JPH0365931A - 高効率エタロンパラメトリツク素子及び高効率パラメトリツクミキシング装置 - Google Patents
高効率エタロンパラメトリツク素子及び高効率パラメトリツクミキシング装置Info
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- JPH0365931A JPH0365931A JP20258389A JP20258389A JPH0365931A JP H0365931 A JPH0365931 A JP H0365931A JP 20258389 A JP20258389 A JP 20258389A JP 20258389 A JP20258389 A JP 20258389A JP H0365931 A JPH0365931 A JP H0365931A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野］
この発明は高効率パラメトリックミキシング装置に関す
る。 【従来の技術ｌ 光パラメトリツク素子は、周波数ν０の入力光に対して
シ２＝シ０＋ν１なるν１、ν２の光出力を得、あるい
は周波数ν０とν１の光入力に対して周波数ν２＝ν０
＋ν１の光出力が得られる光パラメトリツク変換を行う
ものである。 この場合、光パラメトリツク素子の両側に対向して一部
透過可能なミラーを設けて、パラメトリックミキシング
装置を構成し、出力光を増幅するようにしている。 【発明が解決しようとする課題１ しかしながら、このような従来のパラメトリックミキシ
ング装置は、ミラーの間隔が大きいために、増幅率が少
なく、十分な光出力を得ることができないという問題点
があった。 この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
って、小型で、且つ増幅率が高く、効率の良い高効率エ
タロンパラメトリック素子及び高効率パラメトリックミ
キシング装置を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 この発明は、パラメツトリツク素子自体に、出力光の高
反射コーティングを施してエタロンを構成し上記目的を
達成するものである。 又、この発明は、周波数ν０とν１の光を入力させ、波
長ν２＝ν０＋ν１の光出力を得るようにして上記目的
を達成するものである。 又、この発明は、光周波数ν０の光を入力させ、光周波
数シ０−シ１＋ν２なるν１、ν２の光出力を得られる
ようにし、ν１、ν２の少なくとも一方を高効率で発生
させることにより上記目的を達成するものである。 又、この発明は、各々がパラメトリック素子自体に、出
力光の高反射コーティングを施してなる光路長の異なる
複数の分割エタロンパラメトリック素子を、透過光軸に
対し直交する方向に積層して形成することにより上記目
的を達成するものである。 又、この発明は、前記複数の分割エタロンパラメトリッ
ク素子を、結晶軸の傾き角度を各々相違させて構成し上
記目的を達成するものである。 又、この発明は、上記複数の分割エタロンパラメトリッ
ク素子を、各々透過光軸方向に異なる長さとして上記目
的を達成するものである。 更にこの発明は、前記エタロンパラメトリック素子を、
薄板状圧電材料の両面に金属蒸着膜を施したピエゾエタ
ロンとし、同金属蒸着膜間に印加される電圧により、透
過光軸方向の厚さが変化されるようにして上記目的を達
成するものである。
る。 【従来の技術ｌ 光パラメトリツク素子は、周波数ν０の入力光に対して
シ２＝シ０＋ν１なるν１、ν２の光出力を得、あるい
は周波数ν０とν１の光入力に対して周波数ν２＝ν０
＋ν１の光出力が得られる光パラメトリツク変換を行う
ものである。 この場合、光パラメトリツク素子の両側に対向して一部
透過可能なミラーを設けて、パラメトリックミキシング
装置を構成し、出力光を増幅するようにしている。 【発明が解決しようとする課題１ しかしながら、このような従来のパラメトリックミキシ
ング装置は、ミラーの間隔が大きいために、増幅率が少
なく、十分な光出力を得ることができないという問題点
があった。 この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
って、小型で、且つ増幅率が高く、効率の良い高効率エ
タロンパラメトリック素子及び高効率パラメトリックミ
キシング装置を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 この発明は、パラメツトリツク素子自体に、出力光の高
反射コーティングを施してエタロンを構成し上記目的を
達成するものである。 又、この発明は、周波数ν０とν１の光を入力させ、波
長ν２＝ν０＋ν１の光出力を得るようにして上記目的
を達成するものである。 又、この発明は、光周波数ν０の光を入力させ、光周波
数シ０−シ１＋ν２なるν１、ν２の光出力を得られる
ようにし、ν１、ν２の少なくとも一方を高効率で発生
させることにより上記目的を達成するものである。 又、この発明は、各々がパラメトリック素子自体に、出
力光の高反射コーティングを施してなる光路長の異なる
複数の分割エタロンパラメトリック素子を、透過光軸に
対し直交する方向に積層して形成することにより上記目
的を達成するものである。 又、この発明は、前記複数の分割エタロンパラメトリッ
ク素子を、結晶軸の傾き角度を各々相違させて構成し上
記目的を達成するものである。 又、この発明は、上記複数の分割エタロンパラメトリッ
ク素子を、各々透過光軸方向に異なる長さとして上記目
的を達成するものである。 更にこの発明は、前記エタロンパラメトリック素子を、
薄板状圧電材料の両面に金属蒸着膜を施したピエゾエタ
ロンとし、同金属蒸着膜間に印加される電圧により、透
過光軸方向の厚さが変化されるようにして上記目的を達
成するものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
この実施例は、第１図に示されるように、例えばＬＪＲ
ＥＡ結晶、β−８ａｚＢＯ４結晶からなる光パラメトリ
ツク素子１０の光軸方向両端面に出力光シ２の高反射コ
ーティングにより一部透過可能なミラー１２Ａ、１２Ｂ
を形成して、エタロンパラメトリック素子１４を構成す
ると共に、ダイクロツクミラー１６を介してレーザダイ
オード１８Ａ、１８Ｂから周波数ν。とν、の２つの入
力光をエタロンパラメトリック素子１４に入力させて、
周波数ν２＝ν０＋ν１の光出力を得るようにして、高
効率パラメトリック旦キシング装置を構成したものであ
る。 ここで、前記エタロンパラメトリック素子１４における
一対のミラ−１２Ａ１１２Ｂ間の距離は、出力光の周波
数ν２に対応させて決定する。 通常、第２図に示されるように、入力光に対して光出力
の共振周波数は複数あり、縦軸にエタロンの透過率Ｔ、
横軸に周波数νをとったとき、隣接する共振周波数のピ
ークの間隔をフリースペクトラルレンジ（ＦＳＲ）とし
、半値全幅をΔνとした場合、エタロンの性能を表わす
パラメータ、フィネス、Ｆ−ＦＳＲ／Δνとなる。 ここで、ＦＳＲは一対のミラー間が狭い程大きくなる。 従ってフィネスＦもミラー間の距離が小さい程大きくな
り、フィネス倍の高効率となる。 一方、通常、パラメトリック素子が大きく、入射光との
相互作用長が長い程、高効率で光周波数変換が行えるが
、上記第１図の実施例のように、光パラメトリツク索子
１０そのものの両端面にミラー１２Ａ、１２Ｂを形成す
ると、ＦＳＲは大きくなり、このため、エタロンパラメ
トリック素子１４のフィネスＦは、従来と比較して、大
幅に大きくなるので、小型でも高効率で光周波数変換が
可能となる。又装置は、光パラメトリツク素子１０その
ものに一部透過可能なミラー１２Ａ、１２Ｂが形成され
ているので、装置容積の小型化及び光学要素数の低減を
図ることができる。 特に、例えば、紫外光をできるだけ大出力で得たい場合
、通常はエキシマレーザ等が用いられるが、これは、大
型で高価であり、更にパルス発振のため連続光を得るこ
とができない。これに対して、連続光である紫外光を得
るためには、大型アルゴンレーザが用いられるが、これ
も大型且つ高価であるという問題点がある。 更にこれに対しては、レーザダイオードを入力光として
、これを紫外光に変換することも考えられるが、従来の
パラメトリックミキシング装置では変換効率が低いとい
う問題点があった。 上記実施例の場合は、エタロンパラメトリック素子１４
の変換効率が高いので、例えば第１図に示されるレーザ
ダイオード１８Ａを、ＡｆｆｌＧａＡＳレーザダイオー
ドとして８１０ｎｍの入力光を、レーザダイオード１８
ＢをＡｆｆｌＧａｌｎＰとして６７０ｎｍの入力光をダ
イクロツクミラ１６を介してエタロンパラメトリック素
子１４に入力させ、３６６．７ｎｍの紫外光である出力
光を得ることができ、更に、素子自体がエタロン素子で
あるので光周波数純度の高い出力光を得ることができる
。 なお、エタロンパラメトリック素子１４は、周波数ν１
用の、又はν１とν２の両方用の高反射コーティングに
より一部透過ミラーを施してもよい。又入力光をν０と
し、ν１とν２用の高反射コーティングを施したエタ゛
ロンパラメトリック素子からダイクロツクミラーを経て
、ν１とν２の出力光を得ることができる。 次に第３図に示される本発明の第２実施例につき説明す
る。 この第２実施例は、結晶軸及び光路長の異なる複数の分
割エタロンパラメトリック素子２２１〜２２ｎを透過光
軸に対して直交する方向に積層して、エタロンパラメト
リック素子２２を構成したものである。 ここで、前記分割エタロンパラメトリック素子２２１〜
２２ｎは、ファイバー状とされ、その両端にミラー１２
Ａ１１２Ｂが形成されている。 又これら分割エタロンパラメトリック素子２２１〜２２
ｎの結晶軸の長さは、入力光の周波数をν０とν１ｎと
した場合、パラメトリック変換によりν２ｎの周波数を
高効率で光出力するようにされている（ｎは整数）。又
、長さは、ν２．の光周波数に対応して大きなフィネス
が得られるようにしたエタロン構造となっている。 なお、入力光シ１、又はこれと入力光シ０をビーム状に
して、且つ、エタロンパラメトリック素子２２は第３図
で矢印で示されるように移動して、入力光の位置に対応
する分割エタロンパラメトリック素子２４１〜２４ｎの
いずれかを位置させて、効率よくシス１〜シ２ｎのいず
れかの光を得るようにしてもよい。 次に第４図に示される本発明の第３実臆例につき説明す
る。 この第３実施例は、前記第３図の第２実施例と同様に複
数の分割エタロンパラメトリック素子２４１〜２４ｎを
、透過光軸に直交する方向に積層してエタロンパラメト
リック素子２４を構成したものであり、シ０人力光に対
して、ν０＝ν１ｎ＋ν２ｎとなるν１ｎとν２ｎの出
力光を同時に、得ることができる。 この第３実施例においては、入力光の光周波数を変える
必要がない。又、入力光を分割エタロンパラメトリック
素子に対応するビーム状とし、エタロンパラメトリック
素子２４を光軸に直交方向に移動させ、所望の光だけを
得るようにしてもよい。 次に第５図に示される本発明の第４実施例につき説明す
る。 この第４実施例は、各々の分割エタロンパラメトリック
素子２６１〜２６ｎが、厚さが同じで結晶軸が異なり、
ピエゾ効果を有するような例えば３ａ Ｔｉ Ｏｓ結晶
、Ｌ！ Ｎｂ ０３結晶、Ｌ ｉ ＴａＯ３結晶等の光
学結晶をはじめとして、石英、ロッシェル塩、ＰＶＦカ
イナーフイルム等の圧電材料を用いてその両端に金属蒸
着膜からなる一部透過のミラー２８Ａ、２８Ｂを施し、
且つこれらミラー２８Ａ、２８Ｂ間に電源３０から電圧
を印加できるようにエタロンパラメトリック素子２６を
構成したものである。 この実施例の場合、一方の光入力の周波数をν１１から
ν１ｎに変化させたとき、これに対応して印加電圧を変
化させると、各分割エタロンパラメトリック素子２６１
〜２６ｎの光路長が変化し、対応した分割エタロンパラ
メトリック素子から、シス１〜シ２ｎのいずれかが光出
力されることになる。 ここで、前記金属蒸着膜からなるミラー２８Ａ、２８Ｂ
は、電気的には電圧を印加できる１！極として、又光学
的には一部透過可能な反！）′１ｔＩＩとして作用する
ように施す。 なお、この実施例においても、光入力を狭いビーム状と
し、エタロンパラメトリック素子２６を、所望の分割エ
タロンパラメトリック素子２６１〜２６ｎのいずれかを
選択するように平行移動するようにしてもよい。この場
合分割エタロンパラメトリック素子としては、ピエゾ素
子を用いる代わりに、素子自体がピエゾ効果をもつパラ
メトリック素子を用いる。 次に第６図に示される本発明の第５実施例について説明
する。 この実施例は、前記第５図に示されると同様の厚さが同
じで、結晶軸が異なり、ピエゾ効果を有する光学結晶等
からなる分割エタロンパラメトリック素子３２１〜３２
ｎを重ねて配置し、その両端に金属蒸着膜からなる一部
透過のミラー３４Ａ、３４Ｂを施し、これらミラー３４
Ａ、３４８間に１ｔａ３０から電圧を゛印加できるよう
にしてエタロンパラメトリック素子３２を構成したもの
である。 この実施例の場合は、光入力を波長ν０光とし、出力光
をν１ｎとν２ｎが、ダイクロツクミラー１６を経て得
られるようにされている。 従って、ν０の入力光に対して同時にν１ｎとν２ｎの
出力光を得ることができる。 又、この実施例においても、ν０の入力光を狭いビーム
状とし、分割エタロンパラメトリック素子３２１〜３２
ｎのいずれかに入力するように、エタロンバラメツトリ
ツク素子３２全体を図において上下動させ、所望の出力
光のみを効率的に得るようにしてもよい。 次に第７図に示される本発明の第６実施例について説明
する。 この第６実施例は、第１図の実施例におけるエタロンパ
ラメトリック素子１４の代わりにピエゾエタロンバラメ
トリック素子３６を配置したものである。 このピエゾエタロンバラメトリック素子３６の両側には
、電極を兼ねた一部透過のミラー３８Ａ１３８Ｂが蒸着
により形成され、両者間には電源３０から任意の電圧が
印加され得るように構成されている。 この実施例においては、電源３０からの印加電圧に対し
て出力光の周波数が一定範囲で変化され、且つ、その範
囲では、出力光の光周波数を精密に制御することができ
るという利点がある。 次に第８図に示される本発明の第７実施例について説明
する。 この第７実施例は、前記第７図の第６実施例と同様のビ
エゾエタロンバラメトツリク素子４０を用い、ν０の入
力光に対して、ダイクロツクミラー１６を経てν１及び
ν２の出力光を得るようにしたものである。 図の符号４２Ａ、４２Ｂは電極を兼ねた一部透過ミラー
を示す。 この実施例においても、電［３０からの印加電圧を変化
させることによって、出力光シ１及びν２の光周波数を
一定範囲で精密に制御することができる。 【発明の効果］ 本発明は上記のように構成したので、小型で、且つ光学
要素の数を少なくして、高効率パラメトリック変換を行
うことができるという優れた効果を有する。
ＥＡ結晶、β−８ａｚＢＯ４結晶からなる光パラメトリ
ツク素子１０の光軸方向両端面に出力光シ２の高反射コ
ーティングにより一部透過可能なミラー１２Ａ、１２Ｂ
を形成して、エタロンパラメトリック素子１４を構成す
ると共に、ダイクロツクミラー１６を介してレーザダイ
オード１８Ａ、１８Ｂから周波数ν。とν、の２つの入
力光をエタロンパラメトリック素子１４に入力させて、
周波数ν２＝ν０＋ν１の光出力を得るようにして、高
効率パラメトリック旦キシング装置を構成したものであ
る。 ここで、前記エタロンパラメトリック素子１４における
一対のミラ−１２Ａ１１２Ｂ間の距離は、出力光の周波
数ν２に対応させて決定する。 通常、第２図に示されるように、入力光に対して光出力
の共振周波数は複数あり、縦軸にエタロンの透過率Ｔ、
横軸に周波数νをとったとき、隣接する共振周波数のピ
ークの間隔をフリースペクトラルレンジ（ＦＳＲ）とし
、半値全幅をΔνとした場合、エタロンの性能を表わす
パラメータ、フィネス、Ｆ−ＦＳＲ／Δνとなる。 ここで、ＦＳＲは一対のミラー間が狭い程大きくなる。 従ってフィネスＦもミラー間の距離が小さい程大きくな
り、フィネス倍の高効率となる。 一方、通常、パラメトリック素子が大きく、入射光との
相互作用長が長い程、高効率で光周波数変換が行えるが
、上記第１図の実施例のように、光パラメトリツク索子
１０そのものの両端面にミラー１２Ａ、１２Ｂを形成す
ると、ＦＳＲは大きくなり、このため、エタロンパラメ
トリック素子１４のフィネスＦは、従来と比較して、大
幅に大きくなるので、小型でも高効率で光周波数変換が
可能となる。又装置は、光パラメトリツク素子１０その
ものに一部透過可能なミラー１２Ａ、１２Ｂが形成され
ているので、装置容積の小型化及び光学要素数の低減を
図ることができる。 特に、例えば、紫外光をできるだけ大出力で得たい場合
、通常はエキシマレーザ等が用いられるが、これは、大
型で高価であり、更にパルス発振のため連続光を得るこ
とができない。これに対して、連続光である紫外光を得
るためには、大型アルゴンレーザが用いられるが、これ
も大型且つ高価であるという問題点がある。 更にこれに対しては、レーザダイオードを入力光として
、これを紫外光に変換することも考えられるが、従来の
パラメトリックミキシング装置では変換効率が低いとい
う問題点があった。 上記実施例の場合は、エタロンパラメトリック素子１４
の変換効率が高いので、例えば第１図に示されるレーザ
ダイオード１８Ａを、ＡｆｆｌＧａＡＳレーザダイオー
ドとして８１０ｎｍの入力光を、レーザダイオード１８
ＢをＡｆｆｌＧａｌｎＰとして６７０ｎｍの入力光をダ
イクロツクミラ１６を介してエタロンパラメトリック素
子１４に入力させ、３６６．７ｎｍの紫外光である出力
光を得ることができ、更に、素子自体がエタロン素子で
あるので光周波数純度の高い出力光を得ることができる
。 なお、エタロンパラメトリック素子１４は、周波数ν１
用の、又はν１とν２の両方用の高反射コーティングに
より一部透過ミラーを施してもよい。又入力光をν０と
し、ν１とν２用の高反射コーティングを施したエタ゛
ロンパラメトリック素子からダイクロツクミラーを経て
、ν１とν２の出力光を得ることができる。 次に第３図に示される本発明の第２実施例につき説明す
る。 この第２実施例は、結晶軸及び光路長の異なる複数の分
割エタロンパラメトリック素子２２１〜２２ｎを透過光
軸に対して直交する方向に積層して、エタロンパラメト
リック素子２２を構成したものである。 ここで、前記分割エタロンパラメトリック素子２２１〜
２２ｎは、ファイバー状とされ、その両端にミラー１２
Ａ１１２Ｂが形成されている。 又これら分割エタロンパラメトリック素子２２１〜２２
ｎの結晶軸の長さは、入力光の周波数をν０とν１ｎと
した場合、パラメトリック変換によりν２ｎの周波数を
高効率で光出力するようにされている（ｎは整数）。又
、長さは、ν２．の光周波数に対応して大きなフィネス
が得られるようにしたエタロン構造となっている。 なお、入力光シ１、又はこれと入力光シ０をビーム状に
して、且つ、エタロンパラメトリック素子２２は第３図
で矢印で示されるように移動して、入力光の位置に対応
する分割エタロンパラメトリック素子２４１〜２４ｎの
いずれかを位置させて、効率よくシス１〜シ２ｎのいず
れかの光を得るようにしてもよい。 次に第４図に示される本発明の第３実臆例につき説明す
る。 この第３実施例は、前記第３図の第２実施例と同様に複
数の分割エタロンパラメトリック素子２４１〜２４ｎを
、透過光軸に直交する方向に積層してエタロンパラメト
リック素子２４を構成したものであり、シ０人力光に対
して、ν０＝ν１ｎ＋ν２ｎとなるν１ｎとν２ｎの出
力光を同時に、得ることができる。 この第３実施例においては、入力光の光周波数を変える
必要がない。又、入力光を分割エタロンパラメトリック
素子に対応するビーム状とし、エタロンパラメトリック
素子２４を光軸に直交方向に移動させ、所望の光だけを
得るようにしてもよい。 次に第５図に示される本発明の第４実施例につき説明す
る。 この第４実施例は、各々の分割エタロンパラメトリック
素子２６１〜２６ｎが、厚さが同じで結晶軸が異なり、
ピエゾ効果を有するような例えば３ａ Ｔｉ Ｏｓ結晶
、Ｌ！ Ｎｂ ０３結晶、Ｌ ｉ ＴａＯ３結晶等の光
学結晶をはじめとして、石英、ロッシェル塩、ＰＶＦカ
イナーフイルム等の圧電材料を用いてその両端に金属蒸
着膜からなる一部透過のミラー２８Ａ、２８Ｂを施し、
且つこれらミラー２８Ａ、２８Ｂ間に電源３０から電圧
を印加できるようにエタロンパラメトリック素子２６を
構成したものである。 この実施例の場合、一方の光入力の周波数をν１１から
ν１ｎに変化させたとき、これに対応して印加電圧を変
化させると、各分割エタロンパラメトリック素子２６１
〜２６ｎの光路長が変化し、対応した分割エタロンパラ
メトリック素子から、シス１〜シ２ｎのいずれかが光出
力されることになる。 ここで、前記金属蒸着膜からなるミラー２８Ａ、２８Ｂ
は、電気的には電圧を印加できる１！極として、又光学
的には一部透過可能な反！）′１ｔＩＩとして作用する
ように施す。 なお、この実施例においても、光入力を狭いビーム状と
し、エタロンパラメトリック素子２６を、所望の分割エ
タロンパラメトリック素子２６１〜２６ｎのいずれかを
選択するように平行移動するようにしてもよい。この場
合分割エタロンパラメトリック素子としては、ピエゾ素
子を用いる代わりに、素子自体がピエゾ効果をもつパラ
メトリック素子を用いる。 次に第６図に示される本発明の第５実施例について説明
する。 この実施例は、前記第５図に示されると同様の厚さが同
じで、結晶軸が異なり、ピエゾ効果を有する光学結晶等
からなる分割エタロンパラメトリック素子３２１〜３２
ｎを重ねて配置し、その両端に金属蒸着膜からなる一部
透過のミラー３４Ａ、３４Ｂを施し、これらミラー３４
Ａ、３４８間に１ｔａ３０から電圧を゛印加できるよう
にしてエタロンパラメトリック素子３２を構成したもの
である。 この実施例の場合は、光入力を波長ν０光とし、出力光
をν１ｎとν２ｎが、ダイクロツクミラー１６を経て得
られるようにされている。 従って、ν０の入力光に対して同時にν１ｎとν２ｎの
出力光を得ることができる。 又、この実施例においても、ν０の入力光を狭いビーム
状とし、分割エタロンパラメトリック素子３２１〜３２
ｎのいずれかに入力するように、エタロンバラメツトリ
ツク素子３２全体を図において上下動させ、所望の出力
光のみを効率的に得るようにしてもよい。 次に第７図に示される本発明の第６実施例について説明
する。 この第６実施例は、第１図の実施例におけるエタロンパ
ラメトリック素子１４の代わりにピエゾエタロンバラメ
トリック素子３６を配置したものである。 このピエゾエタロンバラメトリック素子３６の両側には
、電極を兼ねた一部透過のミラー３８Ａ１３８Ｂが蒸着
により形成され、両者間には電源３０から任意の電圧が
印加され得るように構成されている。 この実施例においては、電源３０からの印加電圧に対し
て出力光の周波数が一定範囲で変化され、且つ、その範
囲では、出力光の光周波数を精密に制御することができ
るという利点がある。 次に第８図に示される本発明の第７実施例について説明
する。 この第７実施例は、前記第７図の第６実施例と同様のビ
エゾエタロンバラメトツリク素子４０を用い、ν０の入
力光に対して、ダイクロツクミラー１６を経てν１及び
ν２の出力光を得るようにしたものである。 図の符号４２Ａ、４２Ｂは電極を兼ねた一部透過ミラー
を示す。 この実施例においても、電［３０からの印加電圧を変化
させることによって、出力光シ１及びν２の光周波数を
一定範囲で精密に制御することができる。 【発明の効果］ 本発明は上記のように構成したので、小型で、且つ光学
要素の数を少なくして、高効率パラメトリック変換を行
うことができるという優れた効果を有する。
第１図は本発明に係る高効率パラメトリック共キシング
装置の第１実施例を示す断面図、第２図は同実施例にお
ける光出力の透過率と波長との関係を示す線図、第３図
〜第８図は本発明の第２〜第７実施例を示す断面図であ
る。 １０・・・光パラメトリツク素子、 １２Ａ、１２Ｂ、２８Ａ、２８Ｂ１ ３４Ａ、３４Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ ・・・４フー１
４．２２．２４．２６．３２ ・・・エタロンパラメトリック素子、 １６・・・ダイクロツクミラ、 ２２１〜２２ｎ１２４＋〜２４ｎ１ ２６１〜２６ｎ、３２１〜３２ｎ ・・・分割エタロンパラメトリック素子、３６．４０・
・・ピエゾエタロンバラメトリック素子。 一 第４図 第５図
装置の第１実施例を示す断面図、第２図は同実施例にお
ける光出力の透過率と波長との関係を示す線図、第３図
〜第８図は本発明の第２〜第７実施例を示す断面図であ
る。 １０・・・光パラメトリツク素子、 １２Ａ、１２Ｂ、２８Ａ、２８Ｂ１ ３４Ａ、３４Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ ・・・４フー１
４．２２．２４．２６．３２ ・・・エタロンパラメトリック素子、 １６・・・ダイクロツクミラ、 ２２１〜２２ｎ１２４＋〜２４ｎ１ ２６１〜２６ｎ、３２１〜３２ｎ ・・・分割エタロンパラメトリック素子、３６．４０・
・・ピエゾエタロンバラメトリック素子。 一 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）パラメツトリツク素子自体に、出力光の高反射コ
ーティングを施してエタロンを構成してなる高効率エタ
ロンパラメトリツク素子。 （２）請求項１において、周波数ν＿０とν＿１の光を
入力させ、周波数ν＿２＝ν＿０＋ν＿１の光出力を得
るようにした高効率エタロンパラメトリツク素子。 （３）請求項１において、光周波数ν＿０の光を入力さ
せ、光周波数ν＿０＝ν＿１＋ν＿２なるν＿１、ν＿
２の光出力を得られるようにし、ν＿１、ν＿２の少な
くとも一方を高効率で発生するようにした高効率エタロ
ンパラメトリツク素子。 （４）請求項１、２又は３において、前記パラメトリッ
ク素子は、薄板状圧電材料の両面に金属蒸着膜を施した
ピエゾエタロンであり、両金属蒸着膜間に印加される電
圧により、透過光軸方向の厚さが変化されることを特徴
とする高効率エタロンパラメトリツク素子。（５）各々
がパラメトリック素子自体に、出力光の高反射コーティ
ングを施してなる光路長の異なる複数の分割エタロンパ
ラメトリツク素子を透過光軸に対し直交する方向に積層
して形成された高効率パラメトリックミキシング装置。 （６）請求項５において、前記複数の分割エタロンパラ
メトリツク素子は、結晶軸の傾き角度を各々相違させて
構成された高効率パラメトリックミキシング装置。 （７）請求項５において、前記複数の分割エタロンパラ
メトリツク素子は、各々透過光軸方向に異なる長さとさ
れた高効率パラメトリックミキシング装置。 （８）請求項５、６又は７において、前記エタロンパラ
メトリツク素子は、薄板状圧電材料の両面に金属蒸着膜
を施したピエゾエタロンであり、両金属蒸着膜間に印加
される電圧により、透過光軸方向の厚さが変化される高
効率パラメトリックミキシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202583A JP2771271B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 高効率エタロンパラメトリツク素子及び高効率パラメトリツクミキシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202583A JP2771271B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 高効率エタロンパラメトリツク素子及び高効率パラメトリツクミキシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365931A true JPH0365931A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2771271B2 JP2771271B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=16459890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202583A Expired - Fee Related JP2771271B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 高効率エタロンパラメトリツク素子及び高効率パラメトリツクミキシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771271B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1202583A patent/JP2771271B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771271B2 (ja) | 1998-07-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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