JPS63237204A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPS63237204A JPS63237204A JP7205487A JP7205487A JPS63237204A JP S63237204 A JPS63237204 A JP S63237204A JP 7205487 A JP7205487 A JP 7205487A JP 7205487 A JP7205487 A JP 7205487A JP S63237204 A JPS63237204 A JP S63237204A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体に書込まれた磁気的情報を、磁気
抵抗効果を利用して情報の読み出しを行う強磁性磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す）を具備した磁気抵
抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）に関するもの
である。
抵抗効果を利用して情報の読み出しを行う強磁性磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す）を具備した磁気抵
抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）に関するもの
である。
（従来の技術）
周知の如く、ＭＲ素子を磁気記憶媒体に書き込まれた磁
気的情報に対して、線形応答性を呈する高効率の再生用
ヘッドとして使用する場合には、ＭＲ素子に流すセンス
電流工とＭＲ素子の磁化Ｍの成す角度Ｏ（以下、バイア
ス角度と呼ぶ）を所定の値（望ましくは４５度）に設定
するバイアス手段を具備しなければならない。
気的情報に対して、線形応答性を呈する高効率の再生用
ヘッドとして使用する場合には、ＭＲ素子に流すセンス
電流工とＭＲ素子の磁化Ｍの成す角度Ｏ（以下、バイア
ス角度と呼ぶ）を所定の値（望ましくは４５度）に設定
するバイアス手段を具備しなければならない。
上述のバイアス手段としては、種々の方法が開示されて
いるが、この中で実願昭５９−０４８２０１に開示され
たＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子上に非磁性導体層と
非晶質軟磁性体層とを順次積層した構造により、良好な
バイアス角度θが得られ、線形応答性に優れたＭＲヘッ
ドが実現できることが示されている。即ち第４図に示し
たように、ガラス、フェライト等から成る表面の滑らか
な絶縁性基板（図示せず）上に、スパッタ法あるいは蒸
着法により、強磁性体から成るＭＲ素子１（例えば膜厚
２００〜５００人のＮｉ−Ｆｅ合金）を形成し、前記Ｍ
Ｒ素子１上にＴｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ等の非磁性導体層
２を同様の方法で形成し、更に前記非磁性導体層２上に
非晶質軟磁性体層５を同様な方法で形成した構造を有す
るＭＲヘッドを開示している。ここで、６はＭＲ素子１
、非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層５の積層体に通
電する為の端子である。
いるが、この中で実願昭５９−０４８２０１に開示され
たＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子上に非磁性導体層と
非晶質軟磁性体層とを順次積層した構造により、良好な
バイアス角度θが得られ、線形応答性に優れたＭＲヘッ
ドが実現できることが示されている。即ち第４図に示し
たように、ガラス、フェライト等から成る表面の滑らか
な絶縁性基板（図示せず）上に、スパッタ法あるいは蒸
着法により、強磁性体から成るＭＲ素子１（例えば膜厚
２００〜５００人のＮｉ−Ｆｅ合金）を形成し、前記Ｍ
Ｒ素子１上にＴｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ等の非磁性導体層
２を同様の方法で形成し、更に前記非磁性導体層２上に
非晶質軟磁性体層５を同様な方法で形成した構造を有す
るＭＲヘッドを開示している。ここで、６はＭＲ素子１
、非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層５の積層体に通
電する為の端子である。
この様なＭＲヘッドにおいては、端子６から供給される
センス電流工は、ＭＲ素子１のみならず非磁性導体層２
及び非晶質軟磁性体層５にも分流する。
センス電流工は、ＭＲ素子１のみならず非磁性導体層２
及び非晶質軟磁性体層５にも分流する。
従って、この様な構造においては、ＭＲ素子１及び非磁
性導体層２に分流したセンス電流■により、非晶質軟磁
性体層５の面内を通り且つセンス電流■の方向と垂直方
向の磁界が発生し、この磁界により非晶質軟磁性体層５
の磁化方向が回転する。この為、非晶質軟磁性体層５に
おける磁化は、非晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の
方向とは逆方向の磁界を生じ、その一部はＭＲ素子１に
印加される。一方、非晶質軟磁性体層５及び非磁性導体
層２に分流したセンス電流Ｉにより１、ＭＲ１素子１の
面内を通り、センス電流Ｉの方向と垂直方向の磁界が生
じ、この磁界の方向は前述の非晶質軟磁性体層５の磁化
によって発生する磁界の方向と一致する。つまり、非晶
質軟磁性体層５の磁化によって発生する磁界とセンス電
流■によって生じる磁界が、ＭＲ素子１にバイアス磁界
として印加される。このバイアス磁界は、ＭＲ素子１の
磁化をセンス電流Ｉに対して回転させ、ＭＲ素子のバイ
アス角度θを所定の値（理想的には４５度）とし、線形
応答性に優れたＭＲヘッドを実現する。
性導体層２に分流したセンス電流■により、非晶質軟磁
性体層５の面内を通り且つセンス電流■の方向と垂直方
向の磁界が発生し、この磁界により非晶質軟磁性体層５
の磁化方向が回転する。この為、非晶質軟磁性体層５に
おける磁化は、非晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の
方向とは逆方向の磁界を生じ、その一部はＭＲ素子１に
印加される。一方、非晶質軟磁性体層５及び非磁性導体
層２に分流したセンス電流Ｉにより１、ＭＲ１素子１の
面内を通り、センス電流Ｉの方向と垂直方向の磁界が生
じ、この磁界の方向は前述の非晶質軟磁性体層５の磁化
によって発生する磁界の方向と一致する。つまり、非晶
質軟磁性体層５の磁化によって発生する磁界とセンス電
流■によって生じる磁界が、ＭＲ素子１にバイアス磁界
として印加される。このバイアス磁界は、ＭＲ素子１の
磁化をセンス電流Ｉに対して回転させ、ＭＲ素子のバイ
アス角度θを所定の値（理想的には４５度）とし、線形
応答性に優れたＭＲヘッドを実現する。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、前述の構造、即ちＭＲ素子１、非磁性導体層
２及び非晶質軟磁性体層５を積層した構造を有するＭＲ
ヘッドにおいては、非晶質軟磁性体層５としてＣｏＺｒ
、ＣｏＺｒＮｂ等を用いた場合、これらの異方性磁界Ｈ
ｋが大きいため通常のセンス電流Ｉの範囲（５〜２０ｍ
Ａ）では、非晶質軟磁性体層５の磁化の方向が十分に回
転せず、良好なバイアスレベルを実現できなかった。こ
の為、ＭＲヘッドの線形応答性が損なわれ再生効率が低
・下するという問題点があった。
２及び非晶質軟磁性体層５を積層した構造を有するＭＲ
ヘッドにおいては、非晶質軟磁性体層５としてＣｏＺｒ
、ＣｏＺｒＮｂ等を用いた場合、これらの異方性磁界Ｈ
ｋが大きいため通常のセンス電流Ｉの範囲（５〜２０ｍ
Ａ）では、非晶質軟磁性体層５の磁化の方向が十分に回
転せず、良好なバイアスレベルを実現できなかった。こ
の為、ＭＲヘッドの線形応答性が損なわれ再生効率が低
・下するという問題点があった。
一方、異方性磁界Ｈｋの大きな非晶質軟磁性材料を非晶
質軟磁性体層５として用い、しかも良好なバイアスレベ
ルを実現する一つσ２手段として、センス電流の値を大
きくすることが考えられるが、このことはセンス電流に
よる発熱の増加をもたらし、ＭＲ素子の電気抵抗の熱的
なドリフトや熱雑音を生じＭＲヘッドの特性を損なうも
のであった。
質軟磁性体層５として用い、しかも良好なバイアスレベ
ルを実現する一つσ２手段として、センス電流の値を大
きくすることが考えられるが、このことはセンス電流に
よる発熱の増加をもたらし、ＭＲ素子の電気抵抗の熱的
なドリフトや熱雑音を生じＭＲヘッドの特性を損なうも
のであった。
又、発熱による断線も時として生じデバイスの信頼性を
損ねていた。
損ねていた。
更に、非晶質軟磁性体層５となる非晶質軟磁性材料を成
膜後、困難軸方向に磁界を印加しながら熱処理し、異方
性磁界Ｈｋを弱めるという手段も考えられるが、磁界中
の熱処理の為、ＭＲ素子となるＮｉＦｅ膜に磁気的な分
散性が生じ、バルクハウゼンノイズが増加すると言う問
題があった。又、熱処理中にＭＲ素子１、非磁性導体層
２あるいは非晶質軟磁性体層５の各層間で相互拡散を起
こし、ＭＲ素子１あるいは非晶質軟磁性体層５の磁気特
性が劣化すると言う問題点もあった。
膜後、困難軸方向に磁界を印加しながら熱処理し、異方
性磁界Ｈｋを弱めるという手段も考えられるが、磁界中
の熱処理の為、ＭＲ素子となるＮｉＦｅ膜に磁気的な分
散性が生じ、バルクハウゼンノイズが増加すると言う問
題があった。又、熱処理中にＭＲ素子１、非磁性導体層
２あるいは非晶質軟磁性体層５の各層間で相互拡散を起
こし、ＭＲ素子１あるいは非晶質軟磁性体層５の磁気特
性が劣化すると言う問題点もあった。
従って、通常のセンス電流■の範囲（５〜２０ｍＡ）で
磁化が回転し、ＭＲ素子１に十分なバイアスレベルを付
与するため、異方性磁界Ｈｋが小さな軟磁性材料を非晶
質軟磁性体層５として用いることが問題の本質的な解決
を図るために重要である。
磁化が回転し、ＭＲ素子１に十分なバイアスレベルを付
与するため、異方性磁界Ｈｋが小さな軟磁性材料を非晶
質軟磁性体層５として用いることが問題の本質的な解決
を図るために重要である。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁
性体層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し
、しかも前記非晶質軟磁性体層の異方性磁界Ｈｋが、８
Ｏｅ未満であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドが
得られる。
性体層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し
、しかも前記非晶質軟磁性体層の異方性磁界Ｈｋが、８
Ｏｅ未満であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドが
得られる。
（作用）
第２図は本発明の係わるＭＲヘッドのバイアスレベルと
非晶質軟磁性体層との関係を示す計算機シミュレーショ
ン結果である。ここで、センス電流の値は１０ｍＡとし
、ＭＲ素子の膜厚は４００人、飽和磁化Ｍｓは８００ｅ
ｍｕ／ｃｃ、異方性磁界Ｈｋは４０ｅ、比抵抗ｐは２０
ＰΩ・ａｍ、抵抗変化率Δｐ／ｐは２％であり、非磁性
導体層の膜厚は２００人、ｐは５０１１Ω・ｃｍとした
。又、非晶質軟磁性体層の膜厚は３００人、飽和磁化Ｍ
ｓは８００ｅｍｕ／ｃｃ、比抵抗ｐは１００ＰΩ−ａｍ
とした。又、バイアスレへルの定義は、第３図に示した
様に、ＭＲ素子が十分飽和するのに足る±Ｈ０の外部磁
界Ｈを印加した時の最大抵抗変化ΔＲｍａｘと、外部磁
界が０の時と±Ｈ０の外部磁界を与えた時の抵抗の差Δ
Ｒとの比とした。即ち、 バイアスレベル＝Δ＆ΔＲｍａｘである。
非晶質軟磁性体層との関係を示す計算機シミュレーショ
ン結果である。ここで、センス電流の値は１０ｍＡとし
、ＭＲ素子の膜厚は４００人、飽和磁化Ｍｓは８００ｅ
ｍｕ／ｃｃ、異方性磁界Ｈｋは４０ｅ、比抵抗ｐは２０
ＰΩ・ａｍ、抵抗変化率Δｐ／ｐは２％であり、非磁性
導体層の膜厚は２００人、ｐは５０１１Ω・ｃｍとした
。又、非晶質軟磁性体層の膜厚は３００人、飽和磁化Ｍ
ｓは８００ｅｍｕ／ｃｃ、比抵抗ｐは１００ＰΩ−ａｍ
とした。又、バイアスレへルの定義は、第３図に示した
様に、ＭＲ素子が十分飽和するのに足る±Ｈ０の外部磁
界Ｈを印加した時の最大抵抗変化ΔＲｍａｘと、外部磁
界が０の時と±Ｈ０の外部磁界を与えた時の抵抗の差Δ
Ｒとの比とした。即ち、 バイアスレベル＝Δ＆ΔＲｍａｘである。
第２図より明らかなとおり、異方性磁界Ｈｋの値にして
約８Ｏｅ以上では、バイアスレベルにして約０．６以上
となりＭＲ素子に不十分なバイアスしか印加されないこ
とがわかる。従って、非晶質軟磁性体層をなす非晶質軟
磁性材料の異方性磁界Ｈｋを８Ｏｅ未満とすることで、
優れた線形応答性と再生効率を有するＭＲヘッドが得ら
れる。
約８Ｏｅ以上では、バイアスレベルにして約０．６以上
となりＭＲ素子に不十分なバイアスしか印加されないこ
とがわかる。従って、非晶質軟磁性体層をなす非晶質軟
磁性材料の異方性磁界Ｈｋを８Ｏｅ未満とすることで、
優れた線形応答性と再生効率を有するＭＲヘッドが得ら
れる。
本発明者らは、上述のシミュレーション結果を参考にし
て、種々のＣｏ金属系非晶質軟磁性材料を蒸着法あるい
はスパッタ法を用いて薄膜化し、その異方性磁界Ｈｋを
ＶＳＭ（振動試料磁力計）あるいはＢ−Ｈカーブトレー
サを用いて測定した結果、表１に示したような結果を得
た。
て、種々のＣｏ金属系非晶質軟磁性材料を蒸着法あるい
はスパッタ法を用いて薄膜化し、その異方性磁界Ｈｋを
ＶＳＭ（振動試料磁力計）あるいはＢ−Ｈカーブトレー
サを用いて測定した結果、表１に示したような結果を得
た。
表に示したように、非晶質軟磁性材料としてＣｏＺｒＭ
ｏ 、 ＣｏＺｒＴａ、あるいはＣｏＴａにおいて５０
ｅ〜６０ｅの異方性磁界Ｈｋが得られており、第２図に
示したシミュレーション結果を満足している。
ｏ 、 ＣｏＺｒＴａ、あるいはＣｏＴａにおいて５０
ｅ〜６０ｅの異方性磁界Ｈｋが得られており、第２図に
示したシミュレーション結果を満足している。
従って、これらの非晶質軟磁性材料を非晶質軟磁性体層
５として用いることにより、バイアス角度θが略４５度
の良好なバイアスレベルが得られ、高い再生効率を持つ
ＭＲヘッドが実現される。
５として用いることにより、バイアス角度θが略４５度
の良好なバイアスレベルが得られ、高い再生効率を持つ
ＭＲヘッドが実現される。
（実施例１）
第１図は、本発明の一実施例を示す図である。第１図に
おいて、ガラス基板（図示せず）上に蒸着法を用いて、
ＭＲ素子１となる、膜厚４００人のパーマロイ（Ｎｉ８
２％−Ｆｅ１８％、重量％）膜を成膜した。尚、蒸着時
には１０００ｅの磁界を永久磁石で印加しパーマロイ膜
に一軸異方性を付与した。ついで、同じく蒸着法を用い
て、非磁性導体層２となる膜厚２００人のＴｉ膜を前記
パーマロイ膜上に成膜した。更に、非晶質軟磁性体層と
して膜厚３００人、異方性磁界Ｈｋ５０ｅのＣｏＺｒＭ
ｏ層７を、前述のＴｉ膜上に蒸着法を用いて成膜した。
おいて、ガラス基板（図示せず）上に蒸着法を用いて、
ＭＲ素子１となる、膜厚４００人のパーマロイ（Ｎｉ８
２％−Ｆｅ１８％、重量％）膜を成膜した。尚、蒸着時
には１０００ｅの磁界を永久磁石で印加しパーマロイ膜
に一軸異方性を付与した。ついで、同じく蒸着法を用い
て、非磁性導体層２となる膜厚２００人のＴｉ膜を前記
パーマロイ膜上に成膜した。更に、非晶質軟磁性体層と
して膜厚３００人、異方性磁界Ｈｋ５０ｅのＣｏＺｒＭ
ｏ層７を、前述のＴｉ膜上に蒸着法を用いて成膜した。
その後、この積体上に所定のフォトレジストパターンを
形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオンエツチングを行い、
長さ５０ｐｍ、幅５１１ｍの矩形状のパターンに加工し
た。ここで、エツチング条件は、加速電圧：５００ＶＳ
Ａｒガス圧カニＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒである。
形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオンエツチングを行い、
長さ５０ｐｍ、幅５１１ｍの矩形状のパターンに加工し
た。ここで、エツチング条件は、加速電圧：５００ＶＳ
Ａｒガス圧カニＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒである。
ついで、前述の積層体にセンス電流■を供給する端子６
を集積化薄膜技術を用いて形成し、ＭＲヘッドを作製し
た。尚、端子６は、ＴｉとＡｕの積層膜を使用し、膜厚
は各々５０人、０．５￥１ｍである。
を集積化薄膜技術を用いて形成し、ＭＲヘッドを作製し
た。尚、端子６は、ＴｉとＡｕの積層膜を使用し、膜厚
は各々５０人、０．５￥１ｍである。
以上のような構成を持つ本実施例によるＭＲヘッドにお
いては、センス電流Ｉが５〜１５ｍＡでＭＲヘッド１の
バイアス角度θが略４５度で設定出来ることが確認され
、良好な線形応答性と高い再生効率を有するＭＲヘッド
が実現された。
いては、センス電流Ｉが５〜１５ｍＡでＭＲヘッド１の
バイアス角度θが略４５度で設定出来ることが確認され
、良好な線形応答性と高い再生効率を有するＭＲヘッド
が実現された。
（実施例２）
非晶質軟磁性体層を膜厚３００人、異方性磁界Ｈｋ６０
ｅのＣｏＺｒＴａ層とした以外は実施例１と全く同様に
して、ＭＲヘッドを作製した。
ｅのＣｏＺｒＴａ層とした以外は実施例１と全く同様に
して、ＭＲヘッドを作製した。
本実施例のＭＲヘッドにおいては、１０〜１５ｍＡのセ
ンス電流ＩでＭＲ素子のバイアス角度θが、４０〜４５
度の範囲で設定できることが確認され実施例１の場合と
同様に、良好な線形応答性と高い再生効率を有するＭＲ
ヘッドが実現された。
ンス電流ＩでＭＲ素子のバイアス角度θが、４０〜４５
度の範囲で設定できることが確認され実施例１の場合と
同様に、良好な線形応答性と高い再生効率を有するＭＲ
ヘッドが実現された。
（実施例３）・
非晶質軟磁性体層を膜厚３００人、異方性磁界Ｈｋ６０
ｅのＣｏＴａ層とした以外は実施例１ないしは２と全く
同様にして、ＭＲヘッドを作製した。
ｅのＣｏＴａ層とした以外は実施例１ないしは２と全く
同様にして、ＭＲヘッドを作製した。
本実施例のＭＲヘッドにおいては、１０〜１５ｍＡのセ
ンス電流■でＭＲ素子のバイアス角度０が、４０〜４５
度の範囲で設定できることが確認され実施例工ないし２
の場合と同様に、良好な線形応答性と高い再生効率を有
するＭＲヘッドが実現された。
ンス電流■でＭＲ素子のバイアス角度０が、４０〜４５
度の範囲で設定できることが確認され実施例工ないし２
の場合と同様に、良好な線形応答性と高い再生効率を有
するＭＲヘッドが実現された。
（比較例）
非晶質軟磁性体層を膜厚３００人、異方性磁界Ｈｋ１６
０ｅのＣｏＺｒ層とした以外は実施例１，２あるいは３
と全く同様にして、ＭＲヘッドを作製した。この様なＭ
Ｒヘッドにおいては、センス電流３５ｍＡ程度流しても
十分なバイアスがＭＲ素子に印加されず、本発明による
ＭＲヘッドに比較して、再生効率が３０〜５０％程度小
さく、実用に供しないことが明らかとなった。
０ｅのＣｏＺｒ層とした以外は実施例１，２あるいは３
と全く同様にして、ＭＲヘッドを作製した。この様なＭ
Ｒヘッドにおいては、センス電流３５ｍＡ程度流しても
十分なバイアスがＭＲ素子に印加されず、本発明による
ＭＲヘッドに比較して、再生効率が３０〜５０％程度小
さく、実用に供しないことが明らかとなった。
又、ＣｏＴｉ、 ＣｏＨｆ１ＣｏＺｒＮｂ、 ＣｏＺｒ
Ｈｆ、 ＣｏＺｒＴｉを非晶質軟磁性体層として用いた
場合も、十分なバイアスがＭＲ素子に印加されず、本発
明によるＭＲヘッドに較べて再生効率が小さかった。
Ｈｆ、 ＣｏＺｒＴｉを非晶質軟磁性体層として用いた
場合も、十分なバイアスがＭＲ素子に印加されず、本発
明によるＭＲヘッドに較べて再生効率が小さかった。
（発明の効果）
以上述べてきたように、本発明によればＭＲ素子と非晶
質軟磁性体層を非磁性導体層を介して積層し、しかも異
方性磁界ＨｋがＭＲ素子をなすＮｉＦｅ膜と同程度に小
さなＣｏＺｒＭｏ、 ＣｏＺｒＴａあるいはＣｏＴａ膜
を、非晶質軟磁性体層として用いることにより、１５ｍ
Ａ程度の小さなバイアス電流でも良好なバイアスレベル
が得られ、優れた線形応答性と高い再生効率を持つＭＲ
ヘッドが実現される。
質軟磁性体層を非磁性導体層を介して積層し、しかも異
方性磁界ＨｋがＭＲ素子をなすＮｉＦｅ膜と同程度に小
さなＣｏＺｒＭｏ、 ＣｏＺｒＴａあるいはＣｏＴａ膜
を、非晶質軟磁性体層として用いることにより、１５ｍ
Ａ程度の小さなバイアス電流でも良好なバイアスレベル
が得られ、優れた線形応答性と高い再生効率を持つＭＲ
ヘッドが実現される。
尚、以上の実施例ではＭＲ素子、非磁性導体層、非晶質
軟磁性体層の順序で積層する例のみについて述べたが、
非晶質軟磁性体層、非磁性導体層、ＭＲ素子の順序で積
層したＭＲヘッドにおいても優れた線形応答性と高い再
生効率が得られた。又、非磁性導体層をなす材料はＴｉ
に限定されるものではなく、例えばＴａ、 Ｗ、 Ｍｏ
あるいはこれらの合金等を使用しても、本発明の意図す
るところは損なわれない。更に、ＣｏＺｒＭｏ、 Ｃｏ
ＺｒＴａあるいはＣｏＴａ層中に、これらの磁気特性、
特に異方性磁界Ｈｋを劣化させない範囲で他の元素を添
加したものを非晶質軟磁性体層−として使用しても差し
支えない。
軟磁性体層の順序で積層する例のみについて述べたが、
非晶質軟磁性体層、非磁性導体層、ＭＲ素子の順序で積
層したＭＲヘッドにおいても優れた線形応答性と高い再
生効率が得られた。又、非磁性導体層をなす材料はＴｉ
に限定されるものではなく、例えばＴａ、 Ｗ、 Ｍｏ
あるいはこれらの合金等を使用しても、本発明の意図す
るところは損なわれない。更に、ＣｏＺｒＭｏ、 Ｃｏ
ＺｒＴａあるいはＣｏＴａ層中に、これらの磁気特性、
特に異方性磁界Ｈｋを劣化させない範囲で他の元素を添
加したものを非晶質軟磁性体層−として使用しても差し
支えない。
第１図は本発明によるＭＲヘッドの一実施例を示す図、
第２図、第３図及び第４図は本発明を説明するための図
である。 図に於て、 １・・・ＭＲ素子、 ２・・・非磁性導体層、
半 １ 図 ｔ、ＭＲ噂トで（ 半 ２１図 異方と狐胃’ＨＫ （Ｏｅ）
第２図、第３図及び第４図は本発明を説明するための図
である。 図に於て、 １・・・ＭＲ素子、 ２・・・非磁性導体層、
半 １ 図 ｔ、ＭＲ噂トで（ 半 ２１図 異方と狐胃’ＨＫ （Ｏｅ）
Claims (2)
- （１）強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体層とが
非磁性導体層を介して積層された構造を有し、しかも前
記非晶質軟磁性体層の異方性磁界Ｈ＿ｋが、８Ｏｅ未満
であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - （２）前記非晶質軟磁性体層が、ＣｏＺｒＭｏ、ＣｏＺ
ｒＴａ、またはＣｏＴａを主成分とする非晶質軟磁性材
料からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072054A JPH065573B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072054A JPH065573B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237204A true JPS63237204A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH065573B2 JPH065573B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=13478287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62072054A Expired - Lifetime JPH065573B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065573B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02266580A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| JPH0366012A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242314A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62072054A patent/JPH065573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242314A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02266580A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| JPH0366012A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065573B2 (ja) | 1994-01-19 |
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Legal Events
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