JPH036810A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
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- JPH036810A JPH036810A JP1142539A JP14253989A JPH036810A JP H036810 A JPH036810 A JP H036810A JP 1142539 A JP1142539 A JP 1142539A JP 14253989 A JP14253989 A JP 14253989A JP H036810 A JPH036810 A JP H036810A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ステップアンドリピート方式の、電子ビーム
やイオンビームを用いた描画方法に関する。
やイオンビームを用いた描画方法に関する。
（従来の技術）
電子ビーム描画装置で広い描画領域を描画する場合、電
子ビームの偏向歪の影響を少なくするために、描画領域
を電子ビームの偏向歪の影響をほとんど無視できる領域
、すなわち、フィールドに仮想的に分割するようにして
いる。そして、特定のフィールドの描画を行った後、隣
接するフィールドを描画する際には、１フイ一ルド分被
描画材料を載せたステージを移動させるようにしている
。
子ビームの偏向歪の影響を少なくするために、描画領域
を電子ビームの偏向歪の影響をほとんど無視できる領域
、すなわち、フィールドに仮想的に分割するようにして
いる。そして、特定のフィールドの描画を行った後、隣
接するフィールドを描画する際には、１フイ一ルド分被
描画材料を載せたステージを移動させるようにしている
。
このような方式は、ステップアンドリピート方式と一般
に呼称されている。
に呼称されている。
（発明が解決しようとする課題）
このステップアンドリピート方式では、隣接したフィー
ルドにまたがったパターンが存在する場合、そのパター
ンは、各フィールド毎に分割して描画されることになる
。第４図は、この描画の方式を説明するための図であり
、描画領域Ａは、４つのフィールドＦｌ、Ｆ２＋ ｐ
、、Ｆ４に仮想的に分割されている。この描画領域Ａの
中には、Ｐ１〜Ｐ４のパターンが存在しているが、パタ
ーンＰ２は、フィールドＦ、とＦ２にまたがって存在し
ている。
ルドにまたがったパターンが存在する場合、そのパター
ンは、各フィールド毎に分割して描画されることになる
。第４図は、この描画の方式を説明するための図であり
、描画領域Ａは、４つのフィールドＦｌ、Ｆ２＋ ｐ
、、Ｆ４に仮想的に分割されている。この描画領域Ａの
中には、Ｐ１〜Ｐ４のパターンが存在しているが、パタ
ーンＰ２は、フィールドＦ、とＦ２にまたがって存在し
ている。
このような描画領域の描画は、まず、ステージをフィー
ルドＦ、の中心に電子ビーム光軸がくるように移動し、
フィールドＦ１に含まれるパターンの描画を行う。すな
わち、パターンＰ、とパターンＰ２のうち、フィールド
Ｆ、の中に含まれる部分Ｐ２ａが描画される。この描画
が終了した後、ステージが移動され、電子ビーム光軸が
フィールドＦ２の中心に位置される。その後、フィール
ドＦ２の中に存在しているパターン、すなわち、パター
ンＰ２の残りの部分であるＰ２ｈが描画される。
ルドＦ、の中心に電子ビーム光軸がくるように移動し、
フィールドＦ１に含まれるパターンの描画を行う。すな
わち、パターンＰ、とパターンＰ２のうち、フィールド
Ｆ、の中に含まれる部分Ｐ２ａが描画される。この描画
が終了した後、ステージが移動され、電子ビーム光軸が
フィールドＦ２の中心に位置される。その後、フィール
ドＦ２の中に存在しているパターン、すなわち、パター
ンＰ２の残りの部分であるＰ２ｈが描画される。
次にステージが移動され、フィールドＦ４の中のパター
ンＰ４が描画され、この描画の後、ステージが更に移動
されてフィールドＦ、の中のパターンＦ、が描画される
。
ンＰ４が描画され、この描画の後、ステージが更に移動
されてフィールドＦ、の中のパターンＦ、が描画される
。
上記した描画方式で、各フィールドの中に全部含まれて
いるパターンＰ、、Ｐ、、Ｐ４の描画は同等問題となら
ないが、異なったフィールドにまたがって配置されるパ
ターンＰ２の描画は２回に分けて描画しなければならな
いために、問題が生じる。すなわち、フィールドの境界
部では、ステージの移動誤差や電子ビームの偏向歪の影
響がで易く、描画の際、位置ずれが生じたり、ビームの
ボケが発生し、描画精度が劣化する。その結果、精度良
く描画できた場合には、第５図のように、パターンＰ２
の描画が行えるが、通常は、フィールド境界部における
上記問題のため、第６図に示すように、パターンのつな
ぎ部分でパターンに段差が生じてしまう。
いるパターンＰ、、Ｐ、、Ｐ４の描画は同等問題となら
ないが、異なったフィールドにまたがって配置されるパ
ターンＰ２の描画は２回に分けて描画しなければならな
いために、問題が生じる。すなわち、フィールドの境界
部では、ステージの移動誤差や電子ビームの偏向歪の影
響がで易く、描画の際、位置ずれが生じたり、ビームの
ボケが発生し、描画精度が劣化する。その結果、精度良
く描画できた場合には、第５図のように、パターンＰ２
の描画が行えるが、通常は、フィールド境界部における
上記問題のため、第６図に示すように、パターンのつな
ぎ部分でパターンに段差が生じてしまう。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その
目的は、フィールド間のつなぎの誤差を極めて少なくし
得る荷電粒子ビーム描画方法を実現するにある。
目的は、フィールド間のつなぎの誤差を極めて少なくし
得る荷電粒子ビーム描画方法を実現するにある。
（課題を解決するための手段）
本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法は、複数のフィ
ールドよりなる描画領域を有した被描画材料をステージ
に載せ、このステージをフィールド毎に移動させ、各フ
ィールドの描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方
法において、描画領域のフィールドの分割を行うに当っ
て、複数種類の分割態様の分割を行い、複数の分割態様
で分割された各フィールド毎にステージを移動させ、各
描画パターンを複数回の荷電粒子ビーム照射によって描
画を行うようにしたことを特徴としている。
ールドよりなる描画領域を有した被描画材料をステージ
に載せ、このステージをフィールド毎に移動させ、各フ
ィールドの描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方
法において、描画領域のフィールドの分割を行うに当っ
て、複数種類の分割態様の分割を行い、複数の分割態様
で分割された各フィールド毎にステージを移動させ、各
描画パターンを複数回の荷電粒子ビーム照射によって描
画を行うようにしたことを特徴としている。
（作用）
描画領域を複数態様のフィールドで分割し、分割された
フィールド毎にステージを移動させ、各フィールドに含
まれるパターンを描画し、各パターンを異なったフィー
ルドで複数回描画することにより、各フィールドのつな
ぎ部分の誤差を平均化する。
フィールド毎にステージを移動させ、各フィールドに含
まれるパターンを描画し、各パターンを異なったフィー
ルドで複数回描画することにより、各フィールドのつな
ぎ部分の誤差を平均化する。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第１図は本発明に基づく方法を実施するための電子ビ
ーム描画装置を示している。１は電子銃であり、この電
子銃１から発生した電子ビームＥＢは、第１のスリット
２と第２のスリット３、第１と第２のスリット２，３と
の間に配置された偏向器４からなるビーム成形手段によ
って任意の断面形状の電子ビームに成形される。
。第１図は本発明に基づく方法を実施するための電子ビ
ーム描画装置を示している。１は電子銃であり、この電
子銃１から発生した電子ビームＥＢは、第１のスリット
２と第２のスリット３、第１と第２のスリット２，３と
の間に配置された偏向器４からなるビーム成形手段によ
って任意の断面形状の電子ビームに成形される。
所定の断面形状に成形された電子ビームは、電子レンズ
５，６によってステージ７上の被描画材料８に照射され
る。更に、電子ビームＥＢは、偏向器９によって材料８
上の照射位置が変えられる。
５，６によってステージ７上の被描画材料８に照射され
る。更に、電子ビームＥＢは、偏向器９によって材料８
上の照射位置が変えられる。
ステージ７は、ステージ駆動機構１０によって駆動され
、ステージ駆動機構１０は、コンピュータ１１によって
制御されている。コンピュータ１１は、更に、偏向器４
の制御回路１２、偏向器９の制御回路１３も制御してい
る。なお、１４は、描画データが記憶された磁気テープ
などの記憶手段である。
、ステージ駆動機構１０は、コンピュータ１１によって
制御されている。コンピュータ１１は、更に、偏向器４
の制御回路１２、偏向器９の制御回路１３も制御してい
る。なお、１４は、描画データが記憶された磁気テープ
などの記憶手段である。
上記した構成の動作は、次の通りである。記憶手段１４
からの描画データがコンピュータ１１に供給され、コン
ピュータ１１は、供給された描画データに基づき、駆動
機構１０を制御してステージ７を所定位置に移動させる
。その後、制御回路１２を制御して偏向器４に電子ビー
ムの断面形状に応じた偏向信号を供給し１．第１のスリ
ット２を透過した電子ビームの第２のスリット３上の照
射位置を変え、電子ビームを所定の断面形状に成形する
。更に、コンピュータ１１は制御回路１３を制御し、偏
向器９に描画データに応じて電子ビームの偏向信号を供
給し、被描画材料８の所望位置に電子ビームを照射して
所望パターンの描画を行う。このようにして特定のフィ
ールド内のパターンの描画が終了すると、コンピュータ
１１は異なったフィールドの描画を行うため、ステージ
駆動機構１０を制御し、ステージを１フイ一ルド分移動
させる。
からの描画データがコンピュータ１１に供給され、コン
ピュータ１１は、供給された描画データに基づき、駆動
機構１０を制御してステージ７を所定位置に移動させる
。その後、制御回路１２を制御して偏向器４に電子ビー
ムの断面形状に応じた偏向信号を供給し１．第１のスリ
ット２を透過した電子ビームの第２のスリット３上の照
射位置を変え、電子ビームを所定の断面形状に成形する
。更に、コンピュータ１１は制御回路１３を制御し、偏
向器９に描画データに応じて電子ビームの偏向信号を供
給し、被描画材料８の所望位置に電子ビームを照射して
所望パターンの描画を行う。このようにして特定のフィ
ールド内のパターンの描画が終了すると、コンピュータ
１１は異なったフィールドの描画を行うため、ステージ
駆動機構１０を制御し、ステージを１フイ一ルド分移動
させる。
さて、上記した描画装置で第４図に示した描画領域Ａを
描画する場合、まず、描画領域Ａは、複数態様のフィー
ルドに分割される。この実施例では、説明を簡単化する
ために、２種類の態様のフィールドに分割される場合を
例に説明する。第１の態様は、第４図に示したように、
描画領域を４つのフィールドＦ＋ 、Ｆ２ 、Ｆ３ 、
Ｆ４に分割する。この態様において、各フィールドは、
既に述べたようなステップで描画されるが、この描画に
おいては、２種類の態様のフィールドで各パターンが描
画されるため、１回の描画における電子ビームのドーズ
量は、従来の１回の描画のときのドーズ量に比べて半分
にされる。
描画する場合、まず、描画領域Ａは、複数態様のフィー
ルドに分割される。この実施例では、説明を簡単化する
ために、２種類の態様のフィールドに分割される場合を
例に説明する。第１の態様は、第４図に示したように、
描画領域を４つのフィールドＦ＋ 、Ｆ２ 、Ｆ３ 、
Ｆ４に分割する。この態様において、各フィールドは、
既に述べたようなステップで描画されるが、この描画に
おいては、２種類の態様のフィールドで各パターンが描
画されるため、１回の描画における電子ビームのドーズ
量は、従来の１回の描画のときのドーズ量に比べて半分
にされる。
上記したフィールドＦｌ、Ｆ２．Ｆ３．Ｆ４の描画が終
了した後、描画領域Ａは、２番目の態様のフィールドで
描画が行われる。第２図は、２番目の態様のフィールド
分割の様子を示しており、描画領域Ａは、第４図に示し
たフィールドと同じ大きさのフィールドで分割されてい
るが、各フィールドの境界はフィールドの大きさの半分
ずらされている。その結果、描画領域Ａは、合計９つの
フィールドＦ５〜Ｆｌｕに分割され、このフィールドＦ
、〜ＦＩ３は、 Ｆ５→Ｆ６→Ｆ７→Ｆ１ｏ−＋Ｆ、→Ｆ８→Ｆｌｌ→Ｆ
１２→ＦＩ３ の順番で描画が行われる。なお、このときの描画におい
て、電子ビームのドーズ量は、従来の１回でパターンの
描画を行う場合に比べて半分にされている。
了した後、描画領域Ａは、２番目の態様のフィールドで
描画が行われる。第２図は、２番目の態様のフィールド
分割の様子を示しており、描画領域Ａは、第４図に示し
たフィールドと同じ大きさのフィールドで分割されてい
るが、各フィールドの境界はフィールドの大きさの半分
ずらされている。その結果、描画領域Ａは、合計９つの
フィールドＦ５〜Ｆｌｕに分割され、このフィールドＦ
、〜ＦＩ３は、 Ｆ５→Ｆ６→Ｆ７→Ｆ１ｏ−＋Ｆ、→Ｆ８→Ｆｌｌ→Ｆ
１２→ＦＩ３ の順番で描画が行われる。なお、このときの描画におい
て、電子ビームのドーズ量は、従来の１回でパターンの
描画を行う場合に比べて半分にされている。
上述したように、単一の描画領域Ａを２回に分けて描画
し、更に、各回の描画においては、フィールドの分割の
態様を異ならしたため、例えば、第１の態様で異なった
フィールドにまたがって配置されたパターンＰ２は、第
２の態様では、同じフィールドＦ、の中に配置されるた
め、第１の態様での境界部は、第２の態様では境界部と
ならず、その部分の誤差は、平均化し、結果として第５
図に示す様な滑らかなエツジを有したパターンが描画さ
れることになる。
し、更に、各回の描画においては、フィールドの分割の
態様を異ならしたため、例えば、第１の態様で異なった
フィールドにまたがって配置されたパターンＰ２は、第
２の態様では、同じフィールドＦ、の中に配置されるた
め、第１の態様での境界部は、第２の態様では境界部と
ならず、その部分の誤差は、平均化し、結果として第５
図に示す様な滑らかなエツジを有したパターンが描画さ
れることになる。
上記した実施例では、２つの態様のフィールドの描画を
行うに当たって、まず、第１の態様のフィールドで描画
を行い、次に、第２の態様でのフィールドの描画を行っ
たが、事前に第１の態様のフィールドと第２の態様のフ
ィールドをデータ処理して一連のデータとし、２Ｎの態
様のフィールドを混在させて描画を行うようにしても良
い。すなわち、描画を短時間に行うために、分割された
各フィールドの内、近い座標のフィールドから順に描画
を行うことは望ましい。第４図と第２図に示した２つの
態様のフィールド分割の場合には、次の順番で各フィー
ルドの描画を行うとステージの移動距離が全体として短
くなり、時間の短縮となる。
行うに当たって、まず、第１の態様のフィールドで描画
を行い、次に、第２の態様でのフィールドの描画を行っ
たが、事前に第１の態様のフィールドと第２の態様のフ
ィールドをデータ処理して一連のデータとし、２Ｎの態
様のフィールドを混在させて描画を行うようにしても良
い。すなわち、描画を短時間に行うために、分割された
各フィールドの内、近い座標のフィールドから順に描画
を行うことは望ましい。第４図と第２図に示した２つの
態様のフィールド分割の場合には、次の順番で各フィー
ルドの描画を行うとステージの移動距離が全体として短
くなり、時間の短縮となる。
Ｆ、−Ｆ６→Ｆ７→Ｆ２→Ｆ、−Ｆ８→Ｆ。
→Ｆ、ｏ４Ｆ４→Ｆ３→Ｆ１１→ＦＩ２→Ｆ１３次に本
発明の他の実施例について説明する。この実施例では、
第３図に示すように、描画領域Ａを実線で示した境界線
によって第１の態様でフィールド分割を行い、点線で示
した境界線によって第２の態様でフィールド分割が行わ
れる。描画領域Ａに含まれている描画データは、予め、
実線と点線の境界線で分けられた合計１６の領域ａ −
ｐに分けられている。このような描画データを描画する
場合には、各フィールドの中心に電子ビームの光軸が配
置されるようにステージを移動させながら行う。図中、
０１〜ＣＩ３は、フィールドの中心位置である。各フィ
ールドの中心と、その中心に電子ビームの光軸が配置さ
れたときに、読み出されて組み合わされる描画データは
、次の通りである。
発明の他の実施例について説明する。この実施例では、
第３図に示すように、描画領域Ａを実線で示した境界線
によって第１の態様でフィールド分割を行い、点線で示
した境界線によって第２の態様でフィールド分割が行わ
れる。描画領域Ａに含まれている描画データは、予め、
実線と点線の境界線で分けられた合計１６の領域ａ −
ｐに分けられている。このような描画データを描画する
場合には、各フィールドの中心に電子ビームの光軸が配
置されるようにステージを移動させながら行う。図中、
０１〜ＣＩ３は、フィールドの中心位置である。各フィ
ールドの中心と、その中心に電子ビームの光軸が配置さ
れたときに、読み出されて組み合わされる描画データは
、次の通りである。
Ｃ＋ −ａ Ｃ２−ｂ、 ｃＣ，−
ｄ Ｃ４−ｃ、 ｄ、 ｅ、
ｆＣ，−ａ、 ｂ、 ｇ、 ｈ Ｃ，−
ｈ、 ｉＣ７−ｇ、 ｆ、 ｋ、 Ｊ Ｃ
５−ｅ、ｉ’Ｃ９−に、 ｇ、ｍ、 ｎ Ｃ＋
ｏ・・’ｆ、 ｊ、 Ｏｌ ｌ）Ｃ，−−−ｐ
Ｃ＋ｚ゛’Ｏ，ｎＣｌ３・・・ｍ このように、各単位描画データは、各々２回づつ描画さ
れ、トータルとして２重の描画となる。
ｄ Ｃ４−ｃ、 ｄ、 ｅ、
ｆＣ，−ａ、 ｂ、 ｇ、 ｈ Ｃ，−
ｈ、 ｉＣ７−ｇ、 ｆ、 ｋ、 Ｊ Ｃ
５−ｅ、ｉ’Ｃ９−に、 ｇ、ｍ、 ｎ Ｃ＋
ｏ・・’ｆ、 ｊ、 Ｏｌ ｌ）Ｃ，−−−ｐ
Ｃ＋ｚ゛’Ｏ，ｎＣｌ３・・・ｍ このように、各単位描画データは、各々２回づつ描画さ
れ、トータルとして２重の描画となる。
なお、この実施例で、各単位描画データは、個別に描画
されるのではなく、データ上で組み合わされ、フィール
ド単位でデータの再編集が行われ、フィールド単位での
描画が行われる。
されるのではなく、データ上で組み合わされ、フィール
ド単位でデータの再編集が行われ、フィールド単位での
描画が行われる。
以上、本発明の詳細な説明したが、本発明は、この実施
例に限定されない。例えば、電子ビーム描画を例に説明
したが、イオンビーム描画装置にも本発明を適用するこ
とができる。又、２種の態様でフィールドの分割を行っ
たが、３種の態様で分割を行い、各パターンを３重の描
画によって描画するようにしても良く、更に、４種以上
の態様で描画領域の分割を行っても良い。
例に限定されない。例えば、電子ビーム描画を例に説明
したが、イオンビーム描画装置にも本発明を適用するこ
とができる。又、２種の態様でフィールドの分割を行っ
たが、３種の態様で分割を行い、各パターンを３重の描
画によって描画するようにしても良く、更に、４種以上
の態様で描画領域の分割を行っても良い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明では単一の描画領域を複数
回に分けて描画し、更に、各回の描画においては、フィ
ールドの分割の態様を異ならしたため、例えば、第１の
態様で異なったフィールドにまたがって配置されたパタ
ーンであっても、他の態様では、その境界部が同じフィ
ールドの中に配置されるため、第１の態様での境界部は
、他の態様では境界部とならず、その部分の描画位置誤
差やビームのボケは、平均化し、結果として滑らかなエ
ツジを有したパターンを描画することができる。
回に分けて描画し、更に、各回の描画においては、フィ
ールドの分割の態様を異ならしたため、例えば、第１の
態様で異なったフィールドにまたがって配置されたパタ
ーンであっても、他の態様では、その境界部が同じフィ
ールドの中に配置されるため、第１の態様での境界部は
、他の態様では境界部とならず、その部分の描画位置誤
差やビームのボケは、平均化し、結果として滑らかなエ
ツジを有したパターンを描画することができる。
第１図は、本発明に基づく方法を実施するための電子ビ
ーム描画装置の一例を示す図、第２図は、描画領域の分
割の様子を示す図、第３図は、本発明の他の実施例にお
けるデータの分割と、フィールドの中心を示す図、第４
図は、描画領域とフィールドの関係を示す図、第５図お
よび第６図は、つなぎパターンを示す図である。 １・・・電子銃 ２・・・第１のスリット３・
・・第２のスリット ４・・・偏向器５．６・・・電子
レンズ ７・・・ステージ８・・・被描画材料 ９
・・・偏向器１０・・・駆動機構 １１・・・コン
ピュータ１２．１３・・・偏向器制御回路 １４・・・記憶手段 第４区
ーム描画装置の一例を示す図、第２図は、描画領域の分
割の様子を示す図、第３図は、本発明の他の実施例にお
けるデータの分割と、フィールドの中心を示す図、第４
図は、描画領域とフィールドの関係を示す図、第５図お
よび第６図は、つなぎパターンを示す図である。 １・・・電子銃 ２・・・第１のスリット３・
・・第２のスリット ４・・・偏向器５．６・・・電子
レンズ ７・・・ステージ８・・・被描画材料 ９
・・・偏向器１０・・・駆動機構 １１・・・コン
ピュータ１２．１３・・・偏向器制御回路 １４・・・記憶手段 第４区
Claims (1)
- 複数のフィールドよりなる描画領域を有した被描画材
料をステージに載せ、このステージをフィールド毎に移
動させ、各フィールドの描画を行うようにした荷電粒子
ビーム描画方法において、描画領域のフィールドの分割
を行うに当って、複数種類の分割態様の分割を行い、複
数の分割態様で分割された各フィールド毎にステージを
移動させ、各描画パターンを複数回の荷電粒子ビーム照
射によって描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142539A JP2708551B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142539A JP2708551B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036810A true JPH036810A (ja) | 1991-01-14 |
| JP2708551B2 JP2708551B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=15317707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1142539A Expired - Lifetime JP2708551B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2708551B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008062513A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Advantest Corporation | Electron-beam exposing device, and electron-beam exposing method |
| US20120208911A1 (en) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | Fina Technology, Inc. | Polar Polystyrene Copolymers for Enhanced Foaming |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285418A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Fujitsu Ltd | 微細幅パタ−ンの露光方法 |
| JPS63248129A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビ−ム描画方法 |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP1142539A patent/JP2708551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JP5047189B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-10-10 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
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| US8912242B2 (en) * | 2011-02-10 | 2014-12-16 | Fina Technology, Inc. | Polar polystyrene copolymers for enhanced foaming |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2708551B2 (ja) | 1998-02-04 |
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