JPH0366483A - 抵抗溶接用電極チツプ - Google Patents

抵抗溶接用電極チツプ

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JPH0366483A
JPH0366483A JP1202810A JP20281089A JPH0366483A JP H0366483 A JPH0366483 A JP H0366483A JP 1202810 A JP1202810 A JP 1202810A JP 20281089 A JP20281089 A JP 20281089A JP H0366483 A JPH0366483 A JP H0366483A
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JP
Japan
Prior art keywords
electrode tip
sintered body
resistance welding
present
welding
Prior art date
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Pending
Application number
JP1202810A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Isozaki
磯崎 啓
Yasuo Imamura
保男 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、抵抗溶接用電極チップに関するものである。
抵抗溶接、中でもスポット溶接は、薄板の溶接として、
自動車、車輛、家電製品、事務機器などに最も多用され
ている。
〔従来の技術〕
従来、スポット溶接用電極チップ材料としては、Cr−
Cu % Aj203−Cu等が使用されている。’t
−h、電極チップ表向にZrB2 、TiB2のセラミ
ックスの溶射皮y&を形成させることも試みられている
・(特開昭61−82983号公報)。
しかしながら、Cuを成分として含む電極チップを用い
て、亜鉛メツキ鋼板のスポット溶接を行う場合、反応又
は付着を起こして電極チップの損耗が激しく溶接効率が
著しく低下するという問題がある。また、溶射によって
セラミックス皮膜を電極チップ表面に形M、させたもの
にあっては、皮膜の緻密性、耐熱衝撃性、耐衝撃性に問
題がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明らは、これらの問題点を解決すべく種々検討した
結果、電極チップ材質として、炭化クロム質及び/又は
ホウ化ジルコニウム質のセラミックス焼結体を用いれば
よいことを見い出し、本発明を完成したものである。
〔課題を解決するための手段〕
すなわち、本発明は、被溶接材と接する部分を炭化クロ
ム質及び/又はホウ化ジルコニウム質のセラミックス焼
結体で構成してなることt−特徴とする抵抗溶接用電極
チップである。
以下、さらに詳しく本発明について説明すると、本発明
は、特開昭61−82983号公報に開示されているセ
ラミックスの溶射皮膜を形成させる電極チップの改良に
係るものであって、その溶射皮膜のかわ夕に炭化クロム
質及び/又はホウ化ジルコニウム質のセラミックス焼結
体を用いることを主たる管機とするものである。それに
よって、溶射皮膜法による皮膜の緻密性や耐(熱)衝撃
性等の不十分さからくる電極チップの割れを著しく改善
することができるものである。
本発明は、電極チップのうち、被溶接材と接すような材
料で構成する必要はない。また、本発明では、被溶接材
と接する部分の全てを本発明に係るセラミックス焼結体
で構成することもできるし、さらにはその表面のみを本
発明に係る材料とし、その内部にCr−Cu 、 AJ
r03−Cu等の電気伝導性の良好な材料を用いて一体
化した構造とすることもできる。
本発明に係るセラミックス焼結体は、炭化クロム及び/
又はホウ化ジルコニウムの粉末を成形し焼結することに
よって得ることができるが、それらは難焼結性であるか
又は粒成長が起こりやすいので、通常は、内削で1〜2
01mtLlb好ましくは5〜1531−J1%程度の
焼結助剤を使用する。炭化クロムの焼結助剤としては、
Zr B2、AjN%SiC。
TlC等、また、ホウ化ジルコニウムのそれとしては、
MOSi2、SiC%0r5G2等が使用される。また
、いずれの場合にも、サーメットのように金属粉末を焼
結助剤として用しることもできる・上記出発原料粉末の
好ましい平均粒子径は10μm以下であり、それらの所
定量を乾式法又は湿式法によ夕混合する・得られた混合
粉末は所望形状に成形され焼結される。成形法としては
、金型プレス成形、C工P成形、スリップ成形、射出成
形などが採用される。大型又は複雑形状で保形が困難な
ときには、ポリビニルアルコール、ワックス、パラフィ
ン等のバインダーを添加して成形することもある。焼結
法としては、常圧焼結、ホットプレス焼結、H工P焼結
などが採用される。焼成温度は、炭化クロム質の場合は
1,400〜1.650°0であシ、ホウ化ジルコニウ
ム質の場合は1,800〜2.100℃である。焼成雰
囲気としては、真空下又は還元雰囲気下である。密度は
、相対密度で90%以上であることが望ましい。また、
本発明に係るセラミックス焼結体には、鋼、クロム、タ
ングステン等の金Ij4を複合させることも可能である
以上のようにして得られた本発明に係るセラミックス焼
結体は、研削後、必要に応じてダイヤモンド砥粒等によ
り研磨し所望形状に加工して電極チップとするが、射出
成形法ではこのような研削加工は余り必要でない。
本発明の電極チップは、以上説明したようなスポット溶
接のほかに他の抵抗溶接法であるグロジエクション溶接
、シーAll接、TIG −7−り・スポット溶接、ス
タッド溶接、バット・アプセット溶接、フラツシエ溶接
、高周波抵抗溶接等に用いる?:、4!:ができる。
〔実施例〕
以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的に説明する
実施例1〜3 比較例1〜3 平均粒子径が2〜3μ瓜であるホウ化ジルコニウム(Z
rB2)、炭化クロム(Cr302)、炭化ケイ素(S
iC)及びケイ化モリブデン(Mos12) f:用い
て、ホウ化ジルコニウム質、炭化クロム質、ホウ化ジル
コニウム(10)−炭化クロム(90)質のセラミック
ス焼結体をそれぞれ製造した。
Z rB2質セラミックス焼結体は、MO8igを10
重量係内側配合しボールミル混合後、CIPM、形(2
,7t、on / am” s S分間)Ll、900
°OX3時間真空中で焼成して製造した・ Cr 302質セラミックス焼結体は、SiC1[1重
量傷内割配合した混合原料粉末を用い、同様にしてC工
P成形後、1.600℃×3時間真空中で焼成して製造
した・ ’t タ、ZrB2 (10) −Cr3Cg (90
)質セラミックス焼結体は、ZrB210重′Ik%、
Cr3C290重量優の混合原料粉末を用い、同様にし
てC工P成形後、1.600℃×3時間真空中で焼成し
て製造した。
以上のようにして得られたセラミックス焼結体を加工し
て市販のポータプルスポット溶接機C)先端電極チップ
(φ16鵡)として組み込み、電圧20v1最大電流1
5,000A%加圧力400時fの条件で亜鉛メツキ鋼
板(電気メツキt −0,8WS)のスポット溶接を行
い、従来材であるCr−Cu製及びCr−Cu K Z
rB2 t−溶射皮膜法で形成させてなる電極チップと
打点可能回数を比較した。
その結果を表−1に示す。
〔発明の効果〕
本発明の抵抗溶接用を極チップを用いることにより、使
用寿命を著しく延長させることができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. 被溶接材と接する部分を炭化クロム質及び/又は
    ホウ化ジルコニウム質のセラミツクス焼結体で構成して
    なることを特徴とする抵抗溶接用電極チツプ。
JP1202810A 1989-08-07 1989-08-07 抵抗溶接用電極チツプ Pending JPH0366483A (ja)

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Cited By (4)

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