JPH0368535B2 - - Google Patents
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- JPH0368535B2 JPH0368535B2 JP61101599A JP10159986A JPH0368535B2 JP H0368535 B2 JPH0368535 B2 JP H0368535B2 JP 61101599 A JP61101599 A JP 61101599A JP 10159986 A JP10159986 A JP 10159986A JP H0368535 B2 JPH0368535 B2 JP H0368535B2
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- JP
- Japan
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- slug
- glass sleeve
- lead
- glass
- lead frame
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
- H10W70/427—Bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、更に詳
しくはガラス封止発光ダイオード等のDHD〔ダブ
ルヒートシンクダイオード〕型の半導体装置の製
造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a DHD (double heat sink diode) type semiconductor device such as a glass-sealed light emitting diode.
従来の技術
例えば、DHD型ダイオードの具体例を第3図
を参照しながら説明すると、同図に於いて、1,
1は一対のリードで、各一端部に大径で円柱上の
ヒートシンクを兼ねたスラグ2,2を一体に固着
している。3は上記スラグ2,2によつて挾持さ
れた半導体ペレツト、4は該半導体ペレツト3を
挾持したスラグ2,2の外周面に溶着されて内部
を気密封止する鉛ガラス製のガラススリーブであ
る。BACKGROUND TECHNOLOGY For example, a specific example of a DHD type diode will be explained with reference to FIG.
Reference numeral 1 designates a pair of leads, each of which has a large-diameter slug 2, 2, which also serves as a cylindrical heat sink, fixed to one end thereof. 3 is a semiconductor pellet held between the slugs 2, 2, and 4 is a glass sleeve made of lead glass that is welded to the outer peripheral surface of the slugs 2, 2 holding the semiconductor pellet 3, hermetically sealing the inside thereof. .
上記ガラススリーブ4の封着は以下に説明する
上部治具や下部治具等からなる半導体製造装置を
利用して行われる。そこで在来の半導体製造装置
の具体例を第4図乃至第6図を参照しながら説明
する。これらの図面に示すように、下部治具5
は、例えば耐熱性を有するカーボン製のもので、
一方の面5aに開口する第1の孔6,6…が多数
穿設されている。この第1の孔6は、後述するよ
うにガラススリーブ4の嵌挿支持座として機能す
る大径部6aと、該大径部6aに連通してリード
1の挿入孔として機能する小径部6bから構成さ
れている。また上部治具7は、前記下部治具5と
同様、カーボン製のもので、一方の面7aに開口
する第2の孔8,8…が多数穿設され、下部治具
5の第1の孔6,6…と対応する位置に配置され
ている。上記第2の孔8は、スラグ2が嵌合する
大径部8aと、該大径部8aに連通してリード1
が挿入される小径部8bとからなる。9は上部治
具7の底板を兼ね、DHD型ダイオードの組付け
時、後述するように上部治具5と下部治具7の間
に開閉自在に配設されるシヤツターである。 The glass sleeve 4 is sealed using a semiconductor manufacturing apparatus comprising an upper jig, a lower jig, etc., which will be described below. Therefore, specific examples of conventional semiconductor manufacturing equipment will be explained with reference to FIGS. 4 to 6. As shown in these drawings, the lower jig 5
is made of heat-resistant carbon, for example.
A large number of first holes 6, 6, . . . open to one surface 5a are bored. The first hole 6 includes a large diameter portion 6a that functions as a support seat for inserting the glass sleeve 4, and a small diameter portion 6b that communicates with the large diameter portion 6a and functions as an insertion hole for the lead 1, as described later. It is configured. Similarly to the lower jig 5, the upper jig 7 is made of carbon, and has a large number of second holes 8, 8, . They are arranged at positions corresponding to the holes 6, 6, . . . The second hole 8 has a large diameter portion 8a into which the slug 2 is fitted, and a lead 1 that communicates with the large diameter portion 8a.
and a small diameter portion 8b into which is inserted. Reference numeral 9 denotes a shutter which also serves as the bottom plate of the upper jig 7 and is freely openable and closable between the upper jig 5 and the lower jig 7, as will be described later, when assembling the DHD type diode.
前記上部治具5、下部治具7及びシヤツター9
からなる半導体製造装置を利用するガラススリー
ブ4の封着は以下に示す要領で行われる。即ち、
第4図に示すように下部治具5に適宜の手段にて
多数個のガラススリーブ4,4…を供給し、下部
治具5の第1の孔6,6…内の大径部6a,6a
…に嵌挿する。次に上記第1の孔6,6…内にリ
ード1,1…を挿入してガラススリーブ4,4…
内に該リード1,1…のスラグ2,2…を配置
し、更に上記ガラススリーブ4,4…内のスラグ
2,2…上に半導体ペレツト3,3…を載置す
る。一方、上部治具7には、その一方の面7aを
上にした状態で、第2の孔8,8…内に多数のリ
ード1,1…を嵌挿し、上部治具7の一方の面7
aに、シヤツター9を被着させて第2の孔8,8
…を閉塞する。この状態で上部治具7を上下逆に
して下部治具5の上方に、第1、第2の孔6,6
…,8,8…を対応させて配置する。そして第5
図に示すように、シヤツター9の下面と下部治具
5の一方の面5aとを掌合させ、上部治具5、下
部治具7間にシヤツター9を配設する。その後、
第6図に示すように上記シヤツター9を摺動させ
て開き、上部治具7の第2の孔8,8…内に収納
されているリード1,1…を、その自重により落
下させ、該リード1,1…のスラグ2,2…を下
部治具5のガラススリーブ4,4…内に嵌挿す
る。この状態で上部治具5、下部治具7を加熱し
てガラススリーブ4,4…を加熱軟化させること
により、リード1,1…のスラグ2,2…の外周
面とガラススリーブ4,4…の内周面とを溶着さ
せて内部を気密封止する。 The upper jig 5, the lower jig 7 and the shutter 9
Sealing of the glass sleeve 4 using a semiconductor manufacturing apparatus consisting of the following is performed in the following manner. That is,
As shown in FIG. 4, a large number of glass sleeves 4, 4... are supplied to the lower jig 5 by appropriate means, and the large diameter portions 6a, 6a
Insert into... Next, the leads 1, 1... are inserted into the first holes 6, 6... and the glass sleeves 4, 4...
The slugs 2, 2, . . . of the leads 1, 1, . On the other hand, a large number of leads 1, 1, etc. are inserted into the second holes 8, 8, with one side 7a of the upper jig 7 facing up, and one side of the upper jig 7 is inserted. 7
A is covered with the shutter 9 and the second holes 8, 8 are formed.
...to be blocked. In this state, turn the upper jig 7 upside down and insert the first and second holes 6, 6 above the lower jig 5.
..., 8, 8... are arranged in correspondence. and the fifth
As shown in the figure, the lower surface of the shutter 9 and one surface 5a of the lower jig 5 are brought into contact with each other, and the shutter 9 is disposed between the upper jig 5 and the lower jig 7. after that,
As shown in FIG. 6, the shutter 9 is slid open, and the leads 1, 1... stored in the second holes 8, 8... of the upper jig 7 are dropped by their own weight, and The slugs 2, 2... of the leads 1, 1... are inserted into the glass sleeves 4, 4... of the lower jig 5. In this state, by heating the upper jig 5 and the lower jig 7 to heat and soften the glass sleeves 4, 4..., the outer peripheral surfaces of the slugs 2, 2... of the leads 1, 1... and the glass sleeves 4, 4... The inside is hermetically sealed by welding the inner peripheral surface of the
考案が解決しようとする問題点
上述のように従来の半導体製造装置では、ガラ
ススリーブ4,4…の封着時に、スラグ2,2や
ガラススリーブ4,4の位置決め固定手段として
カーボンあるいはステンレス鋼製の上部治具5お
よび下部治具7を使用している。このため、ガラ
ス封着工程が複雑化すると共に、ガラススリーブ
4やスラグ2の種類に応じて多数の治具を常時用
意しておかなければならず、これに起因して、設
備投資効率の向上と治具管理の容易化が大幅に阻
害される。またリード1,1…の形状が線条件に
限定されているため、電極特性に応じた加工を行
うことがむづかしく、製造可能な半導体装置の形
式も著しく制約される。Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, in conventional semiconductor manufacturing equipment, when the glass sleeves 4, 4... are sealed, carbon or stainless steel is used as a means for positioning and fixing the slugs 2, 2 and the glass sleeves 4, 4. An upper jig 5 and a lower jig 7 are used. For this reason, the glass sealing process becomes complicated, and a large number of jigs must be prepared at all times depending on the type of glass sleeve 4 and slug 2. As a result, the efficiency of equipment investment is improved. This greatly impedes the ease of jig management. Furthermore, since the shapes of the leads 1, 1, . . . are limited to linear conditions, it is difficult to process them in accordance with the electrode characteristics, and the types of semiconductor devices that can be manufactured are severely restricted.
本発明の主要な目的は、在来の位置決め固定治
具を使用する半導体装置の製造方法に認められる
上記の如き問題点の解決手段を提供することにあ
る。 A main object of the present invention is to provide a solution to the above-mentioned problems found in semiconductor device manufacturing methods using conventional positioning fixtures.
問題点を解決するための手段
斯かる目的に鑑みて本発明は、ガラススリーブ
内に対をなして挿入されたスラグの間に半導体ペ
レツトを挾持し、該スラグの外周面とガラススリ
ーブの内周面とを封着してなる半導体装置の製造
方法であつて、予め用意された第1のリードフレ
ームのリード本体に第1のスラグを固着する工程
と、該スラグにガラススリーブを被嵌した後、該
ガラススリーブ内に半導体ペレツトを挿入する工
程と、予め用意された第2のリードフレームのリ
ード本体に第2のスラグを固着する工程と、前記
第1のリードフレームと第2のリードフレームを
重ね合わせ第2のスラグを前記ガラススリーブ内
に嵌装する工程と、前記重ね合わせ構造を有する
中間製品を加熱炉内に導入し第1および第2のス
ラグの外周面とガラススリーブの内周面とを封着
する工程と、加熱炉から取り出した前記中間製品
からリードフレームの連結部を切り離し個々の半
導体装置を得る工程とからなる半導体装置の製造
方法を要旨とするものである。Means for Solving the Problems In view of the above object, the present invention involves sandwiching a semiconductor pellet between slugs inserted in a pair in a glass sleeve, and forming a contact between the outer circumferential surface of the slug and the inner circumference of the glass sleeve. A method for manufacturing a semiconductor device in which a first slug is attached to a lead body of a first lead frame prepared in advance, and after a glass sleeve is fitted onto the slug. , a step of inserting a semiconductor pellet into the glass sleeve, a step of fixing a second slug to the lead body of a second lead frame prepared in advance, and a step of fixing the first lead frame and the second lead frame. A step of fitting a second stacked slag into the glass sleeve, and introducing the intermediate product having the stacked structure into a heating furnace to heat the outer circumferential surfaces of the first and second slags and the inner circumferential surface of the glass sleeve. The gist of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of sealing the intermediate product and a step of separating the connecting portions of the lead frame from the intermediate product taken out from the heating furnace to obtain individual semiconductor devices.
作 用
予め用意されたリードフレームの端部にスラグ
を直接固着し、該スラグを支持部材としてガラス
スリーブおよび半導体ペレツトを固定することに
よつて、位置決め固定治具を使用することなく半
導体装置を製造する。Function By directly fixing a slug to the end of a lead frame prepared in advance and using the slag as a support member to fix the glass sleeve and semiconductor pellets, semiconductor devices can be manufactured without using a positioning fixture. do.
実施例 1
第1図は本発明の第1の実施態様を説明する工
程図である。図示するように、予め用意さた第1
のリードフレーム10のそれぞれのリード本体1
0aの上面に、受圧フランジ11aを形成しての
なる第1のスラグ11を熔接する。次いで該スラ
グ11にガラススリーブ12を被嵌し、該ガラス
スリーブ12内に半導体ペレツト13を挿入す
る。また、予め用意された第2のリードフレーレ
ーム14のそれぞれのリード本体14aの下面
に、受圧フランジ15aを形成してなる第2のス
ラグ15を熔接する。この後、第2のスラグ15
を前記ガラススリーブ12の上面に対向させた状
態で第1のリードフレーム10と第2のリードフ
レーム14とを重ね合わせ、第2のスラグ15を
ガラススリーブ12内に嵌挿する。斯くして得ら
れたDHD型半導体装置の中間製品を加熱炉〔図
示省略〕内に導入し、常法に従つてガラススリー
ブ12を溶融させ、第1のスラグ11および第2
のスラグ15の外周面とガラススリーブ12の内
周面とを封着する。最後に加熱炉から取り出した
前記中間製品からリードフレーム10,14を切
り離し、DHD型半導体装置を形成する。このリ
ードフレーム10,14の切り離し形状を選択す
ることによつて、スラグ11,15の端面からリ
ードが延出しておらないリードレス型半導体装置
やスラグ11,15の端部に溶着されたリードを
有する自立型半導体装置を製造することができ
る。Example 1 FIG. 1 is a process diagram illustrating the first embodiment of the present invention. As shown in the figure, the first
Each lead body 1 of the lead frame 10 of
A first slug 11 having a pressure receiving flange 11a formed thereon is welded to the upper surface of the slug 0a. Next, a glass sleeve 12 is fitted onto the slug 11, and a semiconductor pellet 13 is inserted into the glass sleeve 12. Further, a second slug 15 having a pressure receiving flange 15a formed thereon is welded to the lower surface of each lead body 14a of the second lead frame 14 prepared in advance. After this, the second slag 15
The first lead frame 10 and the second lead frame 14 are placed on top of each other with the lead frame 10 facing the top surface of the glass sleeve 12, and the second slug 15 is inserted into the glass sleeve 12. The thus obtained intermediate product of the DHD type semiconductor device is introduced into a heating furnace (not shown), and the glass sleeve 12 is melted in accordance with a conventional method, and the first slag 11 and the second slag 11 are melted.
The outer peripheral surface of the slug 15 and the inner peripheral surface of the glass sleeve 12 are sealed. Finally, the lead frames 10 and 14 are separated from the intermediate product taken out of the heating furnace to form a DHD type semiconductor device. By selecting the separation shape of the lead frames 10 and 14, leadless type semiconductor devices in which the leads do not extend from the end faces of the slugs 11 and 15 and leads welded to the ends of the slugs 11 and 15 can be used. It is possible to manufacture a self-standing semiconductor device having the following characteristics.
実施例 2
第2図は前記第1図に示す実施態様の改良例の
説明図である。上記実施例1に於いては、ガラス
スリーブ12の嵌挿支持部材として機能する第1
のスラグ11が平板状をなすリード本体10aの
上面に熔接され、また同様の機能を有する第2の
スラグ15がガラススリーブ12と前記受圧フラ
ンジ11a,15aとの合計厚みに略等しい高さ
の折れ曲がり部分14bを有するリード本体14
aの下面に熔接されている。このため、上記折れ
曲がり部分14bの加工制度が適切な水準に維持
されていない場合には、ガラススリーブ12内へ
の第1のスラグ11および第2のスラグ15の押
込み圧力にバラツキが発生するおそれがある。本
発明の第2の実施例に於いては斯かる実用上の制
約を解除する目的で、前記第1のリード本体10
aの下面および第2のリード本体14aの上面に
予め挾持間隔を調整された剛直な押圧治具16
a,16bを当接配置し、これによつて第1のリ
ード本体10および第2のリード本体14aの締
付けストロークを制御し、ガラススリーブ12、
第1のスラグ11および第2のスラグ15に伝達
される加圧力の均一化を図つている。この実施態
様によれば、リードフレーム10,14が押圧治
具16a,16bによつて均一に締付けられるか
ら、リード本体10a,14a、ガラススリーブ
12、第1のスラグ11および第2のスラグ15
相互の位置決め精度が向上し、横置き状態でも正
確な封着動作が実行される。またリード本体10
a,14aの全面に亘つて分酸押圧荷重を作用せ
しめる押圧治具16a,16bの使用により、単
位面積当りの加圧力を低下せしめることが可能で
あるから、過度の押圧に起因するガラススリーブ
12の破損も減少する。更にガラススリーブ12
の溶融に際し、リード本体10a,14a、スラ
グ11,15およびガラススリーブ12が押圧治
具16a,16bから伝達さる輻射熱によつて均
一に加熱されるから、熱効率が向上し、封着のバ
ラツキも減少する。Embodiment 2 FIG. 2 is an explanatory diagram of an improved example of the embodiment shown in FIG. 1. In the first embodiment described above, the first
A second slug 11 having a flat plate shape is welded to the upper surface of the lead body 10a, and a second slug 15 having a similar function is bent with a height approximately equal to the total thickness of the glass sleeve 12 and the pressure receiving flanges 11a and 15a. Lead body 14 having portion 14b
It is welded to the bottom surface of a. Therefore, if the machining accuracy of the bent portion 14b is not maintained at an appropriate level, there is a risk that variations will occur in the pushing pressure of the first slug 11 and the second slug 15 into the glass sleeve 12. be. In the second embodiment of the present invention, in order to eliminate such practical restrictions, the first lead body 10
A rigid pressing jig 16 with a clamping interval adjusted in advance on the lower surface of the lead body 14a and the upper surface of the second lead body 14a.
a, 16b are arranged in contact with each other, thereby controlling the tightening stroke of the first reed body 10 and the second reed body 14a, and the glass sleeve 12,
The pressure applied to the first slug 11 and the second slug 15 is made uniform. According to this embodiment, since the lead frames 10 and 14 are uniformly tightened by the pressing jigs 16a and 16b, the lead bodies 10a and 14a, the glass sleeve 12, the first slug 11 and the second slug 15
The mutual positioning accuracy is improved, and accurate sealing operations can be performed even when placed horizontally. Also, the lead body 10
By using the pressing jigs 16a and 16b that apply a pressure load to the entire surfaces of the glass sleeves 14a and 14a, it is possible to reduce the pressing force per unit area. damage is also reduced. Furthermore, glass sleeve 12
When melting, the lead bodies 10a, 14a, slugs 11, 15, and glass sleeve 12 are uniformly heated by the radiant heat transmitted from the pressing jigs 16a, 16b, improving thermal efficiency and reducing variations in sealing. do.
発明の効果
本発明によれば位置決め固定治具を使用するこ
となくスラグの封着を実行することができるか
ら、治具管理方式が簡易化されるだけでなく、リ
ード本体の形状の選択範囲が大幅に拡大する。こ
のため、例えば四角形のリードを使用することに
よつて実装時の安定性が向上し、またリード本体
に電極特性に応じた所望の加工を施すことによつ
て極性の表示も可能になる。更に本発明によれ
ば、リードフレームの切断形状を選択することに
よつて、リードレス型半導体装置や自立型半導体
装置を選択的に製造することができる。Effects of the Invention According to the present invention, slug sealing can be performed without using a positioning fixture, which not only simplifies the jig management method but also expands the selection range of the shape of the lead body. Expand significantly. Therefore, by using square leads, for example, stability during mounting can be improved, and by performing desired processing on the lead body according to the electrode characteristics, it is also possible to indicate polarity. Furthermore, according to the present invention, leadless semiconductor devices and freestanding semiconductor devices can be selectively manufactured by selecting the cutting shape of the lead frame.
第1図は本発明の第1の実施態様を説明する工
程図であり、第2図はその改良例の説明図であ
る。また第3図はDHD型ダイオードの一例を示
す断面図、第4図は従来の半導体製造装置の具体
例を示す断面図、第5図および第6図は第4図の
半導体製造装置によるガラススリーブの封着要領
を説明する断面図である。
10……第1のリードフレーム、10a……リ
ード本体、11……スラグ、12……ガラススリ
ーブ、13……半導体ペレツト、14……リード
フレーム、14a……リード本体、15……スラ
グ、16a,16b……押圧治具。
FIG. 1 is a process diagram for explaining the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram of an improved example thereof. 3 is a sectional view showing an example of a DHD type diode, FIG. 4 is a sectional view showing a specific example of a conventional semiconductor manufacturing device, and FIGS. 5 and 6 are glass sleeves produced by the semiconductor manufacturing device shown in FIG. 4. It is a sectional view explaining the sealing procedure of. 10...First lead frame, 10a...Lead body, 11...Slag, 12...Glass sleeve, 13...Semiconductor pellet, 14...Lead frame, 14a...Lead body, 15...Slag, 16a , 16b...pressing jig.
Claims (1)
ラグの間に半導体ペレツトを挾持し、該スラグの
外周面とガラススリーブの内周面とを封着してな
る半導体装置の製造方法であつて、予め用意され
た第1のリードフレームのリード本体に第1のス
ラグを固着する工程と、該スラグにガラススリー
ブを被嵌した後、該ガラススリーブ内に半導体ペ
レツトを挿入する工程と、予め用意された第2の
リードフレームのリード本体に第2のスラグを固
着する工程と、前記第1のリードフレームと第2
のリードフレームを重ね合わせ第2のスラグを前
記ガラススリーブ内に嵌装する工程と、前記重ね
合わせ構造を有する中間製品を加熱炉内に導入し
第1および第2のスラグの外周面とガラススリー
ブの内周面とを封着する工程と、加熱炉から取り
出した前記中間製品からリードフレームの連結部
を切り離し個々の半導体装置を得る工程とによつ
て構成されていることを特徴とする半導体装置の
製造方法。1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising sandwiching a semiconductor pellet between slugs inserted in a pair in a glass sleeve, and sealing the outer peripheral surface of the slug and the inner peripheral surface of the glass sleeve, A step of fixing a first slug to a lead body of a first lead frame prepared in advance, a step of fitting a glass sleeve onto the slug and then inserting a semiconductor pellet into the glass sleeve, and a step of inserting a semiconductor pellet into the glass sleeve. fixing a second slug to the lead body of the second lead frame;
a step of overlapping the lead frames and fitting the second slug into the glass sleeve, and introducing the intermediate product having the overlapping structure into a heating furnace so that the outer circumferential surfaces of the first and second slags and the glass sleeve are stacked together. a step of sealing the inner circumferential surface of the semiconductor device; and a step of separating the connecting portion of the lead frame from the intermediate product taken out from the heating furnace to obtain individual semiconductor devices. manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101599A JPS62257752A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101599A JPS62257752A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257752A JPS62257752A (en) | 1987-11-10 |
| JPH0368535B2 true JPH0368535B2 (en) | 1991-10-28 |
Family
ID=14304852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61101599A Granted JPS62257752A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62257752A (en) |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61101599A patent/JPS62257752A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62257752A (en) | 1987-11-10 |
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