JPH0367247B2 - - Google Patents
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- JPH0367247B2 JPH0367247B2 JP57192145A JP19214582A JPH0367247B2 JP H0367247 B2 JPH0367247 B2 JP H0367247B2 JP 57192145 A JP57192145 A JP 57192145A JP 19214582 A JP19214582 A JP 19214582A JP H0367247 B2 JPH0367247 B2 JP H0367247B2
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投射型の大画面表示装置などに用いら
れる光書込型液晶ライトバルブ素子に関するもの
である。
れる光書込型液晶ライトバルブ素子に関するもの
である。
光書込型液晶ライトバルブ素子は投射型大画面
表示装置及び光学画像処理における入出力デバイ
スであるインコヒーレント・コヒーレント光像変
換素子などに用いられ、光入力情報を光出力情報
に変換するためのキーデバイスである。光書込型
液晶ライトバルブは一般に第１図に示すような構
造をしている。すなわち第１のガラス基板１上に
透明導電膜２、光導電体膜からなる光書込層３、
入力光１２と出力光１３を分離するための遮光膜
４、誘電体多層反射膜５を設け、第２の透明導電
膜７のついたガラス基板６で液晶からなる表示層
８を挾持した構造である。なおここで９，９′は
液晶分子を配向させるための絶縁体膜からなる配
向処理層、１０はスペーサー、１１は電源であ
る。この構造で各部に必要な性質は以下の通りで
ある。まず光導電体からなる光書込層３は暗導電
率10-7Ω-1cm-1以下、明導電率10-6〜10-4Ω-1cm-1
以上、次に遮光層４は明導電率10-7Ω-1cm-1以下
で、吸収係数が大きいこと誘電体多層反射膜の透
過率は10％以下である。上記光導電体の導電率は
高分解能と高コントラストを得るために必要な値
である。また遮光膜は本来誘電体多層反射膜の透
過率が零であれば必要ない部分であるが、そのよ
うな反射膜を得るためにはオングストロームオー
ダーの厳密な膜厚制御が必要で、実際上そのよう
な制御は不可能である。そこで分解能をそこなわ
ないように明導電率10-7Ω-1cm-1以下の光吸収体
で10-4〜10-6の遮光能を得るわけである。
表示装置及び光学画像処理における入出力デバイ
スであるインコヒーレント・コヒーレント光像変
換素子などに用いられ、光入力情報を光出力情報
に変換するためのキーデバイスである。光書込型
液晶ライトバルブは一般に第１図に示すような構
造をしている。すなわち第１のガラス基板１上に
透明導電膜２、光導電体膜からなる光書込層３、
入力光１２と出力光１３を分離するための遮光膜
４、誘電体多層反射膜５を設け、第２の透明導電
膜７のついたガラス基板６で液晶からなる表示層
８を挾持した構造である。なおここで９，９′は
液晶分子を配向させるための絶縁体膜からなる配
向処理層、１０はスペーサー、１１は電源であ
る。この構造で各部に必要な性質は以下の通りで
ある。まず光導電体からなる光書込層３は暗導電
率10-7Ω-1cm-1以下、明導電率10-6〜10-4Ω-1cm-1
以上、次に遮光層４は明導電率10-7Ω-1cm-1以下
で、吸収係数が大きいこと誘電体多層反射膜の透
過率は10％以下である。上記光導電体の導電率は
高分解能と高コントラストを得るために必要な値
である。また遮光膜は本来誘電体多層反射膜の透
過率が零であれば必要ない部分であるが、そのよ
うな反射膜を得るためにはオングストロームオー
ダーの厳密な膜厚制御が必要で、実際上そのよう
な制御は不可能である。そこで分解能をそこなわ
ないように明導電率10-7Ω-1cm-1以下の光吸収体
で10-4〜10-6の遮光能を得るわけである。
従来上記条件を満足する材料としてCdS光導電
体に対してはCdTeが用いられ、シリコン結晶の
光導電体に対しては二酸化硅素中に多量のニツケ
ルや亜鉛などの金属を含ませたサーメツト等の薄
膜が遮光用の光吸収体として用いられてきた。し
かしこれらの物質はそれぞれ異質の物質であり、
製造方法が異なつたり光導電体と遮光層さらに誘
電体多層反射膜への格子定数の不整合を生じ易か
つた。さらにCdS光導電体は応答速度が数ミリ秒
から数十ミリ秒と長いため書込手段がスライド画
像の書込や、螢光体の残光性が比較的長いCRT
による書込などに制限され、一画素の書込が数マ
イクロ秒以下の、例えばレーザによる走査記録な
どの高速走査記録には不向きであつた。これらい
くつかの欠点のため、液晶ライトバルブの構成が
複雑になり高価なデバイスにならざるを得ない上
に用途が制限されるという不都合が生じていた。
体に対してはCdTeが用いられ、シリコン結晶の
光導電体に対しては二酸化硅素中に多量のニツケ
ルや亜鉛などの金属を含ませたサーメツト等の薄
膜が遮光用の光吸収体として用いられてきた。し
かしこれらの物質はそれぞれ異質の物質であり、
製造方法が異なつたり光導電体と遮光層さらに誘
電体多層反射膜への格子定数の不整合を生じ易か
つた。さらにCdS光導電体は応答速度が数ミリ秒
から数十ミリ秒と長いため書込手段がスライド画
像の書込や、螢光体の残光性が比較的長いCRT
による書込などに制限され、一画素の書込が数マ
イクロ秒以下の、例えばレーザによる走査記録な
どの高速走査記録には不向きであつた。これらい
くつかの欠点のため、液晶ライトバルブの構成が
複雑になり高価なデバイスにならざるを得ない上
に用途が制限されるという不都合が生じていた。
本発明の目的は、上記の従来の光書込型液晶ラ
イトバルブ素子の欠点を除去せしめ、光応答速度
が速く、製作が容易で特性の再現性のよい光書込
型液晶ライトバルブ素子を提供することにある。
イトバルブ素子の欠点を除去せしめ、光応答速度
が速く、製作が容易で特性の再現性のよい光書込
型液晶ライトバルブ素子を提供することにある。
本発明の光書込型液晶ライトバルブ素子は従来
型の光書込型液晶ライトバルブ素子において、そ
の光導電体膜部が、暗導電率10-7Ω-1cm-1以下、
明導電率10-6〜10-4Ω-1cm-1以上の性質を持つ非
晶質シリコン膜（ａ−Si：Ｈ）で構成し、遮光膜
部を明導電率10-7Ω-1cm-1以下の性質を持つ弗素
と水素を含む非晶質シリコン膜（ａ−Si：Ｆ：
Ｈ）で構成することを特徴とする。
型の光書込型液晶ライトバルブ素子において、そ
の光導電体膜部が、暗導電率10-7Ω-1cm-1以下、
明導電率10-6〜10-4Ω-1cm-1以上の性質を持つ非
晶質シリコン膜（ａ−Si：Ｈ）で構成し、遮光膜
部を明導電率10-7Ω-1cm-1以下の性質を持つ弗素
と水素を含む非晶質シリコン膜（ａ−Si：Ｆ：
Ｈ）で構成することを特徴とする。
以下、本発明についての図面を参照して説明す
る。
る。
近年、水素によるダングリングボンドの消去に
よつて非晶質シリコンの価電子制御が可能になる
ことが示されて以来、非晶質シリコンの各方面へ
の応用が盛んに研究されている。その高い暗抵抗
と光感度から光書込型液晶ライトバルブ素子への
応用も考えられているが、現在のところ実用にな
つているものはない。その最大の理由は、CdSに
対するCdTeのような遮光膜材料が非晶質シリコ
ンに対して見い出されなかつたことである。遮光
膜に要求される特性は投射光を当てた状態
10-7Ω-1cm-1以下の導電率であることと、可視光
全域にわたつて104cm-1以上の高吸収係数を持つ
ことである。前者は分解能を確保するため、後者
は液晶にかかる電圧のON−OFF比を大きくとる
ために必要な特性であるこのような高抵抗で光感
度が非常に小さくしかも吸収が大きいという条件
を満足しなおかつ非晶質シリコンの上に安定に積
層できる膜がなかつため非晶質シリコンを使つた
光書込型液晶ライトバルブが実用にならなかつた
訳である。
よつて非晶質シリコンの価電子制御が可能になる
ことが示されて以来、非晶質シリコンの各方面へ
の応用が盛んに研究されている。その高い暗抵抗
と光感度から光書込型液晶ライトバルブ素子への
応用も考えられているが、現在のところ実用にな
つているものはない。その最大の理由は、CdSに
対するCdTeのような遮光膜材料が非晶質シリコ
ンに対して見い出されなかつたことである。遮光
膜に要求される特性は投射光を当てた状態
10-7Ω-1cm-1以下の導電率であることと、可視光
全域にわたつて104cm-1以上の高吸収係数を持つ
ことである。前者は分解能を確保するため、後者
は液晶にかかる電圧のON−OFF比を大きくとる
ために必要な特性であるこのような高抵抗で光感
度が非常に小さくしかも吸収が大きいという条件
を満足しなおかつ非晶質シリコンの上に安定に積
層できる膜がなかつため非晶質シリコンを使つた
光書込型液晶ライトバルブが実用にならなかつた
訳である。
一方、非晶質シリコンのダングリングボンドタ
ーミネータとして弗素を用いる研究が勢力的に行
なわれている。これは、シリコンの弗素の結合エ
ネルギーが水素とシリコンの結合エネルギーより
も大きく、熱的に安定な膜が得られる可能性があ
るためである。
ーミネータとして弗素を用いる研究が勢力的に行
なわれている。これは、シリコンの弗素の結合エ
ネルギーが水素とシリコンの結合エネルギーより
も大きく、熱的に安定な膜が得られる可能性があ
るためである。
我々はその研究において弗素と水素を含んだ膜
は水素のみを含んだ膜に比べ吸収係数が大きいと
いう性質を持つていることを発見した。さらに
我々はこの弗素と水素を含んだ膜が、該遮光膜に
要求される吸収が大きく、高抵抗で明導電率の増
加が小さくしかも水素のみを含む非晶質シリコン
膜とのマツチングがよいという条件を満足するこ
とを見い出し、これを液晶ライトバルブ素子に応
用するに至つた。
は水素のみを含んだ膜に比べ吸収係数が大きいと
いう性質を持つていることを発見した。さらに
我々はこの弗素と水素を含んだ膜が、該遮光膜に
要求される吸収が大きく、高抵抗で明導電率の増
加が小さくしかも水素のみを含む非晶質シリコン
膜とのマツチングがよいという条件を満足するこ
とを見い出し、これを液晶ライトバルブ素子に応
用するに至つた。
まず光導電体膜として用いるａ−Si：Ｈ膜につ
いて特性を示しながら説明する。第２図にグロー
放電法によつて形成したａ−Si：Ｈ膜の導電率の
膜形成時の基板温度依存性を示す。
いて特性を示しながら説明する。第２図にグロー
放電法によつて形成したａ−Si：Ｈ膜の導電率の
膜形成時の基板温度依存性を示す。
図においてσDは暗導電率、σPはAMI（太陽光と
スペクトルが同じで100ｍＷ／cm2の光）照射時の
明導電率である。図から明らかなように明導電率
は膜形成時の基板温度が上るにつれて増大し300
℃以上の高温側で胞和する。また200℃以上では
光書込型液晶ライトバルブ素子の光導電体膜とし
て必要な暗導電率10-7Ω-1cm-1以下、明導電率
10-7〜10-4Ω-1cm-1という値を十分満足している
ことが分る。
スペクトルが同じで100ｍＷ／cm2の光）照射時の
明導電率である。図から明らかなように明導電率
は膜形成時の基板温度が上るにつれて増大し300
℃以上の高温側で胞和する。また200℃以上では
光書込型液晶ライトバルブ素子の光導電体膜とし
て必要な暗導電率10-7Ω-1cm-1以下、明導電率
10-7〜10-4Ω-1cm-1という値を十分満足している
ことが分る。
ところで、基板温度130℃以下では明導電率が
10-7Ω-1cm-1以下となり、この膜を遮光膜として
使えそうであるが、一般に低温で形成した膜は水
素が抜けやすく熱的に不安定であることが知られ
ており、実用には不向きである。
10-7Ω-1cm-1以下となり、この膜を遮光膜として
使えそうであるが、一般に低温で形成した膜は水
素が抜けやすく熱的に不安定であることが知られ
ており、実用には不向きである。
次に弗素と水素を含んだ非晶質シリコンがある
成長条件で遮光膜としての条件を満足し、しかも
条件を変えれば光導電体膜としても使えるため光
導電体膜と遮光膜の連続成長が可能であり、非晶
質シリコンを用いた実用的な液晶ライトバルブ素
子が得られることを示す。
成長条件で遮光膜としての条件を満足し、しかも
条件を変えれば光導電体膜としても使えるため光
導電体膜と遮光膜の連続成長が可能であり、非晶
質シリコンを用いた実用的な液晶ライトバルブ素
子が得られることを示す。
第３図は、SiF4とH2の混合ガスを原料ガスと
したグロー放電法によつて作製した非晶質シリコ
ン（ａ−Si：Ｆ：Ｈ）の導電率σのSiF4とH2混
合比依存性を示している。図においてσDは暗導電
率、σPはAMI（太陽光とスペクトルがほぼ同じで
100ｍＷ／cm2のエネルギ密度を持つた光）照射時
の明導電率を示している。また成長時の基板温度
は約320℃圧力は約1Torrである。図から明らか
なように、混合比SiF4／H2が30以上では明導電
率は10-7Ω-1cm-1を下まわつており導電率に関し
て遮光膜の条件を満たしていることが分る。
したグロー放電法によつて作製した非晶質シリコ
ン（ａ−Si：Ｆ：Ｈ）の導電率σのSiF4とH2混
合比依存性を示している。図においてσDは暗導電
率、σPはAMI（太陽光とスペクトルがほぼ同じで
100ｍＷ／cm2のエネルギ密度を持つた光）照射時
の明導電率を示している。また成長時の基板温度
は約320℃圧力は約1Torrである。図から明らか
なように、混合比SiF4／H2が30以上では明導電
率は10-7Ω-1cm-1を下まわつており導電率に関し
て遮光膜の条件を満たしていることが分る。
さらに、SiF4／H2が10付近では導電率の明暗
比が６桁近くもあり光導電体膜として十分使える
ことを示している。第４図は導電率の基板温度依
存性を示している。図より、光導電膜としては基
板温度380℃以上の高温の方が良いことがわかる。
また低温にする程明導電率が低くなり遮光膜に適
していることが分る。このように良い膜を作るた
めには温度を制御した方がよいが、膜形成は光導
電体膜、遮光膜の順序で行うため後の方が低温と
なり、それぞれ特性に悪影響は出てこない。第５
図に吸収係数αのSiF4／H2依存性を示す。図に
よるとSiF4／H2が大きい程吸収係数も大きくな
り、SiF4／H2が30程度では遮光膜に必要な条件
を十分満足していることが分る。従つてグロー放
電法においては基板温度320℃以下、ガス混合比
30程度、圧力1Torrで該遮光膜が得られる。
比が６桁近くもあり光導電体膜として十分使える
ことを示している。第４図は導電率の基板温度依
存性を示している。図より、光導電膜としては基
板温度380℃以上の高温の方が良いことがわかる。
また低温にする程明導電率が低くなり遮光膜に適
していることが分る。このように良い膜を作るた
めには温度を制御した方がよいが、膜形成は光導
電体膜、遮光膜の順序で行うため後の方が低温と
なり、それぞれ特性に悪影響は出てこない。第５
図に吸収係数αのSiF4／H2依存性を示す。図に
よるとSiF4／H2が大きい程吸収係数も大きくな
り、SiF4／H2が30程度では遮光膜に必要な条件
を十分満足していることが分る。従つてグロー放
電法においては基板温度320℃以下、ガス混合比
30程度、圧力1Torrで該遮光膜が得られる。
このように本発明の光書込型液晶ライトバルブ
素子では、従来光導電体膜としてCdS、遮光膜と
してCdTeを使つていたのに対し、光導電体膜に
ａ−Si：Ｈ、遮光膜にａ−Si：Ｆ：Ｈと、いずれ
も非晶質シリコンを使うことを特徴とする。従つ
て本発明の素子では従来型の素子に対し、以下に
述べるような特性の向上並びに製作の容易さ等の
効果が得られる。
素子では、従来光導電体膜としてCdS、遮光膜と
してCdTeを使つていたのに対し、光導電体膜に
ａ−Si：Ｈ、遮光膜にａ−Si：Ｆ：Ｈと、いずれ
も非晶質シリコンを使うことを特徴とする。従つ
て本発明の素子では従来型の素子に対し、以下に
述べるような特性の向上並びに製作の容易さ等の
効果が得られる。
(1) ａ−Si：ＨはCdSに比べ、光応答速度が少く
とも１桁以上速く、高速応答の光書込型液晶ラ
イトバルブ素子が得られる。
とも１桁以上速く、高速応答の光書込型液晶ラ
イトバルブ素子が得られる。
(2) 物質的にａ−Si：Ｈとα−Si：Ｆ：Ｈは、非
常に近い材料であり、格子のミスマツチングに
よる剥離現象等の不安定性がない。
常に近い材料であり、格子のミスマツチングに
よる剥離現象等の不安定性がない。
(3) ほとんど同一温度での連続成長が可能であ
り、形成時間の大幅な短縮並びに省電力化がで
きる。
り、形成時間の大幅な短縮並びに省電力化がで
きる。
(4) 連続成長のため光導電体膜と遮光膜の界面を
洗浄に保つことができ、界面準位による特性の
劣化等がない。
洗浄に保つことができ、界面準位による特性の
劣化等がない。
(5) CdS、CdTeが有害物質であるのに対し、ａ
−Siは無公害材料である。
−Siは無公害材料である。
次に本発明の一実施例を第６図に示す。
図において、１４，２３はガラス基板、１５，
２２はITO透明電極、１６はSiH4を原料ガスと
し、基板温度300℃圧力0.3Torrの条件でグロー
放電法により作製した暗導電率10-7Ω-1cm-1以下、
明導電率10-4Ω-1cm-1程度のａ−Si：Ｈ膜、１７
はSiF4とH2のガス混合比SiF4／H2が30、基板温
度300℃圧力1Torrの条件で、形成装置から試料
を出すことなく連続してグロー放電法で形成した
ａ−Si：Ｆ：Ｈ膜で、この部分の明導電率は
10-7Ω-1cm-1以下である。１８は酸化セリウムと
フツ化マグネシウムを積層し、反射率を90％以上
とした透電体多層反射膜、１９，１９′はSiOを
斜方蒸着して作つた液晶分子軸を基板に水平に配
向させるための配向処理層で、ツイスト・ネマチ
ツクモードの液晶を使用するてめこれらの層は斜
方蒸着の蒸着源を見る方向が対向しかつ45゜の交
差角をなすように設けてある。従つてこの配向処
理層により45゜のツイストを液晶に与えている。
２０は表示用の液晶でＥ７という４−シアノ−
4′−ｎ−ペンテルビフエニルと４−シアノ−4′−
ｎ−ヘプチルビフエニルと４−シアノ−4′−ｎ−
オクメキシビフエニルと４−シアノ−4′−ｎ−ペ
ンテルターフエニルをそれぞれ0.25，0.51，0.1，
0.14の割合で混合した混合液晶であり、複合電界
効果型のツイスト、ネマテイツクモードで動作す
る液晶である。また２１はスペーサ２４は1K〜
100KHz程度の交流電源、２５は書込光、２６は
投射光である。
２２はITO透明電極、１６はSiH4を原料ガスと
し、基板温度300℃圧力0.3Torrの条件でグロー
放電法により作製した暗導電率10-7Ω-1cm-1以下、
明導電率10-4Ω-1cm-1程度のａ−Si：Ｈ膜、１７
はSiF4とH2のガス混合比SiF4／H2が30、基板温
度300℃圧力1Torrの条件で、形成装置から試料
を出すことなく連続してグロー放電法で形成した
ａ−Si：Ｆ：Ｈ膜で、この部分の明導電率は
10-7Ω-1cm-1以下である。１８は酸化セリウムと
フツ化マグネシウムを積層し、反射率を90％以上
とした透電体多層反射膜、１９，１９′はSiOを
斜方蒸着して作つた液晶分子軸を基板に水平に配
向させるための配向処理層で、ツイスト・ネマチ
ツクモードの液晶を使用するてめこれらの層は斜
方蒸着の蒸着源を見る方向が対向しかつ45゜の交
差角をなすように設けてある。従つてこの配向処
理層により45゜のツイストを液晶に与えている。
２０は表示用の液晶でＥ７という４−シアノ−
4′−ｎ−ペンテルビフエニルと４−シアノ−4′−
ｎ−ヘプチルビフエニルと４−シアノ−4′−ｎ−
オクメキシビフエニルと４−シアノ−4′−ｎ−ペ
ンテルターフエニルをそれぞれ0.25，0.51，0.1，
0.14の割合で混合した混合液晶であり、複合電界
効果型のツイスト、ネマテイツクモードで動作す
る液晶である。また２１はスペーサ２４は1K〜
100KHz程度の交流電源、２５は書込光、２６は
投射光である。
上記によつて得た光書込型液晶ライトバルブ素
子は、パルス幅1μsec程度のレーザー光にも十分
追随し、その高速性が確かめられた。しかも上述
したように光導電体膜及び遮光膜は連続形状で得
られている。
子は、パルス幅1μsec程度のレーザー光にも十分
追随し、その高速性が確かめられた。しかも上述
したように光導電体膜及び遮光膜は連続形状で得
られている。
以上説明したように本発明の光書込型液晶ライ
トバルブ素子は、ａ−Si：Ｈあるいはａ−Si：
Ｆ：Ｈを光導電体膜に、ａ−Si：Ｆ：Ｈを遮光膜
に用いることにより、素子の形成が安定性がよく
無公害な材料を用いて容易におこなえ、しかも高
速のものが得られるなど、工業的に多くの利点を
有するものである。
トバルブ素子は、ａ−Si：Ｈあるいはａ−Si：
Ｆ：Ｈを光導電体膜に、ａ−Si：Ｆ：Ｈを遮光膜
に用いることにより、素子の形成が安定性がよく
無公害な材料を用いて容易におこなえ、しかも高
速のものが得られるなど、工業的に多くの利点を
有するものである。
第１図は一般的な従来の光書込型液晶ライトバ
ルブ素子の構造図、第２図はａ−Si：Ｈ膜の導電
率の基板温度依存性を示す図、第３図はａ−Si：
Ｆ：Ｈの導電率のガス混合比SiF4／H2依存性を
示す図、第４図はａ−Si：Ｆ：Ｈ膜における導電
率の基板温度依存性を示す図、第５図はａ−Si：
Ｆ：Ｈの吸収係数のガス混合比SiF4／H2による
変化を示す図、第６図は本発明の光書込型液晶ラ
イトバルブ素子の一実施例を示す図である。 図において、１，６……ガラス基板、２，７…
…透明電極、３……光導電体膜、４……遮光膜、
５……誘電体多層反射膜、８……液晶、９，９′
……配向処理層、１０……スペーサー、１１……
電源、１２……書込光、１３……投射光、１４，
２３……ガラス基板、１５，２２……ITO電極、
１６……光導電体用ａ−Si：Ｆ：Ｈ膜、１７……
遮光用ａ−Si：Ｆ：Ｈ膜、１８……誘電体多層反
射膜、１９，１９′……SiO配向処理層、２０…
…液晶（Ｅ７）、２１……スペーサー、２４……
交流電源、２５……書込光、２６……投射光。
ルブ素子の構造図、第２図はａ−Si：Ｈ膜の導電
率の基板温度依存性を示す図、第３図はａ−Si：
Ｆ：Ｈの導電率のガス混合比SiF4／H2依存性を
示す図、第４図はａ−Si：Ｆ：Ｈ膜における導電
率の基板温度依存性を示す図、第５図はａ−Si：
Ｆ：Ｈの吸収係数のガス混合比SiF4／H2による
変化を示す図、第６図は本発明の光書込型液晶ラ
イトバルブ素子の一実施例を示す図である。 図において、１，６……ガラス基板、２，７…
…透明電極、３……光導電体膜、４……遮光膜、
５……誘電体多層反射膜、８……液晶、９，９′
……配向処理層、１０……スペーサー、１１……
電源、１２……書込光、１３……投射光、１４，
２３……ガラス基板、１５，２２……ITO電極、
１６……光導電体用ａ−Si：Ｆ：Ｈ膜、１７……
遮光用ａ−Si：Ｆ：Ｈ膜、１８……誘電体多層反
射膜、１９，１９′……SiO配向処理層、２０…
…液晶（Ｅ７）、２１……スペーサー、２４……
交流電源、２５……書込光、２６……投射光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１のガラス基板上に、透明導電膜、光導電
体膜、遮光膜、誘電体多層反射膜を積層し、第２
の透明導電膜のついたガラス基板との間に液晶を
封入した構造を持つ光書込型液晶ライトバルブ素
子において、前記光導電体膜が暗導電率10-7Ω-1
cm-1以下、明導電率が10-6〜10-4Ω-1cm-1以上の
性質を持つ非晶質シリコン膜によつて構成されて
いると共に前記遮光膜が明導電率10-7Ω-1cm-1以
下の性質を持つ弗素と水素を含む非晶質シリコン
膜で構成されていることを特徴とする光書込型液
晶ライトバルブ素子。 ２ 光導電体膜を構成する非晶質シリコン膜が水
素を含んだ非晶質シリコン膜である特許請求の範
囲第１項記載の光書込型液晶ライトバルブ素子。 ３ 光導電体膜を構成する非晶質シリコン膜が弗
素と水素とを含んだ非晶質シリコン膜である特許
請求の範囲第１項記載の光書込型液晶ライトバル
ブ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192145A JPS5981627A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 光書込型液晶ライトバルブ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192145A JPS5981627A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 光書込型液晶ライトバルブ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981627A JPS5981627A (ja) | 1984-05-11 |
| JPH0367247B2 true JPH0367247B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=16286438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192145A Granted JPS5981627A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 光書込型液晶ライトバルブ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981627A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4693561A (en) * | 1985-12-23 | 1987-09-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Amorphous silicon spatial light modulator |
| US4925276A (en) * | 1987-05-01 | 1990-05-15 | Electrohome Limited | Liquid crystal light valve utilizing hydrogenated amorphous silicon photodiode |
| EP0412843B1 (en) * | 1989-08-11 | 1996-05-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device of optical writing type |
| US5235437A (en) * | 1989-12-18 | 1993-08-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Analog/digital image processor apparatus with liquid crystal light modulator |
| JPH05165050A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-06-29 | Sharp Corp | 光導電型液晶ライト・バルブ |
| JPH05216060A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 空間光変調素子及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP57192145A patent/JPS5981627A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5981627A (ja) | 1984-05-11 |
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