JPH0366012A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH0366012A JPH0366012A JP20120389A JP20120389A JPH0366012A JP H0366012 A JPH0366012 A JP H0366012A JP 20120389 A JP20120389 A JP 20120389A JP 20120389 A JP20120389 A JP 20120389A JP H0366012 A JPH0366012 A JP H0366012A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情報を、磁
気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子と略記する〉を具備した磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略記する〉に関するもので
ある。
気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子と略記する〉を具備した磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略記する〉に関するもので
ある。
［従来の技術］
周知の如く、ＭＲ素子を磁気記憶媒体に書き込まれた磁
気的情報に対して線形応答性を呈する高効率の再生専用
磁気ヘッドとして使用する場合には、ＭＲ素子に流すセ
ンス電流ＩとＭＲ素子の磁化Ｍのなす角度θ（以下、バ
イアス角度と呼ぶ〉を所定の値（望ましくは４５度〉に
設定するバイアス手段を具備しなければならない。
気的情報に対して線形応答性を呈する高効率の再生専用
磁気ヘッドとして使用する場合には、ＭＲ素子に流すセ
ンス電流ＩとＭＲ素子の磁化Ｍのなす角度θ（以下、バ
イアス角度と呼ぶ〉を所定の値（望ましくは４５度〉に
設定するバイアス手段を具備しなければならない。
上述のバイアス手段としては、種々の方法が開示されて
いるが、この中で実願昭５９−０４８２０１号あるいは
特願昭６２−０７２０５４＠に開示されたＭＲヘッドに
おいては、ＭＲ素子上に非磁性導体層と非晶質軟磁性体
層（例えばＣＯＺｒＭＯ膜）とを順次積層した構造によ
り良好なバイアス角度θが得られ、線形応答性に優れた
ＭＲヘッドが実現できることが示されている。
いるが、この中で実願昭５９−０４８２０１号あるいは
特願昭６２−０７２０５４＠に開示されたＭＲヘッドに
おいては、ＭＲ素子上に非磁性導体層と非晶質軟磁性体
層（例えばＣＯＺｒＭＯ膜）とを順次積層した構造によ
り良好なバイアス角度θが得られ、線形応答性に優れた
ＭＲヘッドが実現できることが示されている。
即ち、第４図に示すように、ガラス、フェライト等から
なる表面の滑らかな絶縁性基板（図示せず〉上に、スパ
ッタ法ないしは蒸着法により、強磁性体薄膜からなるＭ
Ｒ素子１（例えば膜厚２００〜５００Ａ（７）Ｎ ｉ
Ｆｅ合金）を形成し、前記ＭＲ素子１上にＴｉ、ＭＯ，
Ｃｒ等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、さらに
前記非磁性導体層２上に非晶質軟磁性体層５を同様な方
法で形成した構造を有するＭＲヘッドを開示している。
なる表面の滑らかな絶縁性基板（図示せず〉上に、スパ
ッタ法ないしは蒸着法により、強磁性体薄膜からなるＭ
Ｒ素子１（例えば膜厚２００〜５００Ａ（７）Ｎ ｉ
Ｆｅ合金）を形成し、前記ＭＲ素子１上にＴｉ、ＭＯ，
Ｃｒ等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、さらに
前記非磁性導体層２上に非晶質軟磁性体層５を同様な方
法で形成した構造を有するＭＲヘッドを開示している。
ここで、６はＭＲ素子１、非磁性導体＠２および非晶質
軟磁性体層５の積層体に通電するための端子である。
軟磁性体層５の積層体に通電するための端子である。
このようなＭＲヘッドにおいては、端子６から供給され
るセンス電流■は、ＭＲ素子１にのみならず非磁性導体
層２および非晶質軟磁性体＠５にも分流する。従って、
このような構造においては、ＭＲ素子１および非磁性導
体層２に分流したセンス電流■により、非晶質軟磁性体
層５の面内を通りかつセンス電流Ｉの方向と垂直方向の
磁界が発生し、この磁界により非晶質軟磁性体層５の磁
化方向が回転する。このため、非晶質軟磁性体層５にお
ける磁化は、非晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の方
向とは逆方向の磁界を生じ、その一部はＭＲ素子１に印
加される。一方、非晶質軟磁性体層５および非磁性導体
層２に分流したセンス電流■により、ＭＲ素子１の面内
を通りセンス電流Ｉと垂直方向の磁界が生じ、この磁界
の方向は前述の非晶質軟磁性体層５の磁化によって発生
する磁界の方向と一致する。つまり、非晶質軟磁性体層
５の磁化によって発生する磁界とセンス電流Ｉによって
生じる磁界が、ＭＲ素子にバイアス磁界として印加され
る。このバイアス磁界は、ＭＲ素子１の磁化をセンス電
流Ｉに対して回転させ、ＭＲ素子のバイアス角度θを所
定の値（理想的には４５度）とし、線形応答性に優れた
ＭＲヘッドを実現する。
るセンス電流■は、ＭＲ素子１にのみならず非磁性導体
層２および非晶質軟磁性体＠５にも分流する。従って、
このような構造においては、ＭＲ素子１および非磁性導
体層２に分流したセンス電流■により、非晶質軟磁性体
層５の面内を通りかつセンス電流Ｉの方向と垂直方向の
磁界が発生し、この磁界により非晶質軟磁性体層５の磁
化方向が回転する。このため、非晶質軟磁性体層５にお
ける磁化は、非晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の方
向とは逆方向の磁界を生じ、その一部はＭＲ素子１に印
加される。一方、非晶質軟磁性体層５および非磁性導体
層２に分流したセンス電流■により、ＭＲ素子１の面内
を通りセンス電流Ｉと垂直方向の磁界が生じ、この磁界
の方向は前述の非晶質軟磁性体層５の磁化によって発生
する磁界の方向と一致する。つまり、非晶質軟磁性体層
５の磁化によって発生する磁界とセンス電流Ｉによって
生じる磁界が、ＭＲ素子にバイアス磁界として印加され
る。このバイアス磁界は、ＭＲ素子１の磁化をセンス電
流Ｉに対して回転させ、ＭＲ素子のバイアス角度θを所
定の値（理想的には４５度）とし、線形応答性に優れた
ＭＲヘッドを実現する。
［発明が解決しようとする課題］
ところで１．前述の構造、即ちＭＲ素子１、非磁性導体
層２および非晶質軟磁性体層５を積層した構造を有する
ＭＲヘッドにおいては、非磁性導体層２をＴｉ膜、ＭＯ
膜ないしはＣ「膜とした場合、製造プロセ゛ス中の加熱
工程（３００〜３５０’Ｃ）で非晶質軟磁性体層５ある
いはＭＲ素子１の磁気特性が劣化し、ＭＲヘッドの再生
効率が低下するという問題点があった。
層２および非晶質軟磁性体層５を積層した構造を有する
ＭＲヘッドにおいては、非磁性導体層２をＴｉ膜、ＭＯ
膜ないしはＣ「膜とした場合、製造プロセ゛ス中の加熱
工程（３００〜３５０’Ｃ）で非晶質軟磁性体層５ある
いはＭＲ素子１の磁気特性が劣化し、ＭＲヘッドの再生
効率が低下するという問題点があった。
製造プロセス中の加熱工程は、非晶質軟磁性体層５の磁
気特性を改善するため、および非晶質軟磁性体層５の磁
化容易軸方向とＭＲ素子１の磁化容易軸方向を同一方向
に揃えて良好なバイアスレベルを実現するために必要な
工程で、ＭＲヘッドの製造プロセスでは必須の工程であ
る。従って、加熱によって磁気特性が劣化することのな
いＭＲヘッドであることが必要である。
気特性を改善するため、および非晶質軟磁性体層５の磁
化容易軸方向とＭＲ素子１の磁化容易軸方向を同一方向
に揃えて良好なバイアスレベルを実現するために必要な
工程で、ＭＲヘッドの製造プロセスでは必須の工程であ
る。従って、加熱によって磁気特性が劣化することのな
いＭＲヘッドであることが必要である。
本発明は、以上述べたような従来の課題を解決するため
になされたもので、加熱工程でのＭＲ素子１および非晶
質軟磁性体層５の磁気特性の劣化の生じない磁気抵抗効
果ヘッドを提供することを目的とする。
になされたもので、加熱工程でのＭＲ素子１および非晶
質軟磁性体層５の磁気特性の劣化の生じない磁気抵抗効
果ヘッドを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体層
とが非磁性導体層を介して積層され、かつ前記非磁性導
体層が窒化チタニウム膜からなることを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッドである。
とが非磁性導体層を介して積層され、かつ前記非磁性導
体層が窒化チタニウム膜からなることを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッドである。
［作用］
本発明者の検討によれば、加熱工程にあける特性の劣化
の原因は、前述のＭＲヘッド製造プロセスの加熱工程で
、非磁性導体層２とＭＲ素子１との界面、あるいは非磁
性導体層２と非晶質軟磁性体層５との界面で拡散が生じ
るためであることがわかった。以下、この点に関して詳
細に言及する。
の原因は、前述のＭＲヘッド製造プロセスの加熱工程で
、非磁性導体層２とＭＲ素子１との界面、あるいは非磁
性導体層２と非晶質軟磁性体層５との界面で拡散が生じ
るためであることがわかった。以下、この点に関して詳
細に言及する。
第３図は、Ｓｉｌ板上に約５００ＡのＮ ｉ Ｆｅ膜（
ＭＲ素子１に対応する〉および約３０ＯＡのＴ膜（非磁
性導体層２に対応する〉を、この順序に積層した試料の
加熱処理前後のオージェ分析装置による深さ方向の分析
結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３００℃、
１時間であり、加熱処理は真空中（真空度： ２ Ｘ
１０−６ 丁ｏｒｒ）で行った。
ＭＲ素子１に対応する〉および約３０ＯＡのＴ膜（非磁
性導体層２に対応する〉を、この順序に積層した試料の
加熱処理前後のオージェ分析装置による深さ方向の分析
結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３００℃、
１時間であり、加熱処理は真空中（真空度： ２ Ｘ
１０−６ 丁ｏｒｒ）で行った。
第３図（ａ）は、加熱処理前のオージェ分析結果である
が、各元素の分布は深さ約３００Ａを境にして明瞭であ
り、ＮｉＦｅ膜とｌｉ膜はほとんど拡散していないと言
える。一方、第３図（ｂ）は加熱処理後の分析結果であ
るが、第３図（ａ）に比較して各元素の分布は深さ方向
に広く分布しており、特にＴｉは深さ６００Ａ程度まで
拡散している。
が、各元素の分布は深さ約３００Ａを境にして明瞭であ
り、ＮｉＦｅ膜とｌｉ膜はほとんど拡散していないと言
える。一方、第３図（ｂ）は加熱処理後の分析結果であ
るが、第３図（ａ）に比較して各元素の分布は深さ方向
に広く分布しており、特にＴｉは深さ６００Ａ程度まで
拡散している。
また、膜厚約３０ＯＡのＴｉ膜上に膜厚約５００ＡのＣ
ＯＺｒＭＯ膜（非晶質軟磁性体層５に対応する）を積層
した試料を上記と同様に３００ ’Ｃ１１時問、真空中
（真空度：２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒ）で加熱処理したあと
においても同様なＴ１の拡散が認められた。
ＯＺｒＭＯ膜（非晶質軟磁性体層５に対応する）を積層
した試料を上記と同様に３００ ’Ｃ１１時問、真空中
（真空度：２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒ）で加熱処理したあと
においても同様なＴ１の拡散が認められた。
以上のように、オージェ分析結果によれば、ＭＲヘッド
の製造プロセス中の加熱工程により、非磁性導体層２と
ＭＲ素子１ないしは非磁性導体層２と非晶質軟磁性体層
５との間に拡散が生じ、これによりＭＲ素子１あるいは
非晶質軟磁性体層５の磁気特性、例えば飽和磁化、異方
性磁界、抵抗変化率等が劣化したと考えられる。
の製造プロセス中の加熱工程により、非磁性導体層２と
ＭＲ素子１ないしは非磁性導体層２と非晶質軟磁性体層
５との間に拡散が生じ、これによりＭＲ素子１あるいは
非晶質軟磁性体層５の磁気特性、例えば飽和磁化、異方
性磁界、抵抗変化率等が劣化したと考えられる。
Ｔｉ膜の代わりにＭＯ膜やＣｒ膜を用いた試料において
も、はぼ同様な分析結果が得られており、これらの材料
を非磁性導体層２として用いた場合の特性劣化も拡散が
原因と考えられる。
も、はぼ同様な分析結果が得られており、これらの材料
を非磁性導体層２として用いた場合の特性劣化も拡散が
原因と考えられる。
一方、第２図は３ｉ基板上に約５０ＯＡのＮｉＦｅ膜（
ＭＲ素子１に対応する）および約３０ＯＡのＴｉＮ膜（
非磁性導体層２に対応する）を、この順序に積層した試
料の加熱処理後のオージェ分析装置による深さ方向の分
析結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３５０℃
、２時間であり、加熱処理は真空中（真空度： ２ Ｘ
１０−６ Ｔｏｒｒ）で行った。第２図から明らかな
通り、加熱処理後においても各元素の分布は深さ約３０
ＯＡを境にして明瞭であり、Ｎ ｉ Ｆｅ膜とＴｉＮ膜
はほとんど拡散していない。また、膜厚約３００Ａの丁
ＩＮ膜上に膜厚約５（）ＯＡのＣｏＺｒＭｏ膜を積層し
た試料を３５０℃、２時間、真空中（真空度： ２ Ｘ
１０−６ Ｔｏｒｒ）で加熱処理したあとにおいても
、はぼ同様な結果が得られた。
ＭＲ素子１に対応する）および約３０ＯＡのＴｉＮ膜（
非磁性導体層２に対応する）を、この順序に積層した試
料の加熱処理後のオージェ分析装置による深さ方向の分
析結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３５０℃
、２時間であり、加熱処理は真空中（真空度： ２ Ｘ
１０−６ Ｔｏｒｒ）で行った。第２図から明らかな
通り、加熱処理後においても各元素の分布は深さ約３０
ＯＡを境にして明瞭であり、Ｎ ｉ Ｆｅ膜とＴｉＮ膜
はほとんど拡散していない。また、膜厚約３００Ａの丁
ＩＮ膜上に膜厚約５（）ＯＡのＣｏＺｒＭｏ膜を積層し
た試料を３５０℃、２時間、真空中（真空度： ２ Ｘ
１０−６ Ｔｏｒｒ）で加熱処理したあとにおいても
、はぼ同様な結果が得られた。
このように、ＴｉＮ膜を非磁性導体層として用いること
により、非磁性導体層とＭＲ素子ないしは非磁性導体層
と非晶質軟磁性体層との間の拡散が防止でき、その結果
、ＭＲヘッド作製プロセス中の加熱工程でのＭＲ素子あ
るいは非晶質軟磁性体層の特性劣化を、回避することが
できる。
により、非磁性導体層とＭＲ素子ないしは非磁性導体層
と非晶質軟磁性体層との間の拡散が防止でき、その結果
、ＭＲヘッド作製プロセス中の加熱工程でのＭＲ素子あ
るいは非晶質軟磁性体層の特性劣化を、回避することが
できる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例
第１図は本発明の一実施例の構成図である。
第１図において、ガラス等の非磁性基板（図示せず〉上
に八「ガス雰囲気中でのスパッタ法を用いてＭＲ素子１
となる膜厚４００Ａのパーマロイ（Ｎｉ８２％−１０１
８％、重量％）膜を成膜した。なお、蒸着時には１００
０ｅの磁界を永久磁石で印加し、パーマロイ膜に一軸異
方性を付与した。
に八「ガス雰囲気中でのスパッタ法を用いてＭＲ素子１
となる膜厚４００Ａのパーマロイ（Ｎｉ８２％−１０１
８％、重量％）膜を成膜した。なお、蒸着時には１００
０ｅの磁界を永久磁石で印加し、パーマロイ膜に一軸異
方性を付与した。
次いで、Ａｒガスと窒素ガスの混合雰囲気中（流量換算
でＡ ｒ ： １００ ＳＣＣｍ 、 Ｎ２ ：
６ｓｃｃｍ）でスパッタ法を用いて非磁性導体層となる
膜厚３００ＡのＴｉＮ膜７を前記パーマロイ膜上に成膜
した。なお、成膜時には基板側に一８０Ｖのバイアス電
圧を印加し、ＴｉＮ膜中の不純物、特に酸素を除去して
ＴｉＮ膜の比抵抗を小ざくした。成膜したＴｉＮ膜の比
抵抗は約１１０μΩ・ｃｍであった。
でＡ ｒ ： １００ ＳＣＣｍ 、 Ｎ２ ：
６ｓｃｃｍ）でスパッタ法を用いて非磁性導体層となる
膜厚３００ＡのＴｉＮ膜７を前記パーマロイ膜上に成膜
した。なお、成膜時には基板側に一８０Ｖのバイアス電
圧を印加し、ＴｉＮ膜中の不純物、特に酸素を除去して
ＴｉＮ膜の比抵抗を小ざくした。成膜したＴｉＮ膜の比
抵抗は約１１０μΩ・ｃｍであった。
ざらに、非晶質軟磁性体層５として膜厚３００Ａ、異方
性磁界（口ｋ）５０ｅのＣｏＺｒＭｏ膜からなる非晶質
軟磁性体層７（膜組成はＣｏ８２％−・Ｚｒ６％−ＭＯ
１２％、原子％〉を前述のＴｉＮ膜７上にＡ「ガス雰囲
気中でのスパッタ法により成膜した。
性磁界（口ｋ）５０ｅのＣｏＺｒＭｏ膜からなる非晶質
軟磁性体層７（膜組成はＣｏ８２％−・Ｚｒ６％−ＭＯ
１２％、原子％〉を前述のＴｉＮ膜７上にＡ「ガス雰囲
気中でのスパッタ法により成膜した。
その後、非晶質軟磁性体層５（ＣｏＺｒＭｏ膜〉に−軸
異方性を付与するため、前述したパーマロイ膜、ＴｉＮ
膜、ＣｏＺｒＭｏ膜の積層体に対して、３５０℃、２時
間、４８００ｅの磁界をパーマロイ膜の磁化容易軸方向
と同一方向に印加しながら、真空中で加熱処理を行った
。
異方性を付与するため、前述したパーマロイ膜、ＴｉＮ
膜、ＣｏＺｒＭｏ膜の積層体に対して、３５０℃、２時
間、４８００ｅの磁界をパーマロイ膜の磁化容易軸方向
と同一方向に印加しながら、真空中で加熱処理を行った
。
次いで、この積層体上に所定形状のフォトレジストパタ
ーンを形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオンエツチングを
行い、長さ５０ｊＪＩｒ１、幅５ｉｉＩｎの矩形状のパ
ターンに加工した。ここで、エツチング条件は、加速電
圧： ５００Ｖ、Ａｒガス圧カニ０．１ｍＴｏｒｒで
ある。
ーンを形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオンエツチングを
行い、長さ５０ｊＪＩｒ１、幅５ｉｉＩｎの矩形状のパ
ターンに加工した。ここで、エツチング条件は、加速電
圧： ５００Ｖ、Ａｒガス圧カニ０．１ｍＴｏｒｒで
ある。
次いで、前述の積層体にセンス電流■を供給する端子６
を集積化薄膜技術を用いて形成し、ＭＲヘッドを作製し
た。なお、端子６はＴｉとＡｕの積層蒸着膜を使用し、
膜厚は各々５０ Ａ、０．５間とした。
を集積化薄膜技術を用いて形成し、ＭＲヘッドを作製し
た。なお、端子６はＴｉとＡｕの積層蒸着膜を使用し、
膜厚は各々５０ Ａ、０．５間とした。
以上のような構成を持つ本実施例によるＭＲヘッドにお
いては、センス電流■が５〜１５ｍＡでＭＲ素子１のバ
イアス角度θがほぼ４５度に設定できることが確認され
、良好な線形応答性と高い再生効率を有するＭＲヘッド
が実現された。
いては、センス電流■が５〜１５ｍＡでＭＲ素子１のバ
イアス角度θがほぼ４５度に設定できることが確認され
、良好な線形応答性と高い再生効率を有するＭＲヘッド
が実現された。
なお、上記実施例においては、ＭＲ素子（パーマロイ膜
＞、’ｒｒＮ膜層、非晶質軟磁性体層をこの順序で積層
する例のみについて言及したが、非晶質軟磁性体層、Ｔ
ｉＮ膜層、ＭＲ素子の順序で積層したＭＲヘッドにおい
ても優れた線形応答性と高い再生効率が得られた。また
、非晶質軟磁性体層をなす材料はＣＯＺｒＭＯ膜に限定
されるものではなく、例えばＣＯＴａＭＯ膜、Ｃｏｚｒ
Ｔａ膜等を使用しても構わない。
＞、’ｒｒＮ膜層、非晶質軟磁性体層をこの順序で積層
する例のみについて言及したが、非晶質軟磁性体層、Ｔ
ｉＮ膜層、ＭＲ素子の順序で積層したＭＲヘッドにおい
ても優れた線形応答性と高い再生効率が得られた。また
、非晶質軟磁性体層をなす材料はＣＯＺｒＭＯ膜に限定
されるものではなく、例えばＣＯＴａＭＯ膜、Ｃｏｚｒ
Ｔａ膜等を使用しても構わない。
更に、実施例中のＴｉＮ膜の成膜方法・成膜条件は一例
であり、他の方法・条件を用いても構わない。勿論この
場合、ＴｉＮ膜の比抵抗が極端に大きいと導電性が損な
われたり、ジュール熱による発熱の問題が生じるため、
成膜したＴｉＮ膜の比抵抗の値に注意すべきである。Ｔ
ｉＮ膜の比抵抗値については、本発明の適用されるＭＲ
ヘッドの設計・仕様やヒートシンクの状態に大きく依存
するため一概に言えないが、２００μΩ・ｃｍ以下の比
抵抗であることが望ましい。
であり、他の方法・条件を用いても構わない。勿論この
場合、ＴｉＮ膜の比抵抗が極端に大きいと導電性が損な
われたり、ジュール熱による発熱の問題が生じるため、
成膜したＴｉＮ膜の比抵抗の値に注意すべきである。Ｔ
ｉＮ膜の比抵抗値については、本発明の適用されるＭＲ
ヘッドの設計・仕様やヒートシンクの状態に大きく依存
するため一概に言えないが、２００μΩ・ｃｍ以下の比
抵抗であることが望ましい。
比較例
ＴｉＮ膜を１１膜とした以外は実施例と全く同様にして
ＭＲヘッドを作製した。
ＭＲヘッドを作製した。
このＭＲヘッドにおいては、非晶質軟磁性体層に一軸異
方性を付与する３５０℃、２時間の加熱工程でＭＲ素子
１となるパーマロイ膜あるいは非晶質軟磁性体層２とな
るＣＯＺｒＭＯ膜の磁気特性が劣化したため、センス電
流を３５〜４０ｍＡ程度流しても十分なバイアスがＭＲ
素子に印加されず、本発明によるＭＲヘッドに比較して
、再生効率が３０〜５０％程度小さく、実用に供し得な
いことが明らかとなった。
方性を付与する３５０℃、２時間の加熱工程でＭＲ素子
１となるパーマロイ膜あるいは非晶質軟磁性体層２とな
るＣＯＺｒＭＯ膜の磁気特性が劣化したため、センス電
流を３５〜４０ｍＡ程度流しても十分なバイアスがＭＲ
素子に印加されず、本発明によるＭＲヘッドに比較して
、再生効率が３０〜５０％程度小さく、実用に供し得な
いことが明らかとなった。
また、Ｃｒ膜、ＭＯ膜をＴｉＮ膜の代わりとして用いた
ＭＲヘッドも作製したが、本比較例で述べたＭＲヘッド
と同様に十分なバイアスレベルが得られず、やはり本発
明の実施例で述べたＭＲヘッドに比較して再生効率が小
・さがった。
ＭＲヘッドも作製したが、本比較例で述べたＭＲヘッド
と同様に十分なバイアスレベルが得られず、やはり本発
明の実施例で述べたＭＲヘッドに比較して再生効率が小
・さがった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば拡散性の低いＴｉ
Ｎ膜を非磁性導体層とする゛構成により、ＭＲヘッド！
ｌ！造プロセス中の加熱工程におけるＭＲ素子あるいは
非晶質軟磁性体層の特性劣化を回避でき、優れた線形応
答性と高い再生効率を持つ磁気抵抗効果ヘッドが実現さ
れる。
Ｎ膜を非磁性導体層とする゛構成により、ＭＲヘッド！
ｌ！造プロセス中の加熱工程におけるＭＲ素子あるいは
非晶質軟磁性体層の特性劣化を回避でき、優れた線形応
答性と高い再生効率を持つ磁気抵抗効果ヘッドが実現さ
れる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図はＮｉＦｅ
膜とＴｉＮ膜を積層した試料の加熱処理後のオージェ分
析による深さ方向の濃度分布を示す図、第３図はＮｉＦ
ｅ膜とＴｉ膜を積層した試料の加熱処理前後のオージェ
分析による深さ方向の濃度分布を示す図、第４図はＭＲ
ヘッドを説明するための説明図である。 １・・・ＭＲ素子 ２・・・非磁性導体層５
・・・非晶質軟磁性体層 ６・・・端子、７・・・窒
化チタニウム層 第１図 工・・ノナニジ・り・・深で＝＋！） 第２図
膜とＴｉＮ膜を積層した試料の加熱処理後のオージェ分
析による深さ方向の濃度分布を示す図、第３図はＮｉＦ
ｅ膜とＴｉ膜を積層した試料の加熱処理前後のオージェ
分析による深さ方向の濃度分布を示す図、第４図はＭＲ
ヘッドを説明するための説明図である。 １・・・ＭＲ素子 ２・・・非磁性導体層５
・・・非晶質軟磁性体層 ６・・・端子、７・・・窒
化チタニウム層 第１図 工・・ノナニジ・り・・深で＝＋！） 第２図
Claims (1)
- （１）強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体層とが
非磁性導体層を介して積層され、かつ前記非磁性導体層
が窒化チタニウム膜からなることを特徴とする磁気抵抗
効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201203A JP2560482B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201203A JP2560482B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366012A true JPH0366012A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2560482B2 JP2560482B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=16437058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201203A Expired - Fee Related JP2560482B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560482B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5485333A (en) * | 1993-04-23 | 1996-01-16 | Eastman Kodak Company | Shorted DMR reproduce head |
| KR100439143B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2004-07-05 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 자기 저항 소자와 이것을 이용한 자기 디바이스 |
| KR20110013350A (ko) | 2008-05-26 | 2011-02-09 | 테이진 카세이 가부시키가이샤 | 난연성 폴리카보네이트 수지 조성물 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352492A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
| JPS6370584A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Hitachi Ltd | シヤント型磁気抵抗効果型素子 |
| JPS63237204A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1201203A patent/JP2560482B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352492A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
| JPS6370584A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Hitachi Ltd | シヤント型磁気抵抗効果型素子 |
| JPS63237204A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5485333A (en) * | 1993-04-23 | 1996-01-16 | Eastman Kodak Company | Shorted DMR reproduce head |
| KR100439143B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2004-07-05 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 자기 저항 소자와 이것을 이용한 자기 디바이스 |
| KR20110013350A (ko) | 2008-05-26 | 2011-02-09 | 테이진 카세이 가부시키가이샤 | 난연성 폴리카보네이트 수지 조성물 |
| US8278377B2 (en) | 2008-05-26 | 2012-10-02 | Teijin Chemicals, Ltd. | Flame retardant polycarbonate resin composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560482B2 (ja) | 1996-12-04 |
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