JPH0365931A - High-efficiency etalon parametric element and high-efficiency parametric mixing device - Google Patents
High-efficiency etalon parametric element and high-efficiency parametric mixing deviceInfo
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Abstract
Description
【産業上の利用分野］
この発明は高効率パラメトリックミキシング装置に関す
る。
【従来の技術ｌ
光パラメトリツク素子は、周波数ν０の入力光に対して
シ２＝シ０＋ν１なるν１、ν２の光出力を得、あるい
は周波数ν０とν１の光入力に対して周波数ν２＝ν０
＋ν１の光出力が得られる光パラメトリツク変換を行う
ものである。
この場合、光パラメトリツク素子の両側に対向して一部
透過可能なミラーを設けて、パラメトリックミキシング
装置を構成し、出力光を増幅するようにしている。
【発明が解決しようとする課題１
しかしながら、このような従来のパラメトリックミキシ
ング装置は、ミラーの間隔が大きいために、増幅率が少
なく、十分な光出力を得ることができないという問題点
があった。
この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
って、小型で、且つ増幅率が高く、効率の良い高効率エ
タロンパラメトリック素子及び高効率パラメトリックミ
キシング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
この発明は、パラメツトリツク素子自体に、出力光の高
反射コーティングを施してエタロンを構成し上記目的を
達成するものである。
又、この発明は、周波数ν０とν１の光を入力させ、波
長ν２＝ν０＋ν１の光出力を得るようにして上記目的
を達成するものである。
又、この発明は、光周波数ν０の光を入力させ、光周波
数シ０−シ１＋ν２なるν１、ν２の光出力を得られる
ようにし、ν１、ν２の少なくとも一方を高効率で発生
させることにより上記目的を達成するものである。
又、この発明は、各々がパラメトリック素子自体に、出
力光の高反射コーティングを施してなる光路長の異なる
複数の分割エタロンパラメトリック素子を、透過光軸に
対し直交する方向に積層して形成することにより上記目
的を達成するものである。
又、この発明は、前記複数の分割エタロンパラメトリッ
ク素子を、結晶軸の傾き角度を各々相違させて構成し上
記目的を達成するものである。
又、この発明は、上記複数の分割エタロンパラメトリッ
ク素子を、各々透過光軸方向に異なる長さとして上記目
的を達成するものである。
更にこの発明は、前記エタロンパラメトリック素子を、
薄板状圧電材料の両面に金属蒸着膜を施したピエゾエタ
ロンとし、同金属蒸着膜間に印加される電圧により、透
過光軸方向の厚さが変化されるようにして上記目的を達
成するものである。[Industrial Application Field] This invention relates to a highly efficient parametric mixing device. [Prior art l] An optical parametric element obtains optical outputs of ν1 and ν2, where S2 = S0 + ν1, for input light of frequency ν0, or outputs of ν1 and ν2 of frequency ν2 = ν0 for optical inputs of frequencies ν0 and ν1.
This is to perform optical parametric conversion to obtain an optical output of +v1. In this case, a parametric mixing device is constructed by providing partially transparent mirrors facing both sides of the optical parametric element to amplify the output light. Problem 1 to be Solved by the Invention However, such a conventional parametric mixing device has a problem in that the amplification factor is low due to the large spacing between the mirrors, making it impossible to obtain sufficient optical output. The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a high-efficiency etalon parametric element and a high-efficiency parametric mixing device that are small in size, have a high amplification factor, and are highly efficient. [Means for Solving the Problems] The present invention achieves the above object by forming an etalon by coating the parametric element itself with a highly reflective coating for output light. Further, the present invention achieves the above object by inputting light having frequencies ν0 and ν1 and obtaining a light output having a wavelength ν2=ν0+ν1. In addition, the present invention inputs light with an optical frequency ν0, makes it possible to obtain optical outputs ν1 and ν2 of the optical frequency σ0 - σ1 + ν2, and generates at least one of ν1 and ν2 with high efficiency. It accomplishes its purpose. Further, the present invention is formed by stacking a plurality of divided etalon parametric elements having different optical path lengths, each of which is coated with a high reflection coating for output light on the parametric element itself, in a direction perpendicular to the transmission optical axis. This achieves the above objective. Further, the present invention achieves the above object by configuring the plurality of divided etalon parametric elements with different inclination angles of crystal axes. Further, the present invention achieves the above object by setting the plurality of divided etalon parametric elements to have different lengths in the transmission optical axis direction. Furthermore, the present invention provides the etalon parametric element,
The above objective is achieved by using a piezo etalon in which a thin plate-shaped piezoelectric material is coated with a metal vapor deposited film on both sides, and the thickness in the transmission optical axis direction is changed by a voltage applied between the metal vapor deposited films. be.
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
この実施例は、第１図に示されるように、例えばＬＪＲ
ＥＡ結晶、β−８ａｚＢＯ４結晶からなる光パラメトリ
ツク素子１０の光軸方向両端面に出力光シ２の高反射コ
ーティングにより一部透過可能なミラー１２Ａ、１２Ｂ
を形成して、エタロンパラメトリック素子１４を構成す
ると共に、ダイクロツクミラー１６を介してレーザダイ
オード１８Ａ、１８Ｂから周波数ν。とν、の２つの入
力光をエタロンパラメトリック素子１４に入力させて、
周波数ν２＝ν０＋ν１の光出力を得るようにして、高
効率パラメトリック旦キシング装置を構成したものであ
る。
ここで、前記エタロンパラメトリック素子１４における
一対のミラ−１２Ａ１１２Ｂ間の距離は、出力光の周波
数ν２に対応させて決定する。
通常、第２図に示されるように、入力光に対して光出力
の共振周波数は複数あり、縦軸にエタロンの透過率Ｔ、
横軸に周波数νをとったとき、隣接する共振周波数のピ
ークの間隔をフリースペクトラルレンジ（ＦＳＲ）とし
、半値全幅をΔνとした場合、エタロンの性能を表わす
パラメータ、フィネス、Ｆ−ＦＳＲ／Δνとなる。
ここで、ＦＳＲは一対のミラー間が狭い程大きくなる。
従ってフィネスＦもミラー間の距離が小さい程大きくな
り、フィネス倍の高効率となる。
一方、通常、パラメトリック素子が大きく、入射光との
相互作用長が長い程、高効率で光周波数変換が行えるが
、上記第１図の実施例のように、光パラメトリツク索子
１０そのものの両端面にミラー１２Ａ、１２Ｂを形成す
ると、ＦＳＲは大きくなり、このため、エタロンパラメ
トリック素子１４のフィネスＦは、従来と比較して、大
幅に大きくなるので、小型でも高効率で光周波数変換が
可能となる。又装置は、光パラメトリツク素子１０その
ものに一部透過可能なミラー１２Ａ、１２Ｂが形成され
ているので、装置容積の小型化及び光学要素数の低減を
図ることができる。
特に、例えば、紫外光をできるだけ大出力で得たい場合
、通常はエキシマレーザ等が用いられるが、これは、大
型で高価であり、更にパルス発振のため連続光を得るこ
とができない。これに対して、連続光である紫外光を得
るためには、大型アルゴンレーザが用いられるが、これ
も大型且つ高価であるという問題点がある。
更にこれに対しては、レーザダイオードを入力光として
、これを紫外光に変換することも考えられるが、従来の
パラメトリックミキシング装置では変換効率が低いとい
う問題点があった。
上記実施例の場合は、エタロンパラメトリック素子１４
の変換効率が高いので、例えば第１図に示されるレーザ
ダイオード１８Ａを、ＡｆｆｌＧａＡＳレーザダイオー
ドとして８１０ｎｍの入力光を、レーザダイオード１８
ＢをＡｆｆｌＧａｌｎＰとして６７０ｎｍの入力光をダ
イクロツクミラ１６を介してエタロンパラメトリック素
子１４に入力させ、３６６．７ｎｍの紫外光である出力
光を得ることができ、更に、素子自体がエタロン素子で
あるので光周波数純度の高い出力光を得ることができる
。
なお、エタロンパラメトリック素子１４は、周波数ν１
用の、又はν１とν２の両方用の高反射コーティングに
より一部透過ミラーを施してもよい。又入力光をν０と
し、ν１とν２用の高反射コーティングを施したエタ゛
ロンパラメトリック素子からダイクロツクミラーを経て
、ν１とν２の出力光を得ることができる。
次に第３図に示される本発明の第２実施例につき説明す
る。
この第２実施例は、結晶軸及び光路長の異なる複数の分
割エタロンパラメトリック素子２２１〜２２ｎを透過光
軸に対して直交する方向に積層して、エタロンパラメト
リック素子２２を構成したものである。
ここで、前記分割エタロンパラメトリック素子２２１〜
２２ｎは、ファイバー状とされ、その両端にミラー１２
Ａ１１２Ｂが形成されている。
又これら分割エタロンパラメトリック素子２２１〜２２
ｎの結晶軸の長さは、入力光の周波数をν０とν１ｎと
した場合、パラメトリック変換によりν２ｎの周波数を
高効率で光出力するようにされている（ｎは整数）。又
、長さは、ν２．の光周波数に対応して大きなフィネス
が得られるようにしたエタロン構造となっている。
なお、入力光シ１、又はこれと入力光シ０をビーム状に
して、且つ、エタロンパラメトリック素子２２は第３図
で矢印で示されるように移動して、入力光の位置に対応
する分割エタロンパラメトリック素子２４１〜２４ｎの
いずれかを位置させて、効率よくシス１〜シ２ｎのいず
れかの光を得るようにしてもよい。
次に第４図に示される本発明の第３実臆例につき説明す
る。
この第３実施例は、前記第３図の第２実施例と同様に複
数の分割エタロンパラメトリック素子２４１〜２４ｎを
、透過光軸に直交する方向に積層してエタロンパラメト
リック素子２４を構成したものであり、シ０人力光に対
して、ν０＝ν１ｎ＋ν２ｎとなるν１ｎとν２ｎの出
力光を同時に、得ることができる。
この第３実施例においては、入力光の光周波数を変える
必要がない。又、入力光を分割エタロンパラメトリック
素子に対応するビーム状とし、エタロンパラメトリック
素子２４を光軸に直交方向に移動させ、所望の光だけを
得るようにしてもよい。
次に第５図に示される本発明の第４実施例につき説明す
る。
この第４実施例は、各々の分割エタロンパラメトリック
素子２６１〜２６ｎが、厚さが同じで結晶軸が異なり、
ピエゾ効果を有するような例えば３ａ Ｔｉ Ｏｓ結晶
、Ｌ！ Ｎｂ ０３結晶、Ｌ ｉ ＴａＯ３結晶等の光
学結晶をはじめとして、石英、ロッシェル塩、ＰＶＦカ
イナーフイルム等の圧電材料を用いてその両端に金属蒸
着膜からなる一部透過のミラー２８Ａ、２８Ｂを施し、
且つこれらミラー２８Ａ、２８Ｂ間に電源３０から電圧
を印加できるようにエタロンパラメトリック素子２６を
構成したものである。
この実施例の場合、一方の光入力の周波数をν１１から
ν１ｎに変化させたとき、これに対応して印加電圧を変
化させると、各分割エタロンパラメトリック素子２６１
〜２６ｎの光路長が変化し、対応した分割エタロンパラ
メトリック素子から、シス１〜シ２ｎのいずれかが光出
力されることになる。
ここで、前記金属蒸着膜からなるミラー２８Ａ、２８Ｂ
は、電気的には電圧を印加できる１！極として、又光学
的には一部透過可能な反！）′１ｔＩＩとして作用する
ように施す。
なお、この実施例においても、光入力を狭いビーム状と
し、エタロンパラメトリック素子２６を、所望の分割エ
タロンパラメトリック素子２６１〜２６ｎのいずれかを
選択するように平行移動するようにしてもよい。この場
合分割エタロンパラメトリック素子としては、ピエゾ素
子を用いる代わりに、素子自体がピエゾ効果をもつパラ
メトリック素子を用いる。
次に第６図に示される本発明の第５実施例について説明
する。
この実施例は、前記第５図に示されると同様の厚さが同
じで、結晶軸が異なり、ピエゾ効果を有する光学結晶等
からなる分割エタロンパラメトリック素子３２１〜３２
ｎを重ねて配置し、その両端に金属蒸着膜からなる一部
透過のミラー３４Ａ、３４Ｂを施し、これらミラー３４
Ａ、３４８間に１ｔａ３０から電圧を゛印加できるよう
にしてエタロンパラメトリック素子３２を構成したもの
である。
この実施例の場合は、光入力を波長ν０光とし、出力光
をν１ｎとν２ｎが、ダイクロツクミラー１６を経て得
られるようにされている。
従って、ν０の入力光に対して同時にν１ｎとν２ｎの
出力光を得ることができる。
又、この実施例においても、ν０の入力光を狭いビーム
状とし、分割エタロンパラメトリック素子３２１〜３２
ｎのいずれかに入力するように、エタロンバラメツトリ
ツク素子３２全体を図において上下動させ、所望の出力
光のみを効率的に得るようにしてもよい。
次に第７図に示される本発明の第６実施例について説明
する。
この第６実施例は、第１図の実施例におけるエタロンパ
ラメトリック素子１４の代わりにピエゾエタロンバラメ
トリック素子３６を配置したものである。
このピエゾエタロンバラメトリック素子３６の両側には
、電極を兼ねた一部透過のミラー３８Ａ１３８Ｂが蒸着
により形成され、両者間には電源３０から任意の電圧が
印加され得るように構成されている。
この実施例においては、電源３０からの印加電圧に対し
て出力光の周波数が一定範囲で変化され、且つ、その範
囲では、出力光の光周波数を精密に制御することができ
るという利点がある。
次に第８図に示される本発明の第７実施例について説明
する。
この第７実施例は、前記第７図の第６実施例と同様のビ
エゾエタロンバラメトツリク素子４０を用い、ν０の入
力光に対して、ダイクロツクミラー１６を経てν１及び
ν２の出力光を得るようにしたものである。
図の符号４２Ａ、４２Ｂは電極を兼ねた一部透過ミラー
を示す。
この実施例においても、電［３０からの印加電圧を変化
させることによって、出力光シ１及びν２の光周波数を
一定範囲で精密に制御することができる。
【発明の効果］
本発明は上記のように構成したので、小型で、且つ光学
要素の数を少なくして、高効率パラメトリック変換を行
うことができるという優れた効果を有する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment, as shown in FIG.
Mirrors 12A and 12B are provided on both end faces in the optical axis direction of the optical parametric element 10 made of an EA crystal and a β-8azBO4 crystal so that a portion of the output light beam 2 can be transmitted through a high reflection coating.
is formed to form the etalon parametric element 14, and the frequency ν is transmitted from the laser diodes 18A, 18B via the dichroic mirror 16. Two input lights, ν and ν, are input to the etalon parametric element 14,
A highly efficient parametric xing device is constructed so as to obtain an optical output with a frequency of ν2=ν0+ν1. Here, the distance between the pair of mirrors 12A112B in the etalon parametric element 14 is determined in accordance with the frequency ν2 of the output light. Normally, as shown in Figure 2, there are multiple resonant frequencies for the optical output relative to the input light, and the vertical axis represents the transmittance T of the etalon,
When the frequency ν is plotted on the horizontal axis, the free spectral range (FSR) is the interval between the peaks of adjacent resonant frequencies, and the full width at half maximum is Δν, the parameter representing the performance of the etalon, finesse, is F-FSR/Δν. Become. Here, the FSR increases as the distance between the pair of mirrors becomes narrower. Therefore, the smaller the distance between the mirrors, the greater the finesse F becomes, resulting in a higher efficiency than the finesse. On the other hand, normally, the larger the parametric element and the longer the interaction length with the incident light, the more efficient the optical frequency conversion can be. When the mirrors 12A and 12B are formed on the surface, the FSR increases, and therefore the finesse F of the etalon parametric element 14 becomes significantly larger than that of the conventional element, so it is possible to perform optical frequency conversion with high efficiency even with a small size. Become. Furthermore, since the optical parametric element 10 itself is formed with mirrors 12A and 12B that can partially transmit light, the device can be made smaller in volume and the number of optical elements can be reduced. In particular, for example, when it is desired to obtain ultraviolet light with as high output as possible, an excimer laser or the like is usually used, but this is large and expensive, and furthermore, it is not possible to obtain continuous light because of pulse oscillation. On the other hand, in order to obtain continuous ultraviolet light, a large argon laser is used, but this also has the problem of being large and expensive. Furthermore, to solve this problem, it is conceivable to use a laser diode as input light and convert it into ultraviolet light, but conventional parametric mixing devices have a problem in that the conversion efficiency is low. In the case of the above embodiment, the etalon parametric element 14
For example, the laser diode 18A shown in FIG.
By setting B to AfflGalnP, input light of 670 nm is input to the etalon parametric element 14 via the dichroic mirror 16, and output light that is ultraviolet light of 366.7 nm can be obtained.Furthermore, since the element itself is an etalon element, Output light with high optical frequency purity can be obtained. Note that the etalon parametric element 14 has a frequency ν1
A partially transmitting mirror may be provided with a high reflection coating for either ν1 and ν2. Further, input light is set to ν0, and output lights of ν1 and ν2 can be obtained through a dichroic mirror from an etalon parametric element coated with a high reflection coating for ν1 and ν2. Next, a second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described. In this second embodiment, an etalon parametric element 22 is constructed by stacking a plurality of divided etalon parametric elements 221 to 22n having different crystal axes and optical path lengths in a direction perpendicular to the transmission optical axis. Here, the divided etalon parametric elements 221 to
22n is in the form of a fiber, with mirrors 12 at both ends.
A112B is formed. Moreover, these divided etalon parametric elements 221 to 22
The length of the crystal axis n is such that when the frequencies of input light are v0 and v1n, the frequency of v2n is outputted with high efficiency by parametric conversion (n is an integer). Also, the length is ν2. It has an etalon structure that allows large finesse to be obtained in response to optical frequencies. Note that the input light beam 1 or this and the input light beam 0 are made into a beam, and the etalon parametric element 22 moves as shown by the arrow in FIG. Any one of the parametric elements 241 to 24n may be positioned to efficiently obtain any of the cis1 to ci2n lights. Next, a third practical example of the present invention shown in FIG. 4 will be explained. In this third embodiment, similarly to the second embodiment shown in FIG. 3, a plurality of divided etalon parametric elements 241 to 24n are stacked in a direction perpendicular to the transmission optical axis to form an etalon parametric element 24. Therefore, it is possible to simultaneously obtain output lights of ν1n and ν2n such that ν0=ν1n+ν2n for 0 human power light. In this third embodiment, there is no need to change the optical frequency of input light. Alternatively, the input light may be in the form of a beam corresponding to the split etalon parametric element, and the etalon parametric element 24 may be moved in a direction perpendicular to the optical axis to obtain only desired light. Next, a fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 5 will be described. In this fourth embodiment, each of the divided etalon parametric elements 261 to 26n has the same thickness but different crystal axes,
For example, a 3a TiOs crystal that has a piezo effect, L! Optical crystals such as Nb03 crystals and LiTaO3 crystals, as well as piezoelectric materials such as quartz, Rochelle salt, and PVF Kyner films are used, and partially transmitting mirrors 28A and 28B made of metal vapor deposited films are provided at both ends thereof.
Moreover, the etalon parametric element 26 is configured so that a voltage can be applied from a power source 30 between these mirrors 28A and 28B. In this embodiment, when the frequency of one optical input is changed from ν11 to ν1n, and the applied voltage is changed correspondingly, each divided etalon parametric element 261
The optical path length of ~26n changes, and any one of cis1 to ci2n is outputted from the corresponding split etalon parametric element. Here, the mirrors 28A and 28B made of the metal vapor deposited film are
is 1 which can electrically apply a voltage! As a polar and optically partially transparent anti! )'1tII. In this embodiment as well, the optical input may be in the form of a narrow beam, and the etalon parametric element 26 may be moved in parallel so as to select any one of the desired divided etalon parametric elements 261 to 26n. In this case, instead of using a piezo element as the divided etalon parametric element, a parametric element that itself has a piezo effect is used. Next, a fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 6 will be described. In this embodiment, split etalon parametric elements 321 to 32 are made of optical crystals having the same thickness, different crystal axes, and a piezo effect as shown in FIG.
mirrors 34A and 34B made of a metal vapor deposited film are placed on both ends of the mirrors 34A and 34B.
The etalon parametric element 32 is configured such that a voltage of 1ta30 can be applied between A and 348. In this embodiment, the optical input is the wavelength ν0 light, and the output lights ν1n and ν2n are obtained through the dichroic mirror 16. Therefore, output lights of ν1n and ν2n can be obtained simultaneously for input light of ν0. Also in this embodiment, the input light of ν0 is formed into a narrow beam, and the divided etalon parametric elements 321 to 32
The entire etalon parametric element 32 may be moved up and down in the figure so that only the desired output light can be efficiently obtained. Next, a sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 7 will be described. In this sixth embodiment, a piezo etalon parametric element 36 is arranged in place of the etalon parametric element 14 in the embodiment shown in FIG. Partially transparent mirrors 38A138B, which also serve as electrodes, are formed by vapor deposition on both sides of the piezo etalon barametric element 36, and are configured such that any voltage can be applied between them from the power source 30. This embodiment has the advantage that the frequency of the output light can be changed within a certain range with respect to the applied voltage from the power source 30, and that the optical frequency of the output light can be precisely controlled within that range. Next, a seventh embodiment of the present invention shown in FIG. 8 will be described. This seventh embodiment uses the same Biezo etalon parametric element 40 as in the sixth embodiment shown in FIG. It was designed to obtain Reference numerals 42A and 42B in the figure indicate partially transparent mirrors that also serve as electrodes. In this embodiment as well, the optical frequencies of the output light beams 1 and ν2 can be precisely controlled within a certain range by changing the applied voltage from the voltage source 30. [Effects of the Invention] Since the present invention is configured as described above, it has an excellent effect of being small in size, reducing the number of optical elements, and performing highly efficient parametric conversion.
第１図は本発明に係る高効率パラメトリック共キシング
装置の第１実施例を示す断面図、第２図は同実施例にお
ける光出力の透過率と波長との関係を示す線図、第３図
〜第８図は本発明の第２〜第７実施例を示す断面図であ
る。
１０・・・光パラメトリツク素子、
１２Ａ、１２Ｂ、２８Ａ、２８Ｂ１
３４Ａ、３４Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ ・・・４フー１
４．２２．２４．２６．３２
・・・エタロンパラメトリック素子、
１６・・・ダイクロツクミラ、
２２１〜２２ｎ１２４＋〜２４ｎ１
２６１〜２６ｎ、３２１〜３２ｎ
・・・分割エタロンパラメトリック素子、３６．４０・
・・ピエゾエタロンバラメトリック素子。
一
第４図
第５図FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a highly efficient parametric co-xing device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the transmittance of light output and wavelength in the same embodiment, and FIG. 8 are sectional views showing second to seventh embodiments of the present invention. 10... Optical parametric element, 12A, 12B, 28A, 28B1 34A, 34B, 42A, 42B...4 Fu1
4.22.24.26.32 ... etalon parametric element, 16 ... dichroic mirror, 221-22n124+-24n1 261-26n, 321-32n ... split etalon parametric element, 36.40.
...Piezo etalon balametric element. Figure 4 Figure 5
Claims (1)
ーティングを施してエタロンを構成してなる高効率エタ
ロンパラメトリツク素子。 （２）請求項１において、周波数ν＿０とν＿１の光を
入力させ、周波数ν＿２＝ν＿０＋ν＿１の光出力を得
るようにした高効率エタロンパラメトリツク素子。 （３）請求項１において、光周波数ν＿０の光を入力さ
せ、光周波数ν＿０＝ν＿１＋ν＿２なるν＿１、ν＿
２の光出力を得られるようにし、ν＿１、ν＿２の少な
くとも一方を高効率で発生するようにした高効率エタロ
ンパラメトリツク素子。 （４）請求項１、２又は３において、前記パラメトリッ
ク素子は、薄板状圧電材料の両面に金属蒸着膜を施した
ピエゾエタロンであり、両金属蒸着膜間に印加される電
圧により、透過光軸方向の厚さが変化されることを特徴
とする高効率エタロンパラメトリツク素子。（５）各々
がパラメトリック素子自体に、出力光の高反射コーティ
ングを施してなる光路長の異なる複数の分割エタロンパ
ラメトリツク素子を透過光軸に対し直交する方向に積層
して形成された高効率パラメトリックミキシング装置。 （６）請求項５において、前記複数の分割エタロンパラ
メトリツク素子は、結晶軸の傾き角度を各々相違させて
構成された高効率パラメトリックミキシング装置。 （７）請求項５において、前記複数の分割エタロンパラ
メトリツク素子は、各々透過光軸方向に異なる長さとさ
れた高効率パラメトリックミキシング装置。 （８）請求項５、６又は７において、前記エタロンパラ
メトリツク素子は、薄板状圧電材料の両面に金属蒸着膜
を施したピエゾエタロンであり、両金属蒸着膜間に印加
される電圧により、透過光軸方向の厚さが変化される高
効率パラメトリックミキシング装置。[Scope of Claims] (1) A highly efficient etalon parametric element comprising an etalon formed by coating the parametric element itself with a highly reflective coating for output light. (2) A high-efficiency etalon parametric element according to claim 1, wherein light at frequencies ν_0 and ν_1 is inputted to obtain a light output at frequency ν_2=ν_0+ν_1. (3) In claim 1, light with an optical frequency ν_0 is input, and the optical frequencies ν_1, ν_2 are ν_1, ν_2.
A high-efficiency etalon parametric element capable of obtaining a light output of 2 and generating at least one of ν_1 and ν_2 with high efficiency. (4) In claim 1, 2, or 3, the parametric element is a piezo etalon in which a thin plate-shaped piezoelectric material is coated with a metal vapor deposited film on both sides, and the transmission optical axis is A high-efficiency etalon parametric element characterized by variable thickness in the direction. (5) High-efficiency parametric elements formed by stacking multiple split etalon parametric elements with different optical path lengths in a direction perpendicular to the transmitted optical axis, each of which is coated with a highly reflective coating for output light. mixing equipment. (6) A high-efficiency parametric mixing device according to claim 5, wherein the plurality of divided etalon parametric elements are configured with crystal axes having different inclination angles. (7) A high-efficiency parametric mixing device according to claim 5, wherein the plurality of divided etalon parametric elements each have a different length in the transmission optical axis direction. (8) In claim 5, 6, or 7, the etalon parametric element is a piezo etalon in which a thin plate-like piezoelectric material is coated with a metal vapor deposited film on both sides, and a voltage applied between both the metal vapor deposited films allows transmission to occur. A highly efficient parametric mixing device that changes the thickness in the optical axis direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202583A JP2771271B2 (en) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | High efficiency etalon parametric element and high efficiency parametric mixing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202583A JP2771271B2 (en) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | High efficiency etalon parametric element and high efficiency parametric mixing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365931A true JPH0365931A (en) | 1991-03-20 |
| JP2771271B2 JP2771271B2 (en) | 1998-07-02 |
Family
ID=16459890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202583A Expired - Fee Related JP2771271B2 (en) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | High efficiency etalon parametric element and high efficiency parametric mixing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771271B2 (en) |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1202583A patent/JP2771271B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771271B2 (en) | 1998-07-02 |
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