JPH0365892B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプラズマによつて基板を処理するため
のシステム、より具体的に言えば表裏両面を有す
る基板を処理するために、均一なプラズマを発生
する装置に関する。

［開示の概要］ 本願明細書は基板の表裏両面を処理するため
に、実質的に均一なプラズマを発生するシステム
を開示する。基板の表裏両面は夫々導電部分を持
つている。基板の表裏何れかの平面に、互に対向
した関係で２個の電極が配置される。第１の無線
周波数（以下高周波という）電源が第１の電極に
電気的に接続され、第２の高周波電源が第２の電
極に電気的に接続される。第１及び第２高周波電
源は互に位相がずれており、その結果、実質的に
均一なプラズマ領域を発生する。

［従来技術］ プラズマエツチングの結果を均一にするための
１つの従来方法は、エツチング（食刻）速度を低
くするのが望ましく、フツ素置換を生じるように
CF₄の濃度を高める必要があつた。

プラズマ反応を起すために、通常、反対極性の
電荷が与えられた電極が真空室内に置かれる。そ
のような装置は例えば、本出願人の「くぼみに対
する改良されたマグネトロンのスパツタ沈積のた
めのシールド」と題する米国特許第4508612号に
示されている。

バイア孔又はスルーホールを清浄する技術が米
国特許第4230533号に開示されている。この技術
はプラズマエツチングを使つており、その装置に
おいては、穿孔を有する基板の表面導電層それ自
身がプラズマを発生するための電極として働ら
く。１個の高周波源が各基板の一方の面へ電気的
に接続それ、各基板の他方の面は接地される。プ
ラズマが開孔内で発生して汚れを除去するように
働らく。この装置で発生されるプラズマはスルー
ホール内にのみ現われる。

然し乍ら、均一な電界の下では相対的に低い周
波数の高周波でも基板のスルーホールを通してイ
オンを駆動することが出来るけれども、この方法
を不均一な電界中で使うと反対の効果、即ちエツ
チングの不均一性が増進される。

米国特許第4285800号はプリント回路板を処理
するためのガスプラズマ反応室を開示している。
基板を保持するため間隔を開けて並置された複数
の棒を有するラツクアセンブリ、即ち架台部が反
応室中に設けられている。一対の電極が架台部の
外側に装着されている。架台部は接地電位に保た
れ、電極は、電極と架台の棒との間でプラズマが
形成されるよう高周波で付勢される。

［発明が解決しようとする問題点］ 種々の電子素子、例えば集積回路のように電子
素子を製造する際に、基板上の金属の薄膜を付着
（deposit）する必要がある。例えば銅の如き材料
がセラミツク又はガラス基板上に付着され、エツ
チングされ、若しくは電気回路又は電子素子に形
成される。

プラズマデポジシヨン、即ちプラズマ付着の領
域で、原子はスパツタリング又はスパツタ付着と
称されるプロセスによつて、陰極に接続されたタ
ーゲツトの表面から取出される。このプロセスに
おいて、ターゲツトはしばしば銅などのような電
気の良導電材料で構成される。ターゲツトが取り
付けられる陰極は、アルゴンのような不活性ガス
雰囲気内で、直流か又は高周波の相対的に高い電
圧が賭けられる。不活性ガスはイオン化し励起気
体状態（プラズマ）を形成する。このプラズマ状
態から正のイオンが脱出してターゲツトの露出面
に衝突する。ターゲツトの材料の原子又はクラス
タ（原子団）は運動のモーメントによつて放出さ
れる。スパツタリングとして知られているが、タ
ーゲツト原子のこのような放出である。このプロ
セスを繰返すことによつて、元来、中性である多
数のこれ等の原子が高真空中で、ターゲツトの前
の空間に移動する。これ等の原子は結局、全体と
してターゲツトに近接して置かれた基板、即ちサ
ンプルの表面に付着する。かくて、原子の被覆即
ちターゲツト材料の分子層が基板上に形成され
る。全体が1μｍよりも薄いコーテイングが薄膜
（thin film）と称される。一般に、集積回路の金
属化表面処理にはこの厚さで充分である。

一般にバイア（via）と言われている短絡孔又
はスルーホールは、第１の層の導電パターンと第
２の層又はそれ以上の層の基板上の導電パターン
との間の相互電気接続路である。別に基板上の回
路を相互に電気的に接続するために、貴金属（例
えばパラジウム）の下地層及び無電解金属メツキ
がバイアの壁面を被覆するために使われて来た。
（上述の被覆は後で電気メツキされるのが普通で
ある。）然し乍ら最近は、プラズマ技術がこの問
題に適用されて来ている。

プリント回路板及びカードとして使用される基
板のプラズマ処理の分野において、不均一なプラ
ズマ領域は不均一なエツチング、不均一な付着を
生じ、そしてスルーホール、又はバイア孔の不均
一な清浄を齎す。このスルーホールに関する清浄
処理はデスミアリング（desmearing）と称する。
例えば、エツチングプロセスにおいて、基板の中
心部分のより高濃度のプラズマ領域は基板の中心
部位でより高いエツチング速度を齎すのに反し
て、基板の周辺部分における相対的に希薄なプラ
ズマ濃度はこれ等の部分で比例的且つ予想通りの
低いエツチング速度を生ずる。電気的に浮遊状態
にあるプリント回路板に近接した不均一な電界は
回路板に不均一なプラズマ処理を起こすことがわ
かつている。

前記の刊行物に示された技術は、大きな基板の
表面をエツチングするためにも、また大きな面積
にわたつて均一なプラズマ領域を発生するために
も適当でない。

［問題点を解決するための手段］ 本発明に従つて、表裏両面を有する基板を処理
するために、実質的に均一なプラズマを発生する
ためのシステムを開示する。基板の表裏両面に電
気的に導電性の部分を持つてもよい。２個の電極
が互に対向する関係で基板の表裏両面に配置され
る。第１の高周波電源が第１電極に電気的に接続
され、且つ第２の高周波電源が第２電極に接続さ
れる。第１及び第２の高周波電源の位相は相互に
ずらせてある。

［実施例］ 第２図を参照すると、従来の技術で知られてい
るような通常の上部パネル電極１０と下部パネル
電極１２との断面図が示されている。電極１０及
び１２は平行に配置されている。この構造は平行
板パネル電極と言われる。

電源は示されていないが夫々の電極１０及び１
２に接続される。第２図に示されるように、或る
時間において、正の電荷が上部電極１０に印加さ
れ、そして負の電極が下部電極１２に印加され
る。平行電極１０及び１２の間で、参照番号１４
で識別される電界は中心領域で実質的に均一であ
る。然し乍ら、夫々参照番号１６及び１８により
示されているように、電極１０及び１２の両端で
の電界は、より高密度である。従つて電界１４も
それによつて生じるプラズマ（図示せず）も電極
１０及び１２に近接した全ての場所で均一ではな
い。

更に第３図を参照すると、間に挟まれた基板２
０を有する、同じ平行板パネル電極１０及び１２
の断面図が示されている。基板２０は電極１０及
び１２の主軸と平行に配置される。任意の時間で
の電界は電極１０及び１２の中心部２２では相対
的に低い強度を有し、そして電極１０及び１２の
外縁部で相対的ｉ高い強度を有している。中間部
に基板２０を有する通常の平行板パネル電極１０
及び１２は均一でない電界を生ずることが分る。

第１図は本発明のプラズマ領域発生装置の模式
図であつて、上部電極２８とそれと平行な下部電
極３０を有するプラズマ反応システムが示されて
いる。それ等２枚の電気的２８及び３０の中間
に、その２枚の電極と実質的に平行に基板３２が
あり、基板は接地されるか、又はゼロ電位に保た
れる。

例えばブランソン（Branson）IPC社で製造さ
れたモデル番号PM145のような高周波電源、即
ち高周波発生器３４が上部電極２８へ電気的に接
続されている。第２の高周波電源３６が下部電極
３０に電気的に接続される。インピーダンスを整
合するために、インピーダンス整合回路３８が上
部電極２８と直列に上部高周波電源３４へ接続さ
れる。インピーダンス整合回路は固定容量と可変
容量とを含む。第２のインピーダンス整合回路４
０は下部電極３０と直列に第２高周波電源３６へ
接続される。

交番電流位相波形４２及び４４は高周波電源３
４及び３６の間の位相差を表わしている。高周波
電源３４及び３６は常時、相互に180°位相がずれ
ていることが分る。接地された基板３２と上部及
び下部電極２８，３０夫々との間に発生される電
界は、従来の半分でしかも打ち消し合う位相関係
にあるので端部４６，４８においても従来よりも
均一性が高くなる。

第４図を参照すると、プラズマ処理に使用され
る高真空度に維持するのに適する反応室５０が示
される。例えば、そのような室５０はブランソン
社のモデル番号7415により入手しうる。反応室５
０は排気され、次にアルゴン及び酸素またはCF₄
及び酸素が導入される。ハウジング５２が反応室
５０の中に置かれる。ハウジング５２には、電気
回路を表面にプリントさせるのに適した複数枚の
カード、即ち基板５４を装着する。基板５４は母
線５６によつて互いに電気的に接続される。母線
５６は接地５７される。

電極５８及び６０は基板５４の両側に交互に設
置される。電極５８は母線５６によつて互に電気
的に接続されている。母線６２は、良好な実施例
では13.5メガヘルツで動作する高周波電源へ電気
的に接続される。スルーホールの高い縦横比（即
ち、スルーホールの深さ対直径の比率が６：１よ
りも大きい場合）のために極めて低い周波数（例
えば50キロヘルツ）で動作する高周波電源は供給
ガスからポリマ種の生成を阻止することが見出さ
れている。イオン化プラズマ種の食刻物（ionic
plasma species etchants）は高周波に応答して、
スルーホール内面に到達し、スルーホールの内面
を均一にエツチングする。位相図６５は或る任意
の時間における高周波発生器６４の位相を表わ
す。

同様に、残りの電極６０は他の母線６６によつ
て互に接続されている。母線６６は絶縁部材６６
ａ及び６６ｂによつて、物理的に保持されている
が、その絶縁部材によつて母線５６から絶縁され
ている。この第２の母線６６は第２高周波電源６
８へ電気的に接続されており、これもまた13.5メ
ガヘルツで動作する。位相図６９は第２高周波電
源６８の位相を表わす。実施例においては、第１
高周波電源６４からの電気信号は、第２高周波電
源６８により発生される電気信号の位相に比べ
180°ずらせてある。交番電流位相図６５及び６９
の比較はこの位相差関係を表わす。

高周波電源６４及び６８の間の位相差によつて
得られる電界は、独特の高周波電源によつて得ら
れる電界、或はすべてが同位相にある複数個の高
周波電源によつて得られる電界の何れよりもより
よい均一性を有することが見出されている。

位相差は必ずしも180°である必要はない。従つ
て、高周波電源６４及び６８の間の任意の位相差
は本発明の範囲内にあることは理解されねばなら
ない。他の実施例として１個の高周波電源を反応
室５０と関連して使用してもよいが、その高周波
電源は互に位相がずれている２個又はそれ以上の
出力信号を発生することが条件となる。

図示されていないが、ガス導入パイプ及びガス
排出パイプが、必要に応じて、ガスを導入し又は
排出するよう反応室５０へ接続されている。動作
時において、連続的にガスを導入しそして排出す
ることが反応室５０に接続された１本又はそれ以
上のパイプによつて達成しうる。

第５図を参照すると、空洞電極のプラズマシス
テムが示されている。この空洞電極プラズマシス
テムはプラズマ室（図示せず）によつて囲まれて
おり、その内部はテフロン（イー・アイ・デユポ
ン社の登録商標）の如き非導伝性材料で被覆され
保護される。

第１の空洞電極７０はその１つの主平面にドリ
ル又はパンチで穿たれた複数個の開孔７２を持
つ。その開孔は第５図で破線で示す。良好な実施
例において、開孔７２は直線的で均一なマトリツ
クスパターンとして示される。然し乍ら、均一な
ガス分布を妨げない任意のパターンが使いうるこ
とは理解されるべきである。

この第１空洞電極７０と離隔関係で基板７４が
配置され、基板の主軸は電極７０の主軸と平行で
ある。電極７０には高周波電源７６が接続され、
基板７４は接地される。

基板７４に近接し且つ実質的に平行に第２空洞
電極７８があり、それは電極の両主平面を通る、
ドリル又はパンチで穿たれた開孔（図示せず）を
持つ。第２高周波電源８０はこの空洞電極７８に
電気的に接続される。同様に、他の基板８２が空
洞電極７８と実質的に平行に配置され、且つ接地
される。

第３空洞電極８４は基板８２と実質的に平行に
配置される。この電極８４もまたドリル又はパン
チで穿たれ、且つ電極の両主平面を貫通する複数
個の開孔（図示せず）持つ。他の高周波電源８６
がこの空洞電極８４に接続される。他の基板８８
が第３空洞電極８４と実質的に平行に配置され、
かつ接地されている。

最後に、１つの主平面だけにドリル又はパンチ
で穿たれた開孔（図示せず）を有する第４空洞電
極９０は基板８８と実質的に平行に配置され、そ
して最後に高周波電源９２へ電気的に接続され
る。

ガス導入パイプ９４，９６，９８及び１００が
空洞電極７０，７８，８４及び９０へ夫々接続さ
れる。操作バルブ９４ａ，９６ａ，９８ａ及び１
００ａが独立してガスの流れを閉じるため、対応
する導入パイプ９４，９６，９８及び１００に設
置される。導入多岐管即ち導入マニホールド１０
１が空洞電極７０，７８，８７及び９０へ平均し
てガスを分配するために、導入パイプ９４，９
６，９８及び１００に接続されている。

電極を挟んでガス導入マニホールド１０１と反
対側にガス排出パイプがあり、その１個は１０２
で示されており、各パイプに対応して、独立的に
操作しうるバルブ１０２Ａを持つ。空洞電極７
８，８４及び９０に関連するガス排出パイプは第
５図には示されていない。すべてのガス排出パイ
プはそれ等に関連する空洞電極と排出マニホール
ド１０４に接続されており、空洞電極からガスを
均一に排気させる。

ガス供給主パイプ１０６が導入マニホールド１
０１へ接続される。同様に、ガス排気主パイプ１
０８が排出マニホールド１０４へ接続される。

若し望むならば、ガス導入パイプ１０６，９
４，９６，９８，１００及びマニホールド１０１
の機能と、ガス排出パイプ１０８，１０２及びマ
ニホールド１０４の機能とは反転することが出来
ることは理解されるべきである。つまり、必要に
応じて、ガスは主ガス排出パイプ１０８によつて
導入し、主ガス供給パイプ１０６によ排出ずるこ
とが出来る。

空洞電極と直接に結合した導入及び排出パイプ
の使用は基板の間のガスの配分及びガスの流れを
最大にするので、ガスの流れを均一化及び電界の
均一化を確実にする。これ等の均一化の組み合せ
の利益は、プラズマ処理中でより正確でより均一
なエツチング又は付着が生じることである。

空洞電極プラズマシステムを良く理解するため
に操作バルブ９４Ａ、９６Ａ，９８Ａ，１００
Ａ，１０２Ａ及び図示されていない操作バルブに
ついて説明する。圧力を加えられたガスが導入マ
ニホールド１０１を経てガス供給主パイプ１０６
から導入された時、バルブ９４Ａ，９６Ａ，９８
Ａ及び１００Ａはガスを空洞電極７０，７８，８
４及び９０へ到達させ導入させる。排出パイプの
弁１０２Ａ及び示されていない他のパイプが閉位
置にされていると、ガスは空洞電極の開孔７２を
通るよう強制される。このようにして、対応する
ガス導入口９４，９６，９８及び１００により圧
力を加えられて空洞電極７０，７８，８４及び９
０中に導入されたガスは実質的に均一な態様で基
板７４，８２及び８８をエツチングするための電
極の開孔７２を経て配分される。

導入バルブ９４Ａ，９６Ａ，９８Ａ及び１００
Ａと、排出バルブ１０Ａ及び図示されていない他
の排出バルブとを適当に設定することにより、空
洞電極７０，７８，８４，９０を通るガス流を幾
つかのガス流のパターンのうちの１つにすること
が出来る。個々の基板又は基板の群は導入及び排
出バルブを適当に設定することにより、そしてガ
ス供給主パイプ１０６及びガス排気主パイプ１０
８を選択することによつて処理することが出来
る。本発明に従つて、空洞電極及び基板の数は任
意に選択しうることは理解されるべきである。

ガス導入パイプ９４，９６，９８及び１００は
プラズマ反応が維持されるガスを導入するのに使
われる。そのようなガスは通常、CF₄、酸素、ア
ンモニア、フレオンなどである。上述のガスの任
意の混合気体を含むガス組成もまた使用出来る。
更にまた、既に述べたように、アルゴン及び酸素
の混合気体は高い縦横比を持つスルーホールを清
浄するために、相対的に低い周波数の高周波電源
で使用することが出来る。

良好な実施例において、高周波電源間の位相の
相違は以下の通りである。高周波電源７６及び８
６は互に同位相であるけれども、上述の高周波電
源７６及び８６に対しては180°、位相がずれてい
る。代表的な周波数は50キロヘルツ乃至13.5メガ
ヘルツ範囲にある。

第６図を参照すると、空洞電極７０及び７８
と、その間に挟まれた基板７４とが第５図の線６
−６に沿つて切断された断面図が示されている。
空洞電極７０は２つの壁を有し、左の壁１０９は
開孔がなく、右の壁１１０の多数の開孔７２があ
る。電極７０の右壁１１０開孔７２は、反応室５
０（第４図）の左部分から右部分へガスを分散さ
せるようにテーパが付されている。従つて、電極
７０の開孔７２は壁１１０の左側で小さな直径を
有し、電極７０の壁１１０の右側では大きな直径
を有する。

テーパの付された孔７２の方向は基板７４の右
側の主平面へ均一のガスを配分させるように、空
洞電極７８の左側壁１１２では逆向きにされる。
図示のような開孔７２のテーパは、２個の空洞電
極７０及び７８の中間１個のに基体７４が置かれ
た図示の例に適する。他の配列及び電極の開孔７
２の方向は、ガス流の方向や同時に処理される基
板の数によつて、容易にデザインしうる。

第７図を参照すると、均一なガス流と均一な電
界を有する連続プラズマ処理プロセスに適するシ
ステムの平面図が示される。真空ロツク１１４が
リニヤ反応室１１５へ接続される。真空ロツク１
１４は、反応室内の環境又は真空状態に影響する
ことなく、基板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃ又
は他の基体を反応室１１５へ搬入し且つ輸送路１
２３に沿つて移動するのに用いられる。

反応室１１５内であつてその中心線の一方の側
に、高周波電源、RF1に電気的に接続されている
３個の空洞電極１１６がある。これ等３個の電極
１１６は互に同位相にある。

他の３個の空洞電極１１８が反応室の中心線の
反対側に配置されており、各々は上述の電極１１
６の１つに対応する。電極１１８は第２の高周波
電源RF2に電気的に接続されており、互に同位相
にあるが、電極１１６に関しては180°位相がずれ
ている。

第１の真空ロツク１１４の反対側に、第２の真
空ロツク１２０が反応室１１５に設けられてい
る。真空ロツク１２０は反応室１１５の環境又は
真空状態に影響を与えることなく、反応室１１５
から基板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃを取り出
すのに使われる。

第７図において、基板１２２Ａ，１２２Ｂ，１
２２Ｃを横方向に並べて示す。電極１１６及び１
１８は互に平行であり、基板をはさんで図の上下
方向に夫々配置されている。基板１２２Ａ，１２
２Ｂ，１２２Ｃはこの実施例では接地されてお
り、プラズマ処理の間では一定の電位に維持され
る。

動作について説明すると、基体１２２Ａ，１２
２Ｂ，１２２Ｃは第１の真空ロツク１１４から輸
送路１２３に沿つて、空洞電極１１６及び１１８
の間の反応室１１５を通り、第１の真空ロツク１
２０へ進められる。図示されていない駆動装置が
輸送路１２３上の各基板を反応室の１つの位置か
ら他の位置へ、逐次直線的に、連続的に進める。
第１の真空ロツク１１４内に設置された加熱素子
１４はプラズマエツチング又はプラズマ付着が起
こる前に、基板１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃを
予備加熱するのに使われる。

図示されていないが、第５図に関連して説明し
た記載に基づいて、空洞電極１１６及び１１８を
介してプラズマ処理に使われるガス供給又は排出
装置が設けられる。空洞電極１１６及び１１８は
両側に噴出孔を有し、且つ基板１２２Ａ，１２２
Ｂ，１２２Ｃと対面する中間壁に中央吸入孔を形
成する一連の開孔を持つている。かくて空洞電極
１１６及び１１８を通つて流れるガス流と、基板
１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃを通り且つ取りま
くガス流が第７図の矢印のように流れる。図示し
ないが、他の実施例として、反応室１１５は２以
上の部分に分割して、各部分を互に離隔し、夫々
の部分が異なつた気体組成で基板を処理するよう
にすることが出来る。他の実施例として、１個又
はそれ以上の第２の反応室を第１反応室１１５及
び真空ロツク１２０の間に設置して、夫々はお互
に独立させて、各反応室毎に異なつたプラズマ処
理を行うことが出来る。このような一連プラズマ
処理段は、の例えば、エツチング、ホールの清浄
化、基板処理及び付着、又はそれ等の組み合せの
ために有用である。

別の例として、連続的若しくは準連続的のプラ
ズマ処理を行うために反応室を円形に配置しても
よい。その装置は２個のシリンダ（円筒状素子）
を含み、その上端及び下端には上部及び下部密閉
板が取り付けられる。

内側シリンダは中央真空ポンプへ連結するため
の真空マニホールドを形成する。

外側シリンダと内側シリンダとの間に、全体と
して放射状の適当な隔壁が設けられ、処理装置を
独立した隔離室に分割する。これ等の隔離室は、
リング状の台に乗せられて適当に回転するように
構成される。

通常のエアロツク即ち真空ロツク素子が１つの
処理室に連結されており、そこで基体を差し入れ
（即ちロードし）たり、取り出し（即ちアンロー
ドし）たりするように構成すればよい。

リング状の台はモータのような任意の原動機及
び歯車で駆動されうる。リング状の台の外縁は例
えば、回転が容易に達成出来るように、駆動ピニ
オンの歯型と合致する歯型に形成してもよい。摩
擦機構のような他の駆動方式を利用することは言
うまでもない。ここに記載されたことは単なる参
考に過ぎない。

リング状の台は順次に処理室内を移動し、この
移動が起きると、任意所望の態様で設定された適
宜の環境内に置かれた基体は種々の処理室内に置
かれたスパツタリング陰極素子を高周波励起によ
つてスパツタリング処理が行われるか、若しくは
他の真空処理が施される。

約1.2メートルの直径の円筒形処理装置は3.3メ
ートルの長さのインライン型即ち直線型装置と等
価である。円形処理システムは基体のローデイン
グ及びアンローデイングを隣りの領域で行うのに
反し、リニヤ型システムは、既に説明したよう
に、ローデイング及びアンローデイングはシステ
ムの両端で行う必要があつた。

円形状の処理室の配列によつて、基板をロード
し且つアンロードすることは、任意の簡単な自動
化の方法を達成しうるし、且つ環境を変化するこ
となしに、連続的又は半連続的動作が可能とな
る。また、これは異なつたタイプの処理をコンピ
ユータにより容易に制御しうるし、自動化が容易
となる。

円形状の反応装置及び第７図に示された直線状
の反応装置は基板即ち基体を垂直方向又は水平方
向の何れにも移送する装置にも利用しうることが
理解される。

酸素プラズマは、銅及び通常普通に使われる導
電体と、エポキシ樹脂などの電気の不良導体との
接着を向上するために、上述の連続的プラズマ装
置を使うことが出来る。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明は被処理基板の広
い領域にわたつて均一なプラズマ領域を確実に発
生しうるので、プラズマ処理による製品の質の改
善を計るばかりでなく、プラズマ処理工程の連続
化及び自動化を容易にするなどの効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ領域発生装置の模式
図、第２図はプラズマ領域を発生する従来装置の
模式図、第３図は基板を取り囲んでプラズマ領域
を発生する従来装置の模式図、第４図は反応室の
模式断面図、第５図はガスの流れを説明するため
の複数個の基体と空洞電極の斜視図、第６図は第
５図の線６−６に沿つて切断した空洞電極の断面
図、第７図は本発明に従つたプラズマ連続処理装
置の１実施例の平面図である。 １０，１２，２８，３０，５８，６０……電
極、３４，３６，６４，６８，７６，８０，８
６，９２，RF１，RF２……高周波電源、３２，
５４，７４，８２，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２
Ｃ……基板、７０，７８，８４，９０，１１６，
１１８……空洞電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表裏両面に夫々導電部分を有する基板を処理
   するため、実質的に均一なプラズマを発生するシ
   ステムにおいて、 互に対向する関係で、上記基板の表裏両面に配
   置された２個の電極手段と、 上記電極手段の第１の電極に電気的に接続され
   た第１高周波電源と、 上記電極手段の第２の電極に電気的に接続され
   た第２高周波電源とから成り、 上記第２高周波電源は上記第１高周波電源に関
   して位相をずらせたことを特徴とするプラズマ発
   生装置。