JPH0368112B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0368112B2 JPH0368112B2 JP24451984A JP24451984A JPH0368112B2 JP H0368112 B2 JPH0368112 B2 JP H0368112B2 JP 24451984 A JP24451984 A JP 24451984A JP 24451984 A JP24451984 A JP 24451984A JP H0368112 B2 JPH0368112 B2 JP H0368112B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- vapor
- vapor deposition
- detector
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、蒸着装置に関するものであり、と
りわけ、被蒸着体に薄膜を真空中で蒸着させる蒸
着装置に関するものである。
りわけ、被蒸着体に薄膜を真空中で蒸着させる蒸
着装置に関するものである。
第４図は特公昭54−9592号公報に開示された蒸
着装置に、膜厚検出器、膜厚計、シヤツタ駆動装
置を取付けてシヤツタの制御を自動的に行うよう
にした従来の装置を示し、図において真空槽１の
上、下に上部ベース２、下部ベース３が結合して
いて、下部ベース３から排気口４が突出してい
る。真空槽１内には物質蒸気発生炉５、イオン引
出し電極６、物質蒸気発生炉支持台７、イオン引
出し電極支持台８、電子放射用フイラメント１
０、物質蒸気発生炉加熱ヒータ１５、基板取付台
１８、シヤツタ２１、付着速度（イオン化蒸気発
生速度）および付着膜厚を検出する検出器２３等
が収納されている。
着装置に、膜厚検出器、膜厚計、シヤツタ駆動装
置を取付けてシヤツタの制御を自動的に行うよう
にした従来の装置を示し、図において真空槽１の
上、下に上部ベース２、下部ベース３が結合して
いて、下部ベース３から排気口４が突出してい
る。真空槽１内には物質蒸気発生炉５、イオン引
出し電極６、物質蒸気発生炉支持台７、イオン引
出し電極支持台８、電子放射用フイラメント１
０、物質蒸気発生炉加熱ヒータ１５、基板取付台
１８、シヤツタ２１、付着速度（イオン化蒸気発
生速度）および付着膜厚を検出する検出器２３等
が収納されている。
真空槽１の外部には、直流高圧電源９、電子放
射用フイラメント加熱電源１３、物質蒸気発生炉
加熱用ヒータ電源１６、電流計２２、膜厚計２４
およびシヤツタ駆動装置２５等が配置されてい
る。
射用フイラメント加熱電源１３、物質蒸気発生炉
加熱用ヒータ電源１６、電流計２２、膜厚計２４
およびシヤツタ駆動装置２５等が配置されてい
る。
１１は電子ビーム、１２は物質蒸気噴射用小
孔、１４はイオン化して付着させる物質、１７は
物質蒸気、１９は被蒸着体である基板、２０はイ
オン化したクラスタビームをそれぞれ示してい
る。
孔、１４はイオン化して付着させる物質、１７は
物質蒸気、１９は被蒸着体である基板、２０はイ
オン化したクラスタビームをそれぞれ示してい
る。
第５図は、シヤツタ２１、基板１９、検出器２
３の位置関係を上方から見た状態を示している。
３の位置関係を上方から見た状態を示している。
以上の構成により、物質１４を物質蒸気発生炉
５に入れ、加熱ヒータ１５を電源１６で加熱す
る。物質１４は溶融して物質蒸気１７を発生し、
物質蒸気発生炉５内の圧力が高くなるので物質蒸
気１７は小孔１２より噴射し、上部に飛び出す。
飛び出した物質蒸気１７は電子放射用フイラメン
ト１０を通過するときに電子ビーム１１と衝突
し、蒸気原子の電子が飛ばされてイオン化する。
イオン化したクラスタビーム２０はイオン引出し
電極６を基板取付台１８間に電源９で与えられた
電位により加速され、基板１９の方向に移動し、
シヤツタ２１が開状態のとき、基板１９に衝突す
る。衝突したクラスタビーム２０は基板１９の下
面に堆積して薄膜を形成する。
５に入れ、加熱ヒータ１５を電源１６で加熱す
る。物質１４は溶融して物質蒸気１７を発生し、
物質蒸気発生炉５内の圧力が高くなるので物質蒸
気１７は小孔１２より噴射し、上部に飛び出す。
飛び出した物質蒸気１７は電子放射用フイラメン
ト１０を通過するときに電子ビーム１１と衝突
し、蒸気原子の電子が飛ばされてイオン化する。
イオン化したクラスタビーム２０はイオン引出し
電極６を基板取付台１８間に電源９で与えられた
電位により加速され、基板１９の方向に移動し、
シヤツタ２１が開状態のとき、基板１９に衝突す
る。衝突したクラスタビーム２０は基板１９の下
面に堆積して薄膜を形成する。
シヤツタ２１が閉状態のときには、イオン化し
たクラスタビーム２０はシヤツタ２１にさえぎら
れて基板１９に衝突することができないので薄膜
形成が停止される。こようにシヤツタ２１の開閉
でイオン化した蒸気の付着膜厚を制御する。シヤ
ツタ２１の閉止は膜厚検出器２３で検出した膜圧
を膜圧計２４で判別処理し、シヤツタ駆動装置２
５に閉指令が出ることにより制御される。以上の
動作中、真空槽１は排気口４に接続した真空ポン
プにより真空が保持されている。
たクラスタビーム２０はシヤツタ２１にさえぎら
れて基板１９に衝突することができないので薄膜
形成が停止される。こようにシヤツタ２１の開閉
でイオン化した蒸気の付着膜厚を制御する。シヤ
ツタ２１の閉止は膜厚検出器２３で検出した膜圧
を膜圧計２４で判別処理し、シヤツタ駆動装置２
５に閉指令が出ることにより制御される。以上の
動作中、真空槽１は排気口４に接続した真空ポン
プにより真空が保持されている。
上記のような従来の蒸着装置では、検出器２３
は基板１９にできるだけ近い位置に配置されなけ
れば付着速度（イオン蒸気発生速度）および付着
膜厚の測定精度が得られない。ところで、膜厚の
制御は、シヤツタ２１で行われるため、第５図に
も示したように、基板１９の同一平面側方にあつ
てシヤツタ２１の上方に検出基２３が配置され
る。そこで、シヤツタ２１の開時期には膜厚の検
出信号によりイオン化蒸気発生速度をシヤツタ駆
動装置２５にフイードバツクできるが、閉時期に
はイオン化した蒸気発生状態（イオン化蒸気発生
速度）が不明のまま蒸着工程に入ることがあり、
蒸着物質が基板１９に衝突する速度が関係する蒸
着強度が、初期時、損なわれるという問題点があ
つた。
は基板１９にできるだけ近い位置に配置されなけ
れば付着速度（イオン蒸気発生速度）および付着
膜厚の測定精度が得られない。ところで、膜厚の
制御は、シヤツタ２１で行われるため、第５図に
も示したように、基板１９の同一平面側方にあつ
てシヤツタ２１の上方に検出基２３が配置され
る。そこで、シヤツタ２１の開時期には膜厚の検
出信号によりイオン化蒸気発生速度をシヤツタ駆
動装置２５にフイードバツクできるが、閉時期に
はイオン化した蒸気発生状態（イオン化蒸気発生
速度）が不明のまま蒸着工程に入ることがあり、
蒸着物質が基板１９に衝突する速度が関係する蒸
着強度が、初期時、損なわれるという問題点があ
つた。
この発明は、上記の問題点を解消するためにな
されたもので、シヤツタ閉状態でもイオン化した
蒸気発生状態を検出でき、常に所定の蒸着強度に
蒸着することができる蒸着装置を得ることを目的
とする。
されたもので、シヤツタ閉状態でもイオン化した
蒸気発生状態を検出でき、常に所定の蒸着強度に
蒸着することができる蒸着装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る蒸着装置は、従来装置における
シヤツタ、基板、検出器の位置関係をそのままに
しておき、検出器に対向するシヤツタの部位に切
き欠きが設けられている。
シヤツタ、基板、検出器の位置関係をそのままに
しておき、検出器に対向するシヤツタの部位に切
き欠きが設けられている。
この発明においては、シヤツタ閉状態でのイオ
ン化した蒸気発生状態が切欠きを介して検出でき
るので、シヤツタ開時期の初期に蒸気発生状態の
フイードバツクがかけられる。
ン化した蒸気発生状態が切欠きを介して検出でき
るので、シヤツタ開時期の初期に蒸気発生状態の
フイードバツクがかけられる。
第１図はこの発明の一実施例を示し、基板１９
の下方に配置されるシヤツタ２１に、検出器２３
に対向する位置に切欠き２１ａを形成し、シヤツ
タ２１の閉時期でも検出器２３をふさがないよう
にしてなるものである。２６はシヤツタ回転軸で
ある。
の下方に配置されるシヤツタ２１に、検出器２３
に対向する位置に切欠き２１ａを形成し、シヤツ
タ２１の閉時期でも検出器２３をふさがないよう
にしてなるものである。２６はシヤツタ回転軸で
ある。
その他の構成は第４図と同様であるので説明を
省略する。
省略する。
以上の構成において、蒸着作用は従来のものと
全く同じである。この実施例においては、装置を
起動したとき、イオン化したクラスタビーム２０
が基板１９の方向に移動していき、最初はシヤツ
タ２１が閉状態であるためシヤツタ２１に進行を
さえぎられ基板１９には衝突しない。しかし、こ
の状態でもシヤツタ２１の切欠き２１ａ部分にお
いてはイオン化したクラスタビーム２０はシヤツ
タ２１にさえぎられることなく進行できる。シヤ
ツタ２１の切欠き２１ａの上方には検出器２３が
配置されているので、切欠き２１ａを通り抜けた
クラスタビーム２０は、検出器２３の上に堆積す
る。検出器２３に堆積するイオン化蒸気積算値の
時間的変化、つまりイオン化クラスタビーム２０
の衝突速度を膜厚計２４で測定する。あらかじめ
膜厚計２４に特定の衝突速度データを与えてお
き、測定値と一致した時点でシヤツタ開指令がシ
ヤツタ駆動装置２５に送られるようにしておくこ
とにより、蒸着初期でのイオン化蒸気発生状態
（イオン蒸気発生速度）をシヤツタ開制御にフイ
ードバツクさせることができる。
全く同じである。この実施例においては、装置を
起動したとき、イオン化したクラスタビーム２０
が基板１９の方向に移動していき、最初はシヤツ
タ２１が閉状態であるためシヤツタ２１に進行を
さえぎられ基板１９には衝突しない。しかし、こ
の状態でもシヤツタ２１の切欠き２１ａ部分にお
いてはイオン化したクラスタビーム２０はシヤツ
タ２１にさえぎられることなく進行できる。シヤ
ツタ２１の切欠き２１ａの上方には検出器２３が
配置されているので、切欠き２１ａを通り抜けた
クラスタビーム２０は、検出器２３の上に堆積す
る。検出器２３に堆積するイオン化蒸気積算値の
時間的変化、つまりイオン化クラスタビーム２０
の衝突速度を膜厚計２４で測定する。あらかじめ
膜厚計２４に特定の衝突速度データを与えてお
き、測定値と一致した時点でシヤツタ開指令がシ
ヤツタ駆動装置２５に送られるようにしておくこ
とにより、蒸着初期でのイオン化蒸気発生状態
（イオン蒸気発生速度）をシヤツタ開制御にフイ
ードバツクさせることができる。
以上の実施例ではシヤツタ２１を円形とし切欠
き２１ａをシヤツタ回転軸２６の対向側に設けた
ものを示したが、第２図に示すようにシヤツタ回
転軸２６に対して直角方向に設けてもよいし、第
３図に示すように四角形のシヤツタであつてもよ
い。いずれにしても、切欠き２１ａと検出器２３
の位置関係が上方より見て同じであれば、同様の
効果が得られる。
き２１ａをシヤツタ回転軸２６の対向側に設けた
ものを示したが、第２図に示すようにシヤツタ回
転軸２６に対して直角方向に設けてもよいし、第
３図に示すように四角形のシヤツタであつてもよ
い。いずれにしても、切欠き２１ａと検出器２３
の位置関係が上方より見て同じであれば、同様の
効果が得られる。
以上のように、この発明は、シヤツタ切欠きを
設けたことにより、蒸着中（つまりシヤツタ開状
態）の膜厚測定精度が低下しないように配置され
た検出器の位置を変えることなく、蒸着開始前
（つまりシヤツタ閉状態）でのイオン化蒸気発生
速度が測定でき、シヤツタ開直後、つまり蒸着初
期時に所定の蒸着強度を確保することができる効
果がある。
設けたことにより、蒸着中（つまりシヤツタ開状
態）の膜厚測定精度が低下しないように配置され
た検出器の位置を変えることなく、蒸着開始前
（つまりシヤツタ閉状態）でのイオン化蒸気発生
速度が測定でき、シヤツタ開直後、つまり蒸着初
期時に所定の蒸着強度を確保することができる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例の要部平面図、第
２図および第３図はそれぞれ他の実施例の要部平
面図、第４図は従来の蒸着装置の立断面図、第５
図はその要部平面図である。 １……真空槽、５……物質蒸気発生炉、１８…
…取付台、１９……基板（被蒸着体）、２１……
シヤツタ、２１ａ……切欠き、２３……検出器、
２４……膜厚計、２５……シヤツタ駆動装置。な
お、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示
す。
２図および第３図はそれぞれ他の実施例の要部平
面図、第４図は従来の蒸着装置の立断面図、第５
図はその要部平面図である。 １……真空槽、５……物質蒸気発生炉、１８…
…取付台、１９……基板（被蒸着体）、２１……
シヤツタ、２１ａ……切欠き、２３……検出器、
２４……膜厚計、２５……シヤツタ駆動装置。な
お、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- １ 真空槽と、この真空槽に収納され、蒸着物質
を高温で溶融し蒸気を噴出してイオン化しさらに
加速する物質蒸気発生炉と、前記蒸着物質を蒸着
する被蒸着体の取付台と、前記被蒸着体と前記物
質蒸気発生炉の間に配置され付着膜厚を制御する
ためのシヤツタおよびシヤツタ駆動装置と、前記
物質蒸気発生炉に対して前記被蒸着体の蒸着面と
同一平面上に位置し、付着速度および付着膜厚を
検出する検出器および膜厚計とを備えた蒸着装置
において、前記シヤツタに形成され前記シヤツタ
の閉状態でも前記付着速度を監視できる切欠きを
備えてなることを特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24451984A JPS61124570A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 蒸着装置 |
| CA000487241A CA1249525A (en) | 1984-07-23 | 1985-07-22 | Disc accommodation tray and disc player employing said disc accommodation tray |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24451984A JPS61124570A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124570A JPS61124570A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0368112B2 true JPH0368112B2 (ja) | 1991-10-25 |
Family
ID=17119886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24451984A Granted JPS61124570A (ja) | 1984-07-23 | 1984-11-21 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124570A (ja) |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP24451984A patent/JPS61124570A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61124570A (ja) | 1986-06-12 |
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