JPH08264490A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08264490A JPH08264490A JP7062267A JP6226795A JPH08264490A JP H08264490 A JPH08264490 A JP H08264490A JP 7062267 A JP7062267 A JP 7062267A JP 6226795 A JP6226795 A JP 6226795A JP H08264490 A JPH08264490 A JP H08264490A
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- semiconductor wafer
- positive resist
- holding plate
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- resist
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体ウェーハ１１の素子１２が形成された
面１２ａの、エッチカット予定部１３ａをその幅より幅
広に、選択的にネガレジスト１３で被覆し、その上にポ
ジレジスト１４を全面に塗布し、その面を保持板（ガラ
ス板１５）に貼りつけて裏面を研摩した後、前記半導体
ウェーハ１１の反対面をエッチング予定部を除いて、ポ
ジレジスト１７で被覆し、前記半導体ウェーハ１１の反
対面よりドライエッチによりエッチカットする。ネガレ
ジスト１３を溶解しない薬液でそのポジレジスト１７を
除去する。その後に前記半導体ウェーハ１１を前記保持
板（ガラス板１５）に貼りつけた状態でＰＨＳを形成す
る。そして素子１２を前記保持板（ガラス板１５）より
剥離する。 【効果】 本発明によれば、エッチカット部はエッチカ
ット工程中に接触する薬液に溶けないので、工程中に素
子が剥離することがない。また、素子表面との接触部は
工程後容易に剥離するポジレジストを使用することによ
り、素子表面に剥離困難な付着物が残ることがないた
め、これに起因する外観不良がなくなる。
面１２ａの、エッチカット予定部１３ａをその幅より幅
広に、選択的にネガレジスト１３で被覆し、その上にポ
ジレジスト１４を全面に塗布し、その面を保持板（ガラ
ス板１５）に貼りつけて裏面を研摩した後、前記半導体
ウェーハ１１の反対面をエッチング予定部を除いて、ポ
ジレジスト１７で被覆し、前記半導体ウェーハ１１の反
対面よりドライエッチによりエッチカットする。ネガレ
ジスト１３を溶解しない薬液でそのポジレジスト１７を
除去する。その後に前記半導体ウェーハ１１を前記保持
板（ガラス板１５）に貼りつけた状態でＰＨＳを形成す
る。そして素子１２を前記保持板（ガラス板１５）より
剥離する。 【効果】 本発明によれば、エッチカット部はエッチカ
ット工程中に接触する薬液に溶けないので、工程中に素
子が剥離することがない。また、素子表面との接触部は
工程後容易に剥離するポジレジストを使用することによ
り、素子表面に剥離困難な付着物が残ることがないた
め、これに起因する外観不良がなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＨＳ構造を有する化
合物半導体装置のエッチカットによる素子分割方法に関
する。
合物半導体装置のエッチカットによる素子分割方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の素子分割方法の一つとして
エッチカットが用いられている。従来のＰＨＳ（Ｐｌａ
ｔｅｄ Ｈｅａｔ Ｓｉｎｋ）構造を有するパワーＭＥ
ＳＦＥＴの製造方法について、図３を用いて説明する。
図３はエッチカット工程のフロー順に示すウェーハ断面
図である。半導体ウェーハ１の一方の面には複数の素子
２が形成されている（図３ａ）。つぎにウェーハ１の素
子形成面２ａ（ウェーハ表面）に第一のネガレジスト３
を均一に塗布し、乾燥、焼き締め等所定の熱処理を行な
う（図３ｂ）。保持板である透明なガラス板４に第二の
ネガレジスト５（第一のネガレジストと同じでもよい）
を均一に塗布し、所定の熱処理を行なって、ウェーハ１
とガラス板４が平行になるように、ウェーハ１の第一の
ネガレジスト３塗布面とガラス板４の第二のネガレジス
ト５塗布面を貼り合わせる。このとき接着を容易に、か
つ強固にするためにガラス板４を加熱する。
エッチカットが用いられている。従来のＰＨＳ（Ｐｌａ
ｔｅｄ Ｈｅａｔ Ｓｉｎｋ）構造を有するパワーＭＥ
ＳＦＥＴの製造方法について、図３を用いて説明する。
図３はエッチカット工程のフロー順に示すウェーハ断面
図である。半導体ウェーハ１の一方の面には複数の素子
２が形成されている（図３ａ）。つぎにウェーハ１の素
子形成面２ａ（ウェーハ表面）に第一のネガレジスト３
を均一に塗布し、乾燥、焼き締め等所定の熱処理を行な
う（図３ｂ）。保持板である透明なガラス板４に第二の
ネガレジスト５（第一のネガレジストと同じでもよい）
を均一に塗布し、所定の熱処理を行なって、ウェーハ１
とガラス板４が平行になるように、ウェーハ１の第一の
ネガレジスト３塗布面とガラス板４の第二のネガレジス
ト５塗布面を貼り合わせる。このとき接着を容易に、か
つ強固にするためにガラス板４を加熱する。
【０００３】ここで、ウェーハ表面２ａおよびガラス板
にネガレジストを使用するのは後述するようにポジレジ
ストをカバーにエッチカットを行なってその後ポジレジ
ストを剥離剤を用いて除去する際、溶解しないためであ
る。なお本明細書において「薬液に強いホトレジスト」
と「薬液に強いコーティング剤」と言う言葉を用いる
が、この意味は絶対的な基準に比較して強いと言う意味
ではない。エッチカットのカバーとして「あるホトレジ
スト」が選ばれれ、「それを剥離する薬液」が選ばれた
とき、その薬液に実質的に耐えるホトレジストまたはコ
ーティング剤が本明細書での「薬液に強いホトレジス
ト」または「薬液に強いコーティング剤であるので注意
されたい（図３ｃ）。
にネガレジストを使用するのは後述するようにポジレジ
ストをカバーにエッチカットを行なってその後ポジレジ
ストを剥離剤を用いて除去する際、溶解しないためであ
る。なお本明細書において「薬液に強いホトレジスト」
と「薬液に強いコーティング剤」と言う言葉を用いる
が、この意味は絶対的な基準に比較して強いと言う意味
ではない。エッチカットのカバーとして「あるホトレジ
スト」が選ばれれ、「それを剥離する薬液」が選ばれた
とき、その薬液に実質的に耐えるホトレジストまたはコ
ーティング剤が本明細書での「薬液に強いホトレジス
ト」または「薬液に強いコーティング剤であるので注意
されたい（図３ｃ）。
【０００４】つぎにメカニカル研磨とケミカル研磨によ
りウェーハ１を所定の厚さにする（図３ｄ）。つぎにポ
ジレジストと両面目合わせ機で選択的に素子２の裏面に
ポジレジスト６を残す。つぎにポジレジストをカバーと
してウェットまたはドライエッチングによりエッチカッ
トして一個一個の素子２に分割する。ただし、素子２は
まだガラス板４に貼りついている。また、図示しないが
バイアホール形成部はポジレジストは残さない。このと
き、同時に素子２表面の熱や電気を裏面に通すバイアホ
ール（図示せず）を貫通させる（３ｅ）。つぎに素子２
裏面のポジレジストを第一のネガレジストを溶解しない
ポジレジスト剥離剤で除去する。つぎにエッチカットし
た素子２の裏面をメッキをするための電気的接続とし
て、ガラス板４上の素子２全面およびウェーハがエッチ
ング除去されて露出した第一のネガレジスト３に金属
（図示せず）をスパッタする（図示せず）。
りウェーハ１を所定の厚さにする（図３ｄ）。つぎにポ
ジレジストと両面目合わせ機で選択的に素子２の裏面に
ポジレジスト６を残す。つぎにポジレジストをカバーと
してウェットまたはドライエッチングによりエッチカッ
トして一個一個の素子２に分割する。ただし、素子２は
まだガラス板４に貼りついている。また、図示しないが
バイアホール形成部はポジレジストは残さない。このと
き、同時に素子２表面の熱や電気を裏面に通すバイアホ
ール（図示せず）を貫通させる（３ｅ）。つぎに素子２
裏面のポジレジストを第一のネガレジストを溶解しない
ポジレジスト剥離剤で除去する。つぎにエッチカットし
た素子２の裏面をメッキをするための電気的接続とし
て、ガラス板４上の素子２全面およびウェーハがエッチ
ング除去されて露出した第一のネガレジスト３に金属
（図示せず）をスパッタする（図示せず）。
【０００５】つぎに金メッキをする部分（すなわち素子
２の裏面および側面）を除いた部分にネガレジスト膜
（図示せず）を形成する。つぎにメッキにより金７を素
子２の裏面、側面およびバイアホール（図示せず）内部
に付ける。つぎにそのネガレジストをネガレジスト剥離
剤で除去する。ここで、素子２裏面と素子２裏面のバイ
アホールの深い穴に金７メッキをするときに、この部分
のホトレジストを現像で除去する必要がある。このと
き、光の当たりにくい穴のホトレジストを除くには、光
の当たらない部分は硬化しないネガレジストが適してい
る。また、金７メッキ後のネガレジストの剥離時には、
第一のネガレジスト３上にはスパッタした金属があり、
ネガレジスト剥離液で第一のネガレジスト３が溶解する
ことはない。つぎに素子２間の金属を金７をマスクにウ
ェットまたはドライエッチングにより除去して一個一個
の素子２に分割する（図３ｆ）。つぎに素子２をネガレ
ジスト剥離剤でガラス板４から剥離する。つぎに素子２
を有機溶剤で洗浄する（図３ｇ）。
２の裏面および側面）を除いた部分にネガレジスト膜
（図示せず）を形成する。つぎにメッキにより金７を素
子２の裏面、側面およびバイアホール（図示せず）内部
に付ける。つぎにそのネガレジストをネガレジスト剥離
剤で除去する。ここで、素子２裏面と素子２裏面のバイ
アホールの深い穴に金７メッキをするときに、この部分
のホトレジストを現像で除去する必要がある。このと
き、光の当たりにくい穴のホトレジストを除くには、光
の当たらない部分は硬化しないネガレジストが適してい
る。また、金７メッキ後のネガレジストの剥離時には、
第一のネガレジスト３上にはスパッタした金属があり、
ネガレジスト剥離液で第一のネガレジスト３が溶解する
ことはない。つぎに素子２間の金属を金７をマスクにウ
ェットまたはドライエッチングにより除去して一個一個
の素子２に分割する（図３ｆ）。つぎに素子２をネガレ
ジスト剥離剤でガラス板４から剥離する。つぎに素子２
を有機溶剤で洗浄する（図３ｇ）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このエッチカット方法
では、素子２表面の第一ネガレジスト３（例えば（株）
東京応化製ＯＭＲ８３）塗布以後の熱が加わる工程（ガ
ラス基板４へのウェーハ１の貼りつけ工程、ドライエッ
チング工程、金属のスパッタ工程、塗布以後の他のホト
レジストの焼き締め工程等）により、第一のネガレジス
ト３が変質し、素子２表面に付着した第一のレジスト３
の除去がネガレジスト剥離剤（例えば（株）東京応化製
ＯＭＲ８３剥離剤）では困難になる。この除去できない
ネガレジストを他の薬液で除去しようとすると素子２構
成材料をエッチングする等の悪影響があり使用できな
い。その結果、素子２表面への第一のレジスト３付着に
よる外観不良が発生し、歩留が低下すると言う問題があ
った。
では、素子２表面の第一ネガレジスト３（例えば（株）
東京応化製ＯＭＲ８３）塗布以後の熱が加わる工程（ガ
ラス基板４へのウェーハ１の貼りつけ工程、ドライエッ
チング工程、金属のスパッタ工程、塗布以後の他のホト
レジストの焼き締め工程等）により、第一のネガレジス
ト３が変質し、素子２表面に付着した第一のレジスト３
の除去がネガレジスト剥離剤（例えば（株）東京応化製
ＯＭＲ８３剥離剤）では困難になる。この除去できない
ネガレジストを他の薬液で除去しようとすると素子２構
成材料をエッチングする等の悪影響があり使用できな
い。その結果、素子２表面への第一のレジスト３付着に
よる外観不良が発生し、歩留が低下すると言う問題があ
った。
【０００７】素子２表面に第一のネガレジスト３を塗布
する代わりに、ポジレジスト（例えばノボラック系）を
用いると、素子２表面にポジレジストが付着しても後の
工程で素子２表面に付着したポジレジストが変質して、
ポジレジスト剥離液（例えばメチルエチルケトン）でポ
ジレジストの除去が困難になることはない。しかし、エ
ッチカット時の裏面のポジレジストをポジレジスト剥離
液で除去する時に、素子２間のポジレジストが溶解し、
つづいて素子２表面のポジレジストが溶解する。また、
エッチカット時に素子２の裏面にネガレジストを被覆し
た場合は、裏面のネガレジスト除去時のネガレジスト剥
離剤にポジレジストが溶解する。そのために素子２がガ
ラス板４から剥離し、その後の工程に供することができ
ないと言う問題があった。
する代わりに、ポジレジスト（例えばノボラック系）を
用いると、素子２表面にポジレジストが付着しても後の
工程で素子２表面に付着したポジレジストが変質して、
ポジレジスト剥離液（例えばメチルエチルケトン）でポ
ジレジストの除去が困難になることはない。しかし、エ
ッチカット時の裏面のポジレジストをポジレジスト剥離
液で除去する時に、素子２間のポジレジストが溶解し、
つづいて素子２表面のポジレジストが溶解する。また、
エッチカット時に素子２の裏面にネガレジストを被覆し
た場合は、裏面のネガレジスト除去時のネガレジスト剥
離剤にポジレジストが溶解する。そのために素子２がガ
ラス板４から剥離し、その後の工程に供することができ
ないと言う問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、半導体ウェーハの素子が
形成された面のエッチカット予定部を、その幅より幅広
に、選択的に薬液に強いホトレジストで被覆する第一の
工程と、その上に熱が加わっても薬液で容易に溶けるコ
ーティング剤を全面に塗布する第二の工程と、その面を
保持板に貼りつける第三の工程と、前記半導体ウェーハ
の反対面をエッチング予定部を除いて、ホトレジストで
被覆する第四の工程と、前記半導体ウェーハの反対面よ
りエッチカットする第五の工程と、前記薬液に強いホト
レジストを溶解しない薬液で前記第四の工程で被覆した
ホトレジストを除去する第六の工程と、その後に前記半
導体ウェーハを前記保持板に貼りつけた状態で処理する
第七の工程と、前記素子を前記保持板より剥離する第八
の工程とを有し、かつ、上記いづれかの工程に前記半導
体ウェーハが加熱される処理を有することを特徴とする
半導体装置の製造方法を提供する。詳しくは、半導体ウ
ェーハの素子が形成された面のエッチカット予定部を、
その幅より幅広に、選択的にネガレジストで被覆する第
一の工程と、その上にポジレジストを全面に塗布する第
二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三の工程
と、前記半導体ウェーハの反対面をエッチング予定部を
除いて、ポジレジストで被覆する第四の工程と、前記半
導体ウェーハの反対面よりエッチカットする第五の工程
と、前記ネガレジストを溶解しないポジレジスト剥離剤
で第四の工程で被覆したポジレジストを除去する第六の
工程と、その後に前記半導体ウェーハを前記保持板に貼
りつけた状態で処理する第七の工程と、前記素子を前記
保持板より剥離する第八の工程とを有し、かつ、上記工
程のいづれかの工程に前記半導体ウェーハが加熱される
処理を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を
提供する。また、半導体ウェーハの素子が形成された面
の、素子表面をそれより幅狭に、選択的に熱が加わって
も薬液で容易に溶けるホトレジストで被覆する第一の工
程と、その上に薬液に強いコーティング剤を全面に塗布
する第二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三の
工程と、前記半導体ウェーハの反対面を、エッチング予
定部を除いて、ホトレジストで被覆する第四の工程と、
前記半導体ウェーハの反対面よりエッチカットする第五
の工程と、前記薬液に強いコーティング剤を溶解しない
薬液で前記第四工程のホトレジストを除去する第六の工
程と、その後に前記半導体ウェーハを前記保持板に貼り
つけた状態で処理する第七の工程と、前記素子を前記保
持板より剥離する第八の工程とを有し、かつ、上記工程
のいづれかに前記半導体ウェーハが加熱される処理を有
することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供す
る。詳しくは、半導体ウェーハの素子が形成された面の
素子表面をそれより幅狭に、選択的にポジレジストで被
覆する第一の工程と、その上にネガレジストを全面に塗
布する第二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三
の工程と、前記半導体ウェーハの反対面を、エッチング
予定部を除いて、ポジレジストで被覆する第四の工程
と、反対面よりエッチカットする第五の工程と、前記ネ
ガレジストを溶解しないポリレジスト剥離剤で前記第四
工程で被覆したポジレジストを除去する第六の工程と、
その後にウェーハを保持板に貼りつけた状態で処理する
第七の工程と、素子を保持板より剥離する第八の工程と
を有し、かつ、上記工程のいづれかにウェーハが加熱さ
れる処理を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法を提供する。
するために提案されたもので、半導体ウェーハの素子が
形成された面のエッチカット予定部を、その幅より幅広
に、選択的に薬液に強いホトレジストで被覆する第一の
工程と、その上に熱が加わっても薬液で容易に溶けるコ
ーティング剤を全面に塗布する第二の工程と、その面を
保持板に貼りつける第三の工程と、前記半導体ウェーハ
の反対面をエッチング予定部を除いて、ホトレジストで
被覆する第四の工程と、前記半導体ウェーハの反対面よ
りエッチカットする第五の工程と、前記薬液に強いホト
レジストを溶解しない薬液で前記第四の工程で被覆した
ホトレジストを除去する第六の工程と、その後に前記半
導体ウェーハを前記保持板に貼りつけた状態で処理する
第七の工程と、前記素子を前記保持板より剥離する第八
の工程とを有し、かつ、上記いづれかの工程に前記半導
体ウェーハが加熱される処理を有することを特徴とする
半導体装置の製造方法を提供する。詳しくは、半導体ウ
ェーハの素子が形成された面のエッチカット予定部を、
その幅より幅広に、選択的にネガレジストで被覆する第
一の工程と、その上にポジレジストを全面に塗布する第
二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三の工程
と、前記半導体ウェーハの反対面をエッチング予定部を
除いて、ポジレジストで被覆する第四の工程と、前記半
導体ウェーハの反対面よりエッチカットする第五の工程
と、前記ネガレジストを溶解しないポジレジスト剥離剤
で第四の工程で被覆したポジレジストを除去する第六の
工程と、その後に前記半導体ウェーハを前記保持板に貼
りつけた状態で処理する第七の工程と、前記素子を前記
保持板より剥離する第八の工程とを有し、かつ、上記工
程のいづれかの工程に前記半導体ウェーハが加熱される
処理を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を
提供する。また、半導体ウェーハの素子が形成された面
の、素子表面をそれより幅狭に、選択的に熱が加わって
も薬液で容易に溶けるホトレジストで被覆する第一の工
程と、その上に薬液に強いコーティング剤を全面に塗布
する第二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三の
工程と、前記半導体ウェーハの反対面を、エッチング予
定部を除いて、ホトレジストで被覆する第四の工程と、
前記半導体ウェーハの反対面よりエッチカットする第五
の工程と、前記薬液に強いコーティング剤を溶解しない
薬液で前記第四工程のホトレジストを除去する第六の工
程と、その後に前記半導体ウェーハを前記保持板に貼り
つけた状態で処理する第七の工程と、前記素子を前記保
持板より剥離する第八の工程とを有し、かつ、上記工程
のいづれかに前記半導体ウェーハが加熱される処理を有
することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供す
る。詳しくは、半導体ウェーハの素子が形成された面の
素子表面をそれより幅狭に、選択的にポジレジストで被
覆する第一の工程と、その上にネガレジストを全面に塗
布する第二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三
の工程と、前記半導体ウェーハの反対面を、エッチング
予定部を除いて、ポジレジストで被覆する第四の工程
と、反対面よりエッチカットする第五の工程と、前記ネ
ガレジストを溶解しないポリレジスト剥離剤で前記第四
工程で被覆したポジレジストを除去する第六の工程と、
その後にウェーハを保持板に貼りつけた状態で処理する
第七の工程と、素子を保持板より剥離する第八の工程と
を有し、かつ、上記工程のいづれかにウェーハが加熱さ
れる処理を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法を提供する。
【０００９】
【作用】上記手段によれば、ウェーハの素子が形成され
た面のエッチカット部は薬液に強いホトレジストや薬液
に強いコーティング剤で被覆したので、エッチカット時
の素子裏面をマスクしたホトレジストを剥離する薬液に
溶解することがない。したがって、第六の工程中に素子
が剥離することはない。またレジストやコーティング剤
の残りが外観不良となる素子の表面は、熱が加わっても
薬液で容易に溶けるホトレジストか熱が加わっても薬液
で容易に溶けるコーティング剤で被覆しているので、コ
ーティング剤を塗布またはホトレジストを被覆した以後
に熱が加わる処理があっても、ペレット表面にコーティ
ング剤またはホトレジストが残り外観不良になることは
ない。
た面のエッチカット部は薬液に強いホトレジストや薬液
に強いコーティング剤で被覆したので、エッチカット時
の素子裏面をマスクしたホトレジストを剥離する薬液に
溶解することがない。したがって、第六の工程中に素子
が剥離することはない。またレジストやコーティング剤
の残りが外観不良となる素子の表面は、熱が加わっても
薬液で容易に溶けるホトレジストか熱が加わっても薬液
で容易に溶けるコーティング剤で被覆しているので、コ
ーティング剤を塗布またはホトレジストを被覆した以後
に熱が加わる処理があっても、ペレット表面にコーティ
ング剤またはホトレジストが残り外観不良になることは
ない。
【００１０】
【実施例１】ＰＨＳ構造を有するパワーＭＥＳＦＥＴの
製造に本発明の請求項１、２に係る製造方法を適用した
例について、図１を用いて説明する。図１は本発明のエ
ッチカット工程のフロー順に示すウェーハ断面図であ
る。半導体ウェーハ１１には複数の素子１２が形成され
ている（図１ａ）。つぎの工程は本発明の特徴である。
ウェーハ１１の素子形成面１２ａ（ウェーハ表面）の素
子１２間のエッチカット予定部１３ａに、それより幅広
に、選択的に薬液に強いホトレジストの一例として、ネ
ガレジスト（例えば環化ゴム系ＯＭＲ８３（株）東京応
化製）膜を形成する（以下第一のネガレジスト１３と記
す）（図１ｂ）。
製造に本発明の請求項１、２に係る製造方法を適用した
例について、図１を用いて説明する。図１は本発明のエ
ッチカット工程のフロー順に示すウェーハ断面図であ
る。半導体ウェーハ１１には複数の素子１２が形成され
ている（図１ａ）。つぎの工程は本発明の特徴である。
ウェーハ１１の素子形成面１２ａ（ウェーハ表面）の素
子１２間のエッチカット予定部１３ａに、それより幅広
に、選択的に薬液に強いホトレジストの一例として、ネ
ガレジスト（例えば環化ゴム系ＯＭＲ８３（株）東京応
化製）膜を形成する（以下第一のネガレジスト１３と記
す）（図１ｂ）。
【００１１】つぎに素子１２および第一のネガレジスト
膜１３上に薬液で熱が加わっても容易に溶けるコーティ
ング剤としてポジレジスト１４（例えばノボラック系Ｏ
ＦＰＲ−８００Ｃ（株）東京応化製）を全面に均一に塗
布する（図１ｃ）。つぎに保持板である透明なガラス板
１５に、接着強度を保つために第二のネガレジスト１６
（例えばＯＭＲ８３）を均一に塗布し、ウェーハ１１と
ガラス板１５が平行になるようにウェーハ１１のポジレ
ジスト１４塗布面とガラス板１５の第二のネガレジスト
１６塗布面を貼り合わせる。ただし、ポジレジスト１４
でガラス板１５への接着強度が得られれば、ネガレジス
ト１６は不要である。このとき接着を容易に、かつ強固
にするためにガラス板１５とウェーハ１１を加熱する
（図１ｄ）。つぎにメカニカル研磨とケミカル研磨によ
りウェーハ１１を所定の厚さにする（図１ｅ）。
膜１３上に薬液で熱が加わっても容易に溶けるコーティ
ング剤としてポジレジスト１４（例えばノボラック系Ｏ
ＦＰＲ−８００Ｃ（株）東京応化製）を全面に均一に塗
布する（図１ｃ）。つぎに保持板である透明なガラス板
１５に、接着強度を保つために第二のネガレジスト１６
（例えばＯＭＲ８３）を均一に塗布し、ウェーハ１１と
ガラス板１５が平行になるようにウェーハ１１のポジレ
ジスト１４塗布面とガラス板１５の第二のネガレジスト
１６塗布面を貼り合わせる。ただし、ポジレジスト１４
でガラス板１５への接着強度が得られれば、ネガレジス
ト１６は不要である。このとき接着を容易に、かつ強固
にするためにガラス板１５とウェーハ１１を加熱する
（図１ｄ）。つぎにメカニカル研磨とケミカル研磨によ
りウェーハ１１を所定の厚さにする（図１ｅ）。
【００１２】つぎにポジレジスト（例えばＯＦＰＲ−８
００Ｃ）と両面目合わせ機で半導体ウェーハ１１の裏面
のエッチカット予定部１３ａおよびバイアホール形成予
定部（図示せず）等のエッチング予定部を除きポジレジ
スト１７を残す。つぎにポジレジスト１７をカバーとし
てドライエッチングによりエッチカットして一個一個の
素子１２に分割する。このとき、同時に素子１２の表面
の熱や電気を裏面に通すバイアホール（図示せず）を貫
通する（図１ｆ）。つぎに素子１２裏面のポジレジスト
１７をポジレジスト剥離剤（例えばメチルエチルケト
ン）で除去する。このときの第一のネガレジスト１３は
メチルエチルケトンには溶けないので素子１２が剥離す
ることはない。つぎにエッチカットした素子１２の裏面
をメッキするための電気的接続として、ガラス板１５に
貼りつけた素子１２の裏面全面およびウェーハがエッチ
ング除去されて露出した第一のネガレジスト１３に金属
（図示せず）をスパッタする。つぎに金メッキをする部
分即ち素子１２の裏面および側面を除く部分にネガレジ
スト膜（図示せず）を形成する。つぎにメッキにより金
１８を素子１２の裏面、側面およびバイアホール（図示
せず）内に付ける。つぎにそのネガレジストをネガレジ
スト剥離剤で除去する。つぎに素子１２間の金属（図示
せず）を金１８をマスクにエッチングして一個一個の素
子１２に分割する（図１ｇ）。
００Ｃ）と両面目合わせ機で半導体ウェーハ１１の裏面
のエッチカット予定部１３ａおよびバイアホール形成予
定部（図示せず）等のエッチング予定部を除きポジレジ
スト１７を残す。つぎにポジレジスト１７をカバーとし
てドライエッチングによりエッチカットして一個一個の
素子１２に分割する。このとき、同時に素子１２の表面
の熱や電気を裏面に通すバイアホール（図示せず）を貫
通する（図１ｆ）。つぎに素子１２裏面のポジレジスト
１７をポジレジスト剥離剤（例えばメチルエチルケト
ン）で除去する。このときの第一のネガレジスト１３は
メチルエチルケトンには溶けないので素子１２が剥離す
ることはない。つぎにエッチカットした素子１２の裏面
をメッキするための電気的接続として、ガラス板１５に
貼りつけた素子１２の裏面全面およびウェーハがエッチ
ング除去されて露出した第一のネガレジスト１３に金属
（図示せず）をスパッタする。つぎに金メッキをする部
分即ち素子１２の裏面および側面を除く部分にネガレジ
スト膜（図示せず）を形成する。つぎにメッキにより金
１８を素子１２の裏面、側面およびバイアホール（図示
せず）内に付ける。つぎにそのネガレジストをネガレジ
スト剥離剤で除去する。つぎに素子１２間の金属（図示
せず）を金１８をマスクにエッチングして一個一個の素
子１２に分割する（図１ｇ）。
【００１３】つぎに素子１２をネガレジスト剥離剤（例
えばＯＭＲ−７１０剥離液（株）東京応化製）でガラス
板１５から剥離する。つぎに素子１２を有機溶剤で洗浄
する（図１ｈ）。本実施例では、素子１２表面へネガレ
ジスト１３が残れば外観不良になる部分はポジレジスト
が接触するようにし、ポジレジスト剥離剤が接触する部
分はネガレジストにする。素子１２表面のポジレジスト
１３は、素子１２表面に塗布した後の工程の熱が加わる
処理（ガラス板１５へのウェーハ１１の貼りつけ工程、
ドライエッチング工程、スパッタ工程、ポジレジスト１
３被覆工程以後のホトレジストの焼き締め工程等）で
も、変質して除去が難しくなることはない。このため
に、図１ｂのＰＲ工程が一回増えるが、レジスト付着に
よる外観不良の減少により、それ以上にペレット単価を
下げる効果がある。また素子１２間のポジレジスト剥離
剤が接触する部分は第一のネガレジスト膜１３があり、
素子１２が剥離することがない。
えばＯＭＲ−７１０剥離液（株）東京応化製）でガラス
板１５から剥離する。つぎに素子１２を有機溶剤で洗浄
する（図１ｈ）。本実施例では、素子１２表面へネガレ
ジスト１３が残れば外観不良になる部分はポジレジスト
が接触するようにし、ポジレジスト剥離剤が接触する部
分はネガレジストにする。素子１２表面のポジレジスト
１３は、素子１２表面に塗布した後の工程の熱が加わる
処理（ガラス板１５へのウェーハ１１の貼りつけ工程、
ドライエッチング工程、スパッタ工程、ポジレジスト１
３被覆工程以後のホトレジストの焼き締め工程等）で
も、変質して除去が難しくなることはない。このため
に、図１ｂのＰＲ工程が一回増えるが、レジスト付着に
よる外観不良の減少により、それ以上にペレット単価を
下げる効果がある。また素子１２間のポジレジスト剥離
剤が接触する部分は第一のネガレジスト膜１３があり、
素子１２が剥離することがない。
【００１４】本実施例において、熱が加わっても薬液で
容易に溶けるコーティング剤として、ポジレジストを使
用したが、このポジレジストは素子１２をガラス板１５
から剥離する際、第一のネガレジスト１３を除去するネ
ガレジスト剥離剤により同時に除去できるので好都合で
ある。しかしながら、本発明で使用できる「熱が加わっ
ても薬液で容易に溶けるコーティング剤」はポジレジス
トにかぎるものではない。ワックス類をはじめ市販のコ
ーティング剤から選択できる。工程で加わる熱に耐え、
最後に有機溶剤等の薬液で容易に除去できるものであれ
ばよい。それが薬液に強いホトレジスト（本実施例にお
ける第一のネガレジスト１３）を除去する薬液（例えば
ネガレジストの剥離剤等）により同時にできないもので
あれば、薬液に強いホトレジストを除去した後にそのコ
ーティング剤を除去可能な薬液で改めて処理すればよ
い。薬液に強いホトレジストとエッチカットのカバーと
なるホトレジストと、後者を除去し、前者を溶かさない
薬液との三者の組合せの選定は市販のホトレジスト、そ
の剥離剤、市販の有機溶剤より選べばよく、従来通り薬
液に強いホトレジストとしてはネガレジスト、エッチカ
ットのカバー用のホトレジストとしてはポジレジストを
用い、後者を除去する薬液としてはケトン類が使用でき
る。
容易に溶けるコーティング剤として、ポジレジストを使
用したが、このポジレジストは素子１２をガラス板１５
から剥離する際、第一のネガレジスト１３を除去するネ
ガレジスト剥離剤により同時に除去できるので好都合で
ある。しかしながら、本発明で使用できる「熱が加わっ
ても薬液で容易に溶けるコーティング剤」はポジレジス
トにかぎるものではない。ワックス類をはじめ市販のコ
ーティング剤から選択できる。工程で加わる熱に耐え、
最後に有機溶剤等の薬液で容易に除去できるものであれ
ばよい。それが薬液に強いホトレジスト（本実施例にお
ける第一のネガレジスト１３）を除去する薬液（例えば
ネガレジストの剥離剤等）により同時にできないもので
あれば、薬液に強いホトレジストを除去した後にそのコ
ーティング剤を除去可能な薬液で改めて処理すればよ
い。薬液に強いホトレジストとエッチカットのカバーと
なるホトレジストと、後者を除去し、前者を溶かさない
薬液との三者の組合せの選定は市販のホトレジスト、そ
の剥離剤、市販の有機溶剤より選べばよく、従来通り薬
液に強いホトレジストとしてはネガレジスト、エッチカ
ットのカバー用のホトレジストとしてはポジレジストを
用い、後者を除去する薬液としてはケトン類が使用でき
る。
【００１５】
【実施例２】実施例１と異なる本発明の請求項３、４に
係る製造方法について、図２を用いて説明する。図２は
本発明のエッチカット工程のフロー順に示すのウェーハ
断面図である。半導体ウェーハ２１の一方の面には複数
の素子２２が形成されている（図２ａ）。つぎが本発明
の特徴である。ウェーハ２１の素子形成面２２ａ（ウェ
ーハ表面）の素子２２表面に素子２２より幅狭に、薬液
に熱が加わっても容易に溶けるホトレジストの一例とし
てポジレジスト膜２３（例えばノボラック系ＯＦＰＲ−
８００Ｃ東京応化製）を形成する（以下第一のポジレジ
スト膜２３と記す）（図２ｂ）。
係る製造方法について、図２を用いて説明する。図２は
本発明のエッチカット工程のフロー順に示すのウェーハ
断面図である。半導体ウェーハ２１の一方の面には複数
の素子２２が形成されている（図２ａ）。つぎが本発明
の特徴である。ウェーハ２１の素子形成面２２ａ（ウェ
ーハ表面）の素子２２表面に素子２２より幅狭に、薬液
に熱が加わっても容易に溶けるホトレジストの一例とし
てポジレジスト膜２３（例えばノボラック系ＯＦＰＲ−
８００Ｃ東京応化製）を形成する（以下第一のポジレジ
スト膜２３と記す）（図２ｂ）。
【００１６】つぎに素子２２および第一のポジレジスト
膜２３上に薬液に強いコーティング剤としてネガレジス
ト（例えばＯＭＲ８３）を全面に均一に塗布する（以下
第一のネガレジストと記す）（図２ｃ）。つぎに保持板
である透明なガラス板２５に、接着強度を保つために第
二のネガレジスト２６（例えばＯＭＲ８３）を均一に塗
布し、ウェーハ２１とガラス板２５が平行になるように
ウェーハ２１の第一のネガレジスト２４塗布面とガラス
板２５の第二のネガレジスト２６塗布面を貼り合わせ
る。ただし、第一のネガレジスト２４でガラス板２５へ
の接着強度が得られれば、第二のネガレジスト２６は不
要である。このとき接着を容易に、かつ強固にするため
にガラス板２４とウェーハ２１を加熱する（図２ｄ）。
つぎにメカニカル研磨とケミカル研磨によりウェーハ２
１を所定の厚さにする（図２ｅ）。
膜２３上に薬液に強いコーティング剤としてネガレジス
ト（例えばＯＭＲ８３）を全面に均一に塗布する（以下
第一のネガレジストと記す）（図２ｃ）。つぎに保持板
である透明なガラス板２５に、接着強度を保つために第
二のネガレジスト２６（例えばＯＭＲ８３）を均一に塗
布し、ウェーハ２１とガラス板２５が平行になるように
ウェーハ２１の第一のネガレジスト２４塗布面とガラス
板２５の第二のネガレジスト２６塗布面を貼り合わせ
る。ただし、第一のネガレジスト２４でガラス板２５へ
の接着強度が得られれば、第二のネガレジスト２６は不
要である。このとき接着を容易に、かつ強固にするため
にガラス板２４とウェーハ２１を加熱する（図２ｄ）。
つぎにメカニカル研磨とケミカル研磨によりウェーハ２
１を所定の厚さにする（図２ｅ）。
【００１７】つぎにポジレジスト（例えばＯＦＰＲ−８
００Ｃ）と両面目合わせ機で半導体ウェーハ２１の裏面
のエッチング予定部を除く部分にポジレジスト２７を残
す。ただし、図示しないがバイアホール形成部はポジレ
ジストは残さない。つぎにこのポジレジストをカバーと
してドライエッチングによりエッチカットして一個一個
の素子２２に分割する。このとき、同時に素子２２の表
面の熱や電気を裏面に通すバイアホール（図示せず）を
貫通する（図２ｆ）。つぎに素子２２裏面のポジレジス
トをポジレジスト剥離剤（例えばメチルエチルケトン）
で除去する。このとき第一のネガレジスト２４はメチル
エチルケトンには溶けないので素子２２が剥離すること
はない。つぎにエッチカットした素子２２の裏面をメッ
キをするための電気的接続として、ガラス板２５の素子
２２を貼りつけた面全面およびウェーハがエッチング除
去されて露出した第一のネガレジスト２４に金属（図示
せず）をスパッタする。つぎに金メッキをする部分（素
子２２裏面および側面）を除いてネガレジスト膜（図示
せず）を形成する。つぎにメッキにより金２８を素子２
２の裏面、側面およびバイアホール（図示せず）内に付
ける。
００Ｃ）と両面目合わせ機で半導体ウェーハ２１の裏面
のエッチング予定部を除く部分にポジレジスト２７を残
す。ただし、図示しないがバイアホール形成部はポジレ
ジストは残さない。つぎにこのポジレジストをカバーと
してドライエッチングによりエッチカットして一個一個
の素子２２に分割する。このとき、同時に素子２２の表
面の熱や電気を裏面に通すバイアホール（図示せず）を
貫通する（図２ｆ）。つぎに素子２２裏面のポジレジス
トをポジレジスト剥離剤（例えばメチルエチルケトン）
で除去する。このとき第一のネガレジスト２４はメチル
エチルケトンには溶けないので素子２２が剥離すること
はない。つぎにエッチカットした素子２２の裏面をメッ
キをするための電気的接続として、ガラス板２５の素子
２２を貼りつけた面全面およびウェーハがエッチング除
去されて露出した第一のネガレジスト２４に金属（図示
せず）をスパッタする。つぎに金メッキをする部分（素
子２２裏面および側面）を除いてネガレジスト膜（図示
せず）を形成する。つぎにメッキにより金２８を素子２
２の裏面、側面およびバイアホール（図示せず）内に付
ける。
【００１８】つぎにそのネガレジストをネガレジスト剥
離財で除去する。次に素子２２間の金属（図示せず）を
金２８をマスクにドライエッチングにより除去して一個
一個の素子２２に分割する（図２ｇ）。つぎに素子２２
をネガレジスト剥離剤（例えばＯＭＲ−７１０剥離駅）
でガラス井田２５から剥離する。つぎに素子２２を有機
溶剤で洗浄する（図２ｈ）。本実施例では、素子２２表
面のネガレジスト２３が残れば外観不良になる部分はポ
ジレジストが接触するようにし、ボジレジスト剥離液が
接触する部分はネガレジストにする。素子２２表面のポ
ジレジスト２３は、素子２２表面に塗布した後の熱が加
わる工程（ガラス板２５へのウェーハ２１の貼りつけ工
程、ドライエッチング工程、スパッタ工程、ポジレジス
ト塗布工程以後のホトレジストの焼き締め工程等）で
も、変質して除去が難しくなることはない。このため、
図２ｂのＰＲ工程が一回増えるが、レジスト付着による
外観不良の減少により、それ以上にペレット単価を下げ
る効果がある。また素子２２間のポジレジストはくり剤
が接触する部分は第一のネガレジスト膜２３があり、素
子２２が剥離することがない。
離財で除去する。次に素子２２間の金属（図示せず）を
金２８をマスクにドライエッチングにより除去して一個
一個の素子２２に分割する（図２ｇ）。つぎに素子２２
をネガレジスト剥離剤（例えばＯＭＲ−７１０剥離駅）
でガラス井田２５から剥離する。つぎに素子２２を有機
溶剤で洗浄する（図２ｈ）。本実施例では、素子２２表
面のネガレジスト２３が残れば外観不良になる部分はポ
ジレジストが接触するようにし、ボジレジスト剥離液が
接触する部分はネガレジストにする。素子２２表面のポ
ジレジスト２３は、素子２２表面に塗布した後の熱が加
わる工程（ガラス板２５へのウェーハ２１の貼りつけ工
程、ドライエッチング工程、スパッタ工程、ポジレジス
ト塗布工程以後のホトレジストの焼き締め工程等）で
も、変質して除去が難しくなることはない。このため、
図２ｂのＰＲ工程が一回増えるが、レジスト付着による
外観不良の減少により、それ以上にペレット単価を下げ
る効果がある。また素子２２間のポジレジストはくり剤
が接触する部分は第一のネガレジスト膜２３があり、素
子２２が剥離することがない。
【００１９】また本実施例によれば、第一のネガレジス
ト膜２３形成時にウェーハ周辺も第一のネガレジスト膜
を形成するので、ウェーハ２１とガラス板２５張り合わ
せ部の側面がポジレジスト２３にならないので、側面か
ら素子２２が剥離することはない。上記実施例におい
て、熱が加わっても薬液で容易に溶けるホトレジストと
してノボラック系ポジレジストを用いたが、本発明にお
いて、これに限定されるものではない。エッチカットの
カバーとなるホトレジストを除去する薬液には触れるわ
けではないので、ただ熱に耐えて、最後に薬液で容易に
除去できるものを市販のホトレジストの内から選択すれ
ばよい。上記実施例においては、薬液に強いコーティン
グザイとして、環化ゴム系ネガレジストを用いたが、本
発明において、これに限定されるものではない。エッチ
カットのカバーとなるホトレジストが選ばれ、それを除
去する薬液が選ばれ、それに溶けないものを選べばよ
い。ホトレジスト、その他の樹脂、ワックス類等より選
ぶことができる。
ト膜２３形成時にウェーハ周辺も第一のネガレジスト膜
を形成するので、ウェーハ２１とガラス板２５張り合わ
せ部の側面がポジレジスト２３にならないので、側面か
ら素子２２が剥離することはない。上記実施例におい
て、熱が加わっても薬液で容易に溶けるホトレジストと
してノボラック系ポジレジストを用いたが、本発明にお
いて、これに限定されるものではない。エッチカットの
カバーとなるホトレジストを除去する薬液には触れるわ
けではないので、ただ熱に耐えて、最後に薬液で容易に
除去できるものを市販のホトレジストの内から選択すれ
ばよい。上記実施例においては、薬液に強いコーティン
グザイとして、環化ゴム系ネガレジストを用いたが、本
発明において、これに限定されるものではない。エッチ
カットのカバーとなるホトレジストが選ばれ、それを除
去する薬液が選ばれ、それに溶けないものを選べばよ
い。ホトレジスト、その他の樹脂、ワックス類等より選
ぶことができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、エッチカット部はエッ
チカット工程中に接触する薬液に溶けないので、工程中
に素子が剥離することがない。また、素子表面との接触
部は工程後容易に剥離するコーティング剤を使用するこ
とにより、素子表面に剥離困難な付着物が残ることがな
いため、これに起因する外観不良はなくなる。
チカット工程中に接触する薬液に溶けないので、工程中
に素子が剥離することがない。また、素子表面との接触
部は工程後容易に剥離するコーティング剤を使用するこ
とにより、素子表面に剥離困難な付着物が残ることがな
いため、これに起因する外観不良はなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例のエッチカット工程のフロ
ー順を示すウェーハ断面図
ー順を示すウェーハ断面図
【図２】 本発明の他の実施例のエッチカット工程のフ
ロー順を示すウェーハ断面図
ロー順を示すウェーハ断面図
【図３】 従来のエッチカット製造工程フローのウェー
ハ断面図
ハ断面図
１１，２１ ウェーハ １２，２２ 素子 １２ａ，２２ａ 素子形成面 １３ 第一のネガレジスト（薬液に強いホトレジスト） １３ａ，２３ａ エッチカット予定部 １４ ポジレジスト（熱を加えても薬液に容易に溶ける
コーティング剤） １５，２５ ガラス板（保持板） １７，２７ ポジレジスト（ホトレジスト） ２３ 第一のポジレジスト（熱を加えても薬液に容易に
溶けるホトレジスト） ２４ 第一のネガレジスト（薬液に強いコーティング
剤）
コーティング剤） １５，２５ ガラス板（保持板） １７，２７ ポジレジスト（ホトレジスト） ２３ 第一のポジレジスト（熱を加えても薬液に容易に
溶けるホトレジスト） ２４ 第一のネガレジスト（薬液に強いコーティング
剤）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812
Claims (4)
- 【請求項１】半導体ウェーハの素子が形成された面の、
エッチカット予定部をその幅より幅広に、選択的に薬液
に強いホトレジストで被覆する第一の工程と、その上に
熱が加わっても薬液で容易に溶けるコーティング剤を全
面に塗布する第二の工程と、その面を保持板に貼りつけ
る第三の工程と、前記半導体ウェーハの反対面をエッチ
ング予定部を除いて、ホトレジストで被覆する第四の工
程と、前記半導体ウェーハの反対面よりエッチカットす
る第五の工程と、前記薬液に強いホトレジストを溶解し
ない薬液で前記第四の工程で被覆したホトレジストを除
去する第六の工程と、その後に前記半導体ウェーハを前
記保持板に貼りつけた状態で処理する第七の工程と、前
記素子を前記保持板より剥離する第八の工程とを有し、
かつ、上記いづれかの工程に前記半導体ウェーハが加熱
される処理を有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】半導体ウェーハの素子が形成された面の、
エッチカット予定部をその幅より幅広に、選択的にネガ
レジストで被覆する第一の工程と、その上にポジレジス
トを全面に塗布する第二の工程と、その面を保持板に貼
りつける第三の工程と、前記半導体ウェーハの反対面を
エッチング予定部を除いて、ポジレジストで被覆する第
四の工程と、前記半導体ウェーハの反対面よりエッチカ
ットする第五の工程と、前記ネガレジストを溶解しない
ポジレジスト剥離剤で第四の工程で被覆したポジレジス
トを除去する第六の工程と、その後に前記半導体ウェー
ハを前記保持板に貼りつけた状態で処理する第七の工程
と、前記素子を前記保持板より剥離する第八の工程とを
有し、かつ、上記工程のいづれかの工程に前記半導体ウ
ェーハが加熱される処理を有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体ウェーハの素子が形成された面の素
子表面を、それより幅狭に、選択的に熱が加わっても薬
液で容易に溶けるホトレジストで被覆する第一の工程
と、その上に薬液に強いコーティング剤を全面に塗布す
る第二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三の工
程と、前記半導体ウェーハの反対面を、エッチング予定
部を除いて、ホトレジストで被覆する第四の工程と、前
記半導体ウェーハの反対面よりエッチカットする第五の
工程と、前記薬液に強いコーティング剤を溶解しない薬
液で前記第四工程で被覆したホトレジストを除去する第
六の工程と、その後に前記半導体ウェーハを前記保持板
に貼りつけた状態で処理する第七の工程と、前記素子を
前記保持板より剥離する第八の工程とを有し、かつ、上
記工程のいづれかに前記半導体ウェーハが加熱される処
理を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】半導体ウェーハの素子が形成された面の素
子表面を、それより幅狭に、選択的にポジレジストで被
覆する第一の工程と、その上にネガレジストを全面に塗
布する第二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三
の工程と、前記半導体ウェーハの反対面を、エッチング
予定部を除いて、ポジレジストで被覆する第四の工程
と、反対面よりエッチカットする第五の工程と、前記ネ
ガレジストを溶解しないポジレジスト剥離剤で前記第四
工程で被覆したポジレジストを除去する第六の工程と、
その後にウェーハを保持板に貼りつけた状態で処理する
第七の工程と、素子を保持板より剥離する第八の工程と
を有し、かつ、上記工程のいづれかにウェーハが加熱さ
れる処理を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7062267A JPH08264490A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7062267A JPH08264490A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264490A true JPH08264490A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13195212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7062267A Pending JPH08264490A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264490A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10062014A1 (de) * | 2000-12-13 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück |
| JP2008505486A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-21 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 極薄ダイおよびその製造方法 |
| JP2013077644A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014511569A (ja) * | 2011-02-18 | 2014-05-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハレベルのシンギュレーションのための方法およびシステム |
| US9219192B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
-
1995
- 1995-03-22 JP JP7062267A patent/JPH08264490A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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