JPH0366184A - 半導体磁気センサ - Google Patents
半導体磁気センサInfo
- Publication number
- JPH0366184A JPH0366184A JP1203343A JP20334389A JPH0366184A JP H0366184 A JPH0366184 A JP H0366184A JP 1203343 A JP1203343 A JP 1203343A JP 20334389 A JP20334389 A JP 20334389A JP H0366184 A JPH0366184 A JP H0366184A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- hall
- gate
- compound semiconductor
- insulation
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
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Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＧａＡｓ等化合物半導体絶縁ゲート型電界効果
トランジスタを磁気感知部に用いた集積回路内蔵型半導
体磁気センサ（半導体ホールＩＣ）に関する。
トランジスタを磁気感知部に用いた集積回路内蔵型半導
体磁気センサ（半導体ホールＩＣ）に関する。
本発明は化合物半導体絶縁ゲート型電界効果トランジス
タを磁気感知部に用い、半導体ホールＩＣの高感度化を
図ったものである。
タを磁気感知部に用い、半導体ホールＩＣの高感度化を
図ったものである。
半導体ホールＩＣは、ＳｔのＭＯＳ型やバイポーラ型が
実用化されている。また化合物半導体においてもバルク
ＧａＡｓを用いたＭＥＳ型が実用化されている。
実用化されている。また化合物半導体においてもバルク
ＧａＡｓを用いたＭＥＳ型が実用化されている。
上記のホールＩＣでは、ＳｔホールＩＣの場合には移動
度が化合物半導体に比べ小さいために感度の点で劣って
いる。またＧａＡｓＭ Ｅ Ｓ型ホールＩＣの場合には
、温度特性・出力感度特性・高温動作に優れているが、
ホール素子部をイオン注入により形成するために活性層
が１７１１１１１近くあり、感度が低いという欠点を有
していた。
度が化合物半導体に比べ小さいために感度の点で劣って
いる。またＧａＡｓＭ Ｅ Ｓ型ホールＩＣの場合には
、温度特性・出力感度特性・高温動作に優れているが、
ホール素子部をイオン注入により形成するために活性層
が１７１１１１１近くあり、感度が低いという欠点を有
していた。
上記問題点を解決するために、本発明においては、絶縁
ゲート型化合物半導体ホール素子を用いることにより、
実効的な活性層の厚さを数百人とした。
ゲート型化合物半導体ホール素子を用いることにより、
実効的な活性層の厚さを数百人とした。
上記のような構成にすれば、より高感度なホールＩＣを
作製することができる。
作製することができる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
ここでは化合物半導体はＧａＡｓとし、絶縁ゲート構造
はＭＯＳ型についてのみ述べる。
はＭＯＳ型についてのみ述べる。
第１図は本発明によるＭＯ３型ホールＩＣの断面構造例
を示す。ＭＯ３型ＦＥＴ部は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１
に、Ｐ型チャネル領域２を形成し、これを挟んでＧａＡ
ｓによるｎ型ソースおよびドレイン領域３，４が設けら
れ、ソースおよびドレイン電極５．６が設けられている
。Ｐ型チャネル領域２上には化合物半導体と絶縁膜の界
面準位を減らすためのＳｔ単結晶薄膜７が挿入され、ゲ
ート酸化膜８が形成され、さ、らにゲート電極９が設け
られている。ＭＯ３型ホール素子部も、ＭＯ３型ＦＥＴ
と同様であるが以下の点が異なっている。ＭＯ３型ホー
ル素子部は、ＭＯ３型トランジスタのゲート電極９とド
レイン電極６が一体になっており、Ｐ型チャネル領域に
は常にｎ型反転層が形成され、ソース領域３からドレイ
ン領域４に向けて常に電子が移動している。またチャネ
ル内に磁場が印加されたときのホール電圧検出用の一対
のホール端子１０を有している。
を示す。ＭＯ３型ＦＥＴ部は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１
に、Ｐ型チャネル領域２を形成し、これを挟んでＧａＡ
ｓによるｎ型ソースおよびドレイン領域３，４が設けら
れ、ソースおよびドレイン電極５．６が設けられている
。Ｐ型チャネル領域２上には化合物半導体と絶縁膜の界
面準位を減らすためのＳｔ単結晶薄膜７が挿入され、ゲ
ート酸化膜８が形成され、さ、らにゲート電極９が設け
られている。ＭＯ３型ホール素子部も、ＭＯ３型ＦＥＴ
と同様であるが以下の点が異なっている。ＭＯ３型ホー
ル素子部は、ＭＯ３型トランジスタのゲート電極９とド
レイン電極６が一体になっており、Ｐ型チャネル領域に
は常にｎ型反転層が形成され、ソース領域３からドレイ
ン領域４に向けて常に電子が移動している。またチャネ
ル内に磁場が印加されたときのホール電圧検出用の一対
のホール端子１０を有している。
本発明は艶縁ゲート型の電界効果トランジスタを磁場感
知部に使用しているので、以下の式で表わされるホール
素子感度を示す積感度ＫＮＫＨ＝ ｆ ）ＩＲＩＩ／
ｄ （ここでｆｘは素子の形状に関係した係数、ＲＨはホー
ル係数、ｄは厚さ）は数百人という薄いチャネルのため
に非常に大きくとることができる。
知部に使用しているので、以下の式で表わされるホール
素子感度を示す積感度ＫＮＫＨ＝ ｆ ）ＩＲＩＩ／
ｄ （ここでｆｘは素子の形状に関係した係数、ＲＨはホー
ル係数、ｄは厚さ）は数百人という薄いチャネルのため
に非常に大きくとることができる。
実施例では半絶縁性ＧａＡｓ基板を用い、Ｐ型チャネル
領域で形成した例についてのみ説明したが、Ｐ型ＧａＡ
ｓ基板を用いても構わない。
領域で形成した例についてのみ説明したが、Ｐ型ＧａＡ
ｓ基板を用いても構わない。
第１図は本発明によるＭＯ３型ホールＩＣの構造断面図
である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ ２・・・Ｐ型チャネル領域 ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ８ ・ ・ ９ ・ ・ ＩＯ・ ・ ・ｎ型ソース領域 ・ｎ型ドレイン領域 ・ソース電極 ・ドレイン電極 ・Ｓｔ単結晶薄膜 ・ゲート酸化膜 ・ゲート電極 ・ホール端子 以 上
である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ ２・・・Ｐ型チャネル領域 ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ８ ・ ・ ９ ・ ・ ＩＯ・ ・ ・ｎ型ソース領域 ・ｎ型ドレイン領域 ・ソース電極 ・ドレイン電極 ・Ｓｔ単結晶薄膜 ・ゲート酸化膜 ・ゲート電極 ・ホール端子 以 上
Claims (1)
- ホールＩＣにおいて、磁気感知部が化合物半導体絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタから成ることを特徴とする
半導体磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203343A JPH0366184A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 半導体磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203343A JPH0366184A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 半導体磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366184A true JPH0366184A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16472454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1203343A Pending JPH0366184A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 半導体磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180215A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Tokyo Institute Of Technology | 集積型ホールセンサ |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1203343A patent/JPH0366184A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180215A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Tokyo Institute Of Technology | 集積型ホールセンサ |
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