JPH02166448A - パターン修正方法 - Google Patents
パターン修正方法Info
- Publication number
- JPH02166448A JPH02166448A JP63325060A JP32506088A JPH02166448A JP H02166448 A JPH02166448 A JP H02166448A JP 63325060 A JP63325060 A JP 63325060A JP 32506088 A JP32506088 A JP 32506088A JP H02166448 A JPH02166448 A JP H02166448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- film
- pattern
- shielding film
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要ｊ
フォトマスクやレチクルに形成される遮光膜パターンの
修正方法に関し、 フォトレジストの非露光部分の剥がれを防止することを
目的とし、 遮光膜をパターニングしたガラス基板上にアルミニウム
薄膜を形成し、そのアルミニウム薄膜上にフォトレジス
トを塗布し、その後遮光膜のパターン欠陥上のフォトレ
ジストをスポット露光して開口するとともにその開口部
のアルミニウム）ｉｌ膜を除去し、その開口部に遮光膜
を再形成した侵、フォトレジスト及びアルミニウム薄膜
を除去するように構成する。
修正方法に関し、 フォトレジストの非露光部分の剥がれを防止することを
目的とし、 遮光膜をパターニングしたガラス基板上にアルミニウム
薄膜を形成し、そのアルミニウム薄膜上にフォトレジス
トを塗布し、その後遮光膜のパターン欠陥上のフォトレ
ジストをスポット露光して開口するとともにその開口部
のアルミニウム）ｉｌ膜を除去し、その開口部に遮光膜
を再形成した侵、フォトレジスト及びアルミニウム薄膜
を除去するように構成する。
［産業上の利用分野］
この発明はフォトマスクやレチクルに形成される遮光膜
パターンの修正方法に関するものである。
パターンの修正方法に関するものである。
フォトマスクやレチクルはウェハプロセス中においてウ
ェハ上に所定のパターニングをフォトエツチングにより
施す場合に使用され、通常ガラス基板上に遮光膜として
クロム膜がスパッタリング法により形成され、その遮光
膜に所定のパターニングが施されている。そして、その
遮光膜のパターンは＾いパターン精度が要求されるため
、そのフォトマスクやレチクルの製造時あるいは使用時
に発生するパターン欠陥は正確に修正する必要がある。
ェハ上に所定のパターニングをフォトエツチングにより
施す場合に使用され、通常ガラス基板上に遮光膜として
クロム膜がスパッタリング法により形成され、その遮光
膜に所定のパターニングが施されている。そして、その
遮光膜のパターンは＾いパターン精度が要求されるため
、そのフォトマスクやレチクルの製造時あるいは使用時
に発生するパターン欠陥は正確に修正する必要がある。
［従来の技′＃ｉ］
従来、フォトマスクやレチクルは第２図（ａ）。
（ｂ）に示すようにガラス基板１上にクロム躾にてなる
遮光膜２のパターンが形成されているが、その遮光膜２
のパターニングの際に種々のパーティクルにより例えば
同図に示すような２〜３ミクロン程度のパターン欠陥３
が生じることがあるため、これらのパターン欠陥３がリ
フトオフ修正工程により修正されている。また、パター
ン欠陥３はフォトマスクやレチクルの使用時のこすれに
より発生することもある。
遮光膜２のパターンが形成されているが、その遮光膜２
のパターニングの際に種々のパーティクルにより例えば
同図に示すような２〜３ミクロン程度のパターン欠陥３
が生じることがあるため、これらのパターン欠陥３がリ
フトオフ修正工程により修正されている。また、パター
ン欠陥３はフォトマスクやレチクルの使用時のこすれに
より発生することもある。
そのリフトオフ修正工程は、第３図（ａ）に示すように
ガラス基板１上にフォトレジスト４が塗布され、同図（
ｂ）に示すようにパターン欠陥３部分に紫外線でスポッ
ト露光が施される。すなわち、そのスポット露光は第２
図（ａ）に鎖線で示すように所定のパターンに沿うとと
もにパターン欠陥３部分を覆う範囲すなわも１辺が１０
ミクロン程度の正方形の範囲で露光される。そして、露
光されたフォトレジスト４を現像して第４図（ａ）（ｂ
）に示す開口部５を形成し、そのフォトレジスト４をマ
スクとして開口部５に再度遮光膜２をスパッタリングに
より形成するとパターン欠陥３が修正される。
ガラス基板１上にフォトレジスト４が塗布され、同図（
ｂ）に示すようにパターン欠陥３部分に紫外線でスポッ
ト露光が施される。すなわち、そのスポット露光は第２
図（ａ）に鎖線で示すように所定のパターンに沿うとと
もにパターン欠陥３部分を覆う範囲すなわも１辺が１０
ミクロン程度の正方形の範囲で露光される。そして、露
光されたフォトレジスト４を現像して第４図（ａ）（ｂ
）に示す開口部５を形成し、そのフォトレジスト４をマ
スクとして開口部５に再度遮光膜２をスパッタリングに
より形成するとパターン欠陥３が修正される。
［考察が解決しようとする課題］
ところが、上記のようなパターン修正方法ではガラス基
板１表面が親水性に優れてフォトレジスト４との密着力
が弱いため、スポット露光後のフォトレジスト４の現Ｉ
ｍ時にフォトレジスト４とガラス基板１との間に現像液
が侵入し、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように非露光部
分のフォトレジスト４が剥がれ４ａが生じて正確なパタ
ーン修正が不可能となるという問題点があった。
板１表面が親水性に優れてフォトレジスト４との密着力
が弱いため、スポット露光後のフォトレジスト４の現Ｉ
ｍ時にフォトレジスト４とガラス基板１との間に現像液
が侵入し、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように非露光部
分のフォトレジスト４が剥がれ４ａが生じて正確なパタ
ーン修正が不可能となるという問題点があった。
この発明の目的Ｓ、ｔ 、現像液によるフォトレジスト
の非露光部分の剥がれを防止して正確なパターン修正が
可能となるパターン修正方法を提供するにある。
の非露光部分の剥がれを防止して正確なパターン修正が
可能となるパターン修正方法を提供するにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、遮光膜をパターニングしたガラス基板上に
アルミニウムＳ躾を形成し、そのアルミニウム薄膜上に
フォトレジストを塗布し、その後遮光膜のパターン欠陥
上のフォトレジストをスポット露光して開口するととも
にその開口部のアルミニウムＦＩＩｌｌＩを除去し、そ
の開口部に遮光膜を再形成した後、フォトレジスト及び
アルミニウム薄膜を除去することにより達成される。
アルミニウムＳ躾を形成し、そのアルミニウム薄膜上に
フォトレジストを塗布し、その後遮光膜のパターン欠陥
上のフォトレジストをスポット露光して開口するととも
にその開口部のアルミニウムＦＩＩｌｌＩを除去し、そ
の開口部に遮光膜を再形成した後、フォトレジスト及び
アルミニウム薄膜を除去することにより達成される。
［作用］
アルミニウム１Ｉｌｌはガラス基板及びフォトレジスト
によく密着し、フォトレジストの露光後の現像時にその
フォトレジストの非露光部分の剥がれを防止する。
によく密着し、フォトレジストの露光後の現像時にその
フォトレジストの非露光部分の剥がれを防止する。
［実施例］
以下、この発明をレチクルのパターン修正方法に具体化
した一実施例を図面に従って説明する。
した一実施例を図面に従って説明する。
なａ３、前記従来例と同一構成部分は同一番号を付して
その説明を省略する。
その説明を省略する。
第２図（８）（ｂ）に示すように、ガラス基板１上の遮
光膜２にパターン欠陥３が生じた場合には、第１図（ａ
）に示すようにガラス基板１及び遮光ＷＡ２上にアルミ
ニウム３１Ｍ！Ｊ６をスパッタリング法により約２００
オングストロームの膜厚で形成し、そのアルミニウムｓ
膜６上にフォトレジスト４を約１ミクロンの厚さに塗布
する。このアルミニウム薄膜６はフォトレジスト４及び
ガラス基板１に対し密着性に富むものである。そして、
そのフォトレジスト４を９５℃で約１０分間プリベーク
する。
光膜２にパターン欠陥３が生じた場合には、第１図（ａ
）に示すようにガラス基板１及び遮光ＷＡ２上にアルミ
ニウム３１Ｍ！Ｊ６をスパッタリング法により約２００
オングストロームの膜厚で形成し、そのアルミニウムｓ
膜６上にフォトレジスト４を約１ミクロンの厚さに塗布
する。このアルミニウム薄膜６はフォトレジスト４及び
ガラス基板１に対し密着性に富むものである。そして、
そのフォトレジスト４を９５℃で約１０分間プリベーク
する。
次に、第１図（ｂ）に示すようにパターン欠陥３部分の
フォトレジスト４をスポット露光する。
フォトレジスト４をスポット露光する。
その露光範囲は第２図（ａ）に鎖線で示す前記従来例と
同様に所定のパターンに沿うとともにパターン欠陥３部
分を覆う範囲である。そして、露光部分を現像液で現像
すると、第１図（Ｃ）に示すようにその露光部分のフォ
トレジスト４及びアルミニウム１１１１６が溶解して除
去されて、開口部５が形成される。このとき、アルミニ
ウム薄膜６はフォトレジスト４及びガラス基板１に対し
密着性に富むので、フォトレジスト４は露光１１部分の
みが除去され、非露光部分が剥がれることはない。
同様に所定のパターンに沿うとともにパターン欠陥３部
分を覆う範囲である。そして、露光部分を現像液で現像
すると、第１図（Ｃ）に示すようにその露光部分のフォ
トレジスト４及びアルミニウム１１１１６が溶解して除
去されて、開口部５が形成される。このとき、アルミニ
ウム薄膜６はフォトレジスト４及びガラス基板１に対し
密着性に富むので、フォトレジスト４は露光１１部分の
みが除去され、非露光部分が剥がれることはない。
この状態でクロムを再度スパッタリングすると、第１図
（ｄ）に示すように開口部５に遮光膜２が再度形成され
てパターン欠陥３が修正される。そして、フォトレジス
ト４とその上の遮光膜２及びアルミニウム簿膜６をＮａ
ＯＨ溶液で除去すると、第１図（ｅ）に示すようにガラ
ス基板１上に正確なパターンの遮光Ｉｌｌ ２が形成さ
れ、パターン修正工程が完了する。
（ｄ）に示すように開口部５に遮光膜２が再度形成され
てパターン欠陥３が修正される。そして、フォトレジス
ト４とその上の遮光膜２及びアルミニウム簿膜６をＮａ
ＯＨ溶液で除去すると、第１図（ｅ）に示すようにガラ
ス基板１上に正確なパターンの遮光Ｉｌｌ ２が形成さ
れ、パターン修正工程が完了する。
［発明の効果１
以上詳述したように、この発明のパターン修正方法では
フォトレジストの非露光部分の剥がれを防止して正確な
パターン修正を行なうことができる優れた効果を発揮す
る。
フォトレジストの非露光部分の剥がれを防止して正確な
パターン修正を行なうことができる優れた効果を発揮す
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明を具体化したパターン
修正方法を示す工程図、第２図（ａ）はパターン欠陥が
生じたレチクルの平面図、第２図（ｂ）は同じくその断
面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来のパターン修正方法
を示す工程図、第４図（ａ）は従来のパターン修正方法
によるフォトレジストの剥がれを示す平面図、第４図（
ｂ）は同じく断面図である。 図中、１はガラス基板、２は遮光膜、３はパターン欠陥
、４はフォトレジスト、５は開口部、６（ａ） 第１図 本発明ΦＪ１ターシ郭正工ｌ！因 （ｃ） 図面その１ （ｄ） （ｅ） 第 図 バターンズ鵬ガ生し亀レチクルの断面図図面その２ （ａ）
修正方法を示す工程図、第２図（ａ）はパターン欠陥が
生じたレチクルの平面図、第２図（ｂ）は同じくその断
面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来のパターン修正方法
を示す工程図、第４図（ａ）は従来のパターン修正方法
によるフォトレジストの剥がれを示す平面図、第４図（
ｂ）は同じく断面図である。 図中、１はガラス基板、２は遮光膜、３はパターン欠陥
、４はフォトレジスト、５は開口部、６（ａ） 第１図 本発明ΦＪ１ターシ郭正工ｌ！因 （ｃ） 図面その１ （ｄ） （ｅ） 第 図 バターンズ鵬ガ生し亀レチクルの断面図図面その２ （ａ）
Claims (1)
- １、遮光膜（２）をパターニングしたガラス基板（１）
上にアルミニウム薄膜（６）を形成し、そのアルミニウ
ム薄膜（６）上にフォトレジスト（４）を塗布し、その
後遮光膜（２）のパターン欠陥（３）上のフォトレジス
ト（４）をスポット露光して開口するとともにその開口
部（５）のアルミニウム薄膜（６）を除去し、その開口
部（５）に遮光膜（２）を再形成した後、フォトレジス
ト（４）及びアルミニウム薄膜（６）を除去することを
特徴とするパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325060A JPH02166448A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | パターン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325060A JPH02166448A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | パターン修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166448A true JPH02166448A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18172706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325060A Pending JPH02166448A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | パターン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166448A (ja) |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63325060A patent/JPH02166448A/ja active Pending
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