JPH0365882A - 超高速ゲート装置 - Google Patents
超高速ゲート装置Info
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- JPH0365882A JPH0365882A JP1202585A JP20258589A JPH0365882A JP H0365882 A JPH0365882 A JP H0365882A JP 1202585 A JP1202585 A JP 1202585A JP 20258589 A JP20258589 A JP 20258589A JP H0365882 A JPH0365882 A JP H0365882A
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- JP
- Japan
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- strip line
- gate device
- line
- characteristic impedance
- speed gate
- Prior art date
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/50005—Imaging and conversion tubes characterised by form of illumination
- H01J2231/5001—Photons
- H01J2231/50031—High energy photons
- H01J2231/50036—X-rays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/50057—Imaging and conversion tubes characterised by form of output stage
- H01J2231/50063—Optical
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/501—Imaging and conversion tubes including multiplication stage
- H01J2231/5013—Imaging and conversion tubes including multiplication stage with secondary emission electrodes
- H01J2231/5016—Michrochannel plates [MCP]
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、ストリップラインへの印加パルス電圧の有
無により、該ストリップライン上へ投影される光の像又
は電子像をゲートするゲート素子を備えた超高速ゲート
装置に関する。
無により、該ストリップライン上へ投影される光の像又
は電子像をゲートするゲート素子を備えた超高速ゲート
装置に関する。
従来、ストリップラインにパルス電圧を印加させて、該
ストリップライン上へ投影される光の像をゲートするゲ
ート素子としては、マイクロチャンネルプレート（以下
、ＭＣＰという）に、ストリップラインを設けたものが
知られている。 このようなゲート素子は、例えばＸ線の撮像装置に用い
られている。 このゲートＸｍ像装置は、例えば第８図及び第９図に示
されるように、ＭＣＰｌ上にＸ線の光電変換面を兼ねた
金の伝送Ｍ２が蒸着されていて、該伝送路２はＭＣＰｌ
を誘電体として、ＭＣＰｌの出力側を接地面３としたス
トリップライン構造とされている。 前記伝送路（光電変換面）２に、Ｘ線ピンホール光学系
４等でＸ線像が投影されると、伝送路２に印加される電
圧パルス幅とＭＣＰゲイン特性によって決まるシャッタ
時間で、光電変換された電子が増倍される。 増倍された電子は螢光面５を叩き、ここで可視光に変換
される。 この螢光面５における可視光像は、前記伝送路２上に投
影されたＸ線像の前記シャッタＦＲ間（ゲート時間）の
像となる。 このようなゲートＸ線撮像装置は、ストリップライン上
での印加電圧パルスの伝播時間を利用することによって
、伝播時間差の間隔で連続撮像することができる。 即ち、第８図に示されるように、３個のピンホール４Ａ
１４Ｂ、４Ｃにより、同−Ｘ線像２Ａ。 ２Ｂ、２Ｇをストリップラインに３個並べる。 それぞれのＸＩＩＡ＠２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、前述のゲー
ト時間（略１００ｐＳ＞でゲートされたものであり、そ
れぞれの時間差（フレーム間隔）ＴＦは、ストリップラ
イン上の電気パルス伝播時間であって、次の（１）式で
表わされる。 ＴＦ−ｒτ下／Ｃ−Ｄ ・・・・・・・・・（１
〉ここで、εｒはＭＣＰの誘電率、Ｃは光速、Ｄは画像
間距離である。 従って、例えば、画像間距離Ｄ−２ＣＩ１１．誘電率ε
ｒ−５の場合、フレーム間隔Ｔｐ＝１４９Ｏ８となる。 即ち、２ａｎｆｌ隔でＸＪＩ像２Ａ、２Ｂ、２Ｇを並べ
た場合、それぞれ１００１）Ｓ程度のゲート時間の画像
が１４９ｐＳ間隔で捉えられることになる。
ストリップライン上へ投影される光の像をゲートするゲ
ート素子としては、マイクロチャンネルプレート（以下
、ＭＣＰという）に、ストリップラインを設けたものが
知られている。 このようなゲート素子は、例えばＸ線の撮像装置に用い
られている。 このゲートＸｍ像装置は、例えば第８図及び第９図に示
されるように、ＭＣＰｌ上にＸ線の光電変換面を兼ねた
金の伝送Ｍ２が蒸着されていて、該伝送路２はＭＣＰｌ
を誘電体として、ＭＣＰｌの出力側を接地面３としたス
トリップライン構造とされている。 前記伝送路（光電変換面）２に、Ｘ線ピンホール光学系
４等でＸ線像が投影されると、伝送路２に印加される電
圧パルス幅とＭＣＰゲイン特性によって決まるシャッタ
時間で、光電変換された電子が増倍される。 増倍された電子は螢光面５を叩き、ここで可視光に変換
される。 この螢光面５における可視光像は、前記伝送路２上に投
影されたＸ線像の前記シャッタＦＲ間（ゲート時間）の
像となる。 このようなゲートＸ線撮像装置は、ストリップライン上
での印加電圧パルスの伝播時間を利用することによって
、伝播時間差の間隔で連続撮像することができる。 即ち、第８図に示されるように、３個のピンホール４Ａ
１４Ｂ、４Ｃにより、同−Ｘ線像２Ａ。 ２Ｂ、２Ｇをストリップラインに３個並べる。 それぞれのＸＩＩＡ＠２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、前述のゲー
ト時間（略１００ｐＳ＞でゲートされたものであり、そ
れぞれの時間差（フレーム間隔）ＴＦは、ストリップラ
イン上の電気パルス伝播時間であって、次の（１）式で
表わされる。 ＴＦ−ｒτ下／Ｃ−Ｄ ・・・・・・・・・（１
〉ここで、εｒはＭＣＰの誘電率、Ｃは光速、Ｄは画像
間距離である。 従って、例えば、画像間距離Ｄ−２ＣＩ１１．誘電率ε
ｒ−５の場合、フレーム間隔Ｔｐ＝１４９Ｏ８となる。 即ち、２ａｎｆｌ隔でＸＪＩ像２Ａ、２Ｂ、２Ｇを並べ
た場合、それぞれ１００１）Ｓ程度のゲート時間の画像
が１４９ｐＳ間隔で捉えられることになる。
しかしながら、上記のようなゲートＸ線ｍ像装置におい
ては、ストリップラインでの伝送損失があるために、入
力側のパルス電圧に対して、出力側の電圧が低くならざ
るを得ない。 即ち、ＭＣＰには、多数の孔があるため、伝送損失が特
に大きく、ＭＣＰのゲイン特性が印加電圧に対して指数
関数的に変化するため、印加電圧の変動が出力像に大き
く反映され、第９図（Ｃ）に示されるように、電圧■ｆ
ｆ１Ｃｐが減少し、螢光面で得られる画像が、ストリッ
プライン入力側と比較して出力側が暗くなるという問題
点があった。 この発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので
あって、超高速ゲート動作時でも、得られる画像の明る
さ（グインンの均一化を図ることができるようにした超
高速ゲート装置を提供することを目的とする。
ては、ストリップラインでの伝送損失があるために、入
力側のパルス電圧に対して、出力側の電圧が低くならざ
るを得ない。 即ち、ＭＣＰには、多数の孔があるため、伝送損失が特
に大きく、ＭＣＰのゲイン特性が印加電圧に対して指数
関数的に変化するため、印加電圧の変動が出力像に大き
く反映され、第９図（Ｃ）に示されるように、電圧■ｆ
ｆ１Ｃｐが減少し、螢光面で得られる画像が、ストリッ
プライン入力側と比較して出力側が暗くなるという問題
点があった。 この発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので
あって、超高速ゲート動作時でも、得られる画像の明る
さ（グインンの均一化を図ることができるようにした超
高速ゲート装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するだめの手段］
この発明は、ストリップラインへの印加パルス電圧の有
無により、該ストリップライン上へ投影される光の像又
は電子像をゲートするゲート素子を備えた超高速ゲート
装置において、前記ストリップラインにおける、前記印
加電圧パルスの入力側の特性インピーダンスＺｉを出力
側の特性インピーダンスＺｏよりも小さくすることによ
り上記目的を達成するものである。 又、前記ストリップラインにおける、印加電圧パルス入
力側の幅Ｗｉを出力側の幅Ｗｏよりも大きくすることに
より上記目的を達成するものである。 又、前記ゲート素子を、マイクロチャンネルプレート及
びこの表面に形成された前記ストリップラインから構成
することにより上記目的を達成するものである。 更に又、前記ストリップラインを、光電変換面を兼ねる
ようにして上記目的を達成するものである。 又、前記ゲート素子を、光電変換面上から補助電極との
間に形成されたストリップラインから構成し上記目的を
達成するものである。 又、前記ストリップラインを、スロット線路、共平面導
波管、三級線路のいずれかであるようにして上記目的を
達成するものである。 【作用１ この発明において、ストリップラインにおける、印加電
圧パルスの入力側の特性インピーダンスが出力側の特性
インピーダンスよりも小さくされているので、ストリッ
プラインのインピーダンスが伝送損失による電圧降下を
補正され、伝送路の入口から出口まで、印加電圧が一定
に伝送され、従って、伝送路の位置によらず、常に一定
のゲインを得ることができる。 【実施例１ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 本発明の第１実施例は、Ｘ線像を、最大１００ｐＳ程度
でゲートするためにＭＣＰＩＯを用いたゲートＸ線撮像
装置（Ｘ線フレーミングカメラ）に、本発明を適用した
ものである。 このゲートＸ線撮像装置におけるＭＣＰｌｏには、Ｘ線
の光電変換面を兼ねた金の伝送路１２が蒸着されている
。 この伝送路１２はＭＣＰｌｏを誘電体とし、ＭＣＰｌｏ
の出力側を接地面１４としたストリップライン構造とさ
れている。 前記伝送路１２は、その入力側の幅Ｗｉが、出力側の幅
Ｗｏよりも広くされ、伝送損失による電圧降下を打消す
ようにインピーダンス変換が施されている。 即ち、印加されるパルスの電圧が伝送路１２の入口から
出口まで一定（ＶＩＣＩ））に伝達されるように構成さ
れている。 例えば、インピーダンス変換を施さない場合の伝送損失
が、入力パルス電圧が１０００Ｖに対して、出力パルス
電圧が８００■であるとすると、ストリップラインの特
性インピーダンスが１０Ωである場合、出力端のインピ
ーダンスを１５．６０とすることによって、該出力端で
１０００Ｖの電圧を得ることができる。 即ち、入力電力をＷ＋、伝送損失をＷ Ｌ ｓ出力電力
をＷｏとすると、 Ｗ ｌ ＝ Ｗ Ｌ ＋ Ｗ ｏ ・・・・
” ・・・（２＞Ｗ−Ｖ２ ／Ｒ・・・・・・・・・（
３）であるので、 Ｗｏ＝（８００Ｖ）２／１０Ω −（１０００Ｖ） ’ ／Ｚｏｕｔ ・（４）トナリ、
（４〉式から、Ｚｏｕｔ−１５，６Ωとすれば、出力パ
ルス電圧−１０００Ｖとなる。 従って、第１図（Ｃ）に示されるように、電圧Ｖｍｃｐ
−ｌｏｏｏＶと一定となるので、得られる画像はストリ
ップライン入力側から出力側に均一となる。第１図の符
号１２ａ 、１２ｂ 、１２ｃは伝送路１２上のＸ線像
を示す。 一般に、ストリップラインの幅Ｗと、誘電体（ＭＣＰ）
の厚さｈと特性インピーダンスの関係は、第２図に示さ
れるようになる。 この第２図からもわかるように、ストリップラインの幅
Ｗを電圧の伝送損失を打消すように入力、側から出力側
に狭めていくことによって、伝送路１２上でＭＣＰｌｏ
に印加される電圧を一定に保つことができる。 なお、上記実施例は、１本のストリップラインで、且つ
そのストリップラインが、入力側から出力側に直線的に
狭幅となるようにしたものであるが、本発明はこれに限
定されるものでなく、例えば第３図＜Ａ）〜（Ｃ）に示
されるように、複数本のストリップライン１２Ａ１１２
Ｂの場合、必要な部分のみインピーダンス変換を施した
ストリップライン１２Ｃの場合、Ｕ字状に形成したスト
リップライン１２Ｄの場合等にも当然適用されるもので
ある。 次に、第４図及び第５図に示される、ゲート素子として
光電面を用いた実施例について説明する。 この実施例では、光電面１８又はこの光電面１８近傍に
蒸着された伝送路２０が補助電極２２との間にストリッ
プラインを形成したものである。 図の符＠２４は加速メツシュ電極を示す。 この実施例においては、伝送路２０に電圧バルスが印加
されたとき、補助電極２２と光電面１８との間に生じる
電位差によって、光電面１８から光電子が引出され、該
光電子は補助電極２２を通過して、加速メツシュ電極２
４により更に加速され、イメージ部（図示省略）に到達
する。 前記光電面１８から光電子が引出される時間は。 電圧パルスが印加される時間、即ちパルス幅で決定され
る。 前記伝送路２０は、第４図に示されるように、伝送路２
０上の、光画像２０ａが形成され得る範囲で、常に同一
電圧が印加されるように、その幅が、入力側から出力側
に向かって狭くなるように形成されている。 これによって、光電面１８から引出される光電子は、ス
トリップライン上のどの位置でも同一の初速度となり、
イメージ部に形成される画像の明るさ又は解像度は均一
化される。 なお、上記実施例のストリップラインは、誘電体基板上
に１本の伝送線を配置したものであるが、本発明はこれ
に限定されるものでなく、第６因に示されるように、誘
電体基板２６上の金属膜２８Ａ、２８Ｂ間に溝３０を形
成したスロット線路３０１第７図に示されるように、誘
電体基板２６上で、ストリップ中央板３２の両側に溝３
４Ａ、３４Ｂを有する金属基板３６を設けてなる共平面
導波管３８、あるいは三級線路にも当然適用されるもの
である。 【発明の効果】 本発明は、上記のように構成したので、ストリップライ
ンの特性インピーダンスが伝送損失を補正するように変
換され、伝送路上で常に印加パルス電圧が一定とされ、
これにより、増倍ゲインの均−化及び光電予期速度の均
一化を図り、均一の像を得ることができるという優れた
効果を有する。
無により、該ストリップライン上へ投影される光の像又
は電子像をゲートするゲート素子を備えた超高速ゲート
装置において、前記ストリップラインにおける、前記印
加電圧パルスの入力側の特性インピーダンスＺｉを出力
側の特性インピーダンスＺｏよりも小さくすることによ
り上記目的を達成するものである。 又、前記ストリップラインにおける、印加電圧パルス入
力側の幅Ｗｉを出力側の幅Ｗｏよりも大きくすることに
より上記目的を達成するものである。 又、前記ゲート素子を、マイクロチャンネルプレート及
びこの表面に形成された前記ストリップラインから構成
することにより上記目的を達成するものである。 更に又、前記ストリップラインを、光電変換面を兼ねる
ようにして上記目的を達成するものである。 又、前記ゲート素子を、光電変換面上から補助電極との
間に形成されたストリップラインから構成し上記目的を
達成するものである。 又、前記ストリップラインを、スロット線路、共平面導
波管、三級線路のいずれかであるようにして上記目的を
達成するものである。 【作用１ この発明において、ストリップラインにおける、印加電
圧パルスの入力側の特性インピーダンスが出力側の特性
インピーダンスよりも小さくされているので、ストリッ
プラインのインピーダンスが伝送損失による電圧降下を
補正され、伝送路の入口から出口まで、印加電圧が一定
に伝送され、従って、伝送路の位置によらず、常に一定
のゲインを得ることができる。 【実施例１ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 本発明の第１実施例は、Ｘ線像を、最大１００ｐＳ程度
でゲートするためにＭＣＰＩＯを用いたゲートＸ線撮像
装置（Ｘ線フレーミングカメラ）に、本発明を適用した
ものである。 このゲートＸ線撮像装置におけるＭＣＰｌｏには、Ｘ線
の光電変換面を兼ねた金の伝送路１２が蒸着されている
。 この伝送路１２はＭＣＰｌｏを誘電体とし、ＭＣＰｌｏ
の出力側を接地面１４としたストリップライン構造とさ
れている。 前記伝送路１２は、その入力側の幅Ｗｉが、出力側の幅
Ｗｏよりも広くされ、伝送損失による電圧降下を打消す
ようにインピーダンス変換が施されている。 即ち、印加されるパルスの電圧が伝送路１２の入口から
出口まで一定（ＶＩＣＩ））に伝達されるように構成さ
れている。 例えば、インピーダンス変換を施さない場合の伝送損失
が、入力パルス電圧が１０００Ｖに対して、出力パルス
電圧が８００■であるとすると、ストリップラインの特
性インピーダンスが１０Ωである場合、出力端のインピ
ーダンスを１５．６０とすることによって、該出力端で
１０００Ｖの電圧を得ることができる。 即ち、入力電力をＷ＋、伝送損失をＷ Ｌ ｓ出力電力
をＷｏとすると、 Ｗ ｌ ＝ Ｗ Ｌ ＋ Ｗ ｏ ・・・・
” ・・・（２＞Ｗ−Ｖ２ ／Ｒ・・・・・・・・・（
３）であるので、 Ｗｏ＝（８００Ｖ）２／１０Ω −（１０００Ｖ） ’ ／Ｚｏｕｔ ・（４）トナリ、
（４〉式から、Ｚｏｕｔ−１５，６Ωとすれば、出力パ
ルス電圧−１０００Ｖとなる。 従って、第１図（Ｃ）に示されるように、電圧Ｖｍｃｐ
−ｌｏｏｏＶと一定となるので、得られる画像はストリ
ップライン入力側から出力側に均一となる。第１図の符
号１２ａ 、１２ｂ 、１２ｃは伝送路１２上のＸ線像
を示す。 一般に、ストリップラインの幅Ｗと、誘電体（ＭＣＰ）
の厚さｈと特性インピーダンスの関係は、第２図に示さ
れるようになる。 この第２図からもわかるように、ストリップラインの幅
Ｗを電圧の伝送損失を打消すように入力、側から出力側
に狭めていくことによって、伝送路１２上でＭＣＰｌｏ
に印加される電圧を一定に保つことができる。 なお、上記実施例は、１本のストリップラインで、且つ
そのストリップラインが、入力側から出力側に直線的に
狭幅となるようにしたものであるが、本発明はこれに限
定されるものでなく、例えば第３図＜Ａ）〜（Ｃ）に示
されるように、複数本のストリップライン１２Ａ１１２
Ｂの場合、必要な部分のみインピーダンス変換を施した
ストリップライン１２Ｃの場合、Ｕ字状に形成したスト
リップライン１２Ｄの場合等にも当然適用されるもので
ある。 次に、第４図及び第５図に示される、ゲート素子として
光電面を用いた実施例について説明する。 この実施例では、光電面１８又はこの光電面１８近傍に
蒸着された伝送路２０が補助電極２２との間にストリッ
プラインを形成したものである。 図の符＠２４は加速メツシュ電極を示す。 この実施例においては、伝送路２０に電圧バルスが印加
されたとき、補助電極２２と光電面１８との間に生じる
電位差によって、光電面１８から光電子が引出され、該
光電子は補助電極２２を通過して、加速メツシュ電極２
４により更に加速され、イメージ部（図示省略）に到達
する。 前記光電面１８から光電子が引出される時間は。 電圧パルスが印加される時間、即ちパルス幅で決定され
る。 前記伝送路２０は、第４図に示されるように、伝送路２
０上の、光画像２０ａが形成され得る範囲で、常に同一
電圧が印加されるように、その幅が、入力側から出力側
に向かって狭くなるように形成されている。 これによって、光電面１８から引出される光電子は、ス
トリップライン上のどの位置でも同一の初速度となり、
イメージ部に形成される画像の明るさ又は解像度は均一
化される。 なお、上記実施例のストリップラインは、誘電体基板上
に１本の伝送線を配置したものであるが、本発明はこれ
に限定されるものでなく、第６因に示されるように、誘
電体基板２６上の金属膜２８Ａ、２８Ｂ間に溝３０を形
成したスロット線路３０１第７図に示されるように、誘
電体基板２６上で、ストリップ中央板３２の両側に溝３
４Ａ、３４Ｂを有する金属基板３６を設けてなる共平面
導波管３８、あるいは三級線路にも当然適用されるもの
である。 【発明の効果】 本発明は、上記のように構成したので、ストリップライ
ンの特性インピーダンスが伝送損失を補正するように変
換され、伝送路上で常に印加パルス電圧が一定とされ、
これにより、増倍ゲインの均−化及び光電予期速度の均
一化を図り、均一の像を得ることができるという優れた
効果を有する。
第１図（Ａ）は本発明に係る超高速ゲート装置の実施例
を示す平面図、第１図（Ｂ）は同断面図、第１図（Ｃ）
はストリップライン上の印加電圧の強度を示す線図、第
２図はストリップラインにおける特性インピーダンスと
ストリップラインの寸法との関係を示す線図、第３図は
ストリップラインの他の形状を示す平面図、第４図は本
発明のゲート素子を光電面とした場合の実施例を示す平
面図、第５図は同断面図、第６図及び第７図は、本発明
を適用すべき他の線路を示す斜視図、第８図は従来のゲ
ートＸ線撮像装置の要部を示す斜視図、第９図（Ａ）は
同従来のゲートＸ線撮像装置の要部を示す平面図、第９
図（Ｂ）は同断面図、第９図（Ｃ）は同従来のゲートＸ
線撮像装置におけるストリップライン上の印加パルス電
圧の分布を示す線図である。 １０・・・ＭＣＰ。 １２．２０・・・伝送路、 １４・・・接地面、 １８・・・光電面、 ２２・・・補助電極、 ３０・・・スロット線路、 ３８・・・共平面導波管。 寸濠χザｈ 第４図 第 ５図 ４ 第９図 ｔ
を示す平面図、第１図（Ｂ）は同断面図、第１図（Ｃ）
はストリップライン上の印加電圧の強度を示す線図、第
２図はストリップラインにおける特性インピーダンスと
ストリップラインの寸法との関係を示す線図、第３図は
ストリップラインの他の形状を示す平面図、第４図は本
発明のゲート素子を光電面とした場合の実施例を示す平
面図、第５図は同断面図、第６図及び第７図は、本発明
を適用すべき他の線路を示す斜視図、第８図は従来のゲ
ートＸ線撮像装置の要部を示す斜視図、第９図（Ａ）は
同従来のゲートＸ線撮像装置の要部を示す平面図、第９
図（Ｂ）は同断面図、第９図（Ｃ）は同従来のゲートＸ
線撮像装置におけるストリップライン上の印加パルス電
圧の分布を示す線図である。 １０・・・ＭＣＰ。 １２．２０・・・伝送路、 １４・・・接地面、 １８・・・光電面、 ２２・・・補助電極、 ３０・・・スロット線路、 ３８・・・共平面導波管。 寸濠χザｈ 第４図 第 ５図 ４ 第９図 ｔ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ストリツプラインへの印加パルス電圧の有無によ
り、該ストリップライン上へ投影される光の像又は電子
像をゲートするゲート素子を備えた超高速ゲート装置に
おいて、前記ストリップラインにおける、前記印加電圧
パルスの入力側の特性インピーダンスＺｉを出力側の特
性インピーダンスＺｏよりも小さくしたことを特徴とす
る超高速ゲート装置。（２）請求項１において、前記ス
トリップラインにおける、印加電圧パルス入力側の幅Ｗ
ｉを、出力側の幅Ｗｏよりも大きくしたことを特徴とす
る超高速ゲート装置。 （３）請求項１又は２において、前記ゲート素子は、マ
イクロチャンネルプレート及びこの表面に形成された前
記ストリップラインから構成されたことを特徴とする超
高速ゲート装置。 （４）請求項３において、前記ストリップラインは、光
電変換面を兼ねていることを特徴とする超高速ゲート装
置。 （５）請求項１又は２において、前記ゲート素子は、光
電変換面上から補助電極との間に形成されたストリップ
ラインから構成されたことを特徴とする超高速ゲート装
置。 （６）請求項１乃至５のいずれかにおいて、前記ストリ
ップラインは、スロット線路、共平面導波管、三板線路
のいずれかであることを特徴とする超高速ゲート装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202585A JPH0365882A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 超高速ゲート装置 |
| US07/551,443 US5057680A (en) | 1989-08-04 | 1990-07-12 | Ultrafast gating apparatus having characteristic impedance of strip line smaller on its input side than the output side |
| GB9015558A GB2235572B (en) | 1989-08-04 | 1990-07-16 | Ultrafast gating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202585A JPH0365882A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 超高速ゲート装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365882A true JPH0365882A (ja) | 1991-03-20 |
| JPH0477505B2 JPH0477505B2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=16459921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202585A Granted JPH0365882A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 超高速ゲート装置 |
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| JP (1) | JPH0365882A (ja) |
| GB (1) | GB2235572B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249213A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | Ｘ線画像撮影装置、ｘ線イメージインテンシファイア及び画像増強方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116995391A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-11-03 | 昆山联滔电子有限公司 | 电磁信号传输结构及电子设备 |
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- 1990-07-16 GB GB9015558A patent/GB2235572B/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249213A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | Ｘ線画像撮影装置、ｘ線イメージインテンシファイア及び画像増強方法 |
Also Published As
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|---|---|
| JPH0477505B2 (ja) | 1992-12-08 |
| US5057680A (en) | 1991-10-15 |
| GB2235572A (en) | 1991-03-06 |
| GB9015558D0 (en) | 1990-09-05 |
| GB2235572B (en) | 1993-11-24 |
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