JPH0367984B2 - - Google Patents
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- JPH0367984B2 JPH0367984B2 JP62239889A JP23988987A JPH0367984B2 JP H0367984 B2 JPH0367984 B2 JP H0367984B2 JP 62239889 A JP62239889 A JP 62239889A JP 23988987 A JP23988987 A JP 23988987A JP H0367984 B2 JPH0367984 B2 JP H0367984B2
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- H05B6/68—Circuits for monitoring or control
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は２つの物質、特にセラミツク体のマイ
クロ波接合のための方法および装置に関するもの
である。
クロ波接合のための方法および装置に関するもの
である。
［従来の技術］
セラミツク物質の接着は一般に多くの異なる方
法および装置によつて為遂げられる。例示的方法
および装置は米国特許4384909号、同4347089号、
同3998632号、同3841870号、および同3755065号
に示され説明されている。
法および装置によつて為遂げられる。例示的方法
および装置は米国特許4384909号、同4347089号、
同3998632号、同3841870号、および同3755065号
に示され説明されている。
マイクロ波エネルギの適用によつて２つの異な
る物質を接着するためのその他の方法および装置
は米国特許4273950号、同4219361号、同4179596
号、および同4003368号で明らかにされている。
る物質を接着するためのその他の方法および装置
は米国特許4273950号、同4219361号、同4179596
号、および同4003368号で明らかにされている。
セラミツク体のマイクロ波接合のための方法お
よび装置は特に米国特許4529857号、同4529856
号、同4307277号、同4292262号、同4147911号、
同3953703号、同3732048号、同3585258号、およ
び同3520055号で明確に説明されている。
よび装置は特に米国特許4529857号、同4529856
号、同4307277号、同4292262号、同4147911号、
同3953703号、同3732048号、同3585258号、およ
び同3520055号で明確に説明されている。
マイクロ波エネルギを用いるセラミツク物質間
の接合を形成するための従来の技術の装置は時に
は料理に用いられていたオーブンを使用した。こ
のようなオーブンにおいては、マイクロ波フイー
ルドは多くの異なる方向に存在し、オーブンに供
給される力は適宜に分配される。これらの方向ま
たはモードのすべてが接合されるセラミツク体へ
効果的に結合するわけではない。更に、従来の技
術において、このような物体の接合を促進し高め
るためセラミツク体へ圧縮力を同時に加え、適切
な接着を確実にするため２つのセラミツク体の間
に形成されつつある接合を連続的にモニターする
ような既知の方法および装置は存在しない。
の接合を形成するための従来の技術の装置は時に
は料理に用いられていたオーブンを使用した。こ
のようなオーブンにおいては、マイクロ波フイー
ルドは多くの異なる方向に存在し、オーブンに供
給される力は適宜に分配される。これらの方向ま
たはモードのすべてが接合されるセラミツク体へ
効果的に結合するわけではない。更に、従来の技
術において、このような物体の接合を促進し高め
るためセラミツク体へ圧縮力を同時に加え、適切
な接着を確実にするため２つのセラミツク体の間
に形成されつつある接合を連続的にモニターする
ような既知の方法および装置は存在しない。
［発明の解決すべき問題点］
本発明の基本的な目的は、従来の加熱方法およ
び装置により接着された材料に比べて改善された
強度および確実性を得るため、セラミツク物質を
接合するためマイクロ波によつて更に迅速で実質
上均一な加熱を可能にすることである。
び装置により接着された材料に比べて改善された
強度および確実性を得るため、セラミツク物質を
接合するためマイクロ波によつて更に迅速で実質
上均一な加熱を可能にすることである。
マイクロ波加熱の独特の利点は、熱が物質中の
分子双極子によつて吸収された電磁エネルギの消
費によつて接合されている物質内部に発生するこ
とから得られる。
分子双極子によつて吸収された電磁エネルギの消
費によつて接合されている物質内部に発生するこ
とから得られる。
熱が物質の内部に到達するために伝導も対流も
必要としないので、加熱は非常に迅速に達成さ
れ、熱はさらに均一に分配され得る。更に、主要
な熱損失メカニズムは全ての加熱された物質の外
表面からの放射であり、マイクロ波加熱された試
料は、従来の加熱方法、により観察される通常の
勾配の反対即ち中心が外表面よりも熱い残留熱勾
配を示す。
必要としないので、加熱は非常に迅速に達成さ
れ、熱はさらに均一に分配され得る。更に、主要
な熱損失メカニズムは全ての加熱された物質の外
表面からの放射であり、マイクロ波加熱された試
料は、従来の加熱方法、により観察される通常の
勾配の反対即ち中心が外表面よりも熱い残留熱勾
配を示す。
従つて、物質を加熱するためのマイクロ波エネ
ルギの適用は３つの独特な利点を有する。即ち、
実質上均一な加熱、更に迅速な加熱、および通常
と反対の熱勾配である。これらの利点はひくつか
の方法でマイクロ波処理されたセラミツク物質の
特性を高める。
ルギの適用は３つの独特な利点を有する。即ち、
実質上均一な加熱、更に迅速な加熱、および通常
と反対の熱勾配である。これらの利点はひくつか
の方法でマイクロ波処理されたセラミツク物質の
特性を高める。
第１に、加熱の実質上の均一性は残留応力の生
成を最少にする傾向があり、加えて、物質の至る
所で不純物の拡散を抑制する。第２に、更に迅速
な加熱はグレインの成長を阻止し、従来の熱接合
処理のより長い加熱時間と通常関連する弱化を阻
止する。第３に、反転された熱勾配は物質の中心
から外表面への不純物のガス抜きを高め、制御さ
れた成分拡散のための新しいメカニズムである。
成を最少にする傾向があり、加えて、物質の至る
所で不純物の拡散を抑制する。第２に、更に迅速
な加熱はグレインの成長を阻止し、従来の熱接合
処理のより長い加熱時間と通常関連する弱化を阻
止する。第３に、反転された熱勾配は物質の中心
から外表面への不純物のガス抜きを高め、制御さ
れた成分拡散のための新しいメカニズムである。
［問題点解決のための手段および作用］
本発明は、二つの物体間に形成される接合部に
マイクロ波を放射し、二つの物体に圧縮力を供給
し、二つの物体間に形成されつつある接合部を連
続的にモニターする方法および装置を特徴とする
ものである。
マイクロ波を放射し、二つの物体に圧縮力を供給
し、二つの物体間に形成されつつある接合部を連
続的にモニターする方法および装置を特徴とする
ものである。
本発明は従来のセラミツク物質のマイクロ接合
のための方法および装置には見られなかつた３つ
の付加的な利点を有する。第１に、単一モードマ
イクロ波アプリケータが使用され、マイクロ波フ
イールドが形成された接合への放射線の結合を有
効にするため方向づけられ得るように用いられ、
それによつてエネルギー効率は増加する。第２
に、圧縮力は、マイクロ波接合処理が従来の熱接
合処理においてよりもかなり短い時間で本質的に
終了するように接合されつつあるセラミツク体へ
同時に加えられる。第３に、形成された接合は適
切な連続的接合が形成されることを確実にするた
め非破壊的評価装置によつて連続的にモニタされ
る。
のための方法および装置には見られなかつた３つ
の付加的な利点を有する。第１に、単一モードマ
イクロ波アプリケータが使用され、マイクロ波フ
イールドが形成された接合への放射線の結合を有
効にするため方向づけられ得るように用いられ、
それによつてエネルギー効率は増加する。第２
に、圧縮力は、マイクロ波接合処理が従来の熱接
合処理においてよりもかなり短い時間で本質的に
終了するように接合されつつあるセラミツク体へ
同時に加えられる。第３に、形成された接合は適
切な連続的接合が形成されることを確実にするた
め非破壊的評価装置によつて連続的にモニタされ
る。
従来、各接着の連続的なモニタリングは、同じ
状況下で同時に形成された全体のバツチの特性を
評価するため少なくとも１つの試料を破壊して行
なうのでなければ可能ではなかつた。それにもか
かわらず、いわゆる良好なバツチ中の不完全な接
合が個々の試料に対して独特の特別な欠陥を生じ
る可能性があつた。本発明は、その形成の間各接
合を絶えずモニタするための非破壊的評価装置を
用いるので、各接合が十分な構造の完全性を有す
ることを保証する。
状況下で同時に形成された全体のバツチの特性を
評価するため少なくとも１つの試料を破壊して行
なうのでなければ可能ではなかつた。それにもか
かわらず、いわゆる良好なバツチ中の不完全な接
合が個々の試料に対して独特の特別な欠陥を生じ
る可能性があつた。本発明は、その形成の間各接
合を絶えずモニタするための非破壊的評価装置を
用いるので、各接合が十分な構造の完全性を有す
ることを保証する。
加えて、単一モードマイクロ波アプリケータに
関して、２つの物体のセラミツク接合部分のみが
直接加熱される。接合部分から離れたセラミツク
物質は拡散によりより少ない量で加熱される可能
性があるだけであり、本発明はオーブン内部で全
ての量の物質が加熱されるような従来の技術の対
流およびマイクロ波オーブンより基本的により効
果的である。これらの従来のマイクロ波オーブン
は、混合されたモードが単一モードだけの代わり
に用いられるのでエネルギ効率が悪い。
関して、２つの物体のセラミツク接合部分のみが
直接加熱される。接合部分から離れたセラミツク
物質は拡散によりより少ない量で加熱される可能
性があるだけであり、本発明はオーブン内部で全
ての量の物質が加熱されるような従来の技術の対
流およびマイクロ波オーブンより基本的により効
果的である。これらの従来のマイクロ波オーブン
は、混合されたモードが単一モードだけの代わり
に用いられるのでエネルギ効率が悪い。
セラミツク物質の残部が単一モードマイクロ波
アプリケータの外側にあるとき、接合される範囲
のみがマイクロ波放射線にさらされるので、圧縮
力はセラミツク体に容易に加えられる。アプリケ
ータの外側のセラミツク体の部分に対して、圧縮
力が加えられ、それによつて接合処理をスピード
アツプする。
アプリケータの外側にあるとき、接合される範囲
のみがマイクロ波放射線にさらされるので、圧縮
力はセラミツク体に容易に加えられる。アプリケ
ータの外側のセラミツク体の部分に対して、圧縮
力が加えられ、それによつて接合処理をスピード
アツプする。
更に、セラミツク体の一部がアプリケータの外
側であるので、非破壊的評価装置はセラミツク体
に直接付けられ得る。例えば、この方法におい
て、接合領域からの音響反射がモニターされ得、
形成されている接合の質が連続的に評価され得
る。
側であるので、非破壊的評価装置はセラミツク体
に直接付けられ得る。例えば、この方法におい
て、接合領域からの音響反射がモニターされ得、
形成されている接合の質が連続的に評価され得
る。
本発明の方法および装置によつて生じた接合ま
たは接着は未使用のセラミツク物質と同程度の強
さかあるいはそれより強い。更に、はんだ付け物
質を使用することができるがはんだ付けは必要と
されず、本発明による使用を妨げることはない。
たは接着は未使用のセラミツク物質と同程度の強
さかあるいはそれより強い。更に、はんだ付け物
質を使用することができるがはんだ付けは必要と
されず、本発明による使用を妨げることはない。
本発明のこれらおよびその他の利点は以下の添
附図面および好ましい実施例の説明からより完全
に理解されるだろう。
附図面および好ましい実施例の説明からより完全
に理解されるだろう。
［実施例］
第１図に、マイクロ波エネルギを加えることに
よる２つのセラミツク体を接合するための装置が
示されている。マグネトロン１１はマイクロ波信
号を発生し、導波管を表す矢印の方向で約2.45ギ
ガヘルツ（ＧHz）の周波数で1000ワツトまでの電
力を出力する。
よる２つのセラミツク体を接合するための装置が
示されている。マグネトロン１１はマイクロ波信
号を発生し、導波管を表す矢印の方向で約2.45ギ
ガヘルツ（ＧHz）の周波数で1000ワツトまでの電
力を出力する。
第１のサーキユレータ１２は矢印によつて定義
された路に沿つて順々にマイクロ波エネルギを向
け、反射されたマイクロ波に対してマグネトロン
１１を保護するための１方向ゲートまたはアイソ
レータとして機能する。任意の反射されたマイク
ロ波はこの第１のサーキユレータ１２によつて、
それらが消費される第１の抵抗負荷素子３９へ向
けられる。
された路に沿つて順々にマイクロ波エネルギを向
け、反射されたマイクロ波に対してマグネトロン
１１を保護するための１方向ゲートまたはアイソ
レータとして機能する。任意の反射されたマイク
ロ波はこの第１のサーキユレータ１２によつて、
それらが消費される第１の抵抗負荷素子３９へ向
けられる。
電圧サンプリングプローブ１４はマイクロ波の
伝播電圧の大きさを感知し、その非常に小さな部
分を抽出する。電力ヘツド１５はこの伝播電圧の
小さな部分を受取り、入力電圧の２乗に比例して
出力電圧を供給する。電力計１６は順方向伝播マ
イクロ波電圧に比例して出力表示および電圧を供
給するため電力ヘツド１５に関連して用いられ
る。この出力はそれから差動増幅器２２の非反転
入力へ供給される。
伝播電圧の大きさを感知し、その非常に小さな部
分を抽出する。電力ヘツド１５はこの伝播電圧の
小さな部分を受取り、入力電圧の２乗に比例して
出力電圧を供給する。電力計１６は順方向伝播マ
イクロ波電圧に比例して出力表示および電圧を供
給するため電力ヘツド１５に関連して用いられ
る。この出力はそれから差動増幅器２２の非反転
入力へ供給される。
一方、順方向伝播電圧の残りの部分はマイクロ
波ブリツジ素子として機能する第２のサーキユレ
ータ１７へ送られる。この第２のサーキユレータ
１７は右手側に２つの頭の矢印によつて表された
２つの作用を有する。第１に、サーキユレータ１
７はマイクロ波が容器２１へ順方向で進むことを
許容する。第２に、サーキユレータ１７は容器２
１から反射された電力を電圧サンプリングプロー
ブ２４、電力ヘツド２５、電力計２６を経由して
差動増幅器２２の反転入力へ再び向けられる。任
意の過剰反射されたマイクロ波は第２のサーキユ
レータ１７によつて、それらが消費される第２の
抵抗負荷素子４０へ向けられる。プローブ２４、
電力ヘツド２５および電力計２６はプローブ１
４、電力ヘツド１５、電力計１６と同一の装置で
ある。しかしながら、プローブ２４は反射された
電圧の大きさを感知し、電力計２６は反射された
電力に比例して出力表示および電圧を供給する。
一方、プローブ１４および電力計１６は順方向電
力を処理する。
波ブリツジ素子として機能する第２のサーキユレ
ータ１７へ送られる。この第２のサーキユレータ
１７は右手側に２つの頭の矢印によつて表された
２つの作用を有する。第１に、サーキユレータ１
７はマイクロ波が容器２１へ順方向で進むことを
許容する。第２に、サーキユレータ１７は容器２
１から反射された電力を電圧サンプリングプロー
ブ２４、電力ヘツド２５、電力計２６を経由して
差動増幅器２２の反転入力へ再び向けられる。任
意の過剰反射されたマイクロ波は第２のサーキユ
レータ１７によつて、それらが消費される第２の
抵抗負荷素子４０へ向けられる。プローブ２４、
電力ヘツド２５および電力計２６はプローブ１
４、電力ヘツド１５、電力計１６と同一の装置で
ある。しかしながら、プローブ２４は反射された
電圧の大きさを感知し、電力計２６は反射された
電力に比例して出力表示および電圧を供給する。
一方、プローブ１４および電力計１６は順方向電
力を処理する。
説明を第２のサーキユレータ１７へ戻すと、順
方向伝播電圧は、２つの物質の間に形成される接
合部分Ｊ上へマイクロ波エネルギを集中する調節
可能な絞り（iris）２３を経て容器２１へ供給さ
れる。
方向伝播電圧は、２つの物質の間に形成される接
合部分Ｊ上へマイクロ波エネルギを集中する調節
可能な絞り（iris）２３を経て容器２１へ供給さ
れる。
第２図に示された好ましい実施例において、物
体は２つのセラミツク体またはサンプルS1および
S2である。容器２１は、ハンドル２９によつて前
後にスライドできる後面壁２８を動かすことによ
つて大きさを調整可能な内部マイクロ波共振空洞
２７を有する。ハンドル２９を動かすことによつ
て、オペレータが容器２１中の空洞２７の長さが
変えられるように後面壁２８の位置を調節するこ
とができる。この変化は、次に絞り２３とスライ
ド可能な後面壁２８の間の空洞２７の内側のマイ
クロ波定在波フイールドを可能にする空洞２７の
共振周波数の変化を許容する。代わりに、後面壁
２８は固定され、従つて空洞中の予め決められた
共振周波数への上昇が与えられる。しかしなが
ら、このような場合、可変周波数のマイクロ波源
が用いられなければならない。
体は２つのセラミツク体またはサンプルS1および
S2である。容器２１は、ハンドル２９によつて前
後にスライドできる後面壁２８を動かすことによ
つて大きさを調整可能な内部マイクロ波共振空洞
２７を有する。ハンドル２９を動かすことによつ
て、オペレータが容器２１中の空洞２７の長さが
変えられるように後面壁２８の位置を調節するこ
とができる。この変化は、次に絞り２３とスライ
ド可能な後面壁２８の間の空洞２７の内側のマイ
クロ波定在波フイールドを可能にする空洞２７の
共振周波数の変化を許容する。代わりに、後面壁
２８は固定され、従つて空洞中の予め決められた
共振周波数への上昇が与えられる。しかしなが
ら、このような場合、可変周波数のマイクロ波源
が用いられなければならない。
コンプレツサ３０は、容器２１の外側に突出す
セラミツクサンプルS1の一端に置かれている水圧
ピストンである。コンプレツサ３０はサンプルS1
およびS2を横切る力を加える。負荷セル３１はコ
ンプレツサ３０によつてサンプルS1の一端へ加え
られた静圧力を測定する。
セラミツクサンプルS1の一端に置かれている水圧
ピストンである。コンプレツサ３０はサンプルS1
およびS2を横切る力を加える。負荷セル３１はコ
ンプレツサ３０によつてサンプルS1の一端へ加え
られた静圧力を測定する。
サンプルS1およびS2はアルミナ（Al2O3）、ミ
ユーライト（Si2Al6O13）またはシリコン窒化物
（Si3N4）のような任意の適切なセラミツクであ
る。実験室で得られた実験データはこれらの特定
のセラミツク物質の不伝導特性および各サンプル
S1とS2の外表面からの熱の放射の両方を考慮に入
れた。酸化物質サンプルを接合するための初期の
加熱速度は典型的には20℃／秒であり、マイクロ
波放射を当てるとき100℃／秒までテストされた。
アルミナから成るサンプルS1とS2についての直径
３／８インチのロツドについての放射熱プロフアイ
ルは中心が加熱されていることによる中心と外部
表面の間の２％の温度差を有することが計算さ
れ、それ故実質上均一な加熱プロフアイルを依然
持続している。
ユーライト（Si2Al6O13）またはシリコン窒化物
（Si3N4）のような任意の適切なセラミツクであ
る。実験室で得られた実験データはこれらの特定
のセラミツク物質の不伝導特性および各サンプル
S1とS2の外表面からの熱の放射の両方を考慮に入
れた。酸化物質サンプルを接合するための初期の
加熱速度は典型的には20℃／秒であり、マイクロ
波放射を当てるとき100℃／秒までテストされた。
アルミナから成るサンプルS1とS2についての直径
３／８インチのロツドについての放射熱プロフアイ
ルは中心が加熱されていることによる中心と外部
表面の間の２％の温度差を有することが計算さ
れ、それ故実質上均一な加熱プロフアイルを依然
持続している。
非破壊的評価装置３２はサンプルS2の下端部に
位置づけられ、絶えず空洞２７内部に形成されて
いる接合領域から反射された音響パルスをモニタ
ーする。接合部Ｊに空間あるいは空気間隙がある
かぎり、サンプルS2に沿つて評価装置３２から送
られた音響パルスはこの間隙で反射され、評価装
置３２へ送り返される。接合がサンプルS1とS2の
間で形成されることによつて接合領域Ｊ中の間隙
がもはや存在しないとき、評価装置３２からの音
響パルスはサンプルS1の縦軸に沿つてサンプルS2
から進み、従つて反射された音響パルスをゼロの
大きさまで減少し、接合がサンプルS1とS2の間に
成されることを示す。
位置づけられ、絶えず空洞２７内部に形成されて
いる接合領域から反射された音響パルスをモニタ
ーする。接合部Ｊに空間あるいは空気間隙がある
かぎり、サンプルS2に沿つて評価装置３２から送
られた音響パルスはこの間隙で反射され、評価装
置３２へ送り返される。接合がサンプルS1とS2の
間で形成されることによつて接合領域Ｊ中の間隙
がもはや存在しないとき、評価装置３２からの音
響パルスはサンプルS1の縦軸に沿つてサンプルS2
から進み、従つて反射された音響パルスをゼロの
大きさまで減少し、接合がサンプルS1とS2の間に
成されることを示す。
第１図に戻ると、赤外線パイロメータ１９か
ら、接合部ＪでのサンプルS2の温度測定は電子的
に自由走行２チヤンネルストリツプチヤート記録
器１８へ供給される。差動増幅器２２に関して、
接合部Ｊへ加えられた電力が順方向の電力が反射
された電力を引いたものと同じ大きさであること
がわかる。順方向の電力に比例する電圧が差動増
幅器２２の非反転入力へ与えられ、絞り２３で反
射された電力に比例する電圧は差動増幅器２２の
反転入力へ与えられるので、差動増幅器２２の出
力電圧は容器２１内部の空洞２７中のマイクロ波
電力に比例する。この電力はそこでの接合の形成
の間接合部分ＪでサンプルS1とS2によつて吸収さ
れる有効な電力である。吸収される有効電力を表
している差動増幅器２２の出力は記録器１８へ供
給され、記録器１８によつて記録された時間に対
して、またパイロメータ１９によつて接合部Ｊで
得られた温度測定に対してグラフで示される。記
録器１８の出力は、経過した時間に対する吸収さ
れた電力と測定された温度をグラフに示すストリ
ツプチヤートである。
ら、接合部ＪでのサンプルS2の温度測定は電子的
に自由走行２チヤンネルストリツプチヤート記録
器１８へ供給される。差動増幅器２２に関して、
接合部Ｊへ加えられた電力が順方向の電力が反射
された電力を引いたものと同じ大きさであること
がわかる。順方向の電力に比例する電圧が差動増
幅器２２の非反転入力へ与えられ、絞り２３で反
射された電力に比例する電圧は差動増幅器２２の
反転入力へ与えられるので、差動増幅器２２の出
力電圧は容器２１内部の空洞２７中のマイクロ波
電力に比例する。この電力はそこでの接合の形成
の間接合部分ＪでサンプルS1とS2によつて吸収さ
れる有効な電力である。吸収される有効電力を表
している差動増幅器２２の出力は記録器１８へ供
給され、記録器１８によつて記録された時間に対
して、またパイロメータ１９によつて接合部Ｊで
得られた温度測定に対してグラフで示される。記
録器１８の出力は、経過した時間に対する吸収さ
れた電力と測定された温度をグラフに示すストリ
ツプチヤートである。
第２図に戻ると、コンプレツサ３０と非破壊的
評価装置３２の細部が示されている。マイクロ波
フイールドが絞り２３を経て容器２１へ入ると
き、容器２１内部の空洞２７の共振周波数は、マ
イクロ波定在波フイールドがサンプルS1とS2の間
の接合部Ｊで電界成分の最大振幅によつて確立さ
れるまで、ハンドル２９によつてスライド可能な
後面壁を動かすことによつて調整される。
評価装置３２の細部が示されている。マイクロ波
フイールドが絞り２３を経て容器２１へ入ると
き、容器２１内部の空洞２７の共振周波数は、マ
イクロ波定在波フイールドがサンプルS1とS2の間
の接合部Ｊで電界成分の最大振幅によつて確立さ
れるまで、ハンドル２９によつてスライド可能な
後面壁を動かすことによつて調整される。
マイクロ波定在波フイールドが確立されると、
圧縮力がコンプレツサ３０によつて、接合部Ｊで
の接合の形成を促進するためサンプルS1の露出さ
れた上端部へ加えられる。サンプルS2の反対の端
部で、例えばグリースのような音響結合作用剤
が、サンプルS2に沿つた評価装置３２から接合部
Ｊへの音波の伝達を促進するため加えられる。評
価装置３２の内部に、トランスジユーサ３４へお
よびトランスジユーサ３４とサンプルS2との間の
音響信号を最大にする音響増幅レンズ３３があ
る。トランスジユーサ３４は送信器またはパルサ
３５から受取られた電気パルスを音響パルスへ変
換し、これらの音響パルスをサンプルS2に送り、
音響パルスは接合部ＪからサンプルS2を経て音響
増幅レンズ３３とトランスジユーサ３４へ反射し
返される。反射によつて、トランスジユーサ３４
は音響パルスを受信器３６へ送られる電気パルス
へ変換する。受信器３６の出力はそれからオシロ
スコープ３７上に表示される。
圧縮力がコンプレツサ３０によつて、接合部Ｊで
の接合の形成を促進するためサンプルS1の露出さ
れた上端部へ加えられる。サンプルS2の反対の端
部で、例えばグリースのような音響結合作用剤
が、サンプルS2に沿つた評価装置３２から接合部
Ｊへの音波の伝達を促進するため加えられる。評
価装置３２の内部に、トランスジユーサ３４へお
よびトランスジユーサ３４とサンプルS2との間の
音響信号を最大にする音響増幅レンズ３３があ
る。トランスジユーサ３４は送信器またはパルサ
３５から受取られた電気パルスを音響パルスへ変
換し、これらの音響パルスをサンプルS2に送り、
音響パルスは接合部ＪからサンプルS2を経て音響
増幅レンズ３３とトランスジユーサ３４へ反射し
返される。反射によつて、トランスジユーサ３４
は音響パルスを受信器３６へ送られる電気パルス
へ変換する。受信器３６の出力はそれからオシロ
スコープ３７上に表示される。
コンプレツサ３０と評価装置３２は、共に測定
が測定器具への熱および放射線ダメージなしに正
確に得られるマイクロ波サンプルS1およびS2を保
持する容器２１の外側に配置される。
が測定器具への熱および放射線ダメージなしに正
確に得られるマイクロ波サンプルS1およびS2を保
持する容器２１の外側に配置される。
説明をオシロスコープ３７へ戻すと、それはオ
ペレータによつてその入力端子に電気信号、たと
えばこの場合、それらが接着されるとき、サンプ
ルS1とS2の間の接合部分からの反射に応じてトラ
ンスジユーサ３４によつて生成された電気信号を
観察するための表示装置である。サンプルS1とS2
が接合されるとき、この音響パルスは振幅を減少
し、最終的には適切な接着が接合部Ｊにわたつて
完全に成されるとき消失する。
ペレータによつてその入力端子に電気信号、たと
えばこの場合、それらが接着されるとき、サンプ
ルS1とS2の間の接合部分からの反射に応じてトラ
ンスジユーサ３４によつて生成された電気信号を
観察するための表示装置である。サンプルS1とS2
が接合されるとき、この音響パルスは振幅を減少
し、最終的には適切な接着が接合部Ｊにわたつて
完全に成されるとき消失する。
この音響パルスをモニターすることはオペレー
タに接合形成の過程を観察させ、接合されたサン
プルS1とS2の内部で成される任意の剥離を認知さ
せる。接合されたサンプルS1とS2がセラミツク体
を何等破壊することなく評価されるので、特性制
御は非常に高められる。
タに接合形成の過程を観察させ、接合されたサン
プルS1とS2の内部で成される任意の剥離を認知さ
せる。接合されたサンプルS1とS2がセラミツク体
を何等破壊することなく評価されるので、特性制
御は非常に高められる。
上述された素子はセラミツクのような物質のマ
イクロ波接合のための装置の構成要素を構成す
る。この処理は第１図を再び参照することによつ
て以下のように説明される。マイクロ波エネルギ
は矢印によつて概略的に示された導波管に沿つて
発生するマグネトロン１１から容器２１へ伝播す
る。第２図に示されるように、マイクロ波フイー
ルドの定在波は３つのほぼ等しく離れた位置で最
大振幅を有する。これらの位置の１つにセラミツ
クサンプルS1とS2は配置され、そのためそれらは
ほとんど全ての有効なマイクロ波電力を吸収し熱
として消費する。
イクロ波接合のための装置の構成要素を構成す
る。この処理は第１図を再び参照することによつ
て以下のように説明される。マイクロ波エネルギ
は矢印によつて概略的に示された導波管に沿つて
発生するマグネトロン１１から容器２１へ伝播す
る。第２図に示されるように、マイクロ波フイー
ルドの定在波は３つのほぼ等しく離れた位置で最
大振幅を有する。これらの位置の１つにセラミツ
クサンプルS1とS2は配置され、そのためそれらは
ほとんど全ての有効なマイクロ波電力を吸収し熱
として消費する。
マイクロ波エネルギが容器２１へ入ることを許
容する絞り２３は可変インピーダンス変成器とし
て動作し、空洞２７のインピーダンスを、マイク
ロ波を容器２１まで導く方形導波管のインピーダ
ンスと整合させる。可変結合は結合の程度を制御
するように絞り２３の開口を調節することによつ
て達成される。
容する絞り２３は可変インピーダンス変成器とし
て動作し、空洞２７のインピーダンスを、マイク
ロ波を容器２１まで導く方形導波管のインピーダ
ンスと整合させる。可変結合は結合の程度を制御
するように絞り２３の開口を調節することによつ
て達成される。
スライド可能な後面壁２８によつて長さの調節
が可能な空洞２７を備えた容器２１を用いる理由
は、終端された導波管部分に対立するものとし
て、空洞２７中の電力が伝播マイクロ波フイール
ド中の力のＱ倍であるためである。ここでＱは電
力の損失に対する（2πf）×（サイクル毎に蓄積さ
れた平均エネルギ）の比として定義された空洞２
７の品質要因である。それ故、Ｑが数千ユニツト
であるので、空洞２７は蓄積された高レベルのエ
ネルギを達成するため非常に小さな投射を必要と
するだけであり、その高レベルのエネルギがサン
プルS1とS2によつて消費されるのに有効である。
勿論、消費されたエネルギは、空洞２７の外側で
伝播されているマイクロ波と関連し、それを決し
て超えることはない。
が可能な空洞２７を備えた容器２１を用いる理由
は、終端された導波管部分に対立するものとし
て、空洞２７中の電力が伝播マイクロ波フイール
ド中の力のＱ倍であるためである。ここでＱは電
力の損失に対する（2πf）×（サイクル毎に蓄積さ
れた平均エネルギ）の比として定義された空洞２
７の品質要因である。それ故、Ｑが数千ユニツト
であるので、空洞２７は蓄積された高レベルのエ
ネルギを達成するため非常に小さな投射を必要と
するだけであり、その高レベルのエネルギがサン
プルS1とS2によつて消費されるのに有効である。
勿論、消費されたエネルギは、空洞２７の外側で
伝播されているマイクロ波と関連し、それを決し
て超えることはない。
温度測定に関して、導入された任意の導電物質
はアンテナ、または空洞２７の外側のマイクロ波
を導電できる同軸伝送ラインの部分として作動す
るので、熱電対またはサーミスタをサンプルS1と
S2の熱を測定するため空洞２７へ挿入されること
はできない。事実、この現象は電圧結合プローブ
１４と２４の基礎とされる原理である。この現象
を避けるため、本発明の非逆転熱測定技術が用い
られる、即ち、加熱されたサンプルS2の外表面か
ら放射された赤外線の強度を測定する。この強度
は、プランクの放射線の法則によつて、物質の外
表面での温度に特に関連している。あいにく、こ
の関係はまた表面の放射性に依存する。この放射
性は、完全に黒い表面に対しては全ての放射線が
放射されるか吸収され、一方、完全に白い表面に
対しては放射線が放射も吸収もされないような、
即ち各々全て内的にまたは外的に反射されるよう
な表面の放射性効果である。大抵の表面に対して
は、正確に放射性を知ることは非常に困難であ
る。従つて、大きな温度の非確実性が生じる。こ
れらのエラーを避けるため、本発明はこのような
エラーが取消されることを引起こすいわゆる“２
色（twe−color）”パイロメータ１９を用いる。
はアンテナ、または空洞２７の外側のマイクロ波
を導電できる同軸伝送ラインの部分として作動す
るので、熱電対またはサーミスタをサンプルS1と
S2の熱を測定するため空洞２７へ挿入されること
はできない。事実、この現象は電圧結合プローブ
１４と２４の基礎とされる原理である。この現象
を避けるため、本発明の非逆転熱測定技術が用い
られる、即ち、加熱されたサンプルS2の外表面か
ら放射された赤外線の強度を測定する。この強度
は、プランクの放射線の法則によつて、物質の外
表面での温度に特に関連している。あいにく、こ
の関係はまた表面の放射性に依存する。この放射
性は、完全に黒い表面に対しては全ての放射線が
放射されるか吸収され、一方、完全に白い表面に
対しては放射線が放射も吸収もされないような、
即ち各々全て内的にまたは外的に反射されるよう
な表面の放射性効果である。大抵の表面に対して
は、正確に放射性を知ることは非常に困難であ
る。従つて、大きな温度の非確実性が生じる。こ
れらのエラーを避けるため、本発明はこのような
エラーが取消されることを引起こすいわゆる“２
色（twe−color）”パイロメータ１９を用いる。
本発明の期待された利点をテストするため、実
験は直径3/8インチの３インチの長さのミユーラ
イトロツドを用いて行われた。サンプルS1とS2は
McDanel Refractory Coから市販されたもので
ある。
験は直径3/8インチの３インチの長さのミユーラ
イトロツドを用いて行われた。サンプルS1とS2は
McDanel Refractory Coから市販されたもので
ある。
第１図に示されるように、マイクロ波はマグネ
トロン１１により供給され、矢印によつて概略的
に示された方形導波管を経て、サンプルS1とS2が
配列された空洞２７を有する容器２１へ送られ
た。空洞２７は単一モードマイクロ波フイールド
形成を支持し、マイクロ波フイールドが絞り２３
を経て空洞２７へ入つた後で後面壁２８を調節す
ることによつて変えられた共振周波数を有した。
サンプルS1とS2によつて吸収された電力は空洞２
７へ集中された順方向の電力と空洞２７の外へ反
射された電力の間の差として測定された。サンプ
ルS1とS2はマイクロ波定在波の最大電界振幅の位
置に置かれた。
トロン１１により供給され、矢印によつて概略的
に示された方形導波管を経て、サンプルS1とS2が
配列された空洞２７を有する容器２１へ送られ
た。空洞２７は単一モードマイクロ波フイールド
形成を支持し、マイクロ波フイールドが絞り２３
を経て空洞２７へ入つた後で後面壁２８を調節す
ることによつて変えられた共振周波数を有した。
サンプルS1とS2によつて吸収された電力は空洞２
７へ集中された順方向の電力と空洞２７の外へ反
射された電力の間の差として測定された。サンプ
ルS1とS2はマイクロ波定在波の最大電界振幅の位
置に置かれた。
第２図に示されるように、容器２１の外側に位
置するコンプレツサ３０は接合処理の間サンプル
S1とS2へ圧縮力を供給した。負荷セル３１は力を
測定し、そのデータを、オペレータのためデータ
を表示する力モニタおよび記録器３８へ送る。接
合する間、吸収された電力、到達された温度、お
よび加えられた圧力は時間の関数として第１図の
記録器１８および第２図の記録器３８に適切にモ
ニターされ記録された。これらの測定は、各々時
間との関数として電力、温度、および圧縮力の最
良の状態が接合処理中に生じることを確実にす
る。
置するコンプレツサ３０は接合処理の間サンプル
S1とS2へ圧縮力を供給した。負荷セル３１は力を
測定し、そのデータを、オペレータのためデータ
を表示する力モニタおよび記録器３８へ送る。接
合する間、吸収された電力、到達された温度、お
よび加えられた圧力は時間の関数として第１図の
記録器１８および第２図の記録器３８に適切にモ
ニターされ記録された。これらの測定は、各々時
間との関数として電力、温度、および圧縮力の最
良の状態が接合処理中に生じることを確実にす
る。
ミユーライトを用いる実験の結果として、接合
されたロツドは少なくとも接合されていないサン
プルS1とS2と同じ程度に強いことが明らかであつ
た。第２に、接合部Ｊを取巻く領域の光学および
走査電子顕微鏡の検査の両者は、２つのサンプル
S1とS2の間の境界面にわたつて維持された均一の
微細構造を有する非常に均質な領域を示した。第
３に、４点屈曲での屈曲テストに於ける破壊は、
未使用の物質の破壊係数を超える破壊係数を伴つ
て、接合部Ｊから平均1.9センチメータの距離で
生じた。従つて、接合部分ＪがサンプルS1とS2中
の未使用の物質よりも強いことが明らかになつ
た。従つて、15分の加熱時間中に形成された同一
の接合の大きな強度は、迅速な加熱が適切な微細
構造の完全性を伴う接合の形成に対する１つの鍵
であるという推定を支持する。
されたロツドは少なくとも接合されていないサン
プルS1とS2と同じ程度に強いことが明らかであつ
た。第２に、接合部Ｊを取巻く領域の光学および
走査電子顕微鏡の検査の両者は、２つのサンプル
S1とS2の間の境界面にわたつて維持された均一の
微細構造を有する非常に均質な領域を示した。第
３に、４点屈曲での屈曲テストに於ける破壊は、
未使用の物質の破壊係数を超える破壊係数を伴つ
て、接合部Ｊから平均1.9センチメータの距離で
生じた。従つて、接合部分ＪがサンプルS1とS2中
の未使用の物質よりも強いことが明らかになつ
た。従つて、15分の加熱時間中に形成された同一
の接合の大きな強度は、迅速な加熱が適切な微細
構造の完全性を伴う接合の形成に対する１つの鍵
であるという推定を支持する。
アルミナサンプル間の接合と同様にこれらの接
合は熱拡散接着である。しかしながら、本発明は
またはんだ付けされたセラミツク−セラミツク接
合の処理が可能である。
合は熱拡散接着である。しかしながら、本発明は
またはんだ付けされたセラミツク−セラミツク接
合の処理が可能である。
セラミツク−金属接合のため、２つの異なるタ
イプの接合の可能性、すなわち従来のはんだ付け
接合および内部層を用いる間接的なはんだ付け接
合がある。このようなセラミツク−金属接合を行
なうため、金属ロツドまたはその他のタイプの非
セラミツク試料の位置は、まずセラミツクロツド
または試料へ接合される端部が室２１内部の空洞
２７の内壁の一部と一致し、容器２１内部の空洞
２７の内部壁の一部となるように注意して調節さ
れなければならない。空洞２７を同調するため、
金属ロツドはそれから容器２１中の頂部または底
部の開口を経てわずかに挿入され得る。電磁的エ
ネルギを吸収するよりむしろ反射するので金属物
体はマイクロ波加熱においては一般に避けられる
べきであり、空洞２７中に挿入された金属ロツド
は本質的に容量的ポストして働き、加熱処理上の
その効果と同様のこのポストの電気リアクタンス
が高度の正確さで計算され得る。セラミツク試料
はそれから金属試料と接触へされ、接合が、セラ
ミツク−金属接合処理のため再同調される空洞２
７の最大電界位置で形成されるので、セラミツク
−セラミツク接合処理と正確に同じ方法で加熱さ
れ得る。電界が円柱のサンプルS1とS2の縦軸に沿
つて一定であることに注意すべきである。また金
属−セラミツク接合処理のための温度／時間プロ
フアイルの計算がなされ得る。
イプの接合の可能性、すなわち従来のはんだ付け
接合および内部層を用いる間接的なはんだ付け接
合がある。このようなセラミツク−金属接合を行
なうため、金属ロツドまたはその他のタイプの非
セラミツク試料の位置は、まずセラミツクロツド
または試料へ接合される端部が室２１内部の空洞
２７の内壁の一部と一致し、容器２１内部の空洞
２７の内部壁の一部となるように注意して調節さ
れなければならない。空洞２７を同調するため、
金属ロツドはそれから容器２１中の頂部または底
部の開口を経てわずかに挿入され得る。電磁的エ
ネルギを吸収するよりむしろ反射するので金属物
体はマイクロ波加熱においては一般に避けられる
べきであり、空洞２７中に挿入された金属ロツド
は本質的に容量的ポストして働き、加熱処理上の
その効果と同様のこのポストの電気リアクタンス
が高度の正確さで計算され得る。セラミツク試料
はそれから金属試料と接触へされ、接合が、セラ
ミツク−金属接合処理のため再同調される空洞２
７の最大電界位置で形成されるので、セラミツク
−セラミツク接合処理と正確に同じ方法で加熱さ
れ得る。電界が円柱のサンプルS1とS2の縦軸に沿
つて一定であることに注意すべきである。また金
属−セラミツク接合処理のための温度／時間プロ
フアイルの計算がなされ得る。
前述の好ましい実施例は単に例示的なものであ
る。多くのその他の修正および変化が、当業者に
よつて容易に考えられるであろう。従つて、この
発明は上述され示された方法および装置に厳密に
限定されるものではなく、添附された特許請求の
範囲によつて定められるものである。
る。多くのその他の修正および変化が、当業者に
よつて容易に考えられるであろう。従つて、この
発明は上述され示された方法および装置に厳密に
限定されるものではなく、添附された特許請求の
範囲によつて定められるものである。
第１図は本発明のマイクロ波接合の工程を実行
するための装置を形成する素子の概略図である。
第２図は本発明の方法を実行するための装置にお
いて鍵となる２つの素子を構成するコンプレツサ
およびモニタの詳細な概略図である。 １１……マグネトロン、１２……サーキユレー
タ、１４，２４……電圧サンプリングプローブ、
１５，２５……電力ヘツド、１６，２６……電力
計、１７……サーキユレータ、１８……自由走行
チヤンネルストリツプ記録器、１９……赤外線パ
イロメータ、２１……容器、２２……差動増幅
器、２３……絞り、２７……空洞、２８……後背
面壁、２９……ハンドル、３０……コンプレツ
サ、３２……非破壊的評価装置、３３……音響増
幅レンズ、３４……トランスジユーサ、３５……
パルサ、３６……受信器。
するための装置を形成する素子の概略図である。
第２図は本発明の方法を実行するための装置にお
いて鍵となる２つの素子を構成するコンプレツサ
およびモニタの詳細な概略図である。 １１……マグネトロン、１２……サーキユレー
タ、１４，２４……電圧サンプリングプローブ、
１５，２５……電力ヘツド、１６，２６……電力
計、１７……サーキユレータ、１８……自由走行
チヤンネルストリツプ記録器、１９……赤外線パ
イロメータ、２１……容器、２２……差動増幅
器、２３……絞り、２７……空洞、２８……後背
面壁、２９……ハンドル、３０……コンプレツ
サ、３２……非破壊的評価装置、３３……音響増
幅レンズ、３４……トランスジユーサ、３５……
パルサ、３６……受信器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 二つの物体間に形成される接合部にマイクロ
波を放射し、 同時に二つの物体を接合部で押付けるように圧
縮力を供給し、 二つの物体間に形成されつつある接合部を連続
的に非破壊的自動的にモニターすることを特徴と
する二つの物体を接合する方法。 ２ 前記マイクロ波を放射する過程は、二つの物
体間に形成される接合部のみに単一モードマイク
ロ波を直接供給する過程を含んでいる特許請求の
範囲第１項記載の方法。 ３ 前記圧縮力を供給する過程は、二つの物体間
に形成される接合部から遠い位置にある各物体の
一端に二つの物体を横切つて圧縮力を供給する過
程を含んでいる特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ４ 二つの物体間に形成される接合部にマイクロ
波を放射し、 同時に二つの物体に圧縮力を供給し、 二つの物体間に形成される接合部を連続的にモ
ニターする過程を含む二つの物体を接合する方法
において、 前記モニターする過程は、音響的刺激に対する
前記接合部の応答特性を測定することによつて二
つの物体間に形成される接合部を非破壊的に評価
する過程を含んでいることを特徴とする二つの物
体を接合する方法。 ５ 前記接合部の応答特性の測定は、刺激により
接合部から発生された音響放射を測定することに
よつて二つの物体間に形成される接合部を非破壊
的に評価する過程を含んでいる特許請求の範囲第
４項記載の方法。 ６ 二つの物体間に形成される接合部にマイクロ
波を放射し、 同時に二つの物体に圧縮力を供給し、 二つの物体間に形成されつつある接合部を連続
的にモニターする過程を含む二つの物体を接合す
る方法において、 前記モニターする過程は、接合部からの自然発
生的音響放射を検出し測定することによつて二つ
の物体間に形成される接合部を非破壊的に評価す
る過程を含んでいることを特徴とする二つの物体
を接合する方法。 ７ 二つの物体間に形成される接合部にマイクロ
波を放射する手段と、 同時に二つの物体を接合部で押付けるように圧
縮力を供給する手段と、 二つの物体間に形成されつつある接合部を連続
的に非破壊的自動的にモニターする手段とを具備
していることを特徴とする二つの物体を接合する
装置。 ８ 前記マイクロ波を放射する手段は二つの物体
間に形成される接合部のみに単一モードマイクロ
波を直接供給する特許請求の範囲第７項記載の装
置。 ９ 前記マイクロ波を放射する手段は、二つの物
体間に形成される接合部のみに可変周波数マイク
ロ波を直接供給する特許請求の範囲第７項記載の
装置。 １０ 前記圧縮力を供給する手段は、二つの物体
間に形成される接合部から遠い位置の各物体の一
端に二つの物体を横切つて圧縮力を供給する特許
請求の範囲第７項記載の装置。 １１ 二つの物体間に形成される接合部にマイク
ロ波を放射する手段と、 同時に二つの物体に圧縮力を供給する手段と、 二つの物体間に形成されつつある接合部を連続
的にモニターする手段と、 その間に接合部が形成される二つの物体を含む
容器手段とを具備し、 この容器手段は共振周波数を有する内部空洞で
あり、その前面壁にマイクロ波が入力することが
できるように可調整絞り手段を有し、また内部空
洞の共振周波数の変化を許容するために可動後部
壁手段を有していることを特徴とする二つの物体
を接合する装置。 １２ 二つの物体間に形成される接合部にマイク
ロ波を放射する手段と、 同時に二つの物体に圧縮力を供給する手段と、 二つの物体間に形成されつつある接合部を連続
的にモニターする手段と、 その間に接合部が形成される二つの物体を含む
容器手段とを具備し、 この容器手段は予め定められた共振周波数を有
する内部空洞であり、その前面壁にマイクロ波が
入力することができるように可調整絞り手段を有
し、また固定後部壁を有していることを特徴とす
る二つの物体を接合する装置。 １３ 二つの物体間に形成される接合部にマイク
ロ波を放射する手段と、 同時に二つの物体に圧縮力を供給する手段と、 二つの物体間に形成されつつある接合部を連続
的にモニターする手段とを具備し、 前記モニターする手段は、音響的刺激に対する
前記接合部の応答特性を測定するための非破壊的
評価手段を具備し、この非破壊的評価手段は、電
気パルスを音響パルスに変換するためのトランス
デユーサ手段と、接合部との間で授受される音響
信号を増大するための音響増幅レンズ手段とを具
備していることを特徴とする二つの物体を接合す
る装置。 １４ 前記モニター手段は、トランスデユーサ手
段に電気パルスを送信するためのパルス装置を具
備している特許請求の範囲第１３項記載の装置。 １５ 前記モニター手段は、さらに転送するため
にトランスデユーサ手段から電気パルスを受ける
受信手段を具備している特許請求の範囲第１３項
記載の装置。 １６ 前記モニター手段は、受信手段から伝送さ
れた電気パルスを表示するためのオシロスコープ
装置を具備している特許請求の範囲第１４項記載
の装置。 １７ 前記モニター手段は、二つの物体間に形成
される接合部における温度を測定するために、非
破壊評価手段に接続されたパイロメータ装置を具
備している特許請求の範囲第１３項記載の装置。 １８ 前記モニター手段は、温度／電力／時間プ
ロフアイルを表示するための、パイロメータ装置
に接続された記録手段を具備している特許請求の
範囲第１７項記載の装置。 １９ 前記モニター手段は、マイクロ波放射手段
と記録手段との間に接続されたマイクロ波放射手
段からの順方向の電力と接合部から記録手段に反
射された電力との差の測定値の入力手段を具備し
ている特許請求の範囲第１８項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/910,984 US4767902A (en) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Method and apparatus for the microwave joining of ceramic items |
| US910984 | 1986-09-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389473A JPS6389473A (ja) | 1988-04-20 |
| JPH0367984B2 true JPH0367984B2 (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=25429609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62239889A Granted JPS6389473A (ja) | 1986-09-24 | 1987-09-24 | セラミック体のマイクロ波接合のための方法および装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4767902A (ja) |
| EP (1) | EP0261928B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6389473A (ja) |
| CA (1) | CA1297166C (ja) |
| DE (1) | DE3777301D1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4757172A (en) * | 1986-09-24 | 1988-07-12 | Questech Inc. | Method and apparatus for the microwave joining of nonoxide ceramic items |
| EP0525086A4 (en) * | 1990-04-20 | 1993-09-15 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | A method of nitriding refractory metal articles |
| US5154779A (en) * | 1990-04-20 | 1992-10-13 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method of nitriding, carburizing, or oxidizing refractory metal articles using microwaves |
| US5164130A (en) * | 1990-04-20 | 1992-11-17 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method of sintering ceramic materials |
| US5241040A (en) * | 1990-07-11 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | Microwave processing |
| US5191182A (en) * | 1990-07-11 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Tuneable apparatus for microwave processing |
| US5648038A (en) * | 1995-09-20 | 1997-07-15 | Lambda Technologies | Systems and methods for monitoring material properties using microwave energy |
| WO1998046047A1 (en) * | 1997-04-10 | 1998-10-15 | Nucon Systems, Inc. | Process and apparatus for microwave joining thick-walled ceramic parts |
| US6644536B2 (en) * | 2001-12-28 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Solder reflow with microwave energy |
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| US7638727B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
| US7497922B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
| JP2005524963A (ja) | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ダナ・コーポレーション | プラズマ触媒 |
| US7494904B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-02-24 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted doping |
| US7445817B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
| US7560657B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-07-14 | Btu International Inc. | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
| US7498066B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International Inc. | Plasma-assisted enhanced coating |
| US7465362B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-12-16 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
| US7189940B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
| US7022198B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-04-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microwave assisted reactive brazing of ceramic materials |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3469053A (en) * | 1965-10-19 | 1969-09-23 | Melvin L Levinson | Microwave kiln |
| US3520055A (en) * | 1967-04-26 | 1970-07-14 | Western Electric Co | Method for holding workpieces for radiant energy bonding |
| FR2079945A5 (ja) * | 1970-02-18 | 1971-11-12 | Materiel Telephonique | |
| US3755065A (en) * | 1971-05-11 | 1973-08-28 | Owens Illinois Inc | Oxidic solder sealing compositions and their use in forming laminates |
| US3998632A (en) * | 1972-04-27 | 1976-12-21 | Valentin Petrovich Kosteruk | Metal alloy |
| US3841870A (en) * | 1973-03-07 | 1974-10-15 | Carpenter Technology Corp | Method of making articles from powdered material requiring forming at high temperature |
| US4003368A (en) * | 1974-06-27 | 1977-01-18 | Armco Steel Corporation | Article transparent to microwaves and process for making same |
| US3953703A (en) * | 1974-10-03 | 1976-04-27 | Materials Research Corporation | Method for drying ceramic tape |
| JPS5823349B2 (ja) * | 1975-08-11 | 1983-05-14 | 新日本製鐵株式会社 | タイカブツノシヨウケツホウホウ |
| US4179596A (en) * | 1978-04-27 | 1979-12-18 | Litton Systems, Inc. | Method for processing fiberoptic electronic components of electronic vacuum devices |
| US4219361A (en) * | 1978-06-09 | 1980-08-26 | Special Metals Corporation | Method of improving the susceptibility of a material to microwave energy heating |
| US4307277A (en) * | 1978-08-03 | 1981-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave heating oven |
| US4273950A (en) * | 1979-05-29 | 1981-06-16 | Photowatt International, Inc. | Solar cell and fabrication thereof using microwaves |
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| US4347089A (en) * | 1981-07-29 | 1982-08-31 | Sri International | Method for bonding silicon nitride |
| US4384909A (en) * | 1981-11-16 | 1983-05-24 | United Technologies Corporation | Bonding Si3 N4 ceramics |
| US4529856A (en) * | 1983-10-04 | 1985-07-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ceramic-glass-metal seal by microwave heating |
| US4529857A (en) * | 1983-10-04 | 1985-07-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ceramic-glass-ceramic seal by microwave heating |
| JPS6311580A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスの接合装置 |
-
1986
- 1986-09-24 US US06/910,984 patent/US4767902A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-09-21 CA CA000547437A patent/CA1297166C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-22 EP EP87308375A patent/EP0261928B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-22 DE DE8787308375T patent/DE3777301D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-24 JP JP62239889A patent/JPS6389473A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6389473A (ja) | 1988-04-20 |
| US4767902A (en) | 1988-08-30 |
| EP0261928B1 (en) | 1992-03-11 |
| EP0261928A2 (en) | 1988-03-30 |
| CA1297166C (en) | 1992-03-10 |
| DE3777301D1 (de) | 1992-04-16 |
| EP0261928A3 (en) | 1989-10-04 |
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