JPH0356063Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0356063Y2 JPH0356063Y2 JP1984134843U JP13484384U JPH0356063Y2 JP H0356063 Y2 JPH0356063 Y2 JP H0356063Y2 JP 1984134843 U JP1984134843 U JP 1984134843U JP 13484384 U JP13484384 U JP 13484384U JP H0356063 Y2 JPH0356063 Y2 JP H0356063Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminated
- slits
- plastic film
- deposited
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、うず電流発生を防止した極低温用積
層断熱構造に関する。
層断熱構造に関する。
(従来の技術)
超伝導コイル等超伝導を利用して働かせる機器
を、内容器と外容器とよりなる二重構造の容器の
内容器中に液体ヘリウムと共に納め、内容器と外
容器との間の空間を真空にし、その空間に積層断
熱材層が設けられて保冷されるが、該積層断熱材
は通常アルミニウム等の金属を全面に蒸着したプ
ラスチツクフイルムを反射膜とし、この反射膜と
熱伝導率の小さい、例えばプラスチツクの網状の
スペーサーとを交互に重ねた構造のものである。
を、内容器と外容器とよりなる二重構造の容器の
内容器中に液体ヘリウムと共に納め、内容器と外
容器との間の空間を真空にし、その空間に積層断
熱材層が設けられて保冷されるが、該積層断熱材
は通常アルミニウム等の金属を全面に蒸着したプ
ラスチツクフイルムを反射膜とし、この反射膜と
熱伝導率の小さい、例えばプラスチツクの網状の
スペーサーとを交互に重ねた構造のものである。
(考案が解決しようとする問題点)
近時、超伝導コイルや超伝導素子を使用した機
器で、交流電磁界、高周波電磁界またはパルス電
磁界を利用した機器が出現して来た。これらの機
器は、エネルギーの損失と不要な電磁界の乱れを
特にきらうものであり、これらの事態が起らない
ように、該機器を保冷するために使用する積層断
熱材の反射膜の金属蒸着部分に発生する、うず電
流を防止する工夫が必要となる。
器で、交流電磁界、高周波電磁界またはパルス電
磁界を利用した機器が出現して来た。これらの機
器は、エネルギーの損失と不要な電磁界の乱れを
特にきらうものであり、これらの事態が起らない
ように、該機器を保冷するために使用する積層断
熱材の反射膜の金属蒸着部分に発生する、うず電
流を防止する工夫が必要となる。
(問題点を解決するための手段及び作用効果)
一般に、機器運用のために発生する磁束の変化
が周囲の導体内に不要のうず電流を起してエネル
ギ損失を来たし、またそのうず電流によつて磁界
が乱れるという不都合が生じる。うず電流損は、
うず電流を起す起電力をe,うず電流のパスの電
器抵抗をrとすると、e2/rで表現される。従つ
て、rを大きくすると、うず電流損が減少する。
本考案はrを大きくする工夫である。
が周囲の導体内に不要のうず電流を起してエネル
ギ損失を来たし、またそのうず電流によつて磁界
が乱れるという不都合が生じる。うず電流損は、
うず電流を起す起電力をe,うず電流のパスの電
器抵抗をrとすると、e2/rで表現される。従つ
て、rを大きくすると、うず電流損が減少する。
本考案はrを大きくする工夫である。
すなわち本考案は、内容器と外容器との間の真
空空間部に、アルミニウム等の金属蒸着プラスチ
ツクフイルムと熱伝導の小さいスペーサーとを交
互に重ねて形成された積層断熱材層を設けた極低
温用積層断熱材において、該プラスチツクフイル
ムの片面または両面に適当な間隔で蒸着されない
スリツト部が形成されており、該スリツト部が上
下で重ならないように積層されていることを特徴
とする、うず電流発生を防止した極低温用積層断
熱構造を内容とする。以下に、図面を参考に詳細
説明する。
空空間部に、アルミニウム等の金属蒸着プラスチ
ツクフイルムと熱伝導の小さいスペーサーとを交
互に重ねて形成された積層断熱材層を設けた極低
温用積層断熱材において、該プラスチツクフイル
ムの片面または両面に適当な間隔で蒸着されない
スリツト部が形成されており、該スリツト部が上
下で重ならないように積層されていることを特徴
とする、うず電流発生を防止した極低温用積層断
熱構造を内容とする。以下に、図面を参考に詳細
説明する。
図1は、片面金属蒸着の例であり、無蒸着スリ
ツト部3が縞模様を形成したプラスチツクフイル
ムを反射膜1とし、これとスペーサー4と積層す
るに当つて該スリツト部3が上下で重ならないよ
うに積層してなる本考案の積層断熱材の1例の斜
視図である。
ツト部3が縞模様を形成したプラスチツクフイル
ムを反射膜1とし、これとスペーサー4と積層す
るに当つて該スリツト部3が上下で重ならないよ
うに積層してなる本考案の積層断熱材の1例の斜
視図である。
低温用断熱材としてのプラスチツク材料は、耐
熱、耐寒、低吸水率、扱い易さからポリエステル
フイルムが望ましい。スリツト部3は、マスキン
グ等により適当な間隔で金属蒸着されないスリツ
ト部が容易に形成できる。スリツト部3は、プラ
スチツクフイルムの全面に、好ましくは縞模様ま
たは格子模様に形成される。反射膜の積層に当つ
て、上下で無蒸着スリツト部が重ならないように
することにより、輻射線が積層を透過するのを極
力防止し、かつスリツト部の存在によつて磁界の
変化があつても反射膜の金属蒸着部分にうず電流
が起りにくくすることができる。
熱、耐寒、低吸水率、扱い易さからポリエステル
フイルムが望ましい。スリツト部3は、マスキン
グ等により適当な間隔で金属蒸着されないスリツ
ト部が容易に形成できる。スリツト部3は、プラ
スチツクフイルムの全面に、好ましくは縞模様ま
たは格子模様に形成される。反射膜の積層に当つ
て、上下で無蒸着スリツト部が重ならないように
することにより、輻射線が積層を透過するのを極
力防止し、かつスリツト部の存在によつて磁界の
変化があつても反射膜の金属蒸着部分にうず電流
が起りにくくすることができる。
図2は、表裏両面金属蒸着反射膜の例であり、
表裏両面に無蒸着縞模様のスリツト部3,3′が
形成されている。しかも表面のスリツト部3と裏
面のスリツト部3′とが重ならない様にしたこと
を示している。図3は、表裏両面金属蒸着反射膜
で、表裏両面に無蒸着格子模様スリツト部3,
3′をつけ、しかも表面のスリツト部3と裏面の
スリツト部3′が長手に重ならない様にした例を
示している。
表裏両面に無蒸着縞模様のスリツト部3,3′が
形成されている。しかも表面のスリツト部3と裏
面のスリツト部3′とが重ならない様にしたこと
を示している。図3は、表裏両面金属蒸着反射膜
で、表裏両面に無蒸着格子模様スリツト部3,
3′をつけ、しかも表面のスリツト部3と裏面の
スリツト部3′が長手に重ならない様にした例を
示している。
図4では、便宜のため積層断熱材中の無蒸着縞
模様スリツト部3を有する反射膜1を1枚だけ示
したが、この面を変化磁束が貫通するとき、従来
のように全面金属蒸着ならば点線の様にうず電流
5が発生する筈であるが、本考案では無蒸着スリ
ツト部3の効用により、殆どr→∞となり、うず
電流の発生が防止できる。図5は、円筒状容器を
包んだ中空状の積層断熱材中の無蒸着縞模様スリ
ツト部を有する反射膜1枚だけを示したが、変化
磁束がこの中空部分を貫通し、反射膜1の無蒸着
スリツト部3を磁束に平行に置くことにより、従
来の全面蒸着ならば中空円筒の円周に沿つて点線
の様なうず電流5が発生する筈であるが、本考案
のスリツト部3の効用により、殆どr→∞とな
り、うず電流の発生を防いでいる。図6では、球
状容器を包んでいる積層断熱材の中の無蒸着格子
模様の反射膜1を1枚示したが、変化磁束がどの
方向に積層断熱材を貫通しても無蒸着の格子模様
のスリツト部3の効用により、あらゆる方向のう
ず電流発生の可能性を押えることができる。
模様スリツト部3を有する反射膜1を1枚だけ示
したが、この面を変化磁束が貫通するとき、従来
のように全面金属蒸着ならば点線の様にうず電流
5が発生する筈であるが、本考案では無蒸着スリ
ツト部3の効用により、殆どr→∞となり、うず
電流の発生が防止できる。図5は、円筒状容器を
包んだ中空状の積層断熱材中の無蒸着縞模様スリ
ツト部を有する反射膜1枚だけを示したが、変化
磁束がこの中空部分を貫通し、反射膜1の無蒸着
スリツト部3を磁束に平行に置くことにより、従
来の全面蒸着ならば中空円筒の円周に沿つて点線
の様なうず電流5が発生する筈であるが、本考案
のスリツト部3の効用により、殆どr→∞とな
り、うず電流の発生を防いでいる。図6では、球
状容器を包んでいる積層断熱材の中の無蒸着格子
模様の反射膜1を1枚示したが、変化磁束がどの
方向に積層断熱材を貫通しても無蒸着の格子模様
のスリツト部3の効用により、あらゆる方向のう
ず電流発生の可能性を押えることができる。
図1は本考案1例の積層断熱材の斜視図、図2
および図3は、それぞれ表裏両面金属蒸着反射膜
の1例の説明用平面図、図4、図5、図6は、そ
れぞれ本考案の積層断熱材(ただし、反射膜1枚
だけを表示した)の使用例の説明図である。 1……反射膜、2……金属蒸着部、3,3′…
…無蒸着スリツト部、4……スペーサー、5……
無蒸着スリツト部がない場合、発生すべきうず電
流。
および図3は、それぞれ表裏両面金属蒸着反射膜
の1例の説明用平面図、図4、図5、図6は、そ
れぞれ本考案の積層断熱材(ただし、反射膜1枚
だけを表示した)の使用例の説明図である。 1……反射膜、2……金属蒸着部、3,3′…
…無蒸着スリツト部、4……スペーサー、5……
無蒸着スリツト部がない場合、発生すべきうず電
流。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 内容器と外容器との間の真空空間部に、アル
ミニウム等の金属蒸着プラスチツクフイルムと
熱伝導率の小さいスペーサーとを交互に重ねて
形成された積層断熱材層を設けた極低温用積層
断熱材において、該プラスチツクフイルムの片
面または両面に適当な間隔で無蒸着スリツト部
が形成されており、該スリツト部が上下で重な
らないように積層されていることを特徴とす
る、うず電流発生を防止した極低温用積層断熱
構造。 (2) 無蒸着スリツト部が縞模様または格子模様を
形成する実用新案登録請求の範囲第1項記載の
積層断熱構造。 (3) プラスチツクフイルムの表裏両面金属蒸着の
場合、表面と裏面とで無蒸着スリツト部が重な
らないように形成された実用新案登録請求の範
囲第1項または第2項記載の積層断熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984134843U JPH0356063Y2 (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984134843U JPH0356063Y2 (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149465U JPS6149465U (ja) | 1986-04-03 |
| JPH0356063Y2 true JPH0356063Y2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=30693347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984134843U Expired JPH0356063Y2 (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0356063Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4790000B2 (ja) | 2008-12-17 | 2011-10-12 | アイシン精機株式会社 | 超電導装置用真空容器および超電導装置 |
| EP3497705B1 (en) * | 2016-08-15 | 2020-03-25 | Koninklijke Philips N.V. | Magnet system with thermal radiation screen |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132479B2 (ja) * | 1971-10-04 | 1976-09-13 | ||
| JPS5065187A (ja) * | 1973-10-09 | 1975-06-02 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP1984134843U patent/JPH0356063Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6149465U (ja) | 1986-04-03 |
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