JPH0366375B2 - - Google Patents
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- JPH0366375B2 JPH0366375B2 JP61130996A JP13099686A JPH0366375B2 JP H0366375 B2 JPH0366375 B2 JP H0366375B2 JP 61130996 A JP61130996 A JP 61130996A JP 13099686 A JP13099686 A JP 13099686A JP H0366375 B2 JPH0366375 B2 JP H0366375B2
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Description
[産業上の利用分野]
本発明はランタノイド含有合金の溶製方法に係
り、特に光磁気デイスク用ターゲツト合金として
有用な高清浄のランタノイド含有合金を溶製する
方法に関する。 [従来の技術] 原子番号57のランタンから71のルテチウムに至
る15個の希土類元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、
Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、
Lu、即ち、ランタノイドについては、近年にな
つて、各元素の特異な性質を利用した合金系への
添加について、幅広い分野で検討がなされ、各種
産業分野で応用されている。 例えば、LaNi5、SmCo5、その他ミツシユメタ
ル(Mm)−Ni系合金、例えば、MmNi4.5Al0.5、
MmNi4.5Mn0.5、MmNi4.7Al0.3Zr0.1等は、大量の
水素を容易に吸蔵し得ることから水素吸蔵合金と
して利用されている。 また、SmCo5(Sm36%)、Sm2Co17、Ce−Co
(Ce20%)、(Sm1−x−Prx)Co5、Nd−Fe
(Nd20〜25%)、Sm2(FeCuZrCo)17(Sm25%、
Co50%)、Nd8〜30B2〜28残部Fe(例えば
Nd15B8Fe77)は、ランタノイドの磁気特性によ
り、極めて強い磁性を示すため、永久磁石として
小型モータ等に広く利用されている。磁石として
は、(Fe0.82B0.18)0.9Tb0.05La0.05アモルフアス磁石
も開発されている。 更に、磁気記録材料としては、GdCo、GdFe、
DyFe、GdTeFe、TbFeCo、TbDyFe、GdTbFe
又はGdTeCo等のGd、Tb、Dyを含有するFe基、
Co基、Ni基アモルフアス合金膜が、角型性の良
い磁性膜となり、磁化性や消去性に優れ、高密度
記録が可能で、経時変化が小さいことから、その
研究開発に大きな期待が寄せられている。 その他、Yb−Al、Yb−Zr−Al、Mm−Zr−
Alは耐熱性の改善された大容量用Al電線として、
TiGd(Gd5%)は強力軽合金として、MgNdは耐
クリープMg合金として、NiCrLa及びFeCrLaは
耐高温酸化性の耐熱合金として応用されている。 しかして、ランタノイド含有合金の最も重要な
用途として、近年、光磁気デイスクへの応用が研
究開発され、その実用化が試みられている。 現在、光磁気デイスクメモリ媒体としては、以
下に示すようなGd、Tb、Dyなどの希土類金属
(RE)と、Fe、Co、Niの遷移金属(TM)を組
み合せたアモルフアス磁性膜が開発されている。 Gd−Tb−Fe、Gd−Te−Co、 Tb−Fe−Co、Tb−Dy−Fe、 Gd−Tb−Fe−Ge、 Gd−Co、Tb−Fe、Gd−Fe、 Fe−Co−Tb−Gd、 Tb−Dy−Fe−Co、Dy−Fe、 Gd−Fe−Bi これらのうち、光磁気デイスク材としては、当
初Co−Gd、Gd−Fe、Tb−Fe系が注目され、そ
の後、その組成敏感性、記録密度等からTb−Fe
−Co、Gd−Tbi−Co系等へ変遷している。 これらのRE−TM磁性膜は、光磁気メモリ媒
体として次の特徴を有し、その実用化が有望視さ
れている。 キユリー点が比較的低く補償点記録もできる
ので、記録・消去の感度が高い。半導体レーザ
(LD)による記録・消去が可能である。 アモルフアスであるため媒体ノイズが少な
い。Kerr回転角も0.2〜0.35゜であり比較的大き
い。従つて、再生信号のSN比が大きい。 垂直磁化膜であるので高密度記録ができ、か
つ磁気光学効果の大きな極Kerr効果や
Faraday効果を使うことができる。 各種基板の上に大面積の膜を作ることができ
る。 組成比を連続的にとることができ、種々の元
素を比較的自由に混ぜることができる。 従来、これらのランタノイド含有合金は、アル
ミナ質等の坩堝を用いて溶解、鋳造することによ
り製造されている。 [発明が解決しようとする問題点] しかるにランタノイドは極めて反応活性が高
く、酸素(O)、硫黄(S)、窒素(N)と非常に
良く反応するため、従来においては、通常の坩堝
溶解においては特に溶湯中への酸素、硫黄の混入
を防止することができなかつた。またランタノイ
ドの高活性のために、溶湯と接する耐火炉材によ
る合金汚染やランタノイド系酸化物の生成、ラン
タノイド含有量の減少、更に著しい場合には耐火
炉材の破損等の問題が生起する。 例えば、アルミナ質の耐火材料により、溶湯は
下記反応により汚染される。なおLnはランタノ
イド元素を示す。 Al2O3+2Ln→2Al+Ln2O3 又は Al2O3+3Ln→2Al+3LnO このようにランタノイド含有合金は、通常の耐
火物容器を用いた溶解では良好な清浄度の合金は
得られないのである。 一方、水冷銅坩堝を用いる高熱源を使用したア
ーク溶解、プラズマ溶解、電子ビーム溶解などの
方法では均質な合金を得ることが極めて難しい現
状である。 一般に、光磁気デイスクには、記録、再生、消
去の感度、記録密度、垂直磁気異方性、Kerr回
転角、寿命等の点で高特性が要求されているが、
これなの特性は、光磁気デイスク用ターゲツト合
金の純度や均質性に大きく影響を受ける。 しかしながら、前述の如く、従来の方法ではラ
ンタノイド含有合金を高清浄度かつ均質に製造す
ることはできず、特に光磁気デイスク用ターゲツ
ト合金として用いられるTb、Gd、Dy等のRE成
分を10〜50重量%程度含有するものは、酸素の混
入による溶湯汚染が起こり易く、しかも非常に割
れ易いことなどから、その製造にあたつて、改良
すべき問題点が多い。 [問題点を解決するための手段] 本発明は上記従来の実情に鑑み、ランタノイド
含有合金の工業的に極めて有利な溶製方法を提供
するものであつて、 ランタノイドを10重量%以上含有する合金を溶
製するに際し、内面がCaO含有率95重量%以上、
CaF21重量%以下、CaCl20.5重量%以下のカルシ
ア質耐火材で構成された容器を用いて、不活性ガ
ス雰囲気にてランタノイド含有合金の溶湯を該合
金の融点より50〜200℃高い温度で保持すること
を特徴とするランタノイド含有合金の溶製方法、 を要旨とするものである。 以下に本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において「%」は「重量%」を
表す。 本発明において、ランタノイド含有合金とは、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Td、
Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuの1種又は2種
以上のランタノイド元素を10%以上含有する合金
である。このランタノイド含有合金としては、例
えば、ランタノイド元素10〜50%とAl、Cr、Fe、
Mn、Ni、Cu、V、Li、Co、Ti、Ta、W、Sn、
Zr、Mo、Mg、Ga、Nb、Si及びBi等の1種又は
2種以上との合金が挙げられる。 ランタノイド含有合金としては次に例示するよ
うなものが知られている。 Nd−Mg、 20〜25%Nd−Fe、Nd8〜30−B2〜28−Fe、
SmCo5、 Sm2CO17、(Sm1-x−Prx)Co5、LaNi5、 MmNi5、Gd−Fe、Gd−Te−Fe、 Gd−Te−Co、Gd−Co、 20%Ce−Co、Dy−Fe、 Y−Zn−Al、Mm−Zr−Al、 Y−Al、La−Ni−Cr、La−Fe−Cr、 (Fe0.82B0.18)0.9Tb0.05La0.05、 Tb−Fe−Co、Tb−Dy−Fe、 Sc−Mg−Al、Sc−Li−Al、 Sc5Ga3、20〜30%Mm−Mg、 Mm−Co、MmNi4.5Al0.5、 MmNi4.5Mm0.5、MmNi4.5Al0.3Zr0.1 特に、本発明の方法はランタノイド元素を10〜
50%含有する光磁気デイスク用ターゲツト合金の
製造に有効であるが、これらの合金としては、次
のようなものが挙げられる。 GdCo、GdFe、TbFe、 Gd13Tb13Fe74、TbDyFe、GdTbDyFe、Gd26
(Fe81Co19)74 [(GdTb)27Fe73]96Ge4 Tb21(Fe85Co15)79、 (GdTb)23Co77、 (Gd50Tb50)1-a(Fe85Co15)a (Gd20Co80)50(Tb21Te79 50 (Gd33Tb67)37(Fe53Co47 63−Sm (Gd26Fe74)96Bi7、 (Gd26Co74)93Bi4 (Gd26(Fe70Co30)74)91Bi9 本発明においては、このようなランタノイド含
有合金を、内面がCaO含有率95%以上、CaF21%
以下、CaCl20.5%以下のカルシア質耐火物で構成
された容器を用い、不活性ガス雰囲気下で、常法
例えば高周波あるいは低周波誘導加熱法等で加熱
して溶解させ、該合金の融点より50〜200℃高い
温度で該合金溶湯を保持して溶製する。 本発明において、ランタノイド含有合金の溶製
に用いる容器の内面を構成するCaO質耐火材とし
ては、カルシア(CaO)、CaOを富化したドロマ
イトや、共存酸化物としてZrO2、Y2O3、ランタ
ノイド系の酸化物等を含有するCaO質耐火材が挙
げられる。CaOとしては、電融カルシアが、緻密
であることから、極めて好適である。また、生石
灰、石灰石、或いは消石灰などを焼成したカルシ
ア(CaO)も好適である。 このようなCaO質耐火材中のCaO含有率が高い
程、不純物生成が少なく、溶湯の汚染はより確実
に防止される。本発明においては、CaO含有率が
95%以上、好ましくは98%以上のCaO質耐火材で
構成された容器を用いる。 またCaO質耐火材中、CaF2、CaCl2等の含有量
はできるだけ少ないことが好ましく、CaF21%以
下、CaCl20.5以下とする。 このようなCaO質耐火材で構成された容器にて
ランタノイド合金を溶製する際、溶製雰囲気はア
ルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気とし、そ
の圧力は10torr以上であることが望ましい。 また溶製温度は、溶製する合金の融点より50〜
200℃高い温度とする。保持時間は過度に長いと
溶湯汚染の恐れがあることから、5〜10分程度と
するのが好ましい。 本発明の方法により溶製を行つて得られたラン
タノイド含有合金の溶湯は、次いで所望の形状の
鋳型に注入して鋳塊とするが、この際、その凝固
冷却においては、予熱鋳型を用いて1℃/分以下
で徐冷することが好ましい。 このような本発明の方法によれば、特に酸素混
入量が著しく低減された溶湯が得られ、また溶製
を適宜制御、調整することにより、再溶解も可能
となる。 [作 用] CaOは高活性金属を含む合金溶湯に対する安定
性が極めて高く、ランタノイド含有合金溶湯に対
しても安定している。そして、Al2O3の如く、ラ
ンタノイドと反応してランタノイド酸化物を生成
することが少ない。このためランタノイド含有合
金溶湯のランタノイドを減少させたり、溶湯を不
純物によりり汚染することがない。また、特に本
発明の方法によれば、ランタノイド含有合金中の
酸素量が著しく低減され、例えば2000〜3000ppm
程度の酸素を含有するGd又はTb系合金であつて
も、本発明の溶製法による合金又は再溶解によ
り、その酸素含有量を150〜500ppm程度に低減す
ることができる。 これは、CaOを95%以上含有し、CaF2含有率
が1%以下、CaCl2含有率が0.5%以下の耐火物は
溶湯中の酸化物といわゆる炉壁反応し易く、
GdO2、TbO2等の溶湯中のランタノイド酸化物が nRxOy;mCaO =n・RxOy・mCaO (式中、Rはランタノイド元素を示す。) のように炉壁と反応して吸収されるためと考えら
れる。同様に、ランタノイド含有合金溶湯中の硫
化物も炉壁に吸収され、酸化物、硫化物介在量を
大幅に減少させることができるので、純度の高い
ランタノイド含有合金を得ることが可能となる。 このため、内面がこのようなCaO質炉材で構成
された容器を用いることにより、耐火材による溶
湯の汚染がなく、酸素、硫黄含有率の低い高清浄
ランタノイド含有合金の溶製が可能となる。 [実施例] 以下に本発明を実施例及び比較例により更に具
体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない
限り以下の実施例に限定されるものではない。 実施例1、比較例1 第1表に示すランタノイドを後掲の第2表に示
す組成のCaO質坩堝、Al2O3質坩堝にそれぞれ入
れ、これを出力10kw、周波数50kHzの内熱式誘
導炉に入れ、アルゴン雰囲気下で溶解後、10分間
保持し、得られた合金のO、S含有量を化学分析
及び蛍光X線により解析した結果を第1表に示
す。 第1表より、CaO坩堝によれば、O、Sが少な
く、純度の高いランタノイド含有合金が得られる
ことが明らかである。 なお、比較例として行なつたAl2O3坩堝中にお
ける溶解実験では、Alのコンタミが認められ、
それぞれ0.1〜0.05%の残留が認められた。
り、特に光磁気デイスク用ターゲツト合金として
有用な高清浄のランタノイド含有合金を溶製する
方法に関する。 [従来の技術] 原子番号57のランタンから71のルテチウムに至
る15個の希土類元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、
Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、
Lu、即ち、ランタノイドについては、近年にな
つて、各元素の特異な性質を利用した合金系への
添加について、幅広い分野で検討がなされ、各種
産業分野で応用されている。 例えば、LaNi5、SmCo5、その他ミツシユメタ
ル(Mm)−Ni系合金、例えば、MmNi4.5Al0.5、
MmNi4.5Mn0.5、MmNi4.7Al0.3Zr0.1等は、大量の
水素を容易に吸蔵し得ることから水素吸蔵合金と
して利用されている。 また、SmCo5(Sm36%)、Sm2Co17、Ce−Co
(Ce20%)、(Sm1−x−Prx)Co5、Nd−Fe
(Nd20〜25%)、Sm2(FeCuZrCo)17(Sm25%、
Co50%)、Nd8〜30B2〜28残部Fe(例えば
Nd15B8Fe77)は、ランタノイドの磁気特性によ
り、極めて強い磁性を示すため、永久磁石として
小型モータ等に広く利用されている。磁石として
は、(Fe0.82B0.18)0.9Tb0.05La0.05アモルフアス磁石
も開発されている。 更に、磁気記録材料としては、GdCo、GdFe、
DyFe、GdTeFe、TbFeCo、TbDyFe、GdTbFe
又はGdTeCo等のGd、Tb、Dyを含有するFe基、
Co基、Ni基アモルフアス合金膜が、角型性の良
い磁性膜となり、磁化性や消去性に優れ、高密度
記録が可能で、経時変化が小さいことから、その
研究開発に大きな期待が寄せられている。 その他、Yb−Al、Yb−Zr−Al、Mm−Zr−
Alは耐熱性の改善された大容量用Al電線として、
TiGd(Gd5%)は強力軽合金として、MgNdは耐
クリープMg合金として、NiCrLa及びFeCrLaは
耐高温酸化性の耐熱合金として応用されている。 しかして、ランタノイド含有合金の最も重要な
用途として、近年、光磁気デイスクへの応用が研
究開発され、その実用化が試みられている。 現在、光磁気デイスクメモリ媒体としては、以
下に示すようなGd、Tb、Dyなどの希土類金属
(RE)と、Fe、Co、Niの遷移金属(TM)を組
み合せたアモルフアス磁性膜が開発されている。 Gd−Tb−Fe、Gd−Te−Co、 Tb−Fe−Co、Tb−Dy−Fe、 Gd−Tb−Fe−Ge、 Gd−Co、Tb−Fe、Gd−Fe、 Fe−Co−Tb−Gd、 Tb−Dy−Fe−Co、Dy−Fe、 Gd−Fe−Bi これらのうち、光磁気デイスク材としては、当
初Co−Gd、Gd−Fe、Tb−Fe系が注目され、そ
の後、その組成敏感性、記録密度等からTb−Fe
−Co、Gd−Tbi−Co系等へ変遷している。 これらのRE−TM磁性膜は、光磁気メモリ媒
体として次の特徴を有し、その実用化が有望視さ
れている。 キユリー点が比較的低く補償点記録もできる
ので、記録・消去の感度が高い。半導体レーザ
(LD)による記録・消去が可能である。 アモルフアスであるため媒体ノイズが少な
い。Kerr回転角も0.2〜0.35゜であり比較的大き
い。従つて、再生信号のSN比が大きい。 垂直磁化膜であるので高密度記録ができ、か
つ磁気光学効果の大きな極Kerr効果や
Faraday効果を使うことができる。 各種基板の上に大面積の膜を作ることができ
る。 組成比を連続的にとることができ、種々の元
素を比較的自由に混ぜることができる。 従来、これらのランタノイド含有合金は、アル
ミナ質等の坩堝を用いて溶解、鋳造することによ
り製造されている。 [発明が解決しようとする問題点] しかるにランタノイドは極めて反応活性が高
く、酸素(O)、硫黄(S)、窒素(N)と非常に
良く反応するため、従来においては、通常の坩堝
溶解においては特に溶湯中への酸素、硫黄の混入
を防止することができなかつた。またランタノイ
ドの高活性のために、溶湯と接する耐火炉材によ
る合金汚染やランタノイド系酸化物の生成、ラン
タノイド含有量の減少、更に著しい場合には耐火
炉材の破損等の問題が生起する。 例えば、アルミナ質の耐火材料により、溶湯は
下記反応により汚染される。なおLnはランタノ
イド元素を示す。 Al2O3+2Ln→2Al+Ln2O3 又は Al2O3+3Ln→2Al+3LnO このようにランタノイド含有合金は、通常の耐
火物容器を用いた溶解では良好な清浄度の合金は
得られないのである。 一方、水冷銅坩堝を用いる高熱源を使用したア
ーク溶解、プラズマ溶解、電子ビーム溶解などの
方法では均質な合金を得ることが極めて難しい現
状である。 一般に、光磁気デイスクには、記録、再生、消
去の感度、記録密度、垂直磁気異方性、Kerr回
転角、寿命等の点で高特性が要求されているが、
これなの特性は、光磁気デイスク用ターゲツト合
金の純度や均質性に大きく影響を受ける。 しかしながら、前述の如く、従来の方法ではラ
ンタノイド含有合金を高清浄度かつ均質に製造す
ることはできず、特に光磁気デイスク用ターゲツ
ト合金として用いられるTb、Gd、Dy等のRE成
分を10〜50重量%程度含有するものは、酸素の混
入による溶湯汚染が起こり易く、しかも非常に割
れ易いことなどから、その製造にあたつて、改良
すべき問題点が多い。 [問題点を解決するための手段] 本発明は上記従来の実情に鑑み、ランタノイド
含有合金の工業的に極めて有利な溶製方法を提供
するものであつて、 ランタノイドを10重量%以上含有する合金を溶
製するに際し、内面がCaO含有率95重量%以上、
CaF21重量%以下、CaCl20.5重量%以下のカルシ
ア質耐火材で構成された容器を用いて、不活性ガ
ス雰囲気にてランタノイド含有合金の溶湯を該合
金の融点より50〜200℃高い温度で保持すること
を特徴とするランタノイド含有合金の溶製方法、 を要旨とするものである。 以下に本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において「%」は「重量%」を
表す。 本発明において、ランタノイド含有合金とは、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Td、
Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuの1種又は2種
以上のランタノイド元素を10%以上含有する合金
である。このランタノイド含有合金としては、例
えば、ランタノイド元素10〜50%とAl、Cr、Fe、
Mn、Ni、Cu、V、Li、Co、Ti、Ta、W、Sn、
Zr、Mo、Mg、Ga、Nb、Si及びBi等の1種又は
2種以上との合金が挙げられる。 ランタノイド含有合金としては次に例示するよ
うなものが知られている。 Nd−Mg、 20〜25%Nd−Fe、Nd8〜30−B2〜28−Fe、
SmCo5、 Sm2CO17、(Sm1-x−Prx)Co5、LaNi5、 MmNi5、Gd−Fe、Gd−Te−Fe、 Gd−Te−Co、Gd−Co、 20%Ce−Co、Dy−Fe、 Y−Zn−Al、Mm−Zr−Al、 Y−Al、La−Ni−Cr、La−Fe−Cr、 (Fe0.82B0.18)0.9Tb0.05La0.05、 Tb−Fe−Co、Tb−Dy−Fe、 Sc−Mg−Al、Sc−Li−Al、 Sc5Ga3、20〜30%Mm−Mg、 Mm−Co、MmNi4.5Al0.5、 MmNi4.5Mm0.5、MmNi4.5Al0.3Zr0.1 特に、本発明の方法はランタノイド元素を10〜
50%含有する光磁気デイスク用ターゲツト合金の
製造に有効であるが、これらの合金としては、次
のようなものが挙げられる。 GdCo、GdFe、TbFe、 Gd13Tb13Fe74、TbDyFe、GdTbDyFe、Gd26
(Fe81Co19)74 [(GdTb)27Fe73]96Ge4 Tb21(Fe85Co15)79、 (GdTb)23Co77、 (Gd50Tb50)1-a(Fe85Co15)a (Gd20Co80)50(Tb21Te79 50 (Gd33Tb67)37(Fe53Co47 63−Sm (Gd26Fe74)96Bi7、 (Gd26Co74)93Bi4 (Gd26(Fe70Co30)74)91Bi9 本発明においては、このようなランタノイド含
有合金を、内面がCaO含有率95%以上、CaF21%
以下、CaCl20.5%以下のカルシア質耐火物で構成
された容器を用い、不活性ガス雰囲気下で、常法
例えば高周波あるいは低周波誘導加熱法等で加熱
して溶解させ、該合金の融点より50〜200℃高い
温度で該合金溶湯を保持して溶製する。 本発明において、ランタノイド含有合金の溶製
に用いる容器の内面を構成するCaO質耐火材とし
ては、カルシア(CaO)、CaOを富化したドロマ
イトや、共存酸化物としてZrO2、Y2O3、ランタ
ノイド系の酸化物等を含有するCaO質耐火材が挙
げられる。CaOとしては、電融カルシアが、緻密
であることから、極めて好適である。また、生石
灰、石灰石、或いは消石灰などを焼成したカルシ
ア(CaO)も好適である。 このようなCaO質耐火材中のCaO含有率が高い
程、不純物生成が少なく、溶湯の汚染はより確実
に防止される。本発明においては、CaO含有率が
95%以上、好ましくは98%以上のCaO質耐火材で
構成された容器を用いる。 またCaO質耐火材中、CaF2、CaCl2等の含有量
はできるだけ少ないことが好ましく、CaF21%以
下、CaCl20.5以下とする。 このようなCaO質耐火材で構成された容器にて
ランタノイド合金を溶製する際、溶製雰囲気はア
ルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気とし、そ
の圧力は10torr以上であることが望ましい。 また溶製温度は、溶製する合金の融点より50〜
200℃高い温度とする。保持時間は過度に長いと
溶湯汚染の恐れがあることから、5〜10分程度と
するのが好ましい。 本発明の方法により溶製を行つて得られたラン
タノイド含有合金の溶湯は、次いで所望の形状の
鋳型に注入して鋳塊とするが、この際、その凝固
冷却においては、予熱鋳型を用いて1℃/分以下
で徐冷することが好ましい。 このような本発明の方法によれば、特に酸素混
入量が著しく低減された溶湯が得られ、また溶製
を適宜制御、調整することにより、再溶解も可能
となる。 [作 用] CaOは高活性金属を含む合金溶湯に対する安定
性が極めて高く、ランタノイド含有合金溶湯に対
しても安定している。そして、Al2O3の如く、ラ
ンタノイドと反応してランタノイド酸化物を生成
することが少ない。このためランタノイド含有合
金溶湯のランタノイドを減少させたり、溶湯を不
純物によりり汚染することがない。また、特に本
発明の方法によれば、ランタノイド含有合金中の
酸素量が著しく低減され、例えば2000〜3000ppm
程度の酸素を含有するGd又はTb系合金であつて
も、本発明の溶製法による合金又は再溶解によ
り、その酸素含有量を150〜500ppm程度に低減す
ることができる。 これは、CaOを95%以上含有し、CaF2含有率
が1%以下、CaCl2含有率が0.5%以下の耐火物は
溶湯中の酸化物といわゆる炉壁反応し易く、
GdO2、TbO2等の溶湯中のランタノイド酸化物が nRxOy;mCaO =n・RxOy・mCaO (式中、Rはランタノイド元素を示す。) のように炉壁と反応して吸収されるためと考えら
れる。同様に、ランタノイド含有合金溶湯中の硫
化物も炉壁に吸収され、酸化物、硫化物介在量を
大幅に減少させることができるので、純度の高い
ランタノイド含有合金を得ることが可能となる。 このため、内面がこのようなCaO質炉材で構成
された容器を用いることにより、耐火材による溶
湯の汚染がなく、酸素、硫黄含有率の低い高清浄
ランタノイド含有合金の溶製が可能となる。 [実施例] 以下に本発明を実施例及び比較例により更に具
体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない
限り以下の実施例に限定されるものではない。 実施例1、比較例1 第1表に示すランタノイドを後掲の第2表に示
す組成のCaO質坩堝、Al2O3質坩堝にそれぞれ入
れ、これを出力10kw、周波数50kHzの内熱式誘
導炉に入れ、アルゴン雰囲気下で溶解後、10分間
保持し、得られた合金のO、S含有量を化学分析
及び蛍光X線により解析した結果を第1表に示
す。 第1表より、CaO坩堝によれば、O、Sが少な
く、純度の高いランタノイド含有合金が得られる
ことが明らかである。 なお、比較例として行なつたAl2O3坩堝中にお
ける溶解実験では、Alのコンタミが認められ、
それぞれ0.1〜0.05%の残留が認められた。
【表】
【表】
実施例2、比較例2
第4表に示す組成の坩堝を用い、アルゴン
25torrにて、実施例1と同様にして溶製を行い、
30%Fe−30%Co−20%Gd−20%Tb合金の合金
化を行つた。 得られた合金のO、S含有量を化学分析及び蛍
光X線により解析した結果を第3表に示す。 第3表より、特にCaO含有率が高く、CaF2、
CaCl2の少ないCaO坩堝によれば、O、Sが少な
く、純度の高いランタノイド含有合金が得られる
ことが明らかである。
25torrにて、実施例1と同様にして溶製を行い、
30%Fe−30%Co−20%Gd−20%Tb合金の合金
化を行つた。 得られた合金のO、S含有量を化学分析及び蛍
光X線により解析した結果を第3表に示す。 第3表より、特にCaO含有率が高く、CaF2、
CaCl2の少ないCaO坩堝によれば、O、Sが少な
く、純度の高いランタノイド含有合金が得られる
ことが明らかである。
【表】
【表】
実施例 3
第2表に示す組成のCaO質坩堝を用い、これを
出力10kw、周波数50kHzの内熱式誘導炉に入れ、
アルゴン250torr雰囲気下、第5表に示す温度で
溶解し、第5表に示す時間保持して、40%Gd−
60%Fe合金(融点1220℃)の再溶解を行つた。 得られた合金のO、S含有量を化学分析及び蛍
光X線により解析した結果を第5表に示す。 第5表より、合金の融点より50〜200℃高い温
度で5〜10分間保持した場合には、O、Sが極め
て少なく、純度の高いランタノイド含有合金が得
られることが明らかである。
出力10kw、周波数50kHzの内熱式誘導炉に入れ、
アルゴン250torr雰囲気下、第5表に示す温度で
溶解し、第5表に示す時間保持して、40%Gd−
60%Fe合金(融点1220℃)の再溶解を行つた。 得られた合金のO、S含有量を化学分析及び蛍
光X線により解析した結果を第5表に示す。 第5表より、合金の融点より50〜200℃高い温
度で5〜10分間保持した場合には、O、Sが極め
て少なく、純度の高いランタノイド含有合金が得
られることが明らかである。
【表】
【表】
実施例 4
第2表に示す組成のCaO質坩堝を用い、これを
出力10kw、周波数50kHzの内熱式誘導炉に入れ、
アルゴン25torr雰囲気下合金の融点よりも50〜
200℃高い温度で溶解後、5〜10分間保持して、
40%Tb−30%Fe−30%Co合金の溶製を行つた。 得られた溶湯を予熱鋳型に入れて第6表に示す
冷却速度で徐冷して鋳塊を得た。 得られた合金のO、S含有量を化学分析及び蛍
光X線により解析した結果を第6表に示す。 第6表より、1℃/分以下で徐冷することによ
り、O、Sが極めて少なく、純度の高いランタノ
イド含有合金が得られることが明らかである。
出力10kw、周波数50kHzの内熱式誘導炉に入れ、
アルゴン25torr雰囲気下合金の融点よりも50〜
200℃高い温度で溶解後、5〜10分間保持して、
40%Tb−30%Fe−30%Co合金の溶製を行つた。 得られた溶湯を予熱鋳型に入れて第6表に示す
冷却速度で徐冷して鋳塊を得た。 得られた合金のO、S含有量を化学分析及び蛍
光X線により解析した結果を第6表に示す。 第6表より、1℃/分以下で徐冷することによ
り、O、Sが極めて少なく、純度の高いランタノ
イド含有合金が得られることが明らかである。
【表】
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明のランタノイド含有
合金の溶製方法によれば、清浄度の高いランタノ
イド含有合金を得ることが可能である。 このような本発明方法によれば、 低酸素、低硫黄で、耐火材からのコンタミの
ないランタノイド含有合金を容易に得ることが
できる。特に、酸素量は著しく低減される。 従つて、得られる合金は、磁気特性、耐食
性、耐熱性等に優れ、極めて高特性なものとな
る。また、合金の機械的強度も向上する。 耐火材がランタノイドによつて侵食され、破
損することがなく、溶製を長期にわたつて継続
的に行うことが可能である。 極めて均質な組成の合金が得られる。 ランタノイド含有合金の再溶解、鋳造を容易
に行える。このためスクラツプの有効利用が可
能となる。 等の様々な効果が奏され、工業的に極めて有利で
ある。 特に、本発明の方法は、Gd、Tb、Dy等を10
%以上含有する光磁気デイスク用ターゲツト合金
の製造に有効であり、本発明により得られる合金
によれば、割れの問題も解消され、高特性光磁気
デイスクを提供することが可能とされる。 また、本発明はランタノイドを含有する戻り材
の溶解にも良好に採用することができる。
合金の溶製方法によれば、清浄度の高いランタノ
イド含有合金を得ることが可能である。 このような本発明方法によれば、 低酸素、低硫黄で、耐火材からのコンタミの
ないランタノイド含有合金を容易に得ることが
できる。特に、酸素量は著しく低減される。 従つて、得られる合金は、磁気特性、耐食
性、耐熱性等に優れ、極めて高特性なものとな
る。また、合金の機械的強度も向上する。 耐火材がランタノイドによつて侵食され、破
損することがなく、溶製を長期にわたつて継続
的に行うことが可能である。 極めて均質な組成の合金が得られる。 ランタノイド含有合金の再溶解、鋳造を容易
に行える。このためスクラツプの有効利用が可
能となる。 等の様々な効果が奏され、工業的に極めて有利で
ある。 特に、本発明の方法は、Gd、Tb、Dy等を10
%以上含有する光磁気デイスク用ターゲツト合金
の製造に有効であり、本発明により得られる合金
によれば、割れの問題も解消され、高特性光磁気
デイスクを提供することが可能とされる。 また、本発明はランタノイドを含有する戻り材
の溶解にも良好に採用することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ランタノイドを10重量%以上含有する合金を
溶製するに際し、内面がCaO含有率95重量%以
上、CaF21重量%以下、CaCl20.5重量%以下のカ
ルシア質耐火物で構成された容器を用いて、不活
性ガス雰囲気にてランタノイド含有合金の溶湯を
該合金の融点より50〜200℃高い温度で保持する
ことを特徴とするランタノイド含有合金の溶製方
法。 2 ランタノイドを10重量%以上含有する光磁気
デイスク用ターゲツト合金を溶製するに際し、内
面がCaO含有率95重量%以上、CaF21重量%以
下、CaCl20.5重量%以下のカルシア質耐火物で構
成された容器を用いて、アルゴンガス雰囲気
10torr以上にて、該合金の溶湯を該合金の融点よ
り50〜200℃高い温度で3〜10分保持することを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の溶製方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/927,790 US4695427A (en) | 1985-11-19 | 1986-11-05 | Method for production of lanthanide-containing alloy |
| GB8627119A GB2183252B (en) | 1985-11-19 | 1986-11-13 | Method for production of lanthanide-containing alloy |
| DE19863639332 DE3639332A1 (de) | 1985-11-19 | 1986-11-18 | Verfahren zur herstellung einer lanthanidhaltigen legierung |
| NL8602943A NL8602943A (nl) | 1985-11-19 | 1986-11-19 | Werkwijze ter bereiding van een lanthanide-bevattende legering. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-259385 | 1985-11-19 | ||
| JP25938585 | 1985-11-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202036A JPS62202036A (ja) | 1987-09-05 |
| JPH0366375B2 true JPH0366375B2 (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=17333403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13099686A Granted JPS62202036A (ja) | 1985-11-19 | 1986-06-05 | ランタノイド含有合金の溶製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202036A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205432A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-21 | Tohoku Metal Ind Ltd | 活性金属や貴金属を含む合金の溶解法 |
-
1986
- 1986-06-05 JP JP13099686A patent/JPS62202036A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62202036A (ja) | 1987-09-05 |
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