JPH0364758A - フォトレジスト剥離方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離方法Info
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- JPH0364758A JPH0364758A JP1199401A JP19940189A JPH0364758A JP H0364758 A JPH0364758 A JP H0364758A JP 1199401 A JP1199401 A JP 1199401A JP 19940189 A JP19940189 A JP 19940189A JP H0364758 A JPH0364758 A JP H0364758A
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- resist
- substrate
- photoresist
- layer
- peeling
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトレジスト 〈以下、レジストという〉
の剥離技術に関するものである。
の剥離技術に関するものである。
レジスト剥離技術については、例えば株式会社オーム社
、昭和５９年１１月３０日発行、ｒＬｓＩハンドブック
ＪＰ２５７に記載があり、半導体集積回路装置を製造す
る際の所定の工程においてマスクとして用いられたレジ
ストの剥離技術について説明されている。そのＩＩは次
のとおりである。
、昭和５９年１１月３０日発行、ｒＬｓＩハンドブック
ＪＰ２５７に記載があり、半導体集積回路装置を製造す
る際の所定の工程においてマスクとして用いられたレジ
ストの剥離技術について説明されている。そのＩＩは次
のとおりである。
すなわち、レジスト剥離処理は、ｌ／シストをマスクと
して下地を加工した後、不要となったレジストを剥離す
る処理であり、その方法には、（１）。
して下地を加工した後、不要となったレジストを剥離す
る処理であり、その方法には、（１）。
レジストを強い酸性溶剤中で酸化除去するウェット法と
、（２）、 レジストを酸素（０２）プラズマ中で灰
化するドライ法とがある。
、（２）、 レジストを酸素（０２）プラズマ中で灰
化するドライ法とがある。
ところが、上記（１）、（２）の従来のレジスト剥離技
術においては、以下の問題があることを本発明者は見出
した。
術においては、以下の問題があることを本発明者は見出
した。
すなわち、第１に、レジストを強い酸性溶剤中で酸化除
去する方法においては、下地の浸食やアルミニウム（Ａ
Ｉｌ）配線の腐食等の問題があった。
去する方法においては、下地の浸食やアルミニウム（Ａ
Ｉｌ）配線の腐食等の問題があった。
第２に、レジストを０２プラズマ中で灰化する方法にお
いては、プラズマ中の荷電粒子が半導体基板（以下、単
に基板ともいう）や素子にダメージを与える問題やレジ
スト中に存在するナトリウム（Ｎａ）イオン等の重金属
イオンがプラズマ中の荷電粒子にスパッタされて半導体
基板中に侵入し、例えばフラットバンド電圧を変動させ
、半導体基板に形成された素子の電気的特性を劣化させ
る問題があった。
いては、プラズマ中の荷電粒子が半導体基板（以下、単
に基板ともいう）や素子にダメージを与える問題やレジ
スト中に存在するナトリウム（Ｎａ）イオン等の重金属
イオンがプラズマ中の荷電粒子にスパッタされて半導体
基板中に侵入し、例えばフラットバンド電圧を変動させ
、半導体基板に形成された素子の電気的特性を劣化させ
る問題があった。
本発明は上記課題に着目してなされたものであり、その
目的は、強い酸性溶剤によってレジストを剥離する際に
生じる下地の浸食や配線の腐食等を防止することのでき
る技術を提供することにある。
目的は、強い酸性溶剤によってレジストを剥離する際に
生じる下地の浸食や配線の腐食等を防止することのでき
る技術を提供することにある。
また、本発明の目的は、プラズマ処理によってレジスト
を剥離する際に生じる基板や素子へのダメージ、並びに
重金属イオンによる基板の汚染を防止することのできる
技術を提供することにある。
を剥離する際に生じる基板や素子へのダメージ、並びに
重金属イオンによる基板の汚染を防止することのできる
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、明
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、半導体の基板上にパターン形成されたフォト
レジストの下層に予め現像液に溶解するレジスト剥離層
を形成し、前記フォトレジストをマスクにして所定の処
理を施した後、前記基板を現像液に浸して前記レジスト
剥離層を溶解することによって、前記フォトレジストを
基板から剥離するレジスト剥離方法である。
レジストの下層に予め現像液に溶解するレジスト剥離層
を形成し、前記フォトレジストをマスクにして所定の処
理を施した後、前記基板を現像液に浸して前記レジスト
剥離層を溶解することによって、前記フォトレジストを
基板から剥離するレジスト剥離方法である。
上記した手段によれば、レジスト剥離に際して強い酸性
溶剤による処理を施さないため、この処理に起因して生
じる下地の浸食や配線の腐食等を防止することが可能と
なる。
溶剤による処理を施さないため、この処理に起因して生
じる下地の浸食や配線の腐食等を防止することが可能と
なる。
また、レジスト剥離に際してプラズマ処理を施ン
板へのダメージ、並びに重金属イオンによる基板の汚染
を防止することが可能となる。
を防止することが可能となる。
第１図（ａ）〜（ロ）は本発明の一実施例であるレジス
ト剥離方法を説明する半導体基板の要部断面図である。
ト剥離方法を説明する半導体基板の要部断面図である。
本実施例のレジスト剥離方法は、例えば半導体集積回路
装置を製造する際のイオン注入処理（所定の処理）工程
においてマスクとして用いられたレジストの剥離方法で
ある。
装置を製造する際のイオン注入処理（所定の処理）工程
においてマスクとして用いられたレジストの剥離方法で
ある。
以下、本実施例のレジスト剥離方法を第１図（ａ）〜（
５）により説明する。
５）により説明する。
まず、ＭＯＳ）ランジスタ等の素子が形成されたシリコ
ン単結晶からなる半導体ウェハを基板１として、その上
面に二酸化ケイ素（Ｓ＋０２）等からなる下地絶縁膜２
をＣＶＤ法等により堆積する。
ン単結晶からなる半導体ウェハを基板１として、その上
面に二酸化ケイ素（Ｓ＋０２）等からなる下地絶縁膜２
をＣＶＤ法等により堆積する。
続いて、この下地絶縁膜２の上面に、後述するレジスト
の現像液に溶解するレジスト剥離層３をスピンコード法
等により塗布し、これを例えば１４０℃程でベーキング
する。
の現像液に溶解するレジスト剥離層３をスピンコード法
等により塗布し、これを例えば１４０℃程でベーキング
する。
レジスト剥離層３は、例えばメラミン樹脂からなり、次
の三つの条件を満たしている。
の三つの条件を満たしている。
（１）、レジスト剥離層３は、ベーキング等の熱処理後
もレジストの現像液に溶解する。
もレジストの現像液に溶解する。
（２）、レジスト剥離層３は、最終的な溶解に際して下
地絶縁膜２をエツチングすることなく現像液に溶解する
。
地絶縁膜２をエツチングすることなく現像液に溶解する
。
（３）、レジスト剥離層３が現像液に溶解する速度は、
レジストの露光部分の溶解速度と同等か、あるいはそれ
よりも遅い〈第１図（ａ）〉。
レジストの露光部分の溶解速度と同等か、あるいはそれ
よりも遅い〈第１図（ａ）〉。
その後、レジスト剥離層３の上面に、例えばノボラック
樹脂系のポジ形のレジスト４をレジスト剥離層３と同程
度の厚さとなるようにスピンコード法等により塗布し、
これを例えば１４０℃程でベーキングする（第１図（ロ
））。
樹脂系のポジ形のレジスト４をレジスト剥離層３と同程
度の厚さとなるようにスピンコード法等により塗布し、
これを例えば１４０℃程でベーキングする（第１図（ロ
））。
次に、既に基板ｌに形成されている集積回路パターンと
フォトマスク５の集積回路パターンとを位置合せした後
、フォトマスク５の透過領域を通してレジスト４の所定
部分に、例えば紫外線を所ブオトマスク５のパターンを
基板１」二に転写ずろ〈第１図（Ｃ））、。
フォトマスク５の集積回路パターンとを位置合せした後
、フォトマスク５の透過領域を通してレジスト４の所定
部分に、例えば紫外線を所ブオトマスク５のパターンを
基板１」二に転写ずろ〈第１図（Ｃ））、。
続いて、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキサイ
ドの２．３８％水溶液等のアルカリ現像液に基板１を６
０秒程浸して１／シスト４の露光部分を除去する。この
際、レジスト剥離層３もアルカリ現像液に溶解するため
、除去したレジスト福の下方のレジスト剥離層３も等方
向に溶解するが、レジスト剥離層３はレジスｉ＝ ４の
露光部の溶Ｍ速度と同等か、あるいはそれよりも遅いと
いう条件を満たしているので、１／シスト４の露光部の
現像に際してレジスト剥離Ｎ３が大幅に溶解してしまう
ことはない。レジスト＠離層３は、レジスト４の露光部
の下方の下地絶縁膜２が露出する程度に除去する。
ドの２．３８％水溶液等のアルカリ現像液に基板１を６
０秒程浸して１／シスト４の露光部分を除去する。この
際、レジスト剥離層３もアルカリ現像液に溶解するため
、除去したレジスト福の下方のレジスト剥離層３も等方
向に溶解するが、レジスト剥離層３はレジスｉ＝ ４の
露光部の溶Ｍ速度と同等か、あるいはそれよりも遅いと
いう条件を満たしているので、１／シスト４の露光部の
現像に際してレジスト剥離Ｎ３が大幅に溶解してしまう
ことはない。レジスト＠離層３は、レジスト４の露光部
の下方の下地絶縁膜２が露出する程度に除去する。
その後、レジスト４および１／シスト剥離麗３に付着し
ている現像液を除去し、かつレジスト４とレジスト剥離
層３、レジスト剥離層３と下地絶縁膜２との接着性を向
上させるため、例えば１４０℃程でベーキングする（第
１図（由）。
ている現像液を除去し、かつレジスト４とレジスト剥離
層３、レジスト剥離層３と下地絶縁膜２との接着性を向
上させるため、例えば１４０℃程でベーキングする（第
１図（由）。
そして、ｌ／ジス）４＃よびレジスト剥離層３をマスク
として、露出（、た下地絶縁膜２を基板１が露出する程
度までドライエツチング法等によってエッヂング除去す
る（第１図（ｅ））。
として、露出（、た下地絶縁膜２を基板１が露出する程
度までドライエツチング法等によってエッヂング除去す
る（第１図（ｅ））。
次に、現像後に残されたレジスト４およびレジスト剥離
Ｎ３をマスクとして、例えば基板１に不純物イオンを注
入し１、不純物層６を形成する（第１図（ｆ））、。
Ｎ３をマスクとして、例えば基板１に不純物イオンを注
入し１、不純物層６を形成する（第１図（ｆ））、。
続いて、本実施例の１／シスト剥離方法におし）ては、
不純物イオンの注入処理が終了して不要となった１／シ
スト４を剥離するため８、基板１を」二記したアルカリ
現像液に再び漫ず。すると、レジスト剥離層３は、アル
カリ現像液に可溶なのでアルカリ現像液に溶解し始める
（第１図（１’ｎ＞。
不純物イオンの注入処理が終了して不要となった１／シ
スト４を剥離するため８、基板１を」二記したアルカリ
現像液に再び漫ず。すると、レジスト剥離層３は、アル
カリ現像液に可溶なのでアルカリ現像液に溶解し始める
（第１図（１’ｎ＞。
そして、レジスト剥離層３を全て溶解するまで基板ｌを
アルカリ現像液に浸し続けると、基板１とレジスト４と
を接着していた１／シスト剥離層３がアルカリ現像液に
溶解してしまうので、レジスト４は基板１から剥離する
。このようにしてレジスト剥離処理を終了する（第１図
０１））。
アルカリ現像液に浸し続けると、基板１とレジスト４と
を接着していた１／シスト剥離層３がアルカリ現像液に
溶解してしまうので、レジスト４は基板１から剥離する
。このようにしてレジスト剥離処理を終了する（第１図
０１））。
以上、本実施例によれば、下地絶縁膜２とレジスト４と
の間に、アルカリ現像液に溶解するレジスト剥離Ｊ！１
３を予め形成しておいて、レジストパターンを形成し、
さらにレジストパターンをマスクとしてイオン注入等を
行った後、再び基板１をアルカリ現像液に浸してレジス
ト剥ｎ履３を溶解し、不要となったレジスト４を除去す
ることにより、以下の効果を得るこＬが可能となる。
の間に、アルカリ現像液に溶解するレジスト剥離Ｊ！１
３を予め形成しておいて、レジストパターンを形成し、
さらにレジストパターンをマスクとしてイオン注入等を
行った後、再び基板１をアルカリ現像液に浸してレジス
ト剥ｎ履３を溶解し、不要となったレジスト４を除去す
ることにより、以下の効果を得るこＬが可能となる。
（１）、レジスト４の剥離に際して強い酸性溶剤に浸さ
ないため、その処理に起因して生じていた下地絶縁膜２
や基板１の浸食、並びに配線の騨食等が防止される。
ないため、その処理に起因して生じていた下地絶縁膜２
や基板１の浸食、並びに配線の騨食等が防止される。
（２）、レジス（・４の剥離に際して０２プラズマ等の
灰化処理を施さないため、プラズマ中の荷電粒子が基板
１や素子にダメージを与えたり、レジスト４に存在する
重金属イオン等が基板１に打ち込まれたりすることが防
止される。
灰化処理を施さないため、プラズマ中の荷電粒子が基板
１や素子にダメージを与えたり、レジスト４に存在する
重金属イオン等が基板１に打ち込まれたりすることが防
止される。
（３）、上記（２）により、プラズマ処理に起因する素
子の電気的特性の劣化や素子の破壊の問題を防止す（菊
、上記（１） −（３）により、信頼性の高い半導体集
積回路装置を得、ることが可能となる。
子の電気的特性の劣化や素子の破壊の問題を防止す（菊
、上記（１） −（３）により、信頼性の高い半導体集
積回路装置を得、ることが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施例においては、１／シスト剥離履をメ
ラミン樹脂とした場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、例えばステ１
／ンバレイン酸共重合体でも良い。
ラミン樹脂とした場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、例えばステ１
／ンバレイン酸共重合体でも良い。
また、前記実施例においては、１／シスト材料としてポ
ジ形のレジストを適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、ネガ形のレジストにおい
ても適用可能である。
ジ形のレジストを適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、ネガ形のレジストにおい
ても適用可能である。
また、前記実施例においては、レジストの露先に際して
紫外線を照射した場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、例えば電子線
やＸ線あるいはエキシマレーザ等のレーザ光でも良い。
紫外線を照射した場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、例えば電子線
やＸ線あるいはエキシマレーザ等のレーザ光でも良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路装置
の製造工程であるイオン注入工程のマスクとして用いた
レジストの剥離方法に適用した場合について説明したが
、これに限定されず、例えば配線パターンを形成する際
のマスクとして用いたレジストの剥離方法等、種々の処
理工程において適用可能である。
をその背景となった利用分野である半導体集積回路装置
の製造工程であるイオン注入工程のマスクとして用いた
レジストの剥離方法に適用した場合について説明したが
、これに限定されず、例えば配線パターンを形成する際
のマスクとして用いたレジストの剥離方法等、種々の処
理工程において適用可能である。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
すなわち、基板上にパターン懲戒されたフォトレジスト
の下層に予め現像液に溶解するレジスト剥離層を形威し
、前記フォトレジストをマスクにして所定の処理を施し
た後、前記基板を現像液に浸して前記レジスト剥離層を
溶解することによって、前記フォトレジストを基板から
剥離するため、レジストを強い酸性溶剤によって剥離す
る従来技術において生じていた下地の浸食や配線の腐食
を防止することが可能となる。
の下層に予め現像液に溶解するレジスト剥離層を形威し
、前記フォトレジストをマスクにして所定の処理を施し
た後、前記基板を現像液に浸して前記レジスト剥離層を
溶解することによって、前記フォトレジストを基板から
剥離するため、レジストを強い酸性溶剤によって剥離す
る従来技術において生じていた下地の浸食や配線の腐食
を防止することが可能となる。
また、レジストをプラズマ処理によって剥離する従来技
術において生じていた素子や基板等へのダメージ、並び
に重金属イオンによる基板の汚染を防止することが可能
となる。
術において生じていた素子や基板等へのダメージ、並び
に重金属イオンによる基板の汚染を防止することが可能
となる。
第１図（ａ）〜（ロ）は本発明の一実施例であるレジス
ト！ＭＪ離方法を説明する半導体基板の要部断面図であ
る。 １・・・半導体ウェハ（基板）、２・・・下地絶縁膜、
３・・・レジスト剥離層、４・・・レジスト （フォト
レジスト〉、５・・・フォトマスク、６・・・不純物層
。 第１図 （０） 第１図 （Ｃ） ↓ ｔｉｔ ↓１ ↓ ↓ Ｉ Ｌｌ（ｂ） （ｄ） 第 １ 図 （ｅ） （ｆ） 第 図 （９） （ｈ）
ト！ＭＪ離方法を説明する半導体基板の要部断面図であ
る。 １・・・半導体ウェハ（基板）、２・・・下地絶縁膜、
３・・・レジスト剥離層、４・・・レジスト （フォト
レジスト〉、５・・・フォトマスク、６・・・不純物層
。 第１図 （０） 第１図 （Ｃ） ↓ ｔｉｔ ↓１ ↓ ↓ Ｉ Ｌｌ（ｂ） （ｄ） 第 １ 図 （ｅ） （ｆ） 第 図 （９） （ｈ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体の基板上にパターン形成されたフォトレジス
トの下層に予め現像液に溶解するレジスト剥離層を形成
し、前記フォトレジストをマスクにして基板の主面に所
定の処理を施した後、前記基板を現像液に浸して前記レ
ジスト剥離層を溶解することによって、前記フォトレジ
ストを基板から剥離することを特徴とするフォトレジス
ト剥離方法。 ２、前記レジスト剥離層がアルカリ現像液に可溶なメラ
ミン樹脂あるいはスチレンバレイン酸共重合体からなる
ことを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト剥離方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199401A JPH0364758A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | フォトレジスト剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199401A JPH0364758A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | フォトレジスト剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364758A true JPH0364758A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16407177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199401A Pending JPH0364758A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | フォトレジスト剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364758A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096754A1 (en) * | 2002-05-09 | 2003-11-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Production method for electroluminescent element |
| KR100950482B1 (ko) * | 2008-06-26 | 2010-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트막 제거방법 |
| JP2014523110A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | レーザスクライビング・プラズマエッチングによるデバイスの個片化用のインサイチュー蒸着マスク層 |
| JP2014523109A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | レーザによる基板のダイシング及びプラズマエッチング用の多層マスク |
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| CN111029259A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种电路基板的制作方法 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1199401A patent/JPH0364758A/ja active Pending
Cited By (11)
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