JPH0368212A - ドライブ回路 - Google Patents
ドライブ回路Info
- Publication number
- JPH0368212A JPH0368212A JP20405789A JP20405789A JPH0368212A JP H0368212 A JPH0368212 A JP H0368212A JP 20405789 A JP20405789 A JP 20405789A JP 20405789 A JP20405789 A JP 20405789A JP H0368212 A JPH0368212 A JP H0368212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- transistor
- level
- gate
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
妓術分野
本発明はドライブ回路に関し、特にトランジスタ”と、
このトランジスタのベース端子に所7【′レベルシフト
を印加1、、てこれをオンオフ制御オるl;1j ia
It!111 vh 、J:をHす711941回路に
関する。
このトランジスタのベース端子に所7【′レベルシフト
を印加1、、てこれをオンオフ制御オるl;1j ia
It!111 vh 、J:をHす711941回路に
関する。
jjL来技術
一般に、IC等の゛『導体によってtL戊された回路の
外部に接続される素子、機器類例えば、リレ、発光ダイ
オード、レシーバIC等を駆動するため、披駆動機器の
性質に合せて高電圧、高電流をも扱えるドライブ用トラ
ンジスタを組込んた出カトライブロ路が使用されている
。
外部に接続される素子、機器類例えば、リレ、発光ダイ
オード、レシーバIC等を駆動するため、披駆動機器の
性質に合せて高電圧、高電流をも扱えるドライブ用トラ
ンジスタを組込んた出カトライブロ路が使用されている
。
第2図はその従来のドライブ回路の代表的な例であるナ
ンド型出力ドライブ回路である。このドライブ回路はア
ンドゲートIC2と、ドライブ用のトランジスタ3と、
一端が接地され、トランジスタ3のベースーエミッタ間
電圧を決定するための抵抗益5とヲ含んで構成されてい
る。なお、5(1+,1入力端子、’, 1 1;!出
力端子、11及び12は亀源端了てあZ.。
ンド型出力ドライブ回路である。このドライブ回路はア
ンドゲートIC2と、ドライブ用のトランジスタ3と、
一端が接地され、トランジスタ3のベースーエミッタ間
電圧を決定するための抵抗益5とヲ含んで構成されてい
る。なお、5(1+,1入力端子、’, 1 1;!出
力端子、11及び12は亀源端了てあZ.。
7;ド7T’ート+c2はその2つの人力端子のうちσ
)一ノjに対L、fi@i.電圧の立上り過渡時におけ
る出力の゛(}′ レベ11,を保障するためのバヮー
オ゛7り七・・・ト1cが接続されている。なお、パワ
ーオニ−,→!ツl− 1 (、:は周知のパワーオン
リセラ1・回路をハイブ11ンド■C化することによっ
て実現される。
)一ノjに対L、fi@i.電圧の立上り過渡時におけ
る出力の゛(}′ レベ11,を保障するためのバヮー
オ゛7り七・・・ト1cが接続されている。なお、パワ
ーオニ−,→!ツl− 1 (、:は周知のパワーオン
リセラ1・回路をハイブ11ンド■C化することによっ
て実現される。
また、アンドゲートIC2は内部の素子であるエミッタ
フォロワトランジスタ20のエミッタから信号を出力す
るものである。
フォロワトランジスタ20のエミッタから信号を出力す
るものである。
このアンドゲートIC2の出力にはエミッタが接地され
ている。また、ドライブ用のトランジスタ3のコレクタ
には駆動信号の出力端子・51が接続されている。
ている。また、ドライブ用のトランジスタ3のコレクタ
には駆動信号の出力端子・51が接続されている。
かかる構成において、電源電圧の定′1M時においては
Vccとして、例えば+5〔V〕が!jえられる。
Vccとして、例えば+5〔V〕が!jえられる。
ここで、アンドゲートIC2の入力端子50に論理信号
として、“0”レベルの信号が与えられたものとする。
として、“0”レベルの信号が与えられたものとする。
すると、アンドゲートIC2の内部素子−であるエミッ
タフォロワトランジスタ20はオフ状態となり、アンド
ゲートIC2の出力端rとグランドレベルとの間に電位
差が生じないため、ドライブ用のトランジスタ3はオフ
状態となる。
タフォロワトランジスタ20はオフ状態となり、アンド
ゲートIC2の出力端rとグランドレベルとの間に電位
差が生じないため、ドライブ用のトランジスタ3はオフ
状態となる。
したがって、駆動信号の出力端子51はオフ状態となる
。
。
一方、アンドゲートIC2の入力端子50に論理信号と
して、“1”レベル信号が与えられたものとする。する
と、アンドゲートIC2の内部素子であるエミッタフォ
ロワトランジスタ20はオン状態となり、アンドゲート
IC2の出力端子とグランドレベルとの間に電位差がピ
Lしる。それにより、ドライブ用のトランジスタ3はオ
ン状態となり、駆動信号の出力端子51は、オン状態と
なる。
して、“1”レベル信号が与えられたものとする。する
と、アンドゲートIC2の内部素子であるエミッタフォ
ロワトランジスタ20はオン状態となり、アンドゲート
IC2の出力端子とグランドレベルとの間に電位差がピ
Lしる。それにより、ドライブ用のトランジスタ3はオ
ン状態となり、駆動信号の出力端子51は、オン状態と
なる。
なお、第2図においては、2人力のアンドゲート■Cが
示されているが、さらに複数の人力が追加され、それら
の論理積をとるものが用いられる場合もある。
示されているが、さらに複数の人力が追加され、それら
の論理積をとるものが用いられる場合もある。
また、上述した従来の出力ドライブ回路は、電ifi、
ta圧Vccの立上り過渡時にアンドゲートIC2の出
力素子である、エミッタフォロワトランジスタをオフ状
態とするため、パワーオンリセットIC1が入力端子の
うちの1つに接続されている。
ta圧Vccの立上り過渡時にアンドゲートIC2の出
力素子である、エミッタフォロワトランジスタをオフ状
態とするため、パワーオンリセットIC1が入力端子の
うちの1つに接続されている。
ところが、パワーオンリセットICIもその特性上電源
電圧VCCの立上り過渡時に完全な“O”レベルを保障
できない場合がある。このパワーオンリセットICIは
本来、電源電圧Vccの上夕?につれてその出力も上昇
し、Vceがあるレベルを越えると、その出力が“0″
レベルとなり、Vccが十分に立上ると出力の“0”レ
ベルを解除して1”レベルになるという動作をするもの
である。
電圧VCCの立上り過渡時に完全な“O”レベルを保障
できない場合がある。このパワーオンリセットICIは
本来、電源電圧Vccの上夕?につれてその出力も上昇
し、Vceがあるレベルを越えると、その出力が“0″
レベルとなり、Vccが十分に立上ると出力の“0”レ
ベルを解除して1”レベルになるという動作をするもの
である。
しかし、パワーオンリセットICIの特性上、電源電圧
の立上り過渡時にアントゲ−)IC2の出力とグランド
レベルとの間に電位差が発生し、その電位差がドライブ
用のトランジスタ3の動作最低ベース−エミッタ間電圧
を上回る場合がある。
の立上り過渡時にアントゲ−)IC2の出力とグランド
レベルとの間に電位差が発生し、その電位差がドライブ
用のトランジスタ3の動作最低ベース−エミッタ間電圧
を上回る場合がある。
かかる場合には、ドライブ用のトランジスタ3がオン状
態となり、出力信号がオン状態となって被駆動機器を誤
動作させてしまうという欠点がある。
態となり、出力信号がオン状態となって被駆動機器を誤
動作させてしまうという欠点がある。
発明の目的
本発明は上述した従来の欠点を解決するためになされた
ものであり、その目的はパワーオンリセットICの特性
のいかんJこかかわらず、電源電圧の立−Eり過渡1時
における被駆動機器の誤動作を防止することができるド
ライブ回路を堤供することである。
ものであり、その目的はパワーオンリセットICの特性
のいかんJこかかわらず、電源電圧の立−Eり過渡1時
における被駆動機器の誤動作を防止することができるド
ライブ回路を堤供することである。
発明の構成
本発明によるドライブ回路は、トランジスタと、前記ト
ランジスタのベース端子に所定レベルの電圧を印加して
該トランジスタをオンオフ制御する制御手段とをHする
ドライブ回路であって、前記制御手段の出力と前記トラ
ンジスタのベース端子との間に該制御手段の出力の電圧
をレベルシフトするレベルシフト手段を設けたことを特
徴とする。
ランジスタのベース端子に所定レベルの電圧を印加して
該トランジスタをオンオフ制御する制御手段とをHする
ドライブ回路であって、前記制御手段の出力と前記トラ
ンジスタのベース端子との間に該制御手段の出力の電圧
をレベルシフトするレベルシフト手段を設けたことを特
徴とする。
実施例
以−F、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明によるドライブ四路の一実施例の構成を
示す回路図であり、第2図と同等部分は同一符号により
示されている。
示す回路図であり、第2図と同等部分は同一符号により
示されている。
図において、第2図に示されている従来のドライブ回路
と異なる点はアンドゲートIC2の出力とトランジスタ
3との間にダイオード4−1〜4nが設けられている点
である。つまり、これらダイオード4−1〜4−n(例
えば、n−3)が順り向に仲人されていることにより、
アンドゲートIC2の出力の電圧レベルがシフトされて
いるのである。
と異なる点はアンドゲートIC2の出力とトランジスタ
3との間にダイオード4−1〜4nが設けられている点
である。つまり、これらダイオード4−1〜4−n(例
えば、n−3)が順り向に仲人されていることにより、
アンドゲートIC2の出力の電圧レベルがシフトされて
いるのである。
すなわち、アンドゲートIC2の出力側にダイオード4
−1のアノード、トランジスタ3のベース側にダイオー
ド4−nのカソードが接続されているため、アンドゲー
トIC2の出力の電圧レベルがシフトされているのであ
る。
−1のアノード、トランジスタ3のベース側にダイオー
ド4−nのカソードが接続されているため、アンドゲー
トIC2の出力の電圧レベルがシフトされているのであ
る。
以上の構成とされた本実施例のドライブ回路の電源電圧
Vccが定′JK状態である場合における動作は先述し
た従来の回路と全く同様である。
Vccが定′JK状態である場合における動作は先述し
た従来の回路と全く同様である。
ところが、電流電圧Vccの立上り過渡時、パワーオン
リセットICIが0〔V〕からある一定の範囲内におい
てIL常に動作しない場合、パワーオンリセットICI
の出力には、電源電圧vccがそのまま現れ、完全な“
0″レベルを保障できない。
リセットICIが0〔V〕からある一定の範囲内におい
てIL常に動作しない場合、パワーオンリセットICI
の出力には、電源電圧vccがそのまま現れ、完全な“
0″レベルを保障できない。
そのため、アンドゲートIC2についても、7IS源電
圧Vccの上昇とともに、その出力電圧も上昇してしま
う。
圧Vccの上昇とともに、その出力電圧も上昇してしま
う。
ここで、アンドゲートIC2の出力端子とグランドレベ
ルとの電位差をVouL 、 トランジスタ3の動作
最低ベース−エミッタ間電圧をVBBmln。
ルとの電位差をVouL 、 トランジスタ3の動作
最低ベース−エミッタ間電圧をVBBmln。
ダイオード4−1〜4−nの順電圧を夫々Vl!(4−
1)、−V F(4−n)とし、V x=V out
、 V Y−V P(4−1) +、・+ V F(4
−n) + V BIEmlnとすれば、VxとVYと
の大小関係により、電源電圧Vccの立上り過渡時にお
けるトランジスタ3のオン状態又はオフ状態が決定され
る。
1)、−V F(4−n)とし、V x=V out
、 V Y−V P(4−1) +、・+ V F(4
−n) + V BIEmlnとすれば、VxとVYと
の大小関係により、電源電圧Vccの立上り過渡時にお
けるトランジスタ3のオン状態又はオフ状態が決定され
る。
すなわち、VX >VYの場合は、トランジスタ3かオ
ン状態、つまり出力信号がオン状態となる。
ン状態、つまり出力信号がオン状態となる。
これに対し、VX<VYの場合には、出力信号はオフ状
態となる。
態となる。
したがって、構成素子のバラツキを考慮し、電?fAf
′rfi圧vCCノ立上り過渡時におイテ、V X5a
x< VYminを満足するようにダイオードの接続数
を選べば良い。こうすれば、電源電圧Vccの立上り過
渡時において、パワーオンリセットICIが完全な1F
常動作をしない場合であっても、トランジスタ3がオン
状態とならず、よって出力信号がオン状態となり被駆動
機器を誤動作させてしまうという従来の問題点は完全に
防止できるのである。
′rfi圧vCCノ立上り過渡時におイテ、V X5a
x< VYminを満足するようにダイオードの接続数
を選べば良い。こうすれば、電源電圧Vccの立上り過
渡時において、パワーオンリセットICIが完全な1F
常動作をしない場合であっても、トランジスタ3がオン
状態とならず、よって出力信号がオン状態となり被駆動
機器を誤動作させてしまうという従来の問題点は完全に
防止できるのである。
なお、ダイオード4−1〜4−nの代りにツェナダイオ
ードを逆向きに接続しても同様の効果が得られることは
明らかである。
ードを逆向きに接続しても同様の効果が得られることは
明らかである。
つまり、本発明においては電源電圧定常時においてトラ
ンジスタがオン可能な範囲内でアンドゲートICの出力
電圧をレベルシフトしているのである。
ンジスタがオン可能な範囲内でアンドゲートICの出力
電圧をレベルシフトしているのである。
発明の詳細
な説明したように本発明は、エミッタフォロワトランジ
スタ出力型のアンドゲートICの出力電圧をレベルシフ
トするダイオードを設けたことにより、電源電圧の立上
り過渡時においてパワオンリセットICが正常に動作し
なくても、出力信号がオン状態になることを防1トでき
、被駆動機器には何ら悪影響を与えることがないという
効果がある。
スタ出力型のアンドゲートICの出力電圧をレベルシフ
トするダイオードを設けたことにより、電源電圧の立上
り過渡時においてパワオンリセットICが正常に動作し
なくても、出力信号がオン状態になることを防1トでき
、被駆動機器には何ら悪影響を与えることがないという
効果がある。
第1図は本発明の実施例によるドライブ回路の構成を示
す回路図、第2図は従来のドライブ四路の構成を示す回
路図である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・パワーオンリセットIC2・・・・・・
アンドゲートIC 3・・・・・・トランジスタ 1〜1 n・・・・・・ダイオード
す回路図、第2図は従来のドライブ四路の構成を示す回
路図である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・パワーオンリセットIC2・・・・・・
アンドゲートIC 3・・・・・・トランジスタ 1〜1 n・・・・・・ダイオード
Claims (1)
- (1)トランジスタと、前記トランジスタのベース端子
に所定レベルの電圧を印加して該トランジスタをオンオ
フ制御する制御手段とを有するドライブ回路であって、
前記制御手段の出力と前記トランジスタのベース端子と
の間に該制御手段の出力の電圧をレベルシフトするレベ
ルシフト手段を設けたことを特徴とするドライブ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20405789A JPH0368212A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | ドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20405789A JPH0368212A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | ドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368212A true JPH0368212A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16484037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20405789A Pending JPH0368212A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | ドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368212A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0576199A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | スイツチ回路及びそれを使つたステツピングモータ駆動回路 |
| WO2011001838A1 (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | ミツミ電機株式会社 | 半導体集積回路 |
-
1989
- 1989-08-07 JP JP20405789A patent/JPH0368212A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0576199A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | スイツチ回路及びそれを使つたステツピングモータ駆動回路 |
| WO2011001838A1 (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | ミツミ電機株式会社 | 半導体集積回路 |
| JP2011015534A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5214316A (en) | Power-on reset circuit device for multi-level power supply sources | |
| US5004936A (en) | Non-loading output driver circuit | |
| KR840004280A (ko) | 표시 구동장치 | |
| KR840002176A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
| EP0351820B1 (en) | Output circuit | |
| EP0230306A2 (en) | Schmitt trigger circuit | |
| EP0239841B1 (en) | Voltage output circuit | |
| JPS6222487B2 (ja) | ||
| EP0468209B1 (en) | Single-drive level shifter, with low dynamic impedance | |
| JPH0368212A (ja) | ドライブ回路 | |
| KR890009086A (ko) | 슈미트 트리거회로 | |
| US4740719A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| US7362142B2 (en) | Current source apparatus, light-emitting-device apparatus and digital-analog converting apparatus | |
| EP0432472B1 (en) | Signal output circuit having bipolar transistor in output stage and arranged in CMOS semiconductor integrated circuit | |
| US3911294A (en) | Driver circuit for high speed gating of a field effect transistor | |
| US6940319B2 (en) | Device for controlling high and low levels of a voltage-controlled power switch | |
| US4853559A (en) | High voltage and power BiCMOS driving circuit | |
| KR100452176B1 (ko) | 전류원-숏회로 | |
| JP3925686B2 (ja) | 出力制限回路 | |
| JPS586011Y2 (ja) | 直流安定化電源回路 | |
| EP0510765B1 (en) | Differential amplifier having output current limiting | |
| US5434517A (en) | ECL output buffer with a MOS transistor used for tristate enable | |
| KR900008050B1 (ko) | 논리회로 | |
| SU508933A1 (ru) | Устройство дл управлени ключом | |
| US3488562A (en) | Constant source for inductive loads including series connected nonsaturating transistor and a transistor shunted resistor |