JPS6371681A - 粒子線入射位置検出装置 - Google Patents
粒子線入射位置検出装置Info
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- JPS6371681A JPS6371681A JP61215400A JP21540086A JPS6371681A JP S6371681 A JPS6371681 A JP S6371681A JP 61215400 A JP61215400 A JP 61215400A JP 21540086 A JP21540086 A JP 21540086A JP S6371681 A JPS6371681 A JP S6371681A
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- strip conductor
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- plate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
- H01J43/246—Microchannel plates [MCP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
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- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子や光子などの入射位置を高速で検出する
粒子線の入射位置手食出装五に関する。
粒子線の入射位置手食出装五に関する。
（従来の技術）
マイクロチャンネルプレートは、単１電子を始めとする
荷電粒子あるいはＵ■ホトン、Ｘ−線ホトン、γ−線ホ
トン等を検出し、増倍するために広く用いられている。
荷電粒子あるいはＵ■ホトン、Ｘ−線ホトン、γ−線ホ
トン等を検出し、増倍するために広く用いられている。
マイクロチャンネルプレートにそれ等の粒子が入射した
位置と出射する位置はチャンネルで正確に対応させられ
ている。
位置と出射する位置はチャンネルで正確に対応させられ
ている。
そこで、マイクロチャンネルプレートと、シリコン半導
体のＰＮ接合を利用した半導体位置検出装置（ＰＳＤ）
や抵抗体を利用したレジステイブアノードと言われる装
置またはストライプ抵抗線とウェッジ状電掻を組み合わ
せたウェッジアンドストライプアノード等を組み合わせ
て、マイクロチャンネルプレートへ入射した粒子の位置
を検出しようとする試みがなされている。
体のＰＮ接合を利用した半導体位置検出装置（ＰＳＤ）
や抵抗体を利用したレジステイブアノードと言われる装
置またはストライプ抵抗線とウェッジ状電掻を組み合わ
せたウェッジアンドストライプアノード等を組み合わせ
て、マイクロチャンネルプレートへ入射した粒子の位置
を検出しようとする試みがなされている。
後続の電子回路系でマイクロチャンネルプレートからの
出力の処理を容易にするために、単一荷電粒子、例えば
電子を１０６〜１０７倍あるいはこれ以上に増倍するこ
とが好ましい。そのためにマイクロチャンネルプレート
を２枚または、２枚以上重ねて複数段の増倍をする方法
がある。
出力の処理を容易にするために、単一荷電粒子、例えば
電子を１０６〜１０７倍あるいはこれ以上に増倍するこ
とが好ましい。そのためにマイクロチャンネルプレート
を２枚または、２枚以上重ねて複数段の増倍をする方法
がある。
第１０図は、従来のホトンの入射位置を光電子に変換し
て測定する入射位置（★出装置の構成例を示す断面図で
ある。
て測定する入射位置（★出装置の構成例を示す断面図で
ある。
真空容器５の入射面の内側には光電陰極１が形成されて
いる。
いる。
光電陰極１が発生した光電子は２枚のマイクロチャンネ
ルプレート１０１および１０２により、１光電子単位で
増倍される。
ルプレート１０１および１０２により、１光電子単位で
増倍される。
そして前述したように１０６〜１０７倍増倍された電子
群はマイクロチャンネルプレート１０２の出力面に対向
して配置されているＰＳＤから形成された２次元入射位
置検出装置１０３に入射させられる。
群はマイクロチャンネルプレート１０２の出力面に対向
して配置されているＰＳＤから形成された２次元入射位
置検出装置１０３に入射させられる。
第１１図は、２次元の入射位置検出装置ＰＳＤを入射面
側から見た図である。
側から見た図である。
この２次元入射位Ｗ検出装置１０３は均一な抵抗面とこ
の抵抗面を取り囲む対の電極ｘ、、ｘ２およびＹ Ｉ
＋ Ｙ ２をもつ装置であり、各電極は電子群の入射位
置の情報を含む電流を出力する。
の抵抗面を取り囲む対の電極ｘ、、ｘ２およびＹ Ｉ
＋ Ｙ ２をもつ装置であり、各電極は電子群の入射位
置の情報を含む電流を出力する。
電極ｘ、、Ｘ２．Ｙ、、Ｙ２から流出する電流をｉｘ３
．ｉｘ２．ｉｙｔ、ｔ）！２とするとき、入射点の座標
を（ｘ、ｙ）とするとｘ、ｙは概ね次の式で与えられる
。
．ｉｘ２．ｉｙｔ、ｔ）！２とするとき、入射点の座標
を（ｘ、ｙ）とするとｘ、ｙは概ね次の式で与えられる
。
ただし前記各電極で囲まれた部分の中心の座標を（０，
０）とする。
０）とする。
ｘ＝ｋｌ（ｉｘｌ−ｉｘ２ ）／ （ｉ Ｘｌ ＋ ｉ
ｘ２ ）ｙ＝に２（ｔ）Ｆ＋−１ｙ２）／（ｉｙｘ ＋
１ｙ２）ただしｋｌ、 ｋ２は定数 なお前記式は、第１２図に示すように各端子に現れる電
流は粒子の入射点から端子までの抵抗値に逆比例すると
いう仮定に基づいて算出されたものである。
ｘ２ ）ｙ＝に２（ｔ）Ｆ＋−１ｙ２）／（ｉｙｘ ＋
１ｙ２）ただしｋｌ、 ｋ２は定数 なお前記式は、第１２図に示すように各端子に現れる電
流は粒子の入射点から端子までの抵抗値に逆比例すると
いう仮定に基づいて算出されたものである。
（発明が解決しようとする問題点）
前述した粒子線の入射位置検出装置において時間応答特
性は、単一入射信号の計数率を決める上で重要な要因で
ある。
性は、単一入射信号の計数率を決める上で重要な要因で
ある。
位置信号をフィードバックし制御信号として用いようと
する場合にも、この応答はできるだけ速いことが望まし
い。
する場合にも、この応答はできるだけ速いことが望まし
い。
その例として、ミューオンビームの制御がある。
この場合ミューオンは薄いカーボン膜を通過するが、そ
の通過に伴い２次電子を放出する。
の通過に伴い２次電子を放出する。
この２次電子を加速すると質量の違いからミューオンよ
りずっと速く走行する。
りずっと速く走行する。
この電子をマイクロチャンネルプレートを用いた位置検
出装置を用いて検出し、その位置を知ることによりミュ
ーオンがカーボン膜を通過した位置を知ることができる
。
出装置を用いて検出し、その位置を知ることによりミュ
ーオンがカーボン膜を通過した位置を知ることができる
。
その位置が希望の位置より異なっている場合は、カーボ
ン膜より後ろに置かれた偏向電極に信号を送り （フィ
ードバックし）ミューオンを偏向し希望の位置に戻すこ
とにする。
ン膜より後ろに置かれた偏向電極に信号を送り （フィ
ードバックし）ミューオンを偏向し希望の位置に戻すこ
とにする。
これが可能になったのは、２次電子がミューオンより軽
いので、速く加速され、その位置がマイクロチャンネル
プレートですばやく検出できるからである。
いので、速く加速され、その位置がマイクロチャンネル
プレートですばやく検出できるからである。
この検出時間を含めて制御に必要な時間をミューオンの
走行よりも速くすることによりはじめて制御が可能にな
る。
走行よりも速くすることによりはじめて制御が可能にな
る。
特に前述したＰＳＤ形の入射位置検出装置は、ＰＮ接合
を利用する関係で、容量が大きく、時定数が数百ナノ秒
と非常に長い。
を利用する関係で、容量が大きく、時定数が数百ナノ秒
と非常に長い。
またレジステイブアノード形の検出装置の容量は前記Ｐ
ＳＤ形のものに比較して約１桁程小さくできるが、時定
数は、１００ナノ秒より僅かに小さい程度である。
ＳＤ形のものに比較して約１桁程小さくできるが、時定
数は、１００ナノ秒より僅かに小さい程度である。
ウェッジアンドストライプ形のものは前述した２者に比
較して、応答時間を短くできる可能性がある。
較して、応答時間を短くできる可能性がある。
しかしながら、構造が複雑になる。
構造が複雑になると先に示した電流分配計算も複雑にな
り、この計算に必要な時間が長（なり、結果として、最
終的な応答速度が大きくなる。
り、この計算に必要な時間が長（なり、結果として、最
終的な応答速度が大きくなる。
以上の理由から、従来のマイクロチャンネルプレートと
他の入射位置検出装置を組み合わせた位置読出し装置で
は、１０ナノ秒以下の高速化を達成することができるも
のは実現されていない。
他の入射位置検出装置を組み合わせた位置読出し装置で
は、１０ナノ秒以下の高速化を達成することができるも
のは実現されていない。
本発明の主目的は、電子や光子などの入射位置をマイク
ロチャンネルプレートの出力面の電極形状を改良するこ
とにより、高速度で、粒子線の入射位置の１次元的な情
報を得ることができる粒子線入射位置検出装置を提供す
ることにある。
ロチャンネルプレートの出力面の電極形状を改良するこ
とにより、高速度で、粒子線の入射位置の１次元的な情
報を得ることができる粒子線入射位置検出装置を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、前述した改良されたマイクロチャ
ンネルプレート一対を用いて高速度で、粒子線の入射位
置の２次元的な情報を得ることができる粒子線入射位置
検出装置を提供することにある。
ンネルプレート一対を用いて高速度で、粒子線の入射位
置の２次元的な情報を得ることができる粒子線入射位置
検出装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、前述した改良されたマイク
ロチャンネルプレートおよび改良されたれレジステイブ
アノ−ド形の検出装置（抵抗板入対位置検出装置）を組
み合わせて高速度で、粒子線の入射位置の２次元的な情
報を得ることができる粒子線入射位置検出装置を提供す
ることにある。
ロチャンネルプレートおよび改良されたれレジステイブ
アノ−ド形の検出装置（抵抗板入対位置検出装置）を組
み合わせて高速度で、粒子線の入射位置の２次元的な情
報を得ることができる粒子線入射位置検出装置を提供す
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明による１次元的な粒
子線入射位置検出装置は、マイクロストリップラインの
ストリップ導体を形成する部分。
子線入射位置検出装置は、マイクロストリップラインの
ストリップ導体を形成する部分。
このストリップ導体を形成する部分から櫛の歯状に間隔
を保って延出させられている複数本のストライプより形
成されている出力面電極および前記ストリップ導体に対
応させられている接地導体をもつマイクロチャンネルプ
レートと、前記マイクロチャンネルプレートの各部に動
作電圧を供給する動作電源と、前記ストリップ導体の両
端からの出力信号を取り出し各出力信号発生時点の時間
差から前記マイクロチャンネルプレートの入射面に入射
した粒子線の入射位置を推定する入射位置検出回路から
構成されている。
を保って延出させられている複数本のストライプより形
成されている出力面電極および前記ストリップ導体に対
応させられている接地導体をもつマイクロチャンネルプ
レートと、前記マイクロチャンネルプレートの各部に動
作電圧を供給する動作電源と、前記ストリップ導体の両
端からの出力信号を取り出し各出力信号発生時点の時間
差から前記マイクロチャンネルプレートの入射面に入射
した粒子線の入射位置を推定する入射位置検出回路から
構成されている。
前記マイクロチャンネルプレートのストリップ導体を形
成する電極を直線状にし、前記ストライプ部を前記スト
リップ導体に直角方向に延出させることにより前記スト
リップ導体方向の入射位置を検出することができる。
成する電極を直線状にし、前記ストライプ部を前記スト
リップ導体に直角方向に延出させることにより前記スト
リップ導体方向の入射位置を検出することができる。
前記マイクロチャンネルプレートは円板状にして、前記
ストリップ導体は出射面の外周円に沿って設け、前記ス
トライプ部を前記ストリップ導体から内周方向に向かっ
て延出させるようにして、角度方向の入射位置を検出す
ることができる。
ストリップ導体は出射面の外周円に沿って設け、前記ス
トライプ部を前記ストリップ導体から内周方向に向かっ
て延出させるようにして、角度方向の入射位置を検出す
ることができる。
前記マイクロチャンネルプレートを同様に円板状にし、
前記ストリップ導体を出射面の半径方向に沿って配置し
、前記ストライプ部は前記ス） ＩＪツブ導体から同心
円状に延出させることにより、中心から半径方向の入射
位置を検出することができる。
前記ストリップ導体を出射面の半径方向に沿って配置し
、前記ストライプ部は前記ス） ＩＪツブ導体から同心
円状に延出させることにより、中心から半径方向の入射
位置を検出することができる。
本発明による前述した改良されたマイクロチャンネルプ
レート一対を用いて高速度で、粒子線の入射位置の２次
元的な情報を得ることができる粒子線入射位置検出装置
は、マイクロストリップラインのストリップ導体を形成
する部分、このストリップ導体を形成する部分から櫛の
歯状に間隔を保って延出させられている複数本のストラ
イプより形成されている出力面電極および前記ストリッ
プ導体に対応させられている接地導体をもつ第１のマイ
クロチャンネルプレートと、前記第１のマイクロチャン
ネルプレートの出力面に平行な面にマイクロストリップ
ラインのストリップ導体を形成する部分、このストリッ
プ導体を形成する部分から櫛の歯状に間隔を保って延出
させられている複数本のストライプより形成されている
出力面電極および前記ストリップ導体に対応させられて
いる接地導体が前記第１のマイクロチャンネルプレート
の対応する部分に対して略直角になるように配置されて
いる第２のマイクロチャンネルプレートと、前記各マイ
クロチャンネルプレートの各部に動作電圧を前記第２の
マイクロチャンネルプレートに前記第１のマイクロチャ
ンネルプレートの出力電子を受け入れるための電圧を供
給する電源と、前記各ストリップ導体の両端からの出力
信号を取り出し各出力（８号発生時点の時間差から前記
各マイクロチャンネルプレートの入射面に入射した粒子
線の入射位置を推定するマイクロチャンネルプレート入
射位置検出回路から構成されている。
レート一対を用いて高速度で、粒子線の入射位置の２次
元的な情報を得ることができる粒子線入射位置検出装置
は、マイクロストリップラインのストリップ導体を形成
する部分、このストリップ導体を形成する部分から櫛の
歯状に間隔を保って延出させられている複数本のストラ
イプより形成されている出力面電極および前記ストリッ
プ導体に対応させられている接地導体をもつ第１のマイ
クロチャンネルプレートと、前記第１のマイクロチャン
ネルプレートの出力面に平行な面にマイクロストリップ
ラインのストリップ導体を形成する部分、このストリッ
プ導体を形成する部分から櫛の歯状に間隔を保って延出
させられている複数本のストライプより形成されている
出力面電極および前記ストリップ導体に対応させられて
いる接地導体が前記第１のマイクロチャンネルプレート
の対応する部分に対して略直角になるように配置されて
いる第２のマイクロチャンネルプレートと、前記各マイ
クロチャンネルプレートの各部に動作電圧を前記第２の
マイクロチャンネルプレートに前記第１のマイクロチャ
ンネルプレートの出力電子を受け入れるための電圧を供
給する電源と、前記各ストリップ導体の両端からの出力
信号を取り出し各出力（８号発生時点の時間差から前記
各マイクロチャンネルプレートの入射面に入射した粒子
線の入射位置を推定するマイクロチャンネルプレート入
射位置検出回路から構成されている。
本発明による前述した改良されたマイクロチャンネルプ
レートおよび改良されたレジステイブ７ノード形の検出
装置を組み合わせて高速度で、粒子線の入射位置の２次
元的な情報を得ることができる粒子線入射位置検出装置
は、マイクロストリップラインのストリップ導体を形成
する部分、このストリップ導体を形成する部分から櫛の
歯状に間隔を保って延出させられている複数本のストラ
イプより形成されている出力面電極およ゛び前記ストリ
ップ導体に対応させられている接地導体をもつマイクロ
チャンネルプレートと、前記マイクロチャンネルプレー
トの出力面に平行な面に前記マイクロチャンネルプレー
トのストライプの方向と直角の方向に櫛の歯状に間隔を
保って延出されている複数のストライプ抵抗線とそれ等
が接続されているストリップラインを形成するストリッ
プ導体をもつアノード板と、前記マイクロチャンネルプ
レートの各部に動作電圧を前記アノード板に前記マイク
ロチャンネルプレートの出力電子を受け入れるための電
圧を供給する電源と、前記ストリップ導体の両端からの
出力信号を取り出し各出力信号発生時点の時間差から前
記マイクロチャンネルプレートの入射面に入射した粒子
線の入射位置を推定するマイクロチャンネルプレート入
射位置検出回路と、前記アノード板の抵抗線の出力電流
から前記マイクロチャンネルプレートで得られる方向と
異なる方向の入射位置を推定するアノード板入射位置検
出装置から構成されている。
レートおよび改良されたレジステイブ７ノード形の検出
装置を組み合わせて高速度で、粒子線の入射位置の２次
元的な情報を得ることができる粒子線入射位置検出装置
は、マイクロストリップラインのストリップ導体を形成
する部分、このストリップ導体を形成する部分から櫛の
歯状に間隔を保って延出させられている複数本のストラ
イプより形成されている出力面電極およ゛び前記ストリ
ップ導体に対応させられている接地導体をもつマイクロ
チャンネルプレートと、前記マイクロチャンネルプレー
トの出力面に平行な面に前記マイクロチャンネルプレー
トのストライプの方向と直角の方向に櫛の歯状に間隔を
保って延出されている複数のストライプ抵抗線とそれ等
が接続されているストリップラインを形成するストリッ
プ導体をもつアノード板と、前記マイクロチャンネルプ
レートの各部に動作電圧を前記アノード板に前記マイク
ロチャンネルプレートの出力電子を受け入れるための電
圧を供給する電源と、前記ストリップ導体の両端からの
出力信号を取り出し各出力信号発生時点の時間差から前
記マイクロチャンネルプレートの入射面に入射した粒子
線の入射位置を推定するマイクロチャンネルプレート入
射位置検出回路と、前記アノード板の抵抗線の出力電流
から前記マイクロチャンネルプレートで得られる方向と
異なる方向の入射位置を推定するアノード板入射位置検
出装置から構成されている。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第１図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置の実
施例を示す略図である。
施例を示す略図である。
この実施例は、ホトンの入射位置を光電子に変換して測
定する入射位置検出装置に係るものである。
定する入射位置検出装置に係るものである。
真空容器５内の光電陰極１に入射した光子により光電子
が励起される。この光電子が良く知られている電子レン
ズでマイクロチャンネルプレート１Ｏの入射面に入射さ
せられる。
が励起される。この光電子が良く知られている電子レン
ズでマイクロチャンネルプレート１Ｏの入射面に入射さ
せられる。
本発明による装置ではこのマイクロチャンネルプレート
１０自体が、マイクロチャンネルプレートトに入射した
光電子の位置の情報を得ることができるようにしである
。
１０自体が、マイクロチャンネルプレートトに入射した
光電子の位置の情報を得ることができるようにしである
。
マイクロチャンネルプレート１０の出力電極から得られ
る信号は入射位置演算装置６に入力され、ここで入射位
置を示す信号が出力される。
る信号は入射位置演算装置６に入力され、ここで入射位
置を示す信号が出力される。
電源９は前記真空容器５内の電極に動作電圧を供給する
電源装置である。
電源装置である。
第３図は、本発明による第１図に示した粒子線の入射位
置検出装置で使用するマイクロチャンネルプレートの第
１の実施例を示す図である。
置検出装置で使用するマイクロチャンネルプレートの第
１の実施例を示す図である。
同図（１）は出射面、同図（ｎ）は断面図である。
マイクロチャンネルプレートは細いチャンネルマルチプ
ライヤを束ね、電子像の増倍に適する構造としたもので
あり、内径１０〜２０μｍのチャンネルマルチプライヤ
をはちの巣状に並べて溶着した形状をしている。
ライヤを束ね、電子像の増倍に適する構造としたもので
あり、内径１０〜２０μｍのチャンネルマルチプライヤ
をはちの巣状に並べて溶着した形状をしている。
両面間に電圧を印加して負極側から電子を入射すると１
０′３〜１０５倍に増倍されて正の電極側に現れさらに
加速電界があれば加速放出される。
０′３〜１０５倍に増倍されて正の電極側に現れさらに
加速電界があれば加速放出される。
このチャンネルマルチプライヤは入射面に垂直に入射し
た電子の増倍効率を高めるために入射面に対して傾斜さ
せられている場合が多い。
た電子の増倍効率を高めるために入射面に対して傾斜さ
せられている場合が多い。
マイクロチャンネルプレート本体１０の内部には同図（
ｎ）に示すように表面に２次電子放出特性をもつ無数の
チャンネル１０ｂが傾斜させられて設けられている。
ｎ）に示すように表面に２次電子放出特性をもつ無数の
チャンネル１０ｂが傾斜させられて設けられている。
ス） ＩＪツブ導棒体部１３接地導体部１４．ストライ
プ部１２−１〜１２−ｎは前記マイクロチャンネルプレ
ートの出力側の電極を形成している。
プ部１２−１〜１２−ｎは前記マイクロチャンネルプレ
ートの出力側の電極を形成している。
ストリップ導体部１３．接地導体部１４．ストライプ部
１２−１〜１２−ｎには前記無数のチャンネル１０ｂに
対応する孔が設けられている。
１２−１〜１２−ｎには前記無数のチャンネル１０ｂに
対応する孔が設けられている。
ストリップ導体部１３は図示のとおり直線状であり、こ
れに歯状のストライプ部１２−１〜１２−ｎが基部で直
角に接続されている。
れに歯状のストライプ部１２−１〜１２−ｎが基部で直
角に接続されている。
接地導体部１４の１４３とストリップ導体部１３がマイ
クロストリンブ路線を形成している。
クロストリンブ路線を形成している。
ストリップ導体部１３の一端は出力同軸１５Ａのの中心
導体に、他端は出力同軸１５Ｂに接続されており、各出
力同軸の外導体は、マイクロチャンネルプレートの接地
部１４に接続されている。
導体に、他端は出力同軸１５Ｂに接続されており、各出
力同軸の外導体は、マイクロチャンネルプレートの接地
部１４に接続されている。
このマイクロチャンネルプレート本体１０の入射面１０
ａに電子が入射して増倍され任意のストライプ１２−１
に達したとすると、このストライプ１２−１に増倍され
た電子に相当するだけの電荷が前記ストリップ導体部１
３を介して供給されることになる。
ａに電子が入射して増倍され任意のストライプ１２−１
に達したとすると、このストライプ１２−１に増倍され
た電子に相当するだけの電荷が前記ストリップ導体部１
３を介して供給されることになる。
これにより生じた電気信号は、このストライプを伝わり
ストリップ導体部１３の伝送線部社伝わりさらに伝送線
部を左右に分かれて進む。
ストリップ導体部１３の伝送線部社伝わりさらに伝送線
部を左右に分かれて進む。
この左右に分かれて進んだ信号が伝送線のそれぞれの端
子に到達するまでの時間は任意のストライプ１２−１か
らそれぞれの端子までの距離に比例する。
子に到達するまでの時間は任意のストライプ１２−１か
らそれぞれの端子までの距離に比例する。
第４図は、前記マイクロチャンネルプレートの等何回路
および位置演算回路の実施例を示す回路図である。
および位置演算回路の実施例を示す回路図である。
出力同軸１５Ａ、出力同軸１５Ｂはそれぞれ負荷抵抗Ｒ
Ａ、ＲＢが接続されており、信号電流により発生した電
圧はそれぞれ高速度増幅器２０１゜２０２により増幅さ
れる。
Ａ、ＲＢが接続されており、信号電流により発生した電
圧はそれぞれ高速度増幅器２０１゜２０２により増幅さ
れる。
そしてそれぞれの出力はコンスタントフラクションディ
スクリミネータ２０３．２０４ （以下ＣＦＤ２０３
，２０４）に接続され、増倍された電子に原因する信号
であると判定されたときにそれぞれパルスを発生する。
スクリミネータ２０３．２０４ （以下ＣＦＤ２０３
，２０４）に接続され、増倍された電子に原因する信号
であると判定されたときにそれぞれパルスを発生する。
ＣＦＤ２０３．２０４のパルス発生時点をそれぞれｔ、
、ｔ２とする。
、ｔ２とする。
ＣＦＤ２０３．２０４の出力は、時間電圧変換器２０５
に接続され前記パルスの発生の時間差に相当する電圧に
変換される。
に接続され前記パルスの発生の時間差に相当する電圧に
変換される。
光電子が増倍されてマイクロストリップラインに信号が
発生しＣＦＤ２０３が検出パルスを発生する時点ｔ１ま
での時間は、信号が電子が入射したチャンネルの存在す
るストライプ１２−１からストリップ導体１３の右端に
達するまでの時間に出力同軸１５Ａを介してＣＦＤ２０
３に到達するまでの時間（正確にはパルス発生までの時
間）を加算したものである。
発生しＣＦＤ２０３が検出パルスを発生する時点ｔ１ま
での時間は、信号が電子が入射したチャンネルの存在す
るストライプ１２−１からストリップ導体１３の右端に
達するまでの時間に出力同軸１５Ａを介してＣＦＤ２０
３に到達するまでの時間（正確にはパルス発生までの時
間）を加算したものである。
同様にＣＦＤ２０４が検出パルスを発生する時点ｔ２ま
での時間は、信号が電子が入射したチャンネルの存在す
るストライプ１２−１からストリップ導体１３の左端に
達するまでの時間に出力同軸１５Ｂを介してＣＦＤ２０
４に到達するまでの時間を加算したものである。
での時間は、信号が電子が入射したチャンネルの存在す
るストライプ１２−１からストリップ導体１３の左端に
達するまでの時間に出力同軸１５Ｂを介してＣＦＤ２０
４に到達するまでの時間を加算したものである。
したがづて、その時間差は電子が入射したチャンネルの
存在するストライプ１２−ｉから左端または右端までの
距離の差に比例することになる。
存在するストライプ１２−ｉから左端または右端までの
距離の差に比例することになる。
信号入射位置がストリップ導体１３の中央のストライプ
に相当する位置の場合は、ｔｌとｔ２は同時となり、時
間電圧変換器２０５の出力は零となる。
に相当する位置の場合は、ｔｌとｔ２は同時となり、時
間電圧変換器２０５の出力は零となる。
中央部からずれるにしたがって、時間電圧変換器２０５
の出力は増大し、ストリップ導体１３の方向をＸ方向と
し、中心の座標をＯとすると、前記時間電圧変換器２０
５の出力から入射位置のＸ座標を知ることができる。
の出力は増大し、ストリップ導体１３の方向をＸ方向と
し、中心の座標をＯとすると、前記時間電圧変換器２０
５の出力から入射位置のＸ座標を知ることができる。
第７図は、第１図に示した粒子線の入射位置検出装置の
電源装置の実施例を示す図である。
電源装置の実施例を示す図である。
マイクロチャンネルプレート１０の出力電極を抵抗を介
して接地点に接続し、入力面は出力電極より低い電圧を
与え、光電陰極１に最も低い電位（−ＨＶ）が与えられ
ている。
して接地点に接続し、入力面は出力電極より低い電圧を
与え、光電陰極１に最も低い電位（−ＨＶ）が与えられ
ている。
信号はコンデンサＣＡ 、ＣＢを介して入射位置検出回
路２０に接続される。
路２０に接続される。
第５図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第２の実施例を示
す図である。
用するマイクロチャンネルプレートの第２の実施例を示
す図である。
同図（１）は射出面から見た図である。ただし絶縁板１
６と取付用の金具を兼ねる接地導体１４を取り外した状
態で示しである。
６と取付用の金具を兼ねる接地導体１４を取り外した状
態で示しである。
同図（Ｉｆ）は断面図である。
マイクロチャンネルプレート本体１０は円板状であり、
射出面の電極は、ストリップ導体１３、このストリップ
導体１３から内周方向に向かって延出させられている扇
状の片から形成される多数のストライプ部１２−１〜１
２−ｎから形成されている。
射出面の電極は、ストリップ導体１３、このストリップ
導体１３から内周方向に向かって延出させられている扇
状の片から形成される多数のストライプ部１２−１〜１
２−ｎから形成されている。
円周の一部が切り欠かれて、ストリップ導体１３の端部
１３Ａ、１３Ｂは出力同軸の中心導体（Ｘ＋ 、Ｘ２
）に接続される部分である。
１３Ａ、１３Ｂは出力同軸の中心導体（Ｘ＋ 、Ｘ２
）に接続される部分である。
第５図（ＩＩ）に示されているように前記ストリップ導
体１３の上に絶縁板１６を配置し、その上に接地導体１
４を配置し、この部分でストリップ線路形の伝送路を形
成する。
体１３の上に絶縁板１６を配置し、その上に接地導体１
４を配置し、この部分でストリップ線路形の伝送路を形
成する。
ストリップ線路形の伝送路の両端から取り出された信号
は前述したと同様な位置演算回路２０により演算されて
、角度方向の入射位置を知ることができる。
は前述したと同様な位置演算回路２０により演算されて
、角度方向の入射位置を知ることができる。
第６図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第３の実施例を示
す図である。
用するマイクロチャンネルプレートの第３の実施例を示
す図である。
同図（１）は射出面から見た図であり、同図ＣＩりは断
面図である。
面図である。
マイクロチャンネルプレート本体１０は円板状であり、
射出面の電極は、ストリップ導体１３．ストライプ１２
−１〜１２−ｎ、接地導体１４により形成されている。
射出面の電極は、ストリップ導体１３．ストライプ１２
−１〜１２−ｎ、接地導体１４により形成されている。
ストリップ導体１３は略半径程度の長さで半径方向に配
置されており、これに平行に接地導体１４が形成されて
いる。
置されており、これに平行に接地導体１４が形成されて
いる。
ストライプ１２−１〜１２−ｎはストリップ導体１３か
ら同心円状に延出させられている。
ら同心円状に延出させられている。
ストリップ導体１３の外側の端子は出力同軸１５Ａの中
心導体に、内側の端子は出力同軸１５Ｂの中心導体に接
続されており、接地導体１４は各出力同軸の外導体に接
続されている。
心導体に、内側の端子は出力同軸１５Ｂの中心導体に接
続されており、接地導体１４は各出力同軸の外導体に接
続されている。
ストリップ線路形の伝送路の両端から取り出された信号
は前述したと同様な位置演算回路により演算されて、中
心から半径方向の入射位置を知ることができる。
は前述したと同様な位置演算回路により演算されて、中
心から半径方向の入射位置を知ることができる。
以上説明した実施例は何れも直線方向、角度方向、また
は半径方向の入射位置をそれぞれ知ることができるもの
であり、直交座標または極座標上の点の位置を測定でき
るものではない。
は半径方向の入射位置をそれぞれ知ることができるもの
であり、直交座標または極座標上の点の位置を測定でき
るものではない。
第２図に示す実施例は先に第１図を中心に説明した構成
に、さらに他の１次元位置検出装置を組併せて２次元的
な入射位置情報を可能にする装置の実施例を示すブロッ
ク図である。
に、さらに他の１次元位置検出装置を組併せて２次元的
な入射位置情報を可能にする装置の実施例を示すブロッ
ク図である。
真空容器５の内面には光電陰極ｌが設けられている。
光電陰極１０発生した光電子は電子レンズ２でマイクロ
チャンネルプレート１０の入射面に入射させられる。
チャンネルプレート１０の入射面に入射させられる。
マイクロチャンネルプレート１０で増倍された電子は次
に配置されている抵抗板入射位置検出装置４に入射させ
られる。
に配置されている抵抗板入射位置検出装置４に入射させ
られる。
抵抗板入射位置検出装置４は、前記マイクロチャンネル
ブレー）１０の入射位置検出方向と直交する方向の入射
位置を検出する。
ブレー）１０の入射位置検出方向と直交する方向の入射
位置を検出する。
第８図に電源回路を示す。抵抗板入射位置検出装置４に
は前記マイクロチャンネルプレート１０の出力電極より
も高い電圧が与えられている。
は前記マイクロチャンネルプレート１０の出力電極より
も高い電圧が与えられている。
マイクロチャンネルプレート１０として先に説明した第
３図、第５図、第６図の何れのものも利用できるが、選
択したマイクロチャンネルプレート１０に対応する形状
の入射位置検出器４を対応させる。
３図、第５図、第６図の何れのものも利用できるが、選
択したマイクロチャンネルプレート１０に対応する形状
の入射位置検出器４を対応させる。
例えば、第３図に示すマイクロチャンネルプレート１０
を利用してＸ方向の入射位置の情報を得た場合には、抵
抗板入射位置検出装置４では、Ｙ方向の入射位置をマイ
クロチャンネルプレー１・の出力から得るように組み合
せる。
を利用してＸ方向の入射位置の情報を得た場合には、抵
抗板入射位置検出装置４では、Ｙ方向の入射位置をマイ
クロチャンネルプレー１・の出力から得るように組み合
せる。
第９図に抵抗板入射位置検出装置４の実施例を示す。
抵抗板入射位置検出装置４は直線方向の入射位置情報を
得ることができる抵抗板入射位置検出装置を示す。
得ることができる抵抗板入射位置検出装置を示す。
前述した抵抗板入射位置検出装置４にかえて、前述した
マイクロチャンネルプレートと同じ形状または、相補的
な関係にある第２のマイクロチャンネルプレートを用い
ることにより、さらに他の粒子線の２次元入射位置検出
装置を形成することができる。
マイクロチャンネルプレートと同じ形状または、相補的
な関係にある第２のマイクロチャンネルプレートを用い
ることにより、さらに他の粒子線の２次元入射位置検出
装置を形成することができる。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、本発明による粒子線入射位
置検出装置は、マイクロストリップラインのストリップ
導体を形成する部分、このストリップ導体を形成する部
分から櫛の歯状に間隔を保って延出させられている複数
本のストライプより形成されている出力面電極および前
記ストリップ導体に対応させられている接地導体をもつ
マイクロチャンネルプレートと、前記マイクロチャンネ
ルプレートの各部に動作電圧を供給する動作電源と、前
記ストリップ導体の両端からの出力信−号を取り出し各
出力信号発生時点の時間差から前記マイクロチャンネル
プレートの入射面に入射した粒子線の入射位置を推定す
る入射位置検出回路から構成されている。
置検出装置は、マイクロストリップラインのストリップ
導体を形成する部分、このストリップ導体を形成する部
分から櫛の歯状に間隔を保って延出させられている複数
本のストライプより形成されている出力面電極および前
記ストリップ導体に対応させられている接地導体をもつ
マイクロチャンネルプレートと、前記マイクロチャンネ
ルプレートの各部に動作電圧を供給する動作電源と、前
記ストリップ導体の両端からの出力信−号を取り出し各
出力信号発生時点の時間差から前記マイクロチャンネル
プレートの入射面に入射した粒子線の入射位置を推定す
る入射位置検出回路から構成されている。
したがって、単一入射信号の位置検出が、ストリップラ
イン伝送線を通る信号の時間計測により行われることか
ら、抵抗体の使用が不要となり、いわゆるＣＲ時定数に
関連する遅延の問題を排除できる。
イン伝送線を通る信号の時間計測により行われることか
ら、抵抗体の使用が不要となり、いわゆるＣＲ時定数に
関連する遅延の問題を排除できる。
純粋にインダクタンスとキャパシタンスによる分布定数
回路の伝（般速度だけを考えれば良いため、数ナノ秒の
応答が可能となる。
回路の伝（般速度だけを考えれば良いため、数ナノ秒の
応答が可能となる。
一方、時間差検出に関しては、すでに確立した技術もあ
り、その分解能は１０ピコ秒に近いところまでいってい
るので、その利用により位置解像度も１／１００以下と
なる。
り、その分解能は１０ピコ秒に近いところまでいってい
るので、その利用により位置解像度も１／１００以下と
なる。
この高速性を利用し、計数率を向上することも可能であ
るし、また、高速フィードバックによる制御も可能とな
る。
るし、また、高速フィードバックによる制御も可能とな
る。
さらに、本発明による前述した改良されたマイクロチャ
ンネルプレート一対を用いた、粒子線入射位置検出装置
によれば、高速度で、粒子線の入射位置の２次元的な情
報を得ることができる。
ンネルプレート一対を用いた、粒子線入射位置検出装置
によれば、高速度で、粒子線の入射位置の２次元的な情
報を得ることができる。
また、本発明による改良されたマイクロチャンネルプレ
ートおよび改良されたレジステイブアノード形の検出装
置を組み合わせた粒子線入射位置検出装置によれば、高
速度で、粒子線の入射位置の２次元的な情報を得ること
ができる。
ートおよび改良されたレジステイブアノード形の検出装
置を組み合わせた粒子線入射位置検出装置によれば、高
速度で、粒子線の入射位置の２次元的な情報を得ること
ができる。
第１図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置の実
施例を示すブロック図である。 第２図は、先に第１図を中心に説明した構成に、さらに
他の１次元位置検出装置を組み合わせて構成した２次元
的な入射位置検出を可能にする装置の実施例を示すブロ
ック図である。 第３図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第１の実施例（直
線形）の出射面および断面図である。 第４図は、前記マイクロチャンネルプレートの等何回路
および位置演算装置の実施例を示す回路図である。 第５図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第２の実施例（θ
形）の出射面および断面図である。 第６図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第３の実施例（ｒ
形）の出射面および断面図である。 第７図は、第１図に示した粒子線の入射位置検出装置の
電源装置の実施例を示す回路図である。 第８図は、第２図に示した粒子線の入射位置検出装置の
電源装置の実施例を示す回路図である。 第９図は、レジステイブアノード（抵抗板入射位置検出
装置）の抵抗線の配列パターンの例を示す図である。 第１０図は、従来のホトンの入射位置を光電子に変換し
て測定する入射位置検出装置の構成例を示す断面図であ
る。 第１１図は、２次元入射位置検出装置を入射面側から見
た図である。 第１２図は、２次元入射位置検出装置のＸ方向の特性を
示す等何回路図である。 １・・・光電陰極 ２・・・電子レンズ ３・・・マイクロチャンネルプレート ４・・・レジステイブアノード（または第２のマイクロ
チャンネルプレート） ５・・・真空容器 ６．７・・・位置演算回路 ８・・・総合演算回路 ９・・・電源 １０・・・マイクロチャンネルプレート本体１２−１〜
１２−ｎ・・・ストライプ １３・・・ストリップ導体 １４・・・接地導体 １５Ａ、１５Ｂ・・・出力同軸 １６・・・絶縁層 ２０・・・位置演算回路 ２０１．２０２・・・高速度増幅器 ２０３．２０４・・・コンスタントフラクションディス
クリミネータ ２０５・・・時間電圧変換器 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 才３図 ＋ＬＩｂ １ＬＪａ ２４図 ２５図 （［）ＣＩ） オ６図 オフ図 才８図 ２９１！１ ２１０図
施例を示すブロック図である。 第２図は、先に第１図を中心に説明した構成に、さらに
他の１次元位置検出装置を組み合わせて構成した２次元
的な入射位置検出を可能にする装置の実施例を示すブロ
ック図である。 第３図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第１の実施例（直
線形）の出射面および断面図である。 第４図は、前記マイクロチャンネルプレートの等何回路
および位置演算装置の実施例を示す回路図である。 第５図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第２の実施例（θ
形）の出射面および断面図である。 第６図は、本発明による粒子線の入射位置検出装置で使
用するマイクロチャンネルプレートの第３の実施例（ｒ
形）の出射面および断面図である。 第７図は、第１図に示した粒子線の入射位置検出装置の
電源装置の実施例を示す回路図である。 第８図は、第２図に示した粒子線の入射位置検出装置の
電源装置の実施例を示す回路図である。 第９図は、レジステイブアノード（抵抗板入射位置検出
装置）の抵抗線の配列パターンの例を示す図である。 第１０図は、従来のホトンの入射位置を光電子に変換し
て測定する入射位置検出装置の構成例を示す断面図であ
る。 第１１図は、２次元入射位置検出装置を入射面側から見
た図である。 第１２図は、２次元入射位置検出装置のＸ方向の特性を
示す等何回路図である。 １・・・光電陰極 ２・・・電子レンズ ３・・・マイクロチャンネルプレート ４・・・レジステイブアノード（または第２のマイクロ
チャンネルプレート） ５・・・真空容器 ６．７・・・位置演算回路 ８・・・総合演算回路 ９・・・電源 １０・・・マイクロチャンネルプレート本体１２−１〜
１２−ｎ・・・ストライプ １３・・・ストリップ導体 １４・・・接地導体 １５Ａ、１５Ｂ・・・出力同軸 １６・・・絶縁層 ２０・・・位置演算回路 ２０１．２０２・・・高速度増幅器 ２０３．２０４・・・コンスタントフラクションディス
クリミネータ ２０５・・・時間電圧変換器 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 才３図 ＋ＬＩｂ １ＬＪａ ２４図 ２５図 （［）ＣＩ） オ６図 オフ図 才８図 ２９１！１ ２１０図
Claims (6)
- （１）マイクロストリップラインのストリップ導体を形
成する部分、このストリップ導体を形成する部分から櫛
の歯状に間隔を保って延出させられている複数本のスト
ライプより形成されている出力面電極および前記ストリ
ップ導体に対応させられている接地導体をもつマイクロ
チャンネルプレートと、前記マイクロチャンネルプレー
トの各部に動作電圧を供給する動作電源と、前記ストリ
ップ導体の両端からの出力信号を取り出し各出力信号発
生時点の時間差から前記マイクロチャンネルプレートの
入射面に入射した粒子線の入射位置を推定する入射位置
検出回路から構成した１次元方向用の粒子線入射位置検
出装置。 - （２）前記マイクロチャンネルプレートのストリップ導
体を形成する電極は直線状であり、前記ストライプ部は
前記ストリップ導体に直角方向に延出させられており、
前記接地導体は前記ストリップ導体に平行に設けられて
いる特許請求の範囲第１項記載の粒子線入射位置検出装
置。 - （３）前記マイクロチャンネルプレートは円板状であり
、前記ストリップ導体は出射面の外周円に沿って設けら
れており、前記ストライプ部は前記ストリップ導体から
内周方向に向かって延出させられている扇状の片である
特許請求の範囲第１項記載の粒子線入射位置検出装置。 - （４）前記マイクロチャンネルプレートは円板状であり
、前記ストリップ導体は出射面の半径方向に沿って設け
られており、前記ストライプ部は前記ストリップ導体か
ら同心円状に延出させられている特許請求の範囲第１項
記載の粒子線入射位置検出装置。 - （５）マイクロストリップラインのストリップ導体を形
成する部分、このストリップ導体を形成する部分から櫛
の歯状に間隔を保って延出させられている複数本のスト
ライプより形成されている出力面電極および前記ストリ
ップ導体に対応させられている接地導体をもつ第１のマ
イクロチャンネルプレートと、前記第１のマイクロチャ
ンネルプレートの出力面に平行な面にマイクロストリッ
プラインのストリップ導体を形成する部分、このストリ
ップ導体を形成する部分から櫛の歯状に間隔を保って延
出させられている複数本のストライプより形成されてい
る出力面電極および前記ストリップ導体に対応させられ
ている接地導体が前記第１のマイクロチャンネルプレー
トの対応する部分に対して略直角になるように配置され
ている第２のマイクロチャンネルプレートと、前記各マ
イクロチャンネルプレートの各部に動作電圧を前記第２
のマイクロチャンネルプレートに前記第１のマイクロチ
ャンネルプレートの出力電子を受け入れるための電圧を
供給する電源と、前記各ストリップ導体の両端からの出
力信号を取り出し各出力信号発生時点の時間差から前記
各マイクロチャンネルプレートの入射面に入射した粒子
線の入射位置を推定するマイクロチャンネルプレート入
射位置検出回路から構成した粒子線入射位置検出装置。 - （６）マイクロストリップラインのストリップ導体を形
成する部分、このストリップ導体を形成する部分から櫛
の歯状に間隔を保って延出させられている複数本のスト
ライプより形成されている出力面電極および前記ストリ
ップ導体に対応させられている接地導体をもつマイクロ
チャンネルプレートと、前記マイクロチャンネルプレー
トの出力面に平行な面に前記マイクロチャンネルプレー
トのストライプの方向と直角の方向に櫛の歯状に間隔を
保って延出されている複数のストライプ抵抗線とそれ等
が接続されているストリップラインを形成するストリッ
プ導体をもつアノード板と、前記マイクロチャンネルプ
レートの各部に動作電圧を前記アノード板に前記マイク
ロチャンネルプレートの出力電子を受け入れるための電
圧を供給する電源と、前記ストリップ導体の両端からの
出力信号を取り出し各出力信号発生時点の時間差から前
記マイクロチャンネルプレートの入射面に入射した粒子
線の入射位置を推定するマイクロチャンネルプレート入
射位置検出回路と、前記アノード板の抵抗線の出力電流
から前記マイクロチャンネルプレートで得られる方向と
異なる方向の入射位置を推定するアノード板入射位置検
出装置から構成した２次元粒子線入射位置検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215400A JPS6371681A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 粒子線入射位置検出装置 |
| US07/095,262 US4882480A (en) | 1986-09-12 | 1987-09-11 | Apparatus for detecting the position of incidence of particle beams including a microchannel plate having a strip conductor with combed teeth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215400A JPS6371681A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 粒子線入射位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6371681A true JPS6371681A (ja) | 1988-04-01 |
| JPH0518393B2 JPH0518393B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=16671696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215400A Granted JPS6371681A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 粒子線入射位置検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4882480A (ja) |
| JP (1) | JPS6371681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002543573A (ja) * | 1999-04-30 | 2002-12-17 | エックスカウンター アーベー | 固体コンバーターを備えたｘ線検出ユニット |
| JP2012033370A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Tohoku Univ | Ｘ線検出システム |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365882A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 超高速ゲート装置 |
| ES2366291B1 (es) * | 2010-02-12 | 2012-08-30 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) | Detector de radiación ionizante sensible a la posicion 2d. |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4024390A (en) * | 1976-04-09 | 1977-05-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Two microchannel plate picture element array image intensifier tube and system |
| US4086486A (en) * | 1976-06-08 | 1978-04-25 | Richard Lee Bybee | One dimensional photon-counting detector array |
| US4051468A (en) * | 1976-07-28 | 1977-09-27 | Rca Corporation | Apparatus and method for modulating a flat panel display device |
| US4109178A (en) * | 1977-05-05 | 1978-08-22 | Rca Corporation | Electron multiplier with switchable beam confinement structure |
| US4184069A (en) * | 1978-03-28 | 1980-01-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Orthogonal array faceplate wafer tube display |
| GB2124017B (en) * | 1982-06-16 | 1985-10-16 | Philips Electronic Associated | A deflection colour selection system for a single beam channel plate display tube |
| US4555731A (en) * | 1984-04-30 | 1985-11-26 | Polaroid Corporation | Electronic imaging camera with microchannel plate |
| JPS6286656A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | チヤネルプレ−トの製造方法 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61215400A patent/JPS6371681A/ja active Granted
-
1987
- 1987-09-11 US US07/095,262 patent/US4882480A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002543573A (ja) * | 1999-04-30 | 2002-12-17 | エックスカウンター アーベー | 固体コンバーターを備えたｘ線検出ユニット |
| JP2012033370A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Tohoku Univ | Ｘ線検出システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518393B2 (ja) | 1993-03-11 |
| US4882480A (en) | 1989-11-21 |
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