JPH0366997A - 多層断熱材 - Google Patents

多層断熱材

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JPH0366997A
JPH0366997A JP1198513A JP19851389A JPH0366997A JP H0366997 A JPH0366997 A JP H0366997A JP 1198513 A JP1198513 A JP 1198513A JP 19851389 A JP19851389 A JP 19851389A JP H0366997 A JPH0366997 A JP H0366997A
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JP
Japan
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insulation material
low
vapor
deposited
radiation
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Pending
Application number
JP1198513A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeaki Hayashi
林 茂明
Koji Saikawa
斉川 康二
Takuya Kishida
卓也 岸田
Akinori Ohara
尾原 昭徳
Tadatoshi Yamada
山田 忠利
Masao Morita
正夫 守田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kansai Electric Power Co Inc
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Kansai Electric Power Co Inc
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH0366997A publication Critical patent/JPH0366997A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16LPIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L59/00Thermal insulation in general
    • F16L59/08Means for preventing radiation, e.g. with metal foil

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Insulation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、多槽断熱材、例えば、超電導磁石などの極
低温装置に用いられる多層断熱材に関するものである。
[従来の技術] 第4図及び第5図は、特開昭62−194171号公報
に示されている従来の極低温装置の構造を示す縦断面図
、及び、それに用いられている多層断熱材の構造を示す
断面図である。
図において、符号(1)は超電導コイル、(2)は超電
導コイル(1)を浸漬して冷却している液体ヘリウム、
(3)は液体ヘリウム(2)を収納している極低温流体
槽、(4)は極低温流体槽(3)を外部より冷却する液
体窒素、(5)は外部からの輻射熱を阻止する輻射シー
ルド、(6)は輻射シールド(5)の外部に設けられて
いる多層断熱材、(7)は上記各部を収納し真空に保持
している真空容器壁である。また、(8)は多層断熱材
(6)を低熱伝導断熱材と共に構成している低輻射断熱
材(6a)の基板、(9)は低輻射断熱材(6a)を基
板(8)の面上に蒸着されている金属からなる反射膜、
(10)は隣接する反射膜(9〉間に一方向に配設され
て、反射膜(9〉間を絶縁しているスリットである。
この極低温装置は、上記のように構成され、超電導コイ
ル(1)を液体ヘリウム(2)などに浸漬し、それを包
み込んで真空排気して真空断熱する真空槽を形成し、真
空容器壁(7)と極低温流体槽(3)との間に設けられ
ている、液体窒素(4)等で冷却されている輻射シール
ド(5〉及び多層断熱材(6)によって真空槽から極低
温流体槽(3)に輻射熱が入るのを減少させている。
[発明が解決しようとする課題] この多層断熱材は、プラスチックフィルム等の基板(8
)の表面に蒸着等の手段によってアルミニウム、銅、銀
等の高熱伝導率、低輻射率の金属からなる反射膜(9)
を取り付けた低輻射断熱材と、プラスチックネット等の
低熱伝導率の低熱伝導断熱材とを交互に多重重ね合わせ
た構成となっているが、例えば、磁気浮上鉄道や、MH
IH置のように外部から変動磁界が加わった場合には、
蒸着されている反射H(9〉の表面に渦電流が流れる。
この渦電流を流れに<<シて渦電流損失を小さくする為
に、反射11g(9)は適当な間隔でスリット(10)
を設けている。
しかしながら、最近開発が進んでいる超電導変圧器や超
電導発電機の固定子巻線などのように、交流50Hz、
60Hzで運転される機器では、スリブ) (10)が
1方向だけあるいは、スリット(10〉間の間隔が従来
のように適当な寸法であっては、渦電流損失の値が大き
くなり過ぎたり、あるいは、渦電流損失の値の予測が困
難で、極低温装置の設計が不正確になるという問題があ
り、このような問題を解決したいという課題を従来装置
は有していた。
この発明は、上記の課題を解決するためになされてもの
で、反射膜に生ずる渦電流損失の値を正確に把握すると
共に、その値を十分に小さくすることのできる多層断熱
材を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る多層断熱材は、その低輻射断熱材の蒸着
金属である反射膜の面積を100CI112以下となる
ように電気的絶縁のためのスリットを施すと共に、上下
に隣接の低輻射断熱材の反射板すなわち蒸着金属どうし
が相互にずれて配設されているものである。
[作 用] この発明による多層断熱材は、上記のように構成されて
いるので、低輻射断熱材の蒸着金属の面積は100cm
2以下になるとおう細分化されており、従って、渦電流
の値を低減することができ、また、上記の隣接の蒸着金
属が相互にずらせて配設されているのでその値を正確に
把握することができる。
[実施例] 以下、この発明をその一実施例を示す図に基づいて説明
する6 図において、符号(12)はプラスチックフィルム等か
らなる基板(8)上に高熱伝導率、低輻射率の金属を蒸
着して構成した蒸着金属である反射膜であり+ (13
)は縦のスリット、(14)は横のスリットであって、
これらスリット(13)(14)により区画されている
反射111(12)は相互に電気的に絶縁状態にある。
(a)は1枚の反射膜(12)の縦の長さ、(b)反射
同様の槓の長さであり、第2図はアルミニウムの電気抵
抗率、第3図は多層断熱材に生じる渦電流損失密度を示
す線図である。
多層断熱材における低輻射断熱材(11)の構造の一例
は、第1図に示すように、基板(8)としての例えばポ
リエステル等のプラスチックフィルムに蒸着金属である
反射M (12)として例えばアルミニウムを両面に厚
さ0.1pm程度に蒸着したものであるが、この反射!
l1l(12)を縦の長さ(a)、横の長さ(b)の区
画に蒸着しない縦のスリット(13)、横のスリット(
14)によって区切り、隣接の反射fi (12)の区
画とは電気的に絶縁している。
ここで反射l1l(12)の区画の面積(縦の長さaX
横の長さb〉を100c1以下とする。
その理由であるアルミニウム蒸着区画の面積と交流60
Hzにおける渦電流損失との関係について次に述べる。
一退の長さがL (+i)、厚さがt(−)のアルミニ
ウムのブロックに垂直方向にBo・(jωt)の磁界が
印加された場合、単位面積当りの渦電流損失P(W/+
n”)は次式で示される。
■ P=     Bo2ω2tL2  (W/m2)64
ρ ここで、 はアルミニウムの電気抵抗率、 は角周波数
である。
アルミニウムの電気抵抗率と温度の関係は第2図に示す
第3図にアルミニウムのブロックの一辺の長さしと渦電
流密度との関係を、温度をパラメータとして示す。ここ
で、アルミニウムの厚さtは、0.1)tm、印加磁界
BOは1丁、積層数は30層とした。
一方、多層断熱材の熱輻射による侵入熱量は30層程度
のもので1 (W/+w2)であり(実測値から)、渦
電流損失量はこの115程度に押えることが必要である
すなわち、第3図の渦電流損失密度はP=0.2(W/
I2)以下とする必要があり、従って、アルミニウムプ
ロッ、りの一辺の長さL=O,1m以下にしなければな
らない〈斜線を施した部分〉、従って、アルミニウムブ
ロックの面積としては、100cm2が要求され、その
ため、反射III(12)の1区加の面積を 100C
I112以下としたものである。
また、多層断熱材として低輻射断熱材(11〉を複数枚
重ねる場合には、上下に対向する低輻射断熱材(11)
の金属が蒸着された区画、すなわち、区画されている各
反射M (12)が隣接する上下間で相互にずれるよう
に施工される。
[発明の効果] 以上、説明したように、この発明によれば、低輻射断熱
材の蒸着金属は、隣接区画の蒸着金属と電気的に絶縁さ
れている一区画の面積が100cm2以下に区切られて
いると共に、積層されている場合には、上下に隣接の低
輻射断熱材の蒸着金属に対して、区画が相互にずれるよ
うに積層して構成されているので、渦電流損失の正確な
値が把握できると共に、渦電流の損失の少ない多層断熱
材を得ることができる効果を有しており、ひいては、例
えば、液体ヘリウムや液体窒素の消費量の正確な予測が
可能になると共にそれらの消費量の少ない装置が提供で
きることになる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の多層断熱材を低熱電導断熱材と共に
構成する低輻射断熱材の平面図であって蒸着金属である
反射膜の表面を示す平面図、第2図はアルミニウムの温
度に対する電気抵抗率線図、第3図は多層断熱材である
アルミニウムブロックの幅に対する渦電流損失密度線図
、第4図は極低温装置の縦断面図、第5図は第4図に使
用されている従来の多層断熱材を構成する低輻射断熱材
の断面図である。 (6)・・多層断熱材、(8)・・基板、(9)(12
)・蒸着金属(反射膜)、(11)・・低輻射断熱材、
(13)・・縦のスリット、(14)・・横のスリット
。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 11 : 1esn’lfmVsU 12二 革、l金L(反射−榎) 13°晒のスリット 14 : fwのスリ、ト 代  理  人    大  岩   増  雄−+ 
AI (RRR−100) #) ffi EFT’S
 P (Ωm)14 ’LIL1i!’%:1f7t 
P (”/m”)昂4図 ホ5図 基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  プラスチックフイルム等の基板表面に金属を蒸着した
    低輻射率の低輻射断熱材と、プラスチックネット等の低
    熱伝導率の低熱伝導断熱材等を交互に複数枚重ねて構成
    されている多層断熱材の上記低輻射断熱材の蒸着金属は
    、蒸着された1区画の面積が100cm^2以下になる
    ように区切られて隣接区画の蒸着金属に対して電気的に
    絶縁されていると共に、上記低輻射断熱材の蒸着金属は
    上下に隣接している低輻射断熱材の蒸着金属に対して相
    互にずれて配設されていることを特徴とする多層断熱材
JP1198513A 1989-07-31 1989-07-31 多層断熱材 Pending JPH0366997A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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