JPH036493B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH036493B2 JPH036493B2 JP19641285A JP19641285A JPH036493B2 JP H036493 B2 JPH036493 B2 JP H036493B2 JP 19641285 A JP19641285 A JP 19641285A JP 19641285 A JP19641285 A JP 19641285A JP H036493 B2 JPH036493 B2 JP H036493B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- mask
- circuit pattern
- nitrocellulose
- ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ガラスマスク上の回路パターンを
紫外線照射により半導体基板に転写する半導体装
置用マスクに関するものである。
紫外線照射により半導体基板に転写する半導体装
置用マスクに関するものである。
半導体装置の製造に際しては、回路パターンを
半導体基板に転写する必要がある。このとき、第
３図に示すようにクロム薄膜２により形成された
回路パターンを有するガラスマスク１の上から紫
外線を照射して転写装置３を通して、フオトレジ
スト４を塗布した半導体基板５上に回路パターン
を転写するという技術を用いる。この技術を用い
るとき、ガラスマスク１のクロム薄膜２側に、紫
外線を透過しない塵埃６が付着するとその陰影が
半導体基板５に転写され、その部分に対応する半
導体装置は不良品となる。
半導体基板に転写する必要がある。このとき、第
３図に示すようにクロム薄膜２により形成された
回路パターンを有するガラスマスク１の上から紫
外線を照射して転写装置３を通して、フオトレジ
スト４を塗布した半導体基板５上に回路パターン
を転写するという技術を用いる。この技術を用い
るとき、ガラスマスク１のクロム薄膜２側に、紫
外線を透過しない塵埃６が付着するとその陰影が
半導体基板５に転写され、その部分に対応する半
導体装置は不良品となる。
従来、このような不具合を除去するために、第
４図のようにニトロセルロース薄膜７をガラスマ
スク１のクロム薄膜２側の面に金属枠８を介して
間隔を置いて設置し、塵埃６がガラスマスク１の
クロム薄膜２側に付着することを防止する技術が
用いられてきた。
４図のようにニトロセルロース薄膜７をガラスマ
スク１のクロム薄膜２側の面に金属枠８を介して
間隔を置いて設置し、塵埃６がガラスマスク１の
クロム薄膜２側に付着することを防止する技術が
用いられてきた。
第４図はその一例を示すもので、塵埃６がニト
ロセルロース薄膜７上に付着しても、その陰影は
デフオーカスして半導体基板上には転写されない
ようにしたものである。
ロセルロース薄膜７上に付着しても、その陰影は
デフオーカスして半導体基板上には転写されない
ようにしたものである。
しかし、従来の方法ではニトロセルロース薄膜
７が紫外線照射により劣化して使用中に破壊さ
れ、その効果が失なわれるという欠点があつた。
７が紫外線照射により劣化して使用中に破壊さ
れ、その効果が失なわれるという欠点があつた。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、ニトロセルロー
ス薄膜の寿命を判別できるようにして歩留りの向
上をはかつた半導体装置用マスクを得ることを目
的としている。
除去するためになされたもので、ニトロセルロー
ス薄膜の寿命を判別できるようにして歩留りの向
上をはかつた半導体装置用マスクを得ることを目
的としている。
この発明に係る半導体装置用マスクは、回路パ
ターンが形成されたガラスマスクの両面のうち少
なくとも回路パターン側の面にニトロセルロース
薄膜を形成するとともに、ガラスマスク上または
金属枠上に紫外線照射により変色し、その変色の
程度により劣化状態を判別し得る紫外線感光剤を
設けたものである。
ターンが形成されたガラスマスクの両面のうち少
なくとも回路パターン側の面にニトロセルロース
薄膜を形成するとともに、ガラスマスク上または
金属枠上に紫外線照射により変色し、その変色の
程度により劣化状態を判別し得る紫外線感光剤を
設けたものである。
この発明においては、回路パターンの転写体に
照射する紫外線により、紫外線感光剤が変色して
いき、その変色の程度によりニトロセルロース薄
膜の劣化状態を判別することができるから、使用
に耐えないニトロセルロース薄膜をそのまま使用
することがなくなる。
照射する紫外線により、紫外線感光剤が変色して
いき、その変色の程度によりニトロセルロース薄
膜の劣化状態を判別することができるから、使用
に耐えないニトロセルロース薄膜をそのまま使用
することがなくなる。
第１図はこの発明の一実施例の半導体装置用マ
スクを示す側断面図で、ガラスマスク１のニトロ
セルロース薄膜７側の所定個所、すなわちニトロ
セルロース薄膜７に照射されるのと等量の紫外線
が照射される位置、例えば金属枠８の内側１０の
ガラスマスク１上に、芳香族、ジアゾ化合物など
の紫外線感光剤９を付着しておく。この状態のマ
スクを使用すると、ニトロセルロース薄膜７に照
射されるのと等量の紫外線が紫外線感光剤９に照
射されて、照射量に応じて変色する。この紫外線
感光剤９の変色の程度とニトロセルロース薄膜７
を破壊せしめる紫外線照射量の相関関係を予め調
査しておいて、紫外線感光剤９の変色の程度を調
べることにより、ニトロセルロース薄膜７の寿命
を予知でき、したがつて、ニトロセルロース薄膜
７の破壊の起こる前に取り換えることにより使用
中における破壊を防ぐことができる。なお、紫外
線感光剤９を付着する場所は、金属枠８の外側１
１でもよい。
スクを示す側断面図で、ガラスマスク１のニトロ
セルロース薄膜７側の所定個所、すなわちニトロ
セルロース薄膜７に照射されるのと等量の紫外線
が照射される位置、例えば金属枠８の内側１０の
ガラスマスク１上に、芳香族、ジアゾ化合物など
の紫外線感光剤９を付着しておく。この状態のマ
スクを使用すると、ニトロセルロース薄膜７に照
射されるのと等量の紫外線が紫外線感光剤９に照
射されて、照射量に応じて変色する。この紫外線
感光剤９の変色の程度とニトロセルロース薄膜７
を破壊せしめる紫外線照射量の相関関係を予め調
査しておいて、紫外線感光剤９の変色の程度を調
べることにより、ニトロセルロース薄膜７の寿命
を予知でき、したがつて、ニトロセルロース薄膜
７の破壊の起こる前に取り換えることにより使用
中における破壊を防ぐことができる。なお、紫外
線感光剤９を付着する場所は、金属枠８の外側１
１でもよい。
一方、第２図に示すように、ニトロセルロース
薄膜７を紫外線照射側にも設置する場合には、紫
外線感光剤９をニトロセルロース薄膜７の外側１
２か、またはニトロセルロース薄膜７を装着した
金属枠８の上に付着しておけば、前述と同様の効
果が得られる。
薄膜７を紫外線照射側にも設置する場合には、紫
外線感光剤９をニトロセルロース薄膜７の外側１
２か、またはニトロセルロース薄膜７を装着した
金属枠８の上に付着しておけば、前述と同様の効
果が得られる。
この発明は以上説明したとおり、回路パターン
を備えたガラスマスクの両面のうち少なくとも回
路パターン側にニトロセルロース薄膜を設け、ガ
ラスマスク上または金属枠上の所定個所に、紫外
線の照射によつてニトロセルロース薄膜の劣化を
判別する紫外線感光剤を設けたので、ニトロセル
ロース薄膜と紫外線感光剤には紫外線が照射され
ることによつて紫外線感光剤が変色し、この変色
の程度に応じてニトロセルロース薄膜の劣化の程
度を判別することができる。したがつて、劣化状
態に応じてニトロセルロース薄膜を交換すれば使
用中におけるニトロセルロース薄膜の破壊が防止
され、回路パターン転写工程における製造歩留り
を向上させることができる利点が得られる。
を備えたガラスマスクの両面のうち少なくとも回
路パターン側にニトロセルロース薄膜を設け、ガ
ラスマスク上または金属枠上の所定個所に、紫外
線の照射によつてニトロセルロース薄膜の劣化を
判別する紫外線感光剤を設けたので、ニトロセル
ロース薄膜と紫外線感光剤には紫外線が照射され
ることによつて紫外線感光剤が変色し、この変色
の程度に応じてニトロセルロース薄膜の劣化の程
度を判別することができる。したがつて、劣化状
態に応じてニトロセルロース薄膜を交換すれば使
用中におけるニトロセルロース薄膜の破壊が防止
され、回路パターン転写工程における製造歩留り
を向上させることができる利点が得られる。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示
す側断面図、第３図は従来の半導体装置用マスク
とそれを用いた回路パターンの転写方法を説明す
るための図、第４図は同じく他の従来例を示す半
導体装置用マスクの側断面図である。 図において、１はガラスマスク、２はクロム薄
膜、７はニトロセルロース薄膜、８は金属枠、９
は紫外線感光剤である。なお、各図中の同一符号
は同一または相当部分を示す。
す側断面図、第３図は従来の半導体装置用マスク
とそれを用いた回路パターンの転写方法を説明す
るための図、第４図は同じく他の従来例を示す半
導体装置用マスクの側断面図である。 図において、１はガラスマスク、２はクロム薄
膜、７はニトロセルロース薄膜、８は金属枠、９
は紫外線感光剤である。なお、各図中の同一符号
は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ ガラスマスクに形成された回路パターンを紫
外線照射により半導体基板上に転写する半導体装
置用マスクにおいて、前記ガラスマスクの両面の
うち少なくとも前記回路パターン側の面に、金属
枠を介して所定の距離を隔ててニトロセルロース
薄膜を設けるとともに、前記ガラスマスク上また
は金属枠上に前記ニトロセルロース薄膜の劣化状
態を判別する紫外線感光剤を設けたことを特徴と
する半導体装置用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196412A JPS6255654A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体装置用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196412A JPS6255654A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体装置用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255654A JPS6255654A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH036493B2 true JPH036493B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=16357425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196412A Granted JPS6255654A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体装置用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255654A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115598920A (zh) | 2015-12-17 | 2023-01-13 | Asml荷兰有限公司（Nl） | 表膜和表膜组件 |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP60196412A patent/JPS6255654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6255654A (ja) | 1987-03-11 |
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