JPH0367257B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、アルカリ水溶液に対する現像性に優
れ、陽画を形成する感光性樹脂組成物を用いた微
細パターン形成法に関する。 近年の半導体工業の急速な進歩に併ない、半導
体素子のパターン形成に際して用いられるレジス
ト材料に於いても広範な機能及び特性向上が求め
られている。これらの要請にこたえて、種々のタ
イプの感光性樹脂組成物が実用に供せられてお
り、それらはそれぞれに特徴を有しているものの
欠点も多い。 これら実用に供せられている感光性樹脂のなか
で、芳香族アジド化合物とノボラツク樹脂または
ポリヒドロキシスチレン樹脂を主成分とする感光
性樹脂組成物（例えば特公昭53−34902）はアル
カリ水溶液を用いた現像が可能である点に大きな
特徴を有している。現像液として有機溶剤を用い
る感光性樹脂組成物は数多く知られているが、こ
れらの場合現像によつて形成されるパターンが溶
剤を吸収して膨潤するため解像度が悪く特に半導
体素子の高集積化に必要な微細パターンの形成と
いう観点からは大きな問題点となつていた。この
他にも、現像液を有機溶剤とする場合は有害な溶
剤蒸気に対する対策、大量に発生する有機物廃液
の処理、石油資源節約などの問題点があり改善が
望まれていた。 アルカリ水溶液を用いた現像法は、液主成分が
水であるため、形成される樹脂パターンを膨潤す
ることがない。このために微細加工性に優れてお
り、また安全衛生面、資源節約の面でも有効な方
法として注目されており、この方法が可能な材料
として前記感光性樹脂組成物が実用に供せられて
いる。 しかしながら、これらの感光性樹脂組成物にお
いても主として感光剤として用いるアジド化合物
の性質に起因する問題点があつた。現在用いられ
ている系の場合、使用されているアジド化合物は
殆どの場合結晶性の高い固体であり、溶液とした
場合に液から析出したり、又塗膜とした場合に膜
から析出したりする場合があつた。特に不都合な
事としては、アルカリ水溶液現像に際して、溶解
される未露光部分にこれら結晶が微細粒子の形で
残存することにある。このような現像残りはパタ
ーン形成後の後工程に悪影響をもたらすことのみ
ならず、特に高解像性を求める場合にはパターン
間のゆ着あるいはパターン切断の原因となつたり
して用いることが不能となり水溶液現像の特徴を
生かすことができなくなる。このため、スプレー
現像法などのように物理的手段によつてこれらを
取除こうとする改良法が試みられているが、一点
の欠陥によつても不良品となる半導体素子などで
は不十分な面が多く、特に歩止り向上の観点から
も更に効果の高い方法が望まれて来た。 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、微細化工性に優れたパターン形成法を提供
するにある。 上記目的を達成するために感光性樹脂組成物の
芳香族アジド化合物成分の改良中心に鋭意検討し
た結果、芳香族アジド化合物として室温において
液体状態にあるものを用いれば、パターン形成時
の微細加工性が大幅に向上することを見い出し
た。ここで、室温において液体とは、少なくとも
５〜30℃で温度範囲内の１点で液体であることを
意味する。 現像時に溶解する未露光部分で見られる微細な
芳香族アジド化合物の粒子を除く方法としては、
これらを溶解する有機溶剤で洗浄する方法が考え
られるがこの場合は形成された露光部分のパター
ンをも溶解してしまい適切でない。他の方法とし
て芳香族アジド化合物自身を液体とすれば微細粒
子成分が芳香族アジド化合物であるだけに根本的
な解決策となる。この方法を実用するにあたつて
の困難な点は、液体であつてかつ感光性に富む芳
香族アジド化合物を撰定することにある。そこ
で、芳香族アジド化合物を種々合成してその物性
と光感応性を検討した結果、 一般式(1) （但し、−N₃は−Ｘ−Ｒ−Ｙに対しメタ又はパラ
位に位置し、Ｘは

【式】

【式】

【式】

【式】から選択 された一つの基、Ｒは −CH₂CH₂−、−CH₂CH₂CH₂−、−
CH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂−、

【式】から選択された一つ の基、Ｙは−OH、−NH₂、−Ｎ（CH₃）₂、−Ｎ
（C₂H₅）₂、−Ｎ（C₃H₇）₂から選択された一つの基を
表わす。）で表わされる芳香族アジド化合物が、
アルカリ可溶性高分子と組合せた場合に感光性に
富みかつ室温において液状であることを見い出し
た。この液状芳香族アジド化合物を成分の１つと
する前記感光性樹脂組成物を用い、アルカリ水溶
液を用いて現像したパターンはその未露光部溶解
部分において、従来の結晶性芳香族アジドを用い
た場合に見られた微細粒子析出や現像残り等の現
象も見られず清浄であり、パターンの欠陥も著し
く減少した。 以下、本発明の微細パターン形成法に用いる感
光性樹脂組成物について更に詳細に説明する。 本発明のパターン形成法において用いる感光性
樹脂組成物のアルカリ可溶性高分子化合物として
はノボラツク樹脂（ここでは、ホルムアルデヒド
と石炭酸、クレゾール、その他アルキルフエノー
ルとの縮合物などを意味する）またはポリヒドロ
キシスチレン樹脂などがあげられる。ノボラツク
樹脂においてはホモ縮合体もしくは共縮合体の形
で用いることが可能であり、ポリヒドロキシスチ
レン樹脂においてもホモ重合体もしくは共重体の
形で用いることが可能である（以下、ノボラツク
樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂で包括す
る。）。これらは単独で用いる場合の他に両者の混
合物の形で用いてもさしつかえない。 ノボラツク樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂
は市販品として求めることもできる。たとえば、
ノボラツク樹脂として石炭酸ノボラツク樹脂、ク
レゾールノボラツク樹脂、石炭酸・クレゾールノ
ボラツク樹脂等があり、ポリヒドロキシスチレン
樹脂としてはポリ−Ｐ−ビニルフエノール等があ
げられる。これらのベースレジンは目的に応じて
分子量、共縮合組成比、共重合組成比を任意に変
えることも可能である。 用いるベース樹脂としては、フオトレジストと
して使用する温度、たとえば10〜100℃において
成膜していることが必要であり、そのために数平
均分子量は500以上が良く、好ましくは1000以上
500000以下、望しくは、1000以上100000以下が好
しい。 本発明のパターン形成法において用いる感光性
樹脂組成物の芳香族アジド化合物は室温において
液体であることを大きな特徴としている。アルカ
リ可溶性高分子との組合せた時に十分な感光性を
持ちかつ液体である芳香族アジド化合物の例とし
てはパラ（又はメタ）アジド安息香酸２−（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、パラ（又はメタ）
アジド安息香酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）
プロピル、パラ（又はメタ）アジド安息香酸２−
ヒドロキシエチルなどの安息香酸エステル系芳香
族アジド化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−N′−パラ
（又はメタ）アジドベンゾイルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチル−N′−パラ（又はメタ）アジ
ドベイゾイルプロピレンジアミンなどの安息香酸
アミド系芳香族アジド化合物、パラ（又はメタ）
アジドケイ皮酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）
エチル、パラ（又はメタ）アジドケイ皮酸３−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルなどのケイ
皮酸エステル系芳香族アジド化合物、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノ−N′−パラ（又はメタ）アジドベ
ンジリデンアセチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアミノ−N′−パラ（又はメタ）アジド
ベンジリデンアセチルプロピレンジアミンなどの
ケイ皮酸アミド系芳香族アジド化合物、パラ（又
はメタ）アジド−α−シアノケイ皮酸２−（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、パラ（又はメタ）
アジド−α−シアノケイ皮酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノ）プロピルなどのα−シアノケイ皮酸
エステル系芳香族アジド化合物などがあげられ
る。 上記芳香族アジド化合物はたとえば以下に示し
た方法で合成される。安息香酸エステル系芳香族
アジド化合物はアジド安息香酸クロライドとＮ，
Ｎ−ジアルキルアミノアルカノールを反応させ安
息香酸エステル系芳香アジド化合物の塩酸塩を作
る。次にこれを水酸化ナトリウムで処理すれば目
的とする芳香族アジド化合物を得ることができ
る。同様に安息香酸アミド系芳香族アジド化合物
は相当する含芳香族アジド基酸クロライド化合物
とＮ，Ｎ−ジアルキルアミノアルキレンジアミン
との反応により、目的とする化合物の塩酸塩を得
ることができるのでこれを水酸化ナトリウムなど
のアルカリで処理することにより合成することが
できる。安息香酸エステル系芳香族アジド化合物
のうち、アジド安息香酸２−ヒドロキシエチルに
代表されるような分子の１端に水酸基を持つ化合
物は、含芳香族アジド基酸クロライド化合物をピ
リジン、トリエチルアミンなどの有機塩基存在下
に大過剰のアルキレンジオールと反応させること
によつて得られる。 本発明のパターン形成法において用いる感光性
樹脂組成物のアルカリ可溶性高分子化合物と室温
で液体状態にある芳香族アジド化合物の配合割合
としては、アルカリ可溶性高分子化合物を100重
量部とした時芳香族アジド化合物は0.5重量部か
ら150重量部の範囲内で用いるのが好しく、さら
に望しくは２重量部から100重量部の範囲内で用
いるのが好しい。この範囲よりも少量の配合の場
合には実用に供しうるだけの十分な感光感度とな
らない事が多く、又この範囲より多量の配合の場
合には塗膜形成能の点で著しく悪化することが多
い。 本発明のパターン形成法に用いる感光性樹脂組
成物は適当な有機溶剤に溶した溶液状態で適当な
基板表面に塗布される。従つて、用いる溶剤とし
ては感光性樹脂組成物成分のいずれをも溶解する
必要があり、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン系、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテ
ートなどのセロソルブ系、酢酸エチル、酢酸ブチ
ルなどのエステル系などの溶剤をこれらの目的と
して用いることができる。これらは各成分が溶解
する範囲であれば単独で用いてもよいし、２種以
上の混合系で用いてもさしつかえない。用いる溶
剤の配合割合としてはアルカリ可溶性高分子と芳
香族アジド化合物の総量を100重量部とした時こ
れに対して100重量部から10000重量部の範囲内で
用いるのが好しく、さらに望しくは200重量部か
ら5000重量部の範囲内で用いるのが好しい。 本発明のパターン形成法において用いる感光性
樹脂組成物には、アルカリ可溶性高分子と室温で
液体状態にある芳香族アジド化合物、溶剤の他
に、目的に応じて更に副次的な成分を含有せしめ
てもさしつえない。それらの例としてしては、貯
蔵安定性をはかるための熱重合防止剤、基板との
「ぬれ」性をよくするための界面活性剤、基板か
らのハレーシヨンを防止するハレーシヨン防止
剤、基板との密着性を向上させるための密着性向
上剤、染料、顔料、充填剤、難燃剤、増感剤等が
あげられる。 次にパターン形成の工程について個々に説明す
る。感光性樹脂組成物を支持基板へ塗布する方法
としてはスピンナを用いた回転塗布、浸漬、噴
霧、印刷などの手段が可能であり目的に応じて適
宜選択することができる。これらは次に適当な温
度（120℃以下、好ましくは70〜100℃がよい）で
乾燥し膜とする。塗布膜厚は塗布手段、溶液の固
形分濃度、粘度によつて調節が可能である。 支持基板上で塗膜となつた感光性樹脂組成物に
場所的に紫外線を照射し、次いで未露光部分を現
像液で溶解除去することによりレリーフ・パター
ンを得ることができる。照射源は紫外線に限らず
Ｘ線、電子線などの放射線であつても良い。感応
させるのに要する最適照射線量は組成によつても
異なるが、紫外線の場合５〜500ｍＪ／cm²、Ｘ線
の場合10〜500ｍＪ／cm²、電子線の場合１×10^-6
〜５×10^-5C／cm²の範囲から目的に応じて適宜選
択して照射するのが望しい。 本発明で用いる感光性樹脂組成物は前記したよ
うにアルカリ溶液によつて現像することができ
る。これらの例としてはテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシドによつて代表されるテトラアルキ
ルアンモニウムヒドロキシドの水溶液、第３燐酸
ナトリウム、水酸化ナトリウムに代表される無機
アルカリ水溶液などがあげられるが、アルカリ性
溶液であれば良くこれらに限定されない。 現像は浸漬法、スプレー現像法などによつて行
なう事ができる。現像に望しい温度範囲は５〜60
℃であるが、現像速度は温度条件に依存するので
目的に応じて撰択することが望しい。芳香族アジ
ド化合物として液状のものを用いてもその成分比
が多くなると基板表面にこれらが付着する現像が
見られるが、液状であることの特性を生かしスプ
レー現像法で物理的に洗い流すことによつて極め
て清浄にかつ歩止り良くパターンを形成すること
ができる。 現像後基板から現像液を洗浄除去し基板表面を
清浄にするためリンス処理を行なうが、このため
のリンス液としては水が好しい。この他にも現像
液との混和性が良好でかつ形成パターンを溶解し
ないものであれば有機溶剤を用いてもさしつかえ
ない。これらの例としてエタノール、イソプロピ
ルアルコールなどがあげられるがこれらに限定さ
れない。又、水と有機溶剤を混液の形で用いても
さしつかえない。処理は浸漬、スプレー法などに
よつて行なう事ができる。 以下に本発明を実施例によつて説明する。尚、
実施例中の部は重量部を示す。 実施例 １ 石炭酸ノボラツク樹脂10部をシクロヘキサノン
90部に溶かし、次にパラアジド安息香酸２−ヒド
ロキシエチル１部を溶解して感光樹脂組成物の溶
液を調製した。この時、パラアジド安息香酸２−
ヒドロキシエチルは瞬時に溶解して均一溶液とな
つた。次いで、この溶液を１ｍμ孔のフイルタを
用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上で
回転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して0.8μｍ
厚の塗膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フオ
トマスクで密着被覆し、500WのXe−Hg灯を用
いて距離30cmの所から５秒間紫外線照射した。
0.15規定の水酸化カリウム水溶液を用いてスプレ
ー現像し、次いで水で洗浄してシヤープな端面の
レリーフ・パターンを得た。パターンは結晶性芳
香族アジド化合物を用いた場合に見られる結晶の
析出現像やこの成分に基ずくパターン間の現像残
りなども見られず清浄であり、最小1μｍ幅のラ
インアンドスペースのくり返しパターンを転写す
ることができた。 実施例 ２ クレゾールノボラツク樹脂10部をエチルセロソ
ルブアセテート120部に溶解し、次にパラアジド
安息香酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル
２部を溶解して感光性樹脂組成物の溶液を調製し
た。この時、パラアジド安息香酸２−（Ｎ，Ｎ−
ジメチルアミノ）エチルは瞬時に溶解して均一溶
液となつた。次いで、この溶液を1μｍ孔のフイ
ルタを用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでセラミツク基板上に
回転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して0.8μｍ
厚の塗膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フオ
トマスクで密着被覆し、500WのXe−Hg灯を用
いて距離30cmの所から５秒間紫外線照射した。
0.2規定の水酸化ナトリウム水溶液を用いてスプ
レー現像し、次いで水で洗浄して端面のシヤープ
なレリーフ・パターンを得た。パターンは実施例
１で示したのと同様に十分に清浄であつた。 実施例 ３ ポリパラビニルフエノール10部をエチルセロソ
ルブアセテート120部に溶解し、次にメタアジド
安息香酸３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピ
ル３部と溶解して感光性樹脂組成物の溶液を調製
した。実施例１に示した如く、この場合も芳香族
アジド成分は添加すると瞬時に溶解した。次い
で、この溶液を1μｍ孔のフイルタを用いて加圧
過した。 得られた液をスピンナでシリコンウエハ上で回
転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して0.9μｍ厚
の塗膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フオト
マスクで密着被覆し、500WのXe−Hg灯を用い
て距離30cmの所から５秒間紫外線照射した。0.2
規定のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの
水溶液を用いてスプレー現像し、次いで水で洗浄
して端面のシヤープなレリーフ・パターンを得
た。パターンは実施例１で見られた如く、十分に
清浄であつた。 実施例 ４ 石炭酸ノボラツク樹脂10部をメチルセロソルブ
アセテート40部に溶解し、次にＮ，Ｎ−ジメチル
−N′−パラアジドベンゾイルエチレンジアミン
３部を溶解して感光性樹脂組成物の溶液を調製し
た。実施例１に見られた如く、芳香族アジド成分
は添加すると瞬時に溶解した。次いで、この溶液
を1μｍ孔のフイルタを用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上に
回転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して0.9μｍ
厚の塗膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フオ
トマスクで密着被覆し、500WのXe−Hg灯を用
いて距離30cmの所から５秒間紫外線照射した。
0.2規定テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
の水溶液を用いてスプレー現像し、次いで水で洗
浄し端面のシヤープなレリーフ・パターンを得
た。パターンは実施例１で見られた如く、十分に
清浄であつた。 実施例 ５ 石炭酸ノボラツク樹脂10部をメチルセロソルブ
アセテート100部に溶解し、次にパラアジドケイ
皮酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル３部
を溶解して感光性樹脂組成物の溶液を調製した。
芳香族アジド成分は添加すると瞬時に溶解し均一
溶液となつた。次に、この溶液を1μｍ孔のフイ
ルタを用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上で
回転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して1.0μｍ
厚の塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダガラ
ス製フオトマスクで密着被覆し、500Wの高圧水
銀灯を用いて距離30cmの所から10秒間紫外線照射
した。0.2規定のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの水溶液を用いてスプレー現像し、次い
で水で洗浄して端面のシヤープなレリーフ・パタ
ーンを得た。パターンは実施例１で見られたのと
同等なほどに十分清浄であつた。 実施例 ６ 石炭酸ノボラツク樹脂10部をメチルセロソルブ
アセテート100部に溶解し、次にＮ，Ｎ−ジエチ
ルアミノ−N′−パラアジドベンジリデンアセチ
ルエチレンジアミン４部を溶解して感光性樹脂組
成物の溶液を調製した。芳香族アジド成分は添加
すると瞬時に溶解し均一溶液となつた。次に、こ
の溶液を1μｍ孔のフイルタを用いて加圧過し
た。 得られた液をスピンナでシリコンウエハ上に回
転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して1.1μｍ厚
の塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダガラス
製フオトマスクで密着被覆し、500Wの高圧水銀
灯を用いて距離30cmの所から10秒間紫外線照射し
た。0.2規定のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドの水溶液を用いて浸漬法によつて現像し、
次いで水で洗浄して端面のシヤープなレリーフ・
パターンを得た。パターンは実施例１で見られた
のと同等なほどに十分清浄であつた。 実施例 ７ ポリパラビニルフエノール10部をメチルセロソ
ルブアセテート100部に溶解し、次にパラアジド
α−シアノケイ皮酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ）エチル３部を溶解して感光性樹脂組成物の溶
液を調製した。芳香族アジド成分は添加すると瞬
時に溶解し均一溶液となつた。次に、この溶液を
1μｍ孔のフイルタを用いて加圧過した。 得られた液をスピンナでシリコンウエハ上に回
転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して0.9μｍの
塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダガラス製
フオトマスクで密着被覆し、500Wの高圧水銀灯
を用いて距離30cmの所から10秒間紫外線照射し
た。0.2規定のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドの水溶液を用いて浸漬法によつて現像し、
次いで水で洗浄して端面のシヤープなレリーフ・
パターンを得た。パターンは実施例１で見られた
のと同等なほどに十分清浄であつた。 実施例 ８ ポリパラビニルフエノール樹脂10部をエチルセ
ロソルブアセテート100部に溶解し、次にパラア
ジド安息香酸２−ヒドロキシエチル0.5部を溶解
して感光性樹脂組成物の溶液を調製した。芳香族
アジド成分は添加すると瞬時に溶解し均一溶液と
なつた。次に、この溶液を1μｍ孔のフイルタを
用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上で
回転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して0.7μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フオト
マスクで密着被覆し、500Wの高圧水銀灯を用い
て距離30cmの所から15秒間紫外線照射した。0.2
規定のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの
水溶液を用いてスプレー現像し、次に水で洗浄し
て端面のシヤープなレリーフ・パターンを得た。
パターンは実施例１で見られたのと同等なほどに
十分清浄であつた。 比較例 石炭酸ノボラツク樹脂10部をメチルセロソルブ
アセテート40部に溶解し、次に結晶性アジド化合
物である４，4′−ジアジドアセトフエノン１部を
微粉末にして加えて室温で10時間撹拌したが、ア
ジド化合物は完全に溶解しなかつた。更に、アジ
ド化合物の溶すべく液を50℃まで加温したが完全
に溶けなかつた。この液は、次に1μｍ孔のフイ
ルタを用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上で
回転塗布し、次いで70℃、20分間乾燥して0.9μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フオト
マスクで密着被覆し、500WのXe−Hg灯を用い
て距離30cmの所から15秒間紫外線照射した。0.2
規定のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの
水溶液を用いてスプレー現像し次に水で洗浄して
レリーフ・パターンを得た。現像液によつて洗い
流された未露光部分にはアジド化合物に微細な粒
子がいたるところに見られ、特に微細な１〜3μ
ｍ幅のラインアンドスペースパターンでは線間が
アジド化合物の結晶によつてゆ着している部分が
数多く見られた。 以上、詳述したように本発明の微細パターン形
成法により、従来のアルカリ可溶性高分子と芳香
族アジド化合物から成る感光性樹脂組成物を用い
て微細パターンを形成する際に問題点であつたア
ルカリ水溶液による現像性が著しく向上した。本
発明の微細パターン形成法は特にパターンの解像
性の点で優れており、高集積化された半導体のパ
ターン形成などに有用である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板に室温で液状の一般式(1) （但し、−N₃は−Ｘ−Ｒ−Ｙに対してメタ又はパ
   ラ位に位置し、 Ｘは【式】【式】 【式】【式】から 選択された一つの基、Ｒは−CH₂CH₂−、−
   CH₂CH₂CH₂−、−CH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂−、 【式】から選択された一つ の基、Ｙは−OH、−NH₂、−Ｎ（CH₃）₂、−Ｎ
   （C₂H₅）₂、−Ｎ（C₃H₇）₂から選択された一つの基を
   表す。）で表わされる芳香族アジド化合物と、ホ
   モ縮合ノボラツク樹脂、共縮合ノボラツク樹脂、
   ポリヒドロキシスチレンホモ重合体、ポリヒドロ
   キシスチレン共重合体のうちから選ばれた少なく
   とも一種類のアルカリ可溶性高分子化合物と、溶
   剤よりなる感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥して
   感光性樹脂膜を形成し、この膜を局部的に露光し
   てからアルカリ水溶液で現像して、未露光部分を
   溶解除去させることを特徴とする微細パターン形
   成法。