JPH0364968A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH0364968A JPH0364968A JP1201598A JP20159889A JPH0364968A JP H0364968 A JPH0364968 A JP H0364968A JP 1201598 A JP1201598 A JP 1201598A JP 20159889 A JP20159889 A JP 20159889A JP H0364968 A JPH0364968 A JP H0364968A
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
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- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体撮像素子に関し、特に入射光が撮像素子
表面で反射し、その反射光が再びレンズで反射して撮像
素子の他の画素に入射して画像が劣下するフレアー現象
を低減させる固体撮像素子及びその製造方法に関するも
のである。
表面で反射し、その反射光が再びレンズで反射して撮像
素子の他の画素に入射して画像が劣下するフレアー現象
を低減させる固体撮像素子及びその製造方法に関するも
のである。
従来の技術
フォトダイオードとＣＣＤもしくはＭＯＳ ）ランジス
タを用いた固体撮像素子は、入射光を光電変換するフォ
トダイオードの部分を除いて、アルミもしくはアルミ合
金を用いて遮光している。このアルミもしくはアルミ合
金は、ＣＣＤやＭＯＳトランジスタさらに周辺回路の配
線にも利用されている。
タを用いた固体撮像素子は、入射光を光電変換するフォ
トダイオードの部分を除いて、アルミもしくはアルミ合
金を用いて遮光している。このアルミもしくはアルミ合
金は、ＣＣＤやＭＯＳトランジスタさらに周辺回路の配
線にも利用されている。
第２図は、従来の固体撮像素子の構造を示す断面図であ
り、図示するように、アルミ遮光膜１で被覆される部分
はフォトダイオード部５を除く部分全域であり、Ｃ００
部６はアルミ遮光Ｉ１１の下部に位置している。なお、
図中３はＣＯＤのポリシリコンゲート、そして４は保護
膜である。
り、図示するように、アルミ遮光膜１で被覆される部分
はフォトダイオード部５を除く部分全域であり、Ｃ００
部６はアルミ遮光Ｉ１１の下部に位置している。なお、
図中３はＣＯＤのポリシリコンゲート、そして４は保護
膜である。
発明が解決しようとする課題
アルミもしくはアルミ合金で遮光膜を形成した場合、レ
ンズを通して固体撮像装置に入射した光は、アルミ表面
で全反射され、この反射光が再びレンズ表面で反射され
て、本来入射すべき画素部とは異なる画素部へ入射し、
フレアーとよばれる画像の劣下を生じる。このフレアー
を防ぐために、従来は、レンズ表面を反射防止膜で被覆
し、反射率を低減さ、せることによってレンズ表面での
再反射を抑えていた。しかし、レンズ表面での反射の低
下度は決して高くはなかった。
ンズを通して固体撮像装置に入射した光は、アルミ表面
で全反射され、この反射光が再びレンズ表面で反射され
て、本来入射すべき画素部とは異なる画素部へ入射し、
フレアーとよばれる画像の劣下を生じる。このフレアー
を防ぐために、従来は、レンズ表面を反射防止膜で被覆
し、反射率を低減さ、せることによってレンズ表面での
再反射を抑えていた。しかし、レンズ表面での反射の低
下度は決して高くはなかった。
ところで、フレアーを減少させるためには、アルミもし
くはアルミ合金膜の表面で反射する光量をすくなくすれ
ばよく、たとえばアルミもしくはアルミ合金の表面にグ
レインを成長させて反射率を低下させる方法が挙げられ
る。しかしながら、グレインの成長をアルミエッチ後に
行うと、ヒルロックと呼ばれるグレインの異常成長が起
り、フォトダイオード部の開口部面積にばらつきをもた
らす。一方、アルミエッチ前にグレイン成長を行うと、
アルミエッチが難しくなる。従って、フレアー現象は依
然として画像向上のために解決すべき問題点の一つとし
て残っている。
くはアルミ合金膜の表面で反射する光量をすくなくすれ
ばよく、たとえばアルミもしくはアルミ合金の表面にグ
レインを成長させて反射率を低下させる方法が挙げられ
る。しかしながら、グレインの成長をアルミエッチ後に
行うと、ヒルロックと呼ばれるグレインの異常成長が起
り、フォトダイオード部の開口部面積にばらつきをもた
らす。一方、アルミエッチ前にグレイン成長を行うと、
アルミエッチが難しくなる。従って、フレアー現象は依
然として画像向上のために解決すべき問題点の一つとし
て残っている。
課題を解決するための手段
本発明は、上記の問題点を解決することができる固体撮
像素子の構造とこの構造を実現するものであり、本発明
の固体撮像装置は、遮光膜となるアルミもしくはアルミ
合金膜の上部に、該アルミもしくはアルミ合金膜に密着
し、かつ該アルミもしくはアルミ合金膜領域全体を覆っ
てＴｉＮ膜を設けた構造を有している。
像素子の構造とこの構造を実現するものであり、本発明
の固体撮像装置は、遮光膜となるアルミもしくはアルミ
合金膜の上部に、該アルミもしくはアルミ合金膜に密着
し、かつ該アルミもしくはアルミ合金膜領域全体を覆っ
てＴｉＮ膜を設けた構造を有している。
また、固体撮像素子を製造するにあたり、遮光膜を形成
するアルミもしくはアルミ合金の蒸着に引き続いてＴｉ
Ｎ膜を蒸着して、二層被膜を形成し、次いで前記二層膜
をＢＣｌ３とＣｌ２、Ｎ２の混合ガス系で同時にプラズ
マエッチして遮光領域を形成する方法を採用している。
するアルミもしくはアルミ合金の蒸着に引き続いてＴｉ
Ｎ膜を蒸着して、二層被膜を形成し、次いで前記二層膜
をＢＣｌ３とＣｌ２、Ｎ２の混合ガス系で同時にプラズ
マエッチして遮光領域を形成する方法を採用している。
作用
ＴｉＮによる反射防止膜をアルミもしくはアルミ合金膜
の上面に形成することにより、アルミ表面での反射光は
可視光領域で５％以下に低減し、フレアーは観測限界以
下になる。
の上面に形成することにより、アルミ表面での反射光は
可視光領域で５％以下に低減し、フレアーは観測限界以
下になる。
実施例
以下に本発明について詳しく説明する。
本発明では、アルミもしくはアルミ合金膜上に反射率の
低い膜を形成すればフレアーは減少すること、この反射
防止膜は、アルミ領域を過不足なく被覆する必要がある
ため、フォトダイオードの開口部を開ける。アルミエッ
チ時に同時にこの反射防止膜もエツチングする必要があ
ること、また、通常の誘電体膜はアルミエッチ時に同時
加工ができないため、反射防止膜は限定されること等を
考慮し、これらの条件を満足する被膜として窒化チタン
（Ｔ ｉ Ｎ）膜をアルミあるいはアルミ合金膜の上部
に形成する構造を採用している。
低い膜を形成すればフレアーは減少すること、この反射
防止膜は、アルミ領域を過不足なく被覆する必要がある
ため、フォトダイオードの開口部を開ける。アルミエッ
チ時に同時にこの反射防止膜もエツチングする必要があ
ること、また、通常の誘電体膜はアルミエッチ時に同時
加工ができないため、反射防止膜は限定されること等を
考慮し、これらの条件を満足する被膜として窒化チタン
（Ｔ ｉ Ｎ）膜をアルミあるいはアルミ合金膜の上部
に形成する構造を採用している。
第１ｙＪに本発明にかかる固体撮像素子の画素部の断面
構造を示すが、図示するようにＴｉＮ膜２がアルミ遮光
膜１の上面に形成されている点で従来の固体撮像素子と
は相違している。
構造を示すが、図示するようにＴｉＮ膜２がアルミ遮光
膜１の上面に形成されている点で従来の固体撮像素子と
は相違している。
ところで、ＴｉＮ膜は、約１００ＯＡの厚さで茶褐色を
呈し、しかも光吸収が大きいばがりでなく、反応性スパ
ッタで形成が可能であり、しがち、アルミのプラズマエ
ッチで用いられるガスたとえばＢＣｌ ３．Ｃｅ ２と
Ｎ２との混合ガスで異方性エッチすることができる。こ
のため、ＴｉＮ膜の形成はアルミ遮光膜の蒸着に引き続
いて蒸着する方法で容易に実現でき、また、このように
して形成したアルミ遮光膜とＴｉＮ膜との二層被膜は、
アルミ用のガスプラズマエツチング処理でパターニング
できる。
呈し、しかも光吸収が大きいばがりでなく、反応性スパ
ッタで形成が可能であり、しがち、アルミのプラズマエ
ッチで用いられるガスたとえばＢＣｌ ３．Ｃｅ ２と
Ｎ２との混合ガスで異方性エッチすることができる。こ
のため、ＴｉＮ膜の形成はアルミ遮光膜の蒸着に引き続
いて蒸着する方法で容易に実現でき、また、このように
して形成したアルミ遮光膜とＴｉＮ膜との二層被膜は、
アルミ用のガスプラズマエツチング処理でパターニング
できる。
このようにして形成した本発明の固体撮像素子では、フ
ォトダイオード部の開口面積は、従来例である第２図と
比較して全く変わらないため、フレアー以外の撮像特性
は変わらない。
ォトダイオード部の開口面積は、従来例である第２図と
比較して全く変わらないため、フレアー以外の撮像特性
は変わらない。
発明の効果
本発明によれば、他の撮像特性に何等の変化を生じるこ
となしに、フレアーを検出限界以下に低減させることが
できた。
となしに、フレアーを検出限界以下に低減させることが
できた。
第２図に従来例であるＣＣＤ撮像素子の画素部の断面構
造の模式図を示す。
造の模式図を示す。
Claims (1)
- （１）アルミもしくはアルミ合金を用いて光電変換を行
うフォトダイオード部以外の素子領域にアルミもしくは
アルミ合金の被膜を形成して遮光を行う固体撮像素子に
おいて、アルミもしくはアルミ合金の上部に、該アルミ
もしくはアルミ合金に密着し、かつ該アルミもしくはア
ルミ合金領域全体を覆ってＴｉＮを設けた構造を有する
ことを特徴とする固体撮像素子。 ２ 遮光膜を形成するアルミもしくはアルミ合金の蒸着
に引き続いてＴｉＮ膜を蒸着して、二層被膜を形成し、
次いで前記二層膜をＢＣｌ＿３とＣｌ＿２、Ｎ＿２の混
合ガス系で同時にプラズマエッチして遮光領域を形成す
ることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201598A JPH0364968A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201598A JPH0364968A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364968A true JPH0364968A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16443709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201598A Pending JPH0364968A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5527425A (en) * | 1995-07-21 | 1996-06-18 | At&T Corp. | Method of making in-containing III/V semiconductor devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144218A (en) * | 1976-05-26 | 1977-12-01 | Sony Corp | Solid pickup element |
| JPS5842368A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP1201598A patent/JPH0364968A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144218A (en) * | 1976-05-26 | 1977-12-01 | Sony Corp | Solid pickup element |
| JPS5842368A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5527425A (en) * | 1995-07-21 | 1996-06-18 | At&T Corp. | Method of making in-containing III/V semiconductor devices |
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