multiplier 202. The multiplication result is input to one end of the adder 203, and added to the value held in the accumulator 204, that is, the previous addition result, input to the other end. In this way, the sum-of-products operation of equation (1) shown in the processing flow of FIG. 14 can be executed at high speed.

次にこのときのデータRAM 200及びデータROM
201におけるデータの配列について説明する。第11
図はデータROMに書込まれているフィルタ係数り。
Next, the data RAM 200 and data ROM at this time
The data arrangement in 201 will be explained. 11th
The figure shows the filter coefficients written in the data ROM.

の配列順を示す図であり、最新のサンプリングデータX
3に対する係数hoがアドレス0に、また最古のサンプ
リングデータX3−(N−1)に対するフィルタ係数X
 k−(N−11がアドレスN−1に書かれている。こ
れらのフィルタ係数り、は予め定められており、ROM
化され゛ているので、この配列を演算中に変更すること
はできない。第12図はデータRAMに書込まれるサン
プリングデータX(k−41の配列順を示す図であり、
常に最新のサンプリングデータがアドレス0に、また最
古のサンプリングデータがアドレスN−1に書込まれる
。例えばサンプリング時刻t1において第12図(a)
に示す配列順であったものが、それより1サンプリング
周期後のサンプリング時刻tk++には第12図(b)
の状態に配列順を変化させることにより第14図に示す
処理フローに従ったFIRフィルタの出力を容易に得る
ことができる。即ちFIRフィルタでは各サンプリング
周期毎に、次周期での演算のためにサンプリングデータ
を1周期分遅延させることにより、高速な演算処理が可
能となる。
is a diagram showing the arrangement order of the latest sampling data
The coefficient ho for 3 is at address 0, and the filter coefficient X for the oldest sampling data X3-(N-1)
k-(N-11 is written at address N-1. These filter coefficients are predetermined and stored in the ROM.
This array cannot be changed during the operation. FIG. 12 is a diagram showing the arrangement order of sampling data X (k-41) written in the data RAM,
The latest sampling data is always written to address 0, and the oldest sampling data is always written to address N-1. For example, at sampling time t1, FIG. 12(a)
12(b) at sampling time tk++ one sampling period later.
By changing the arrangement order to the state shown in FIG. 14, the output of the FIR filter according to the processing flow shown in FIG. 14 can be easily obtained. That is, in the FIR filter, high-speed calculation processing is possible by delaying sampling data by one period for calculation in the next period for each sampling period.

このデータROMIに書込まれるサンプリングデータの
1周期遅延を容易に実現するものとして特開昭63−2
66576号公報に開示されたものがある。第10図は
前記公報に開示されたDSPのデータROM1Mの構成
を示すブロック図である。図において200はデータR
OMであり、DSP内の図示しない制御回路から供給さ
れる基本クロック信号φ。に従って動作し、そのメモリ
サイクルは基本クロック信号φ。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-2011 has proposed a method for easily realizing a one-cycle delay of sampling data written to this data ROMI.
There is one disclosed in Japanese Patent No. 66576. FIG. 10 is a block diagram showing the structure of the data ROM 1M of the DSP disclosed in the publication. In the figure, 200 is data R
OM, and a basic clock signal φ supplied from a control circuit (not shown) in the DSP. The memory cycle operates according to the basic clock signal φ.

によって規定される。またデータRAM 200は制御
回路から制御信号として供給されるメモリイネーブル信
号?IEに従って前記メモリサイクルを単位期間として
選択状態とされる。このときデータRAM200は、制
御回路から供給されるアドレスシフトモード信号SN及
びリード・ライト信号R/Hに従ってその動作モードが
決定される。即ち上記各信号がタイミング発生回路5に
与えられ、それらにより各部への後述する制御信号が生
成される。またデータRAM 200内には人力された
アドレス信号をデコードするデコーダ12と、ワード線
及びデータ線からなるメモリアレイ13と、データ線を
接続したセンスアンプ11とから構成される記憶素子と
してのRAMセル部10が設けられており、そこへのサ
ンプリングデータのラッチ及びそこから読出されたサン
プリングデータをラッチするデータバ・ソファ3を介し
てサンプリングデータの人出力が行われる。またRAM
セル部10に与えるアドレスはアドレスポインタ7で指
定され、その出力たるに十Iビットのアドレス信号式〇
〜Ak及びそれをプラスI回路8で+1したアドレス信
号がセレクタ9に与えられる。セレクタ9にはタイミン
グ発生回路5からのタイ旦ング信号中φ、2が与えられ
、それの”L”、  ’Mイ″によりアドレスポインタ
7のアドレス信号A0〜A、又はプラス1回路8の出力
を選択し、相補内部アドレス信号、LJ〜〜−04−と
してデコーダ12に出力する。デコーダ12にはタイミ
ング発生回路5からタイミング信号φ。が与えられ、そ
の“H”のときに相補内部アドレス信号n 〜h−のデ
コードを行う。またセンスアンプ11にはタイミング信
号φ5゜が与えられ、その“H”によりメモリアレイ1
3のデータ線のデータが読出される。またデータバッフ
ァ3にはタイミング発生回路5からライト信号φ8及び
リード信号φ、が与えられ、それらのH°″によりサン
プリングデータの書込み、読出しを行う。
defined by. Also, the data RAM 200 is a memory enable signal supplied as a control signal from the control circuit. According to the IE, the memory cycle is set to a selected state as a unit period. At this time, the operation mode of data RAM 200 is determined according to address shift mode signal SN and read/write signal R/H supplied from the control circuit. That is, each of the above-mentioned signals is applied to the timing generation circuit 5, which generates control signals to be described later for each section. In addition, within the data RAM 200, there are RAM cells as storage elements that are composed of a decoder 12 that decodes manually input address signals, a memory array 13 consisting of word lines and data lines, and a sense amplifier 11 to which the data lines are connected. A section 10 is provided, to which sampling data is latched and sampling data is outputted via a data bar 3 which latches sampling data read therefrom. Also RAM
The address given to the cell section 10 is specified by the address pointer 7, and the output thereof is a 10 I-bit address signal formula 0 to Ak and an address signal obtained by adding 1 to it by the plus I circuit 8, which is given to the selector 9. The selector 9 is given the timing signal φ, 2 from the timing generation circuit 5, and depending on its “L” or “M”, the address signal A0 to A of the address pointer 7 or the output of the plus 1 circuit 8 is output. is selected and outputted to the decoder 12 as a complementary internal address signal, LJ~~-04-.The decoder 12 is given a timing signal φ from the timing generation circuit 5, and when it is at "H", the complementary internal address signal is outputted to the decoder 12. A timing signal φ5° is applied to the sense amplifier 11, and its "H" level causes the memory array 1 to decode.
The data on data line No. 3 is read out. Further, the data buffer 3 is supplied with a write signal φ8 and a read signal φ from the timing generation circuit 5, and writing and reading of sampling data is performed by these H°''.

次に以上の如く構成された従来のデータRAMの動作に
ついて説明する。第13図はデータRAMのアクセス動
作を示すタイミングチャートである。データRAM 2
00はその前半のメモリサイクルで実線で示す通常の読
出しモード又は破線で示す通常の書込みモードが行われ
、後半のメモリサイクルでアドレスシフトモードが行わ
れる。アドレスシフトモードはアドレスシフトモード信
号SNが“H”のとき実行されるモードであり、このモ
ードにおいてデー7174M 200は、メモリサイク
ルの前半においてサンプリングデータを読出し、その後
半において続出されたサンプリングデータを次のサンプ
リング周期に対応するアドレスに書込む。これによりフ
ィルタ演算に係る積和演算のサンプリングデータの読出
しとシフトとが同時に行え、高速処理が可能となる。そ
して与えられたアドレス信号をもとに次のサンプリング
周期に対応するアドレス信号を得るためにプラス1回路
8と2つのアドレス信号を選択するセレクタ9とがある
Next, the operation of the conventional data RAM configured as described above will be explained. FIG. 13 is a timing chart showing the access operation of the data RAM. Data RAM 2
In 00, the normal read mode shown by a solid line or the normal write mode shown by a broken line is performed in the first half of the memory cycle, and the address shift mode is performed in the second half of the memory cycle. The address shift mode is a mode that is executed when the address shift mode signal SN is "H". In this mode, the data 7174M 200 reads sampling data in the first half of the memory cycle, and in the second half reads the successive sampling data. Write to the address corresponding to the sampling period. As a result, reading and shifting of sampling data for product-sum calculations related to filter calculations can be performed simultaneously, and high-speed processing becomes possible. In order to obtain an address signal corresponding to the next sampling period based on the applied address signal, there is a plus 1 circuit 8 and a selector 9 that selects two address signals.

データ[lAM 200は、基本クロック信号φ。の立
上りに先立ってメモリイネーブル信号間がII HII
となり、次のiメそリサイクル期間だけ選択状態とされ
る。このメモリイネーブル信号MEと同時にアドレスシ
フトモード信号SN及びリード・ライト信号R/’Wが
u Ht+又は“′L”となるデータRAM200の動
作モードが設定される。
Data [lAM 200 is the basic clock signal φ. II HII between the memory enable signals prior to the rising edge of
, and is kept in the selected state only during the next i-meso recycling period. Simultaneously with this memory enable signal ME, the operation mode of the data RAM 200 is set in which the address shift mode signal SN and the read/write signal R/'W become u Ht+ or "'L".

第13図においてデータRAM 200はメモリイネー
ブル信号間及びリードライト信号R/Wが“HITとな
り、アドレスシフトモード信号SNがL′′となること
で次のメモリサイクルにおいて通常の読出しモードで選
択状態とされる。データRAM 200にはメモリイネ
ーブル信号MEとに+1 ビットのアドレス信号A、−
Akが供給される。アドレス信号A0〜Allは所望の
データの格納アドレス“h゛を指定している。これらの
アドレス信号はアドレスシフトモード信号SNが“L″
′とされ、タイミング信号φ□が“L”とされることか
らセレクタ9によって選択され、相補内部アドレス信号
二〜ととしてデコーダ12に供給される。
In FIG. 13, the data RAM 200 is in the selected state in the normal read mode in the next memory cycle when the memory enable signal and the read/write signal R/W become "HIT" and the address shift mode signal SN becomes L''. The data RAM 200 has a memory enable signal ME and +1 bit address signals A, -.
Ak is supplied. Address signals A0 to All specify the desired data storage address "h".These address signals are input when the address shift mode signal SN is "L".
', and since the timing signal φ□ is set to "L", it is selected by the selector 9 and is supplied to the decoder 12 as complementary internal address signals 2 to 2.

データRAM 200では基本クロック信号φ。の立上
りエツジで、メモリイネーブル信号間が”トI゛である
ので、タイ果ング信号φ、Qがlメモリサイクル期間だ
け”H“′となり、少しずつ遅れてタイミング信号φ8
1及びリード信号φ4が順に“H゛となる。タイミング
(言置φaQが“Hnどなることで、デコーダ12が動
作状態となり、アドレス信号A0〜A、によって指定さ
れる1本のワード線、即ちアドレス゛h11に対応する
ワード線が選択状態となる。またタイミング信号量、が
”41”となることでセンスアンプ11が動作状態とな
り、選択されたワード線に結合されたメモリセルから対
応するデータ線に出力される読出し信号が、対応するセ
ンスアンプ11の単位回路によって増幅される。
In the data RAM 200, the basic clock signal φ. At the rising edge of , the memory enable signals are at ``T'', so the tie-off signals φ and Q become ``H'' for l memory cycle period, and the timing signal φ8 is gradually delayed.
1 and the read signal φ4 become "H" in sequence. Timing (when the word φaQ becomes "Hn", the decoder 12 enters the operating state, and one word line specified by the address signals A0 to A, that is, the address The word line corresponding to h11 becomes selected. Also, when the timing signal amount becomes "41", the sense amplifier 11 becomes activated, and the memory cell connected to the selected word line is transferred to the corresponding data line. The output read signal is amplified by the corresponding unit circuit of the sense amplifier 11.

次にリード信号量、が“H”となることで、センスアン
プ11によって増幅されたアドレス“h′の読出しデー
タがデータバッファ3に格納される。
Next, when the read signal amount becomes "H", the read data at address "h" amplified by the sense amplifier 11 is stored in the data buffer 3.

そして基本クロックφ。に先立ってメモリイネーブル信
号量が“L”となったことで読出しモードは終了し、デ
ータRAM 200の各回路は非選択状態となる。
and the basic clock φ. The read mode ends because the memory enable signal amount becomes "L" prior to , and each circuit of the data RAM 200 enters a non-selected state.

基本クロック信号量。の立上りエツジにおいて、メモリ
イネーブル信号MEが“H″とされ、同時にリード・ラ
イト信号R/Wが“L”°とされる場合、データRAM
 200は通常の書込みモードを開始する。
Basic clock signal amount. At the rising edge of , when the memory enable signal ME is set to "H" and the read/write signal R/W is set to "L" at the same time, the data RAM
200 starts normal write mode.

このとき、データRAM 200では、第13図に破線
で示されるように、ワード線の選択動作が終了した時点
でライト信号量8が“H”となり、図示しないデータバ
スを介して供給される書込みデータが、データバッファ
3を介して選択された複数のメモリセルに入力される。
At this time, in the data RAM 200, as shown by the broken line in FIG. 13, the write signal amount 8 becomes "H" when the word line selection operation is completed, and the write signal amount 8 becomes "H" as shown by the broken line in FIG. Data is input to a plurality of selected memory cells via the data buffer 3.

一方、第13図の後半に示されるように、基本クロック
信号量。の立上りエツジにおいてメモリイネーブル信号
MEが“H゛とされ、同時にアドレスシフトモード信号
SNが“H”とされる場合、データRAM 200はア
ドレスシフトモードを開始する。
On the other hand, as shown in the second half of FIG. 13, the basic clock signal amount. When the memory enable signal ME is set to "H" at the rising edge of , and the address shift mode signal SN is set to "H" at the same time, the data RAM 200 starts the address shift mode.

データRAM 200にはメモリイネーブル信号MEと
ともにアドレス信号A0〜A3が供給され、リード・ラ
イト信号R/Wは“H”とされる。アドレス信号A6〜
Akは、所望のサンプリングデータが格納されるアドレ
ス“i”を指定している。
Address signals A0 to A3 are supplied to the data RAM 200 along with a memory enable signal ME, and the read/write signal R/W is set to "H". Address signal A6~
Ak specifies address "i" where desired sampling data is stored.

データRAM 200では、基本クロック信号量。の立
上りエツジでメモリイネーブル信号MIEが“H”であ
ることから、タイミング信号φ□が1メモリサイクル期
間だけ“HIIとなり、少しづつ遅れてタイミング信号
φ□及びφ7が順に”HIIとなる。
In the data RAM 200, the basic clock signal amount. Since the memory enable signal MIE is "H" at the rising edge of , the timing signal φ□ becomes "HII" for one memory cycle period, and the timing signals φ□ and φ7 sequentially become "HII" with a little delay.

これにより、上述の読出しモードの場合と同様な続出し
動作が行われ、アドレス“HT1のメモリセルの記憶デ
ータがデータバッファ3に格納される。
As a result, a continuous read operation similar to that in the read mode described above is performed, and the data stored in the memory cell at the address "HT1" is stored in the data buffer 3.

ところが、基本クロック信号量。が“L゛となる立下り
エツジにおいて、アドレスシフトモード信号SMi<“
H”とされることから、データRAM 200ではタイ
ミング信号φ□が“H”とされる。これによりセレクタ
9ではプラス1回路8の出力信号すなわちアドレス信号
“i+1”が選択され、相補内部アドレス信号五〜11
としてデコーダ12に供給される。また、このとき、タ
イミング信号量。
However, the basic clock signal amount. At the falling edge when the address shift mode signal SMi becomes “L”, the address shift mode signal SMi<“
Therefore, in the data RAM 200, the timing signal φ□ is set to "H".As a result, the selector 9 selects the output signal of the plus 1 circuit 8, that is, the address signal "i+1", and the complementary internal address signal 5-11
The signal is supplied to the decoder 12 as a signal. Also, at this time, the timing signal amount.

が“H゛とされるのに先立ってタイミング信号φ、II
が一時的に“L IIとされ、デコーダ12にょるデコ
ード動作が終了する時点で再度“H“とされる。
Before the timing signal φ, II is set to “H”, the timing signal φ, II
is temporarily set to "L II", and is set to "H" again at the time when the decoding operation by the decoder 12 is completed.

つまり、アドレス信号が遷移し、デコーダ12によるデ
コード動作が過渡状態となる期間において、デコーダ1
2のワード線選択動作は禁止され、いずれのワード線も
非選択状態となる。
In other words, during a period in which the address signal transitions and the decoding operation by the decoder 12 is in a transient state, the decoder 1
The second word line selection operation is prohibited, and all word lines become unselected.

タイミング信号量、。が再度“H″とされることによっ
て、アドレス“i+1”に対応するワード線が選択状態
とされる。このとき、各データ線及びセンスアンプ11
にはこのメモリサイクルの前半で読出されたアドレス信
号”の読出し信号が確立されたままとなっている。した
がって、メモリサイクルの後半で選択されたワード線す
なわちアドレス“i千1″のメモリセルには読出された
アドレス“i゛″のサンプリングデータが書込まれる。
timing signal amount. is set to "H" again, so that the word line corresponding to address "i+1" is placed in a selected state. At this time, each data line and the sense amplifier 11
The read signal of the address signal read in the first half of this memory cycle remains established. Therefore, the read signal of the address signal read in the first half of this memory cycle remains established. Therefore, the read signal of the address signal read in the first half of this memory cycle remains established. The sampled data at the read address "i" is written.

つまり、アドレス“i″から読出されたサンプリングデ
ータは、バスを介して出力されると共に、そのまま次の
サンプリング周期に対応するアドレス“i+1”に書込
まれ、実質的にサンプリングデータのシフト処理が実現
される。
In other words, the sampling data read from address "i" is output via the bus and written as is to address "i+1" corresponding to the next sampling period, essentially realizing a shifting process of sampling data. be done.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

このように構成された従来のデータRAMにおいてはフ
ィルタ演算に係る積和演算のためのサンプリングデータ
の読出しが行われるアドレスシフトモードにおいて、デ
ータの読出し時に必ず読出しアドレスにプラスlしたア
ドレスにデータの書込みが行われるため、読出しのとき
に比べ多くのトランジスタを動作させねばならず、消費
電力が増加するという問題点があった。
In the conventional data RAM configured as described above, in the address shift mode in which sampling data is read for the product-sum operation related to the filter operation, data is always written to an address that is the read address plus 1 when reading data. Since this is performed, more transistors must be operated than during reading, which poses a problem in that power consumption increases.

この発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、デ
ータRAMにおいてデータの配列をマシンサイクル間に
全て変更するのではなく、アドレスポインタで指定する
アドレスを変更することにより高速でアクセスでき、消
費電力を減少させたメモリ装置及びそれを用いたDSP
を得ることを目的とする。
This invention was made in view of the above circumstances, and instead of changing the entire data arrangement in the data RAM between machine cycles, by changing the address specified by the address pointer, it is possible to access the data at high speed and reduce consumption. Memory device with reduced power and DSP using the same
The purpose is to obtain.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係るメモリ装置はクロ・ンクを計数する2n
ビットの第1のカウンタと、第1のカウンタの下位nビ
ットが桁上りするか又は、任意の初期値となったとき、
上位nビットの計数値を初期値として前記クロックを計
数する第2のカウンタと、該第2のカウンタの値をアド
レスとして用いアクセスされる第1のメモリとを設け、
前記第2のカウンタの初期値で示すアドレスにデータを
書込むと共に、前記第2のカウンタが示すアドレスに書
込まれたデータを読出すようにしたものであり、この発
明に係るディジタル信号処理装置は、前記メモリ装置と
、第1のカウンタの下位nビ・ントの値をアドレスとし
て用いアクセスされる第2のメモリとを設け、それらの
出力を積和演算するようにしたものである。
The memory device according to the present invention counts 2n clocks.
When the first counter of bits and the lower n bits of the first counter carry over or reach an arbitrary initial value,
A second counter that counts the clock using a count value of upper n bits as an initial value, and a first memory that is accessed using the value of the second counter as an address,
The digital signal processing device according to the present invention writes data to the address indicated by the initial value of the second counter and reads the data written to the address indicated by the second counter. The above-mentioned memory device is provided with a second memory accessed using the value of the lower n bits of the first counter as an address, and the outputs thereof are subjected to a product-sum operation.

〔作用〕[Effect]

この発明のメモリ装置においては、第1のカウンタの下
位ビットが2″回計数すると次のサンプリングが行われ
、第2のカウンタの値がインクリメントされ、そのとき
データの書込みが行われる。
In the memory device of the present invention, when the lower bit of the first counter counts 2'' times, the next sampling is performed, the value of the second counter is incremented, and data is written at that time.

従って書込みが下位nビットの2″回毎に行われるサン
プリング周期に1回しか行われず、書込みに要する電力
消費が減少する。
Therefore, writing is performed only once in every 2'' sampling period of the lower n bits, reducing power consumption required for writing.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明をその一実施例を示す図面に基づいて説
明する。第1図はこの発明に係るメモリ装置の構成を示
すブロック図である。図において100はメモリ装置で
あり、サンプリングデータを格納するデータRAM 2
00とフィルタ係数を格納しであるデータROM 20
1とを有している。またlは2nビットのライトアドレ
スカウンタであり、図示しない制御回路から供給される
クロックφ1を計数し、その上位nビットの計数結果を
アドレスカウンタ2に、下位nビットの計数結果をタイ
くング発生回路5及びデータRO?’l 201に夫々
供給する。データROM 201は下位nビットの計数
結果をフィルタ係数の読出し時のアドレス指定に用いる
Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings showing one embodiment thereof. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a memory device according to the present invention. In the figure, 100 is a memory device, which is a data RAM 2 that stores sampling data.
Data ROM 20 that stores 00 and filter coefficients.
1. Further, l is a 2n-bit write address counter, which counts the clock φ1 supplied from a control circuit (not shown), and outputs the counting result of the upper n bits to the address counter 2 and the counting result of the lower n bits. Circuit 5 and data RO? 'l 201 respectively. The data ROM 201 uses the count result of the lower n bits for addressing when reading out the filter coefficients.

タイミング発生回路5は下位nビットの計数結果及びク
ロックφ1をもとに、ライト信号−R及びカウント信号
CTを生成する。ライト信号WRはアドレスカウンタ2
及びデータRAM 200に与えられ、ライトアドレス
カウンタ1の上位nビットをアドレスカウンタ2にロー
ドし、データRAM 200にサンプリングデータを書
込むとき、即ち下位nビットがOとなる2°回毎に”H
”となり、それらの制御信号として用いられる。またカ
ウント信号CTはアドレスカウンタ2に与えられ、アド
レスカウンタ2の計数に用いられる。このシフト信号C
Tは通常はクロックφ、と同じタイミングであるが、ラ
イト信号WRが°HIIのときは“L”となる。
The timing generation circuit 5 generates a write signal -R and a count signal CT based on the count result of the lower n bits and the clock φ1. Write signal WR is address counter 2
and is given to the data RAM 200, and when loading the upper n bits of the write address counter 1 to the address counter 2 and writing sampling data to the data RAM 200, that is, every 2 degrees when the lower n bits become O, "H" is applied.
” and is used as their control signal.The count signal CT is also given to the address counter 2 and used for counting by the address counter 2.This shift signal C
T normally has the same timing as the clock φ, but becomes "L" when the write signal WR is °HII.

アドレスカウンタ2でアドレス指定されたデータRAM
? 200のサンプリングデータはデータレジスタA3
に図示しない制御回路から供給されたクロックφ。でラ
ッチされ、またライトアドレスカウンタ1の下位nビッ
トでアドレス指定されたデータROM 201のフィル
タ係数はデータレジスタA3に同時にラッチされる。
Data RAM addressed by address counter 2
? 200 sampling data is in data register A3
A clock φ is supplied from a control circuit (not shown). The filter coefficients of the data ROM 201, which are latched by the write address counter 1 and addressed by the lower n bits of the write address counter 1, are simultaneously latched into the data register A3.

次にこのように構成されたメモリ装置100のアドレス
カウンタ2でのアドレッシングについて説明する。ライ
トアドレスカウンタ1は2nビットあり、クロックφ1
によりインクリメントされる。
Next, addressing in the address counter 2 of the memory device 100 configured as described above will be explained. Write address counter 1 has 2n bits, clock φ1
is incremented by

ライトアドレスカウンタ1の下位nビットはデータRO
M 201のアドレスとして常に出力され、Oから2’
−1までの値を指し示し、上位nピントはアドレスカウ
ンタ2の初期値として出力される。
The lower n bits of write address counter 1 are data RO
Always output as the address of M 201, from O to 2'
It indicates values up to -1, and the top n pinpoints are output as the initial value of the address counter 2.

タイミング発生回路5ではライトアドレスカウンタ1の
出力の下位nビットが全て“H”=2″1から全て“L
゛=0に変化したことを検出してライト信号−Rを出力
し、アドレスカウンタ2にライトアドレスカウンタ1か
ら出力される上位nビットの値を計数の初期値として入
力する。即ちライト信号−Rは前述した如く2′1マシ
ンサイクル毎に1度イネーブル状態=“H″になり、D
SPはこの21%マシンサイクルが1サンプリング周期
となる動作速度で処理を実行する。ゆえに、ライトアド
レスカウンタ1の下位nビットはlサンプリング周期で
O〜2”−1まで1周し、それが示すアドレスによりデ
ータROM 201をアクセスし、ライトアドレスカウ
ンタ1の上位nビットは1サンプリング周期毎に1ずつ
増加し、それが指し示すデータRAM 200のアドレ
スへサンプリングデータの書込みが行われる。またアド
レスカウンタ2では人力されるライトアドレスカウンタ
1の上位nビットを初期値としてカウント信号CTによ
りlずつ増加し、それが指し示すアドレスによりデータ
RAM200をアクセスする。
In the timing generation circuit 5, the lower n bits of the output of the write address counter 1 are all “H” = 2”1 to “L”.
It detects that the change to 0=0, outputs a write signal -R, and inputs the value of the upper n bits output from the write address counter 1 to the address counter 2 as an initial value for counting. That is, as mentioned above, the write signal -R becomes enabled once every 2'1 machine cycle = "H", and the D
The SP executes processing at an operating speed where this 21% machine cycle corresponds to one sampling period. Therefore, the lower n bits of write address counter 1 make one round from O to 2''-1 in one sampling period, and the data ROM 201 is accessed by the address indicated by it, and the upper n bits of write address counter 1 take one sampling period. The sampling data is incremented by 1 each time, and the sampling data is written to the address of the data RAM 200 that it points to.Additionally, in the address counter 2, the upper n bits of the manually inputted write address counter 1 are used as the initial value, and the sampling data is incremented by 1 by the count signal CT. The data RAM 200 is accessed by the address pointed to by the address.

次にこのように構成されたメモリ装置100の動作を説
明する。
Next, the operation of the memory device 100 configured as described above will be explained.

第2図はメモリ装置のアドレッシング動作を説明するタ
イミングチャート、第3図及び第4図はデータRAM及
びデータROMでのデータ配列を示す図である。
FIG. 2 is a timing chart explaining the addressing operation of the memory device, and FIGS. 3 and 4 are diagrams showing data arrays in the data RAM and data ROM.

第4図に示す如くデータROM 201内にはアドレス
0に最新のサンプリングデータに対するフィルタ係数h
0が、またアドレスlから順にアドレス2’iまでに最
古のサンプリングデータに対応するフィルタ係数h2n
−1から順に新しいフィルタ係数h2”−2’・・h、
が格納されている。
As shown in FIG. 4, a filter coefficient h for the latest sampling data is stored in the data ROM 201 at address 0.
0 is also the filter coefficient h2n corresponding to the oldest sampling data sequentially from address l to address 2'i.
New filter coefficients h2''-2'...h, starting from -1
is stored.

k番目のサンプリングデータXkをサンプリングする時
刻tkは t、I=にΔt  ・・・(2) 但し、k=o、1.2・・・ ΔL:サンプリング周期 と表され、サンプリング周期Δを毎にサンプリングデー
タXkがデータRAM 200のアドレスiに書込まれ
る。このkとiとの関係は i = k (+wod、 2 ’ )  ”(3)但
し、i=o、1.  ・・・、  2’−1となる。こ
こで(3)式はkを2″で割った余りがアドレスiとな
ることを示している。
The time tk for sampling the k-th sampling data Sampling data Xk is written to address i of data RAM 200. The relationship between k and i is: i = k (+wod, 2')'' (3) However, i = o, 1. ..., 2'-1. Here, equation (3) is expressed by changing k to 2. The remainder after dividing by `` is the address i.

また、サンプリング周期Δtの間にディジタルフィルタ
の演算を実行するためには、 T=Δt/2”   ・・・(4) 但し、2f1 :ディジタルフィルタのタップ数の期間
に1回データROM 201及びRAM 200よりデ
ータを読出し、積和演算を行わなければならないのでR
AM 201の続出データのアドレスlは1 = (i
+p)(mod、2” )  ・”(5)但し、p=o
、1.  ・・・、211−1−で与えられる。上記(
4)式の期間Tがクロックφ0及び同φ1の1周期に対
応し、前記iはライトアドレスカウンタ1の出力の上位
nビットの値に、上記pは下位nビットの値に夫々対応
し、また上記2はアドレスカウンタ2の出力nビットの
値に対応する。
In addition, in order to execute the calculation of the digital filter during the sampling period Δt, T=Δt/2” (4) However, 2f1: Data ROM 201 and RAM Since the data must be read from 200 and the sum of products operation must be performed, R
The address l of successive data of AM 201 is 1 = (i
+p) (mod, 2") ・"(5) However, p=o
, 1. ..., is given by 211-1-. the above(
4) The period T in the equation corresponds to one cycle of clocks φ0 and φ1, the above i corresponds to the value of the upper n bits of the output of the write address counter 1, the above p corresponds to the value of the lower n bits, and The above 2 corresponds to the value of n bits output from the address counter 2.

サンプリング時刻tk−1においてサンプリングデータ
Xk−1がデータRAM 200のアドレスミー1に書
込まれたとする。このときのデータRAM 200にお
けるサンプリングデータの配列は第3図(a)に示す如
くアドレスiに最古のサンプリングデータX k−!D
が格納され、それからアドレス2’−1まで順にそれよ
り新しいサンプリングデータが格納されている。そして
アドレス0から順にサンプリングデータX k−4+ 
 Xk−(i−1>・・・Xカー2が格納されている。
Assume that sampling data Xk-1 is written to address me 1 of data RAM 200 at sampling time tk-1. At this time, the arrangement of sampling data in the data RAM 200 is as shown in FIG. 3(a), with the oldest sampling data Xk-! at address i. D
is stored, and newer sampling data are stored sequentially from there to address 2'-1. Then, sequentially from address 0, sampling data X k-4+
Xk-(i-1>...X car 2 is stored.

この状態をデータRAM 200の初期状態として、サ
ンプリング時刻tkにおいて、ライトアドレスカウンタ
1の下位nビットが全て“L″、即ち(5)式において
p=oとなると、ライト信号WRが“L”から“H”に
転じ、ライトアドレスカウンタ1の上位nビットの値i
がアドレスカウンタ2にロードされ、値iがアドレスカ
ウンタ2の初期値としてセットされる。サンプリングデ
ータXkはアドレスカウンタ2の値iをアドレスとして
データRAM200に書込まれ、データRAM 200
は第3図(b)に示す状態になる。第3図(b)では値
iが指し示すアドレスにサンプリング時刻し、lの最新
のサンプリングデータX、が、また値i+1が指し示す
アドレスの最古のデータX k−+2 n−t>が書込
まれている。
With this state as the initial state of the data RAM 200, when the lower n bits of the write address counter 1 are all "L" at sampling time tk, that is, p=o in equation (5), the write signal WR changes from "L" to "L". The value i of the upper n bits of write address counter 1 changes to “H”.
is loaded into the address counter 2, and the value i is set as the initial value of the address counter 2. The sampling data Xk is written to the data RAM 200 using the value i of the address counter 2 as an address, and
becomes the state shown in FIG. 3(b). In FIG. 3(b), the latest sampling data X of l at the sampling time point is written to the address pointed to by the value i, and the oldest data Xk-+2 n-t> of the address pointed to by the value i+1 is written. ing.

即ち第3図(a)における最古のサンプリングデータの
配置位置にサンプリング時刻tkにおける最新のサンプ
リングデータX、を書込み、第3図(b)に示す配置を
得た。また、サンプリングデータX6はクロックφ。の
タイ逅ングでデータRAM 200に書込まれると共に
データレジスタA3に人力される。
That is, the latest sampling data X at the sampling time tk was written in the arrangement position of the oldest sampling data in FIG. 3(a) to obtain the arrangement shown in FIG. 3(b). Moreover, the sampling data X6 is a clock φ. The data is written to the data RAM 200 and inputted to the data register A3 at the same time as the tie selection.

一方データROM 201 はライトアドレスカウンタ
1の下位nビットによりアクセスされるので、アドレス
Oに格納されているフィルタ係数h0がクロックφ。の
タイミングで読出され、データレジスタB4に入力され
る。
On the other hand, since the data ROM 201 is accessed by the lower n bits of the write address counter 1, the filter coefficient h0 stored at the address O is the clock φ. The data is read out at the timing of and input to the data register B4.

ライト信号WRが“L I+となり、データの読出しサ
イクルの状態となると、クロックφ、によりライトアド
レスカウンタ1とアドレスカウンタ2とがインクリメン
トされp−tとなり、liAM 200のアドレスlと
して(5)式より R= (i+1)(iod、2” ) −t+1が得ら
れ、データRAM 200のアドレスi + 1に格納
されている最古データX k−(2n−11が、またデ
ータROM 201からはアドレス1に格納されている
フィルタ係数h2n−1が夫々続出され、データレジス
タA3とデータレジスタB4とに夫々人力される。
When the write signal WR becomes "L I+" and the data read cycle state is entered, the write address counter 1 and address counter 2 are incremented by the clock φ and become p-t, and the address l of the liAM 200 is set as the address l from equation (5). R= (i+1)(iod, 2") -t+1 is obtained, and the oldest data The filter coefficients h2n-1 stored in are sequentially output and manually entered into data register A3 and data register B4, respectively.

さらに次のクロックφ1により、ライトアドレスカウン
タ1とアドレスカウンタ2とがインクリメントされ、P
=2となり、(5)式よりアドレス量+2に格納されて
いる最古のサンプリングデータより1つ新しいサンプリ
ングデータX1l−(211−21が、またデータRO
M 201からはアドレス2に格納されているフィルタ
係数h2n−2が夫々読出され、データレジスタA3と
データレジスタB4とに夫々人力される。この動作をラ
イトアドレスカウンタ1の下位nビットが全て“H“、
即ちp=2”−1になるまで繰返す。この期間にアドレ
スカウンタ2は2”−1回インクリメントされ、最新サ
ンプリングデータxk、最古すンプリングデータXk−
(2r+Xk−+2n−9・・・+Xk−1という順に
サンプリングデータが順次データレジスタA3に読出さ
れる。
Furthermore, with the next clock φ1, write address counter 1 and address counter 2 are incremented, and P
= 2, and from equation (5), the sampling data X1l-(211-21, which is one newer than the oldest sampling data stored in the address amount +2), is also the data RO
The filter coefficient h2n-2 stored at address 2 is read from M201 and input to data register A3 and data register B4, respectively. This operation is performed when the lower n bits of write address counter 1 are all “H”.
That is, repeat until p=2"-1. During this period, the address counter 2 is incremented 2"-1 times, and the latest sampling data xk and the oldest sampling data Xk-
(The sampling data is sequentially read out to the data register A3 in the order of 2r+Xk-+2n-9...+Xk-1.

またデータROM 201はライトアドレスカウンタ1
の下位nビットをアドレスとしてアドレスO1同l・・
・、同2”−1に前述した順で格納されているフィルタ
係数h Olb zn−1・・・hlをデータレジスタ
B4に読出す。
Also, the data ROM 201 is a write address counter 1.
The lower n bits of the address are used as the address O1 and l...
. The filter coefficients h Olb zn-1 .

サンプリング時刻tア+1になり、再度ライトアドレス
カウンタ1の下位nビットが全て“H”からすべて“L
”に、即ちp=2” −1からP−0になると、ライト
信号WRが“H”に転じ、ライトアドレスカウンタ1の
上位nビットの(! i + iがアドレスカウンタ2
にセットされ、サンプリングデータX、Iがデータl?
API200の値i+1のアドレスに書込まれ、第3図
(ロ)の場合と同様に第3図(C)に示す如くになる。
At sampling time ta+1, the lower n bits of write address counter 1 change from all "H" to all "L" again.
”, that is, p=2” -1 to P-0, the write signal WR changes to “H” and the upper n bits of write address counter 1 (! i + i
is set, and sampling data X and I are data l?
It is written to the address of the value i+1 of the API 200, and the result becomes as shown in FIG. 3(C), similar to the case of FIG. 3(b).

また同時にサンプリングデータX、lはデータレジスタ
A3に書込まれる。
At the same time, sampling data X and l are written into data register A3.

このときライトアドレスカウンタlの下位nビットは全
て”L″ (p=0)なのでデータROM 201のア
ドレス0に格納されたフィルタ係数り、をデータレジス
タB4に読出す。ライト信号−Rが“L”になると、ア
ドレスカウンタ2はi+1を初期値としてクロックφ1
によりインクリメントを開始し、P=1+  P=2・
・・、P=2’ −1と変化して最古サンプリングデー
タX1l<zn−try  Xk−(!+11)+・・
・+Xkという順にサンプリングデータをデータレジス
タB4に読出す。またデータROM 201 、ライト
アドレスカウンタlの下位nビットをアドレスとしてア
ドレス1.アドレス2・・・アドレス2″−1に格納さ
れているフィルタ係数h2n−1+  h2n−2+・
・・、hIをデータレジスタB4に読出す。
At this time, the lower n bits of the write address counter 1 are all "L" (p=0), so the filter coefficient stored at address 0 of the data ROM 201 is read out to the data register B4. When the write signal -R becomes "L", the address counter 2 uses i+1 as the initial value and clock φ1.
The increment is started by P=1+ P=2・
..., P=2' -1 and the oldest sampling data X1l<zn-try Xk-(!+11)+...
- Read sampling data to data register B4 in the order of +Xk. In addition, the data ROM 201 uses the lower n bits of the write address counter l as an address and sets the address 1. Address 2...Filter coefficient h2n-1+ h2n-2+ stored in address 2''-1
..., read hI to data register B4.

こうしてサンプリング時刻f−k+2で再度ライトアド
レスカウンタ1の下位ビットが全て“H11から全て“
L” (p=2’−1からP−0)になり、ライト信号
−Rが”H”となると、ライト・アドレスカウンタlの
上位nビットの値が1+2に七ットされ、サンプリング
データX1lがデータRAM 200の値i+2のアド
レスに書込まれると共に、データレジスタA3に読出さ
れ、またライトアドレスカウンタ1の下位nビットは全
”L”  (p=o)なので、データROM 201の
アドレス0に格納されたフィルタ係数h0がデータレジ
スタB4に読出される。これを繰返し、サンプリングデ
ータの書込み及び読出し、フィルタ係数の続出し動作を
行う。
In this way, at sampling time f-k+2, all the lower bits of write address counter 1 are set to "all from H11" again.
When the write signal -R becomes "H", the value of the upper n bits of the write address counter l is incremented to 1+2, and the sampling data X1l is written to the address of value i+2 of the data RAM 200 and read to the data register A3, and since the lower n bits of the write address counter 1 are all “L” (p=o), the value is written to the address 0 of the data ROM 201. The stored filter coefficient h0 is read out to the data register B4.This process is repeated to perform writing and reading of sampling data and successive output of filter coefficients.

これによりサンプリングデータの書込みをサンプリング
周期で1回行えばよく、従来の如く読出す毎に書込む必
要がなくなり、書込み動作が従来の回数の1 /2”に
なる。
As a result, it is only necessary to write the sampling data once in the sampling period, and there is no need to write it every time it is read as in the conventional case, and the number of write operations is reduced to 1/2'' of the conventional number of times.

次にこの発明の他の実施例について説明する。Next, other embodiments of the invention will be described.

第5図及び第6図は他の実施例のデータRAM及びデー
タROMでのデータ配列を示す図である。この実施例で
は前述の実施例と異なり、ライトアドレスカウンタl及
びアドレスカウンタ2はデクリメントするカウンタで構
成されており、従ってデータRAM 200に格納され
ているサンプリングデータは第3図に示すものとアドレ
スiを中心に対称に、またデータROM201に格納さ
れているフィルタ係数は第4図に示すものとはアドレス
に対して配列順が逆転したものとなっている。即ちデー
タRAM200においてはアドレスOにサンプリングデ
ータXk−(f+I)が、またアドレス2”−1に同X
 k −iが、アドレスiに最古のサンプリングデータ
Xk−4”が夫々格納されている。またデータROM 
201においては、アドレス2’−1に最新のサンプリ
ングデータXk−1に対応するフィルタ係数り。が、ア
ドレス2″−2に最古のサンプリングデータXk、、2
11に対応するフィルタ係数11211’−1が夫々格
納されている。この場合は動作の相違はインクリメント
とデクリメントとだけであり、他の動作及び構成は前述
した実施例と同様であるので説明を省略する。
FIGS. 5 and 6 are diagrams showing data arrays in the data RAM and data ROM of other embodiments. In this embodiment, unlike the previous embodiment, the write address counter 1 and the address counter 2 are composed of decrementing counters, so that the sampling data stored in the data RAM 200 is the same as that shown in FIG. The filter coefficients stored in the data ROM 201 are arranged symmetrically around , and the order of arrangement with respect to the addresses is reversed from that shown in FIG. That is, in the data RAM 200, sampling data Xk-(f+I) is stored at address O, and sampling data
The oldest sampling data Xk-4'' is stored at address i.
In 201, the filter coefficient corresponding to the latest sampling data Xk-1 is stored at address 2'-1. However, the oldest sampling data Xk,,2 is at address 2″-2.
Filter coefficients 11211'-1 corresponding to 11 are stored, respectively. In this case, the only difference in operation is increment and decrement, and the other operations and configurations are the same as those in the above-described embodiment, so their explanation will be omitted.

次にさらに他の実施例について説明する。Next, still another embodiment will be described.

前述した2つの実施例ではライトアドレスカウンタlの
下位nビットを0から計数を開始し、その計数値が桁上
げ(オーバフロー)したときの上位ビットの値をアドレ
スカウンタ2の初期値として設定したが、この実施例で
は下位nビットの計数は任意の値Aから計数を開始する
In the two embodiments described above, counting starts from 0 for the lower n bits of the write address counter l, and the value of the upper bits when the counted value is carried over (overflow) is set as the initial value of the address counter 2. , in this embodiment, counting of the lower n bits starts from an arbitrary value A.

第7図はさらに他の実施例のメモリ装置の構成を示すブ
ロック図である。この実施例では下位ビットの計数値を
一致回路6に人力し、そこで計数値がAと一致したと判
定されると、その判定がタイミング発生回路5に送られ
、判定されたタイミングでライト信号WR=”HIIが
出力される。またそのときカウント信号CTは“L 1
1となる。即ちデータRAM 200においては下位n
ビットの計数値が値Aに一致する毎(2″回毎)にその
ときの上位nビットの計数値で示されるアドレスにデー
タの書込みを行うことになる。他の構成及び動作は前述
の実施例と同様であるのて°、説明を省略する。
FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of a memory device according to still another embodiment. In this embodiment, the count value of the lower bits is manually input to the matching circuit 6, and when it is determined that the count value matches A, the determination is sent to the timing generation circuit 5, and at the determined timing, the write signal WR is generated. ="HII" is output. At that time, the count signal CT is "L 1
It becomes 1. That is, in the data RAM 200, the lower n
Every time the counted value of the bits matches the value A (every 2'' times), data is written to the address indicated by the counted value of the upper n bits at that time.Other configurations and operations are the same as those described above. Since this is the same as the example, the explanation will be omitted.

なお以上の実施例では各カウンタをインクリメント又は
デクリメントするカウンタで構成したが、何れか一方の
カウンタをデクリメントさせ、他方をインクリメントさ
せてもよいことは言うまでもない。
In the embodiments described above, each counter is configured as a counter that increments or decrements, but it goes without saying that either one of the counters may be decremented and the other may be incremented.

また前述の実施例ではメモリ装置をDSPに用いた場合
を例に説明したが、メモリ装置は他のデータ処理装置に
用いることもできる。
Further, in the above embodiments, the case where the memory device is used in a DSP has been described as an example, but the memory device can also be used in other data processing devices.

次にこの発明に係るDSPについて説明する。第8図は
FTPフィルタを実現するためのこの発明のDSPの主
要部の構成を示すブロック図である。図において100
はこの発明のメモリ装置であり、ここから出力されたデ
ータRAM 200の第にサンプリング周期のj番目の
出力Xk−4及びフィルタ係数り、は乗算器202に与
えられ、そこで乗算される。
Next, the DSP according to the present invention will be explained. FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the main parts of the DSP of the present invention for realizing an FTP filter. 100 in the figure
is a memory device of the present invention, and the j-th output Xk-4 of the data RAM 200 of the sampling period and the filter coefficient , which are outputted from the memory device, are given to a multiplier 202 and multiplied there.

乗算結果は加算器(ALU) 203の一端に与えられ
、その他端に与えられた第にサンプリング周期の第11
番目までに加算された加算結果と加算され、アキュムレ
ータ(ACC)204に保持される。保持された加算結
果は加算器203の他端に与えられる。
The multiplication result is given to one end of the adder (ALU) 203, and the 11th multiplication result given to the other end of the adder (ALU) 203 is
It is added to the addition results up to the th addition, and is held in the accumulator (ACC) 204. The retained addition result is provided to the other end of adder 203.

このように構成されたDSPにおいてはサンプリングデ
ータX、−3とフィルタ係数り、とがクロックφ。のタ
イミングで読出され、乗算、加算及び保持が行われる。
In the DSP configured in this way, the sampling data X, -3 and the filter coefficients are clock φ. It is read out at the timing of , and multiplication, addition, and retention are performed.

これを2n回繰返し、1回のサンプリング周期が終了す
ると、新たなサンプリングデータがデータRAM 20
0の1インクリメントしたアドレスに書込まれ、同様な
演算を行う。
This is repeated 2n times, and when one sampling period ends, new sampling data is stored in the data RAM 20.
It is written to an address that is incremented by 1 from 0, and a similar operation is performed.

〔発明の効果] 以上説明したとおり、この発明によれば、第1及び第2
の2つのカウンタにより第1メモリ及び第2メモリのア
ドレスを指定し、書込み動作を1サンプリング周期に1
回すればよいので、メモリの消費電力を低減でき、高速
にアクセスすることが可能となり、これをDSPに用い
た場合、高速アクセスでき、消費電力を低減し、発熱を
抑制できる等優れた効果を奏する。
[Effect of the invention] As explained above, according to this invention, the first and second
The addresses of the first memory and the second memory are specified by two counters, and the write operation is performed once per sampling period.
Because it only needs to be rotated, the power consumption of the memory can be reduced and high-speed access is possible. When used in DSP, it has excellent effects such as high-speed access, reduced power consumption, and suppressed heat generation. play.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明に係るメモリ装置の構成を示すブロッ
ク図、第2図はメモリ装置のアドレッシング動作を説明
するタイミングチャート、第3゜4図はデータRAM 
、データROMのデータ配列を示す図、第5,6図は他
の実施例のデータRAM 、データROMのデータ配列
を示す図、第7図はさらに他の実施例のメモリ装置の構
成を示すブロック図、第8図はこの発明に係るディジタ
ル信号処理装置の主要部の構成を示すブロック図、第9
図は従来のディジタル信号処理装置の主要部の構成を示
すブロック図、第10図は従来のデータRAMの構成を
示すブロック図、第11.12図は従来のデータRO1
’1及びデータRAMのデータ配列を示す図、第13図
は従来のデータRAMのアクセス動作を示すタイミング
チャート、第14図はFIRフィルタにおける積和演算
の処理フロー図である。 1・・・ライトアドレスカウンタ 2・・・アドレスカ
ウンタ 5・・・タイミング発生回路 6・・・−数回
路100・・・メモリ装置 200・・・データRAM
  201・・・データROM  202・・・乗算器
 203・・・加算器(ALυ)204・・・アキュム
レータ(^CC)なお、図中、同一符号は同一、又は相
当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a memory device according to the present invention, FIG. 2 is a timing chart explaining the addressing operation of the memory device, and FIGS. 3-4 are data RAM diagrams.
, a diagram showing the data arrangement of the data ROM, FIGS. 5 and 6 are diagrams showing the data arrangement of the data RAM and data ROM of another embodiment, and FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the memory device of still another embodiment. 8 is a block diagram showing the configuration of the main part of the digital signal processing device according to the present invention, and FIG.
The figure is a block diagram showing the configuration of the main parts of a conventional digital signal processing device, Figure 10 is a block diagram showing the configuration of a conventional data RAM, and Figures 11 and 12 are conventional data RO1.
13 is a timing chart showing a conventional data RAM access operation, and FIG. 14 is a processing flow diagram of a product-sum calculation in an FIR filter. 1... Write address counter 2... Address counter 5... Timing generation circuit 6...-number circuit 100... Memory device 200... Data RAM
201... Data ROM 202... Multiplier 203... Adder (ALυ) 204... Accumulator (^CC) Note that in the drawings, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)クロックを計数する2nビットの第1のカウンタ
と、 該第1のカウンタの下位nビットの値に基づき、前記第
1のカウンタの上位nビットの値を第1初期値として設
定し、前記クロックを計数する第2のカウンタと、 該第2のカウンタの値をアドレスとしてアクセスされる
第1のメモリと、 前記第1初期値で示される前記第1のメモリのアドレス
にデータを書込むと共に前記第2のカウンタの値で示す
アドレスに書込まれたデータを読出すアクセス手段と を備えることを特徴とするメモリ装置。
(1) a 2n-bit first counter that counts clocks; and setting the value of the upper n bits of the first counter as a first initial value based on the value of the lower n bits of the first counter; a second counter that counts the clock; a first memory that is accessed using the value of the second counter as an address; and writing data to the address of the first memory indicated by the first initial value. and access means for reading data written at an address indicated by the value of the second counter.
(2)前記第1のカウンタは少なくとも下位nビットの
値が任意の第2初期値から計数を開始すべくなしてあり
、 前記第1のカウンタの下位nビットの値と前記第2初期
値との一致を判定する一致判定手段を備え、 前記一致を判定したとき、前記第2のカウンタに前記第
1のカウンタの上位nビットの値を前記第1初期値とし
て設定すべくなしてある請求項1記載のメモリ装置。
(2) The first counter is configured to start counting from a second initial value where the value of at least the lower n bits is an arbitrary second initial value, and the value of the lower n bits of the first counter and the second initial value are Claim: further comprising a match determining means for determining a match, wherein when the match is determined, the value of the upper n bits of the first counter is set in the second counter as the first initial value. 1. The memory device according to 1.
(3)請求項1記載又は請求項2記載のメモリ装置と、 前記第1のカウンタの下位nビットの値をアドレスとし
て時系列的にアクセスされる第2のメモリと、 前記第1のメモリ及び第2のメモリに格納された値を読
出し乗算する乗算手段と、 該乗算手段の積信号の累和を求める加算手段と を備えることを特徴とするディジタル信号処理装置。
(3) The memory device according to claim 1 or claim 2, a second memory that is accessed chronologically using the value of the lower n bits of the first counter as an address, the first memory, and A digital signal processing device comprising: multiplication means for reading and multiplying values stored in a second memory; and addition means for obtaining a cumulative sum of product signals of the multiplication means.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030069405A (en) * 2002-02-20 2003-08-27 엘지전선 주식회사 The shielding structure for epoxy insulator
WO2011150638A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 中兴通讯股份有限公司 Method and system for counting data packets

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