JPS5842368A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS5842368A JPS5842368A JP56140670A JP14067081A JPS5842368A JP S5842368 A JPS5842368 A JP S5842368A JP 56140670 A JP56140670 A JP 56140670A JP 14067081 A JP14067081 A JP 14067081A JP S5842368 A JPS5842368 A JP S5842368A
- Authority
- JP
- Japan
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- light
- solid
- layer
- state image
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木偶ＷＭは固体撮侭索子に関するものであり、轡に素子
の光入射藺における改良に係るものである。
の光入射藺における改良に係るものである。
近来半導体製造技術の進歩によりＣＣＤ 。
ＢＢＤ、ＭＯ８！１１などに代表される所謂固体撮侭素
子が実用化されつつある。これらの固体撮儂索子の機能
は例えばＩ１１儂などの光情報を電気信号に変換するも
ので、素子の光入射１１ｉＫは微細に分割された１数の
受光部か配列され、さらにこれらの各受光部の駆動制御
。
子が実用化されつつある。これらの固体撮儂索子の機能
は例えばＩ１１儂などの光情報を電気信号に変換するも
ので、素子の光入射１１ｉＫは微細に分割された１数の
受光部か配列され、さらにこれらの各受光部の駆動制御
。
出力−信号の転送などのための信号ＩＩＩＪＰ電極咎が
シリコン基板に配されている。この信号線や電極等の一
部はクリコン基板の内層部に埋没され、入射光に曝され
ないものもあるか、多くは素子の光入射面に配され入射
光の照射を受けるものか少なくない。
シリコン基板に配されている。この信号線や電極等の一
部はクリコン基板の内層部に埋没され、入射光に曝され
ないものもあるか、多くは素子の光入射面に配され入射
光の照射を受けるものか少なくない。
ＪＩＩＩＩＷ！Ｊはこのような固体撮偉軍子の表面構造
を概念的に示すための部分平面図である。
を概念的に示すための部分平面図である。
第１ＩＩにおいて１はシリコン基板上に区画して配列形
成された受光部であり、２は受光部出力の転送、読み出
しなどのための、クロックパルスか与えられたり、また
ＭＯ８！Ｉｔなど受はス・イツチングトランジスタの駆
動信号か与えられたりする信号電極である。また３は素
子内の信号線ある一９工電極部を電気的にシールドする
際に用いられるシールド電極である。このような表面−
造をもつ固体撮像素子においてその解儂力を原端的に向
上させるためには受光部を多数個、高密度で配列させな
ければならないか、これに伴って上述した受光部駆動の
だめの信号線や電極配線部も増加するので、素子の光入
射面における配線部の占める面積比はあまり変わらない
。従って固体ＩＩｋ像素子は一般にその光入射１ｌｉＫ
少なからず電極、信号線等の配線部が配置されることが
避けられず、素子駆動状態でこれらの配線部は光照射を
受けることになる、 ところで上述した電極、配線部は、素子の製造技術との
マツチングなどを考慮してＭ（アルずニウム）か多く利
用されている。この層表面は周知のように銀白色を呈し
反射率か高い材質である。また、たとえ麿に代え他の金
属を電極等に用いたとしても導電性なもつ金属のはとん
どは反射率か萬いため、固体撮像素子に光を入射させる
と、受光部以外の信号層部などからは反射光が生ずるこ
とになる。
成された受光部であり、２は受光部出力の転送、読み出
しなどのための、クロックパルスか与えられたり、また
ＭＯ８！Ｉｔなど受はス・イツチングトランジスタの駆
動信号か与えられたりする信号電極である。また３は素
子内の信号線ある一９工電極部を電気的にシールドする
際に用いられるシールド電極である。このような表面−
造をもつ固体撮像素子においてその解儂力を原端的に向
上させるためには受光部を多数個、高密度で配列させな
ければならないか、これに伴って上述した受光部駆動の
だめの信号線や電極配線部も増加するので、素子の光入
射面における配線部の占める面積比はあまり変わらない
。従って固体ＩＩｋ像素子は一般にその光入射１ｌｉＫ
少なからず電極、信号線等の配線部が配置されることが
避けられず、素子駆動状態でこれらの配線部は光照射を
受けることになる、 ところで上述した電極、配線部は、素子の製造技術との
マツチングなどを考慮してＭ（アルずニウム）か多く利
用されている。この層表面は周知のように銀白色を呈し
反射率か高い材質である。また、たとえ麿に代え他の金
属を電極等に用いたとしても導電性なもつ金属のはとん
どは反射率か萬いため、固体撮像素子に光を入射させる
と、受光部以外の信号層部などからは反射光が生ずるこ
とになる。
纂２図はこの様子を模式的に示すものでぶ子の部分断面
を図示したものである。落２図において５はシリコン基
板、６，１はｉｌｃ 極するいは信号線、８舎工受光部
、９は保−膜あるいは絶縁層としての透Ｅ！Ａｓ！へ層
である。なお、光照射されると＠動作しゃすいゲート信
号線Ｔは、電極６を一部変形してこの信号線を光照射か
ら保−している。このような素子に光が入射すると、８
１へ層ｆ１向での反射、散乱の他、受光部８から外れた
光のほとんど・工電極６の表面から反射されてしようこ
とになる。
を図示したものである。落２図において５はシリコン基
板、６，１はｉｌｃ 極するいは信号線、８舎工受光部
、９は保−膜あるいは絶縁層としての透Ｅ！Ａｓ！へ層
である。なお、光照射されると＠動作しゃすいゲート信
号線Ｔは、電極６を一部変形してこの信号線を光照射か
ら保−している。このような素子に光が入射すると、８
１へ層ｆ１向での反射、散乱の他、受光部８から外れた
光のほとんど・工電極６の表面から反射されてしようこ
とになる。
従って例えばビデオカメラなどの撮像素子としてこのよ
うな５ｒＩＢｓ造の固体撮像素子を用いると、素子表面
からの反射光は素子表面に＃ｌｉｉ儂を納骨させる撮影
レンズにより再び反射され素子ＩＮ面へと鼻入射するこ
とＫなる。この再入射光か素子の受光部８へと到達する
と、本来の画儂信号に偽信号か１畳され、ゴーストある
いはフレアーを発生させる結果ともなるものである。こ
のような弊害は、Ｉ！ＩＩＫ固体撮儂固体撮画索子前面
ク状あるいはストライブ状カラーフィルターを設けた使
用一様において顕著になる。すなわち素子表面の複数の
受光部それぞれｉｔ、例えば赤色成分、緑色成分、青色
成分のみを受光するようにカラーフィルターと対応づけ
られているので、例えば赤フィルタ一部を透過してきた
光がアルミ電極等で散乱反射された後カラーフィルター
裏面で反射されて他の受光部へ入射したり、ｆたフィル
ター裏面と素子表面間で繰り返し反射した後、例えば青
色成分の受光のための受光部へと達し、赤色成分として
得られた光Ｊｌ實色成分の光入力となったりして、適正
な力ｙ−ｈ像か得られなくなりまた解儂力も劣化する。
うな５ｒＩＢｓ造の固体撮像素子を用いると、素子表面
からの反射光は素子表面に＃ｌｉｉ儂を納骨させる撮影
レンズにより再び反射され素子ＩＮ面へと鼻入射するこ
とＫなる。この再入射光か素子の受光部８へと到達する
と、本来の画儂信号に偽信号か１畳され、ゴーストある
いはフレアーを発生させる結果ともなるものである。こ
のような弊害は、Ｉ！ＩＩＫ固体撮儂固体撮画索子前面
ク状あるいはストライブ状カラーフィルターを設けた使
用一様において顕著になる。すなわち素子表面の複数の
受光部それぞれｉｔ、例えば赤色成分、緑色成分、青色
成分のみを受光するようにカラーフィルターと対応づけ
られているので、例えば赤フィルタ一部を透過してきた
光がアルミ電極等で散乱反射された後カラーフィルター
裏面で反射されて他の受光部へ入射したり、ｆたフィル
ター裏面と素子表面間で繰り返し反射した後、例えば青
色成分の受光のための受光部へと達し、赤色成分として
得られた光Ｊｌ實色成分の光入力となったりして、適正
な力ｙ−ｈ像か得られなくなりまた解儂力も劣化する。
さらにこのような固体撮像素子の表面に一体的にカラー
フィルターを増設する所謂オンウェハーカラーフィルタ
ーを製造する場合においても、これまでに述べた素子表
面の電極等による高反射能は弊害を招く。オンフェノ・
−カッ−フィルターの製造時においては従来より多用さ
れているフォトエツチング技術を応用するのが簡便であ
るか、カラーフィルタ一部の製造が蒸着によるものであ
れ染色あるいは転写゛によるものであれ、所謂マスク露
光によるフィルターパターン製造工程な必要とし、しか
もこの工程はカッ−フィルターを構成する成分色光の種
類に応じて数回繰り返される。ところがこのｉスフ露光
時において特定の成分色光のフィルタ一部のための露光
パターンを得ようとする際、そのパターン透過領域から
例えば素子表面に塗付されているフォトレジスト層に至
る光か、フォトレジスト層を透過した後前述したように
アルミ電極等で反射されるとフォトレジスト層裏面へと
達しこれに露光を与えてしまう。そしてその露先部分が
本来マスク遮蔽されている部分であると適正なパターン
が得にくくなり、結果的にオンウェハーカラー フィル
タータイプの固体撮ｍｌ子の製造歩留りの悪化が避けら
れな（なるものである。
フィルターを増設する所謂オンウェハーカラーフィルタ
ーを製造する場合においても、これまでに述べた素子表
面の電極等による高反射能は弊害を招く。オンフェノ・
−カッ−フィルターの製造時においては従来より多用さ
れているフォトエツチング技術を応用するのが簡便であ
るか、カラーフィルタ一部の製造が蒸着によるものであ
れ染色あるいは転写゛によるものであれ、所謂マスク露
光によるフィルターパターン製造工程な必要とし、しか
もこの工程はカッ−フィルターを構成する成分色光の種
類に応じて数回繰り返される。ところがこのｉスフ露光
時において特定の成分色光のフィルタ一部のための露光
パターンを得ようとする際、そのパターン透過領域から
例えば素子表面に塗付されているフォトレジスト層に至
る光か、フォトレジスト層を透過した後前述したように
アルミ電極等で反射されるとフォトレジスト層裏面へと
達しこれに露光を与えてしまう。そしてその露先部分が
本来マスク遮蔽されている部分であると適正なパターン
が得にくくなり、結果的にオンウェハーカラー フィル
タータイプの固体撮ｍｌ子の製造歩留りの悪化が避けら
れな（なるものである。
本発明は以上に述べたような従来の固体撮像素子表面の
もつ光学的性質を改善するもので、固体撮像素子表面、
脣に津子表面Ｋｆｆｉｌｌされた信号１１．電極等から
の反射を低減させることを特徴とする。このために本発
明においては信号線や電極自体の表面あるいはこれらを
覆うように形成された透明層表面に低反射光吸収層を付
加形成するものである。以下、本発明の一実施例につい
て図面を参照しつつ詳述する。
もつ光学的性質を改善するもので、固体撮像素子表面、
脣に津子表面Ｋｆｆｉｌｌされた信号１１．電極等から
の反射を低減させることを特徴とする。このために本発
明においては信号線や電極自体の表面あるいはこれらを
覆うように形成された透明層表面に低反射光吸収層を付
加形成するものである。以下、本発明の一実施例につい
て図面を参照しつつ詳述する。
Ｗ２Ｂ図は固体撮像素子表面を覆った透明なＳｌへ層上
に低反射光吸収層を設けた東施例の部分断面図である。
に低反射光吸収層を設けた東施例の部分断面図である。
第２図と共通部分を同符号を用いて脱明すると、低反射
吸収層 １０はＳｌへ層９の表面に被着されており、電極・の表
面か入射光に対して曝されることを防いでいる。また受
光部８の上方には自然ながら低反射光吸収層１０か被着
されていない。
吸収層 １０はＳｌへ層９の表面に被着されており、電極・の表
面か入射光に対して曝されることを防いでいる。また受
光部８の上方には自然ながら低反射光吸収層１０か被着
されていない。
このような低反射光吸収層を形成するには、例えば酸化
バナジウムを固体撮像素子のＳｔＯ。
バナジウムを固体撮像素子のＳｔＯ。
層９の表面に真空蒸着して低反射光吸収層１０とし、し
かる後〈受光部８、あるいはボンディングバット１など
必要な部分をプラズマエツチング法などで窓あけを行な
うことになる。このようにすれば固体撮像素子表面の入
射光ＫＩＩされている個所としては受光部のみで、他は
全て低反射光吸収層で覆われていることになるので不要
反射光にはとんと発生しない。このような低反射光吸収
層を真空蒸着により得ようとする場合には他に、酸化ニ
オブその他の金属酸化物８ｂＢ、Ｂｌｔ ＆ 、Ｐｂ８
などの金属硫化物、ＴａＮ、ＴｈＮ、ＺｒＮなどの金属
窒化物、”Ｆ菅ｅＰｂＦ、などの金属フッ化物、７．ｒ
Ｃ。
かる後〈受光部８、あるいはボンディングバット１など
必要な部分をプラズマエツチング法などで窓あけを行な
うことになる。このようにすれば固体撮像素子表面の入
射光ＫＩＩされている個所としては受光部のみで、他は
全て低反射光吸収層で覆われていることになるので不要
反射光にはとんと発生しない。このような低反射光吸収
層を真空蒸着により得ようとする場合には他に、酸化ニ
オブその他の金属酸化物８ｂＢ、Ｂｌｔ ＆ 、Ｐｂ８
などの金属硫化物、ＴａＮ、ＴｈＮ、ＺｒＮなどの金属
窒化物、”Ｆ菅ｅＰｂＦ、などの金属フッ化物、７．ｒ
Ｃ。
ｎｃなどの金属炭化物等が利用できる。その他には、例
えばｚｒへ、Ａ４へなどによる多孔質膜を真空蒸着法に
よってＳｔ偽層上に形成し、その多孔ｊｊＪＩ［Ｋダイ
アセリトンファストブラックＴ（三菱化成製）などの黒
色染料を吸着染色して低反射光吸収層を得てもよい。黒
色染料としては他にスミノール７アストブラツクＢＲコ
ンク（住友化工ｊ！ＩＩ）、カヤロンジアゾブラック２
ＯＦ（日本化１１１１）その他多数のものが適用できる
。また多孔質膜としてＡ４０１層を用いる際にはＡ４０
ｍを真空蒸着する代わりに、半導体製造接衝としてすで
に完成されているＡｔ蒸着工程を利用してまずａ膜を形
成してこのＡｔ膜を陽極酸化法により化学的にム４偽膜
に変成させてもよい。
えばｚｒへ、Ａ４へなどによる多孔質膜を真空蒸着法に
よってＳｔ偽層上に形成し、その多孔ｊｊＪＩ［Ｋダイ
アセリトンファストブラックＴ（三菱化成製）などの黒
色染料を吸着染色して低反射光吸収層を得てもよい。黒
色染料としては他にスミノール７アストブラツクＢＲコ
ンク（住友化工ｊ！ＩＩ）、カヤロンジアゾブラック２
ＯＦ（日本化１１１１）その他多数のものが適用できる
。また多孔質膜としてＡ４０１層を用いる際にはＡ４０
ｍを真空蒸着する代わりに、半導体製造接衝としてすで
に完成されているＡｔ蒸着工程を利用してまずａ膜を形
成してこのＡｔ膜を陽極酸化法により化学的にム４偽膜
に変成させてもよい。
なお、低反射光吸収層を染料の吸着染色によって得た場
合には脱色防止のために封孔処理７することか望ましい
が、このためＫは通常一般の封孔処理の他、単層あるい
は多層の反射防止コーティングを施してもよい。
合には脱色防止のために封孔処理７することか望ましい
が、このためＫは通常一般の封孔処理の他、単層あるい
は多層の反射防止コーティングを施してもよい。
多孔質膜層を利用する方式の一具体例としては、まず固
体撮像素子表面のＳｔＯ１層にパラキシリレンをＩ Ｘ
１０’ Ｔｏｒｒの真空度で蒸着して固体撮像素子上
で気相外向重合させ１〜２ＪＩの保―層を全面に形成す
る。次いで２〜３ Ｘ １０” Ｔａｒｔ の真空度
でＡｔ膜を２〜３μの膜厚に蒸着し、この上にホトレジ
ストを塗布する。そしてマスク籐光、−エツチングによ
って低反射吸収層を形成すべき部分のＡｔ膜を露出させ
た後、この部分を陽極酸化法にてＡ４０．化し、黒色染
料で黒化させ水蒸気を利用した封孔処理を施す。そして
ホトレジストを除去して１票をプラズマエツチングで取
り除ｔ、残留している黒化されたＡ４ Ｏｓ層を、ユク
、してバラやツリ７１ｙ保鏝層をエツアング除却して固
体撮像素子受光部あるいはボンディング部を露出させる
ことになる。
体撮像素子表面のＳｔＯ１層にパラキシリレンをＩ Ｘ
１０’ Ｔｏｒｒの真空度で蒸着して固体撮像素子上
で気相外向重合させ１〜２ＪＩの保―層を全面に形成す
る。次いで２〜３ Ｘ １０” Ｔａｒｔ の真空度
でＡｔ膜を２〜３μの膜厚に蒸着し、この上にホトレジ
ストを塗布する。そしてマスク籐光、−エツチングによ
って低反射吸収層を形成すべき部分のＡｔ膜を露出させ
た後、この部分を陽極酸化法にてＡ４０．化し、黒色染
料で黒化させ水蒸気を利用した封孔処理を施す。そして
ホトレジストを除去して１票をプラズマエツチングで取
り除ｔ、残留している黒化されたＡ４ Ｏｓ層を、ユク
、してバラやツリ７１ｙ保鏝層をエツアング除却して固
体撮像素子受光部あるいはボンディング部を露出させる
ことになる。
このような形成法も含め、低反射光吸収層を固体撮像素
子表面を覆っているＳｔＯ，層上に形成さ（る場合には
、固体撮像素子そのものの擬造工１１には何ら変更を要
しない。そして必要であれば単に電極部や信号線等の配
線部のみならず、固体撮像素子の受光部以外の全てを覆
うべく低反射光吸収層のパターンを設定することも自在
である。
子表面を覆っているＳｔＯ，層上に形成さ（る場合には
、固体撮像素子そのものの擬造工１１には何ら変更を要
しない。そして必要であれば単に電極部や信号線等の配
線部のみならず、固体撮像素子の受光部以外の全てを覆
うべく低反射光吸収層のパターンを設定することも自在
である。
第４図は電極や信号−等の高反射部表面に直接低反射光
吸収層を設けた本発明の他の夷ＩＩｉ例を示すものであ
る。この例においては例えば電極６０表表面体に低反射
光吸収層１ｓを形成したものであるう一般に電極６の材
質としてＡｔが用いられているが、固体撮像素子の製造
過程でＳｔＯ曾層などの保護膜が形成される以＃にはこ
の電極が表面に露出している。
吸収層を設けた本発明の他の夷ＩＩｉ例を示すものであ
る。この例においては例えば電極６０表表面体に低反射
光吸収層１ｓを形成したものであるう一般に電極６の材
質としてＡｔが用いられているが、固体撮像素子の製造
過程でＳｔＯ曾層などの保護膜が形成される以＃にはこ
の電極が表面に露出している。
この段階でとのＵ電極の表面を陽極酸化法によって多孔
質化し、前述のような黒色染料をこれに吸着させて低反
射光吸収層を得ることかできる。なおこの場合Ｕの陽極
酸化法で得られたＡ４０ｓは絶縁性か高いので、陽極酸
化の度合を表面層だけにとどめるよ５Ｋしたり、また電
極の厚みなある程度厚くしておいたりするのがよい。さ
らＫ Ａｔ電極部の製造時にＵ電極の表面に例えばｚｒ
ｏｔ’ｅ’ｎｏ、などの多孔質膜層を蒸着形成して、こ
れを染色してもよい。こうして電極自体の表面に低反射
光徴収層を設けた後保映層としてのｓｔｏ、 ｍで素子
表面を黴覆することになる。このような手法によると、
固体撮像素子表面のｓｔｏ１層上に低反射光吸収層を設
ける実施例と異なり、固体撮＊＊子の製造工程を一部変
更し、ａの陽極酸化工程あるいはＺｒへの蒸着工程、さ
らに染料教着工機などを加入することか必要となる。し
かしこれらのようなＡｔ膜の処理技術や薄膜形成接衝な
とは、半導体製造技術の一つともなっており、比較的容
易に組み入れることができる。
質化し、前述のような黒色染料をこれに吸着させて低反
射光吸収層を得ることかできる。なおこの場合Ｕの陽極
酸化法で得られたＡ４０ｓは絶縁性か高いので、陽極酸
化の度合を表面層だけにとどめるよ５Ｋしたり、また電
極の厚みなある程度厚くしておいたりするのがよい。さ
らＫ Ａｔ電極部の製造時にＵ電極の表面に例えばｚｒ
ｏｔ’ｅ’ｎｏ、などの多孔質膜層を蒸着形成して、こ
れを染色してもよい。こうして電極自体の表面に低反射
光徴収層を設けた後保映層としてのｓｔｏ、 ｍで素子
表面を黴覆することになる。このような手法によると、
固体撮像素子表面のｓｔｏ１層上に低反射光吸収層を設
ける実施例と異なり、固体撮＊＊子の製造工程を一部変
更し、ａの陽極酸化工程あるいはＺｒへの蒸着工程、さ
らに染料教着工機などを加入することか必要となる。し
かしこれらのようなＡｔ膜の処理技術や薄膜形成接衝な
とは、半導体製造技術の一つともなっており、比較的容
易に組み入れることができる。
以上に詳述のよ５に１本発明は固体撮像素子そのものの
表面の光学的性質を改善し、不要反射光をほとんどなく
したので、固体ＩＩＩ偉素子を他の光学系あるいは光学
素子と組み合わせて使用する場合など、非常に効果的で
ある。しかもそのために要する低反射光吸収層の形成技
術は固体撮像素子など半導体製造技術とのマツチングが
良いので容易に取り入れることができるものである。
表面の光学的性質を改善し、不要反射光をほとんどなく
したので、固体ＩＩＩ偉素子を他の光学系あるいは光学
素子と組み合わせて使用する場合など、非常に効果的で
ある。しかもそのために要する低反射光吸収層の形成技
術は固体撮像素子など半導体製造技術とのマツチングが
良いので容易に取り入れることができるものである。
［３ＦＩＩＪは固体撮像素子の一般的な表面構造を示す
模式的平面図である。 第２図は固体撮像素子の一般的な断面構造を示す模式的
断面図である。 第３図及び第４図は、それぞれ本発明の実施例な示す模
式的断面図である。 １・・・受光部、２・・・電極、５・・・基板、６・・
・電極、Ｔ・・・信号縁、９・・・ｓｔｏ，層、１０．
１５・・・低反射光吸収層。 第 ／［！１ θ 第 ２ 図
模式的平面図である。 第２図は固体撮像素子の一般的な断面構造を示す模式的
断面図である。 第３図及び第４図は、それぞれ本発明の実施例な示す模
式的断面図である。 １・・・受光部、２・・・電極、５・・・基板、６・・
・電極、Ｔ・・・信号縁、９・・・ｓｔｏ，層、１０．
１５・・・低反射光吸収層。 第 ／［！１ θ 第 ２ 図
Claims (2)
- （１）多数の受光−の他、これらの受光部を駆動させる
信号−等か入射光に対して露出されている一体撮儂索子
において、前記信号−等の表面を入射光に対して遮光す
ると共にその反射光を低減させる低反射光吸収層を前記
信号線等の表面、もしくは素子板を被覆する透明層の表
面のうち前記信号線等に対向する領域に設けたことを特
徴とする固体撮像素子。 - （２） 前記低反射光吸収層を、前記信号線等それ自
体のｌＩＩｗを多孔質化させた後、これに光吸収性色素
を付着させて形成した特許請求の範囲第（１）項に記載
の固体撮儂索子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56140670A JPS5842368A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56140670A JPS5842368A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842368A true JPS5842368A (ja) | 1983-03-11 |
| JPH031873B2 JPH031873B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15274023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56140670A Granted JPS5842368A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842368A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195680A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6226858A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 遮光層を有する薄膜トランジスタ−アセンブリ− |
| JPS63237465A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH0364968A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JPH03147366A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031873B2 (ja) | 1991-01-11 |
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