JPH0368535B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0368535B2 JPH0368535B2 JP61101599A JP10159986A JPH0368535B2 JP H0368535 B2 JPH0368535 B2 JP H0368535B2 JP 61101599 A JP61101599 A JP 61101599A JP 10159986 A JP10159986 A JP 10159986A JP H0368535 B2 JPH0368535 B2 JP H0368535B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slug
- glass sleeve
- lead
- glass
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
- H10W70/427—Bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、更に詳
しくはガラス封止発光ダイオード等のDHD〔ダブ
ルヒートシンクダイオード〕型の半導体装置の製
造方法に関するものである。
しくはガラス封止発光ダイオード等のDHD〔ダブ
ルヒートシンクダイオード〕型の半導体装置の製
造方法に関するものである。
従来の技術
例えば、DHD型ダイオードの具体例を第３図
を参照しながら説明すると、同図に於いて、１，
１は一対のリードで、各一端部に大径で円柱上の
ヒートシンクを兼ねたスラグ２，２を一体に固着
している。３は上記スラグ２，２によつて挾持さ
れた半導体ペレツト、４は該半導体ペレツト３を
挾持したスラグ２，２の外周面に溶着されて内部
を気密封止する鉛ガラス製のガラススリーブであ
る。
を参照しながら説明すると、同図に於いて、１，
１は一対のリードで、各一端部に大径で円柱上の
ヒートシンクを兼ねたスラグ２，２を一体に固着
している。３は上記スラグ２，２によつて挾持さ
れた半導体ペレツト、４は該半導体ペレツト３を
挾持したスラグ２，２の外周面に溶着されて内部
を気密封止する鉛ガラス製のガラススリーブであ
る。
上記ガラススリーブ４の封着は以下に説明する
上部治具や下部治具等からなる半導体製造装置を
利用して行われる。そこで在来の半導体製造装置
の具体例を第４図乃至第６図を参照しながら説明
する。これらの図面に示すように、下部治具５
は、例えば耐熱性を有するカーボン製のもので、
一方の面５ａに開口する第１の孔６，６…が多数
穿設されている。この第１の孔６は、後述するよ
うにガラススリーブ４の嵌挿支持座として機能す
る大径部６ａと、該大径部６ａに連通してリード
１の挿入孔として機能する小径部６ｂから構成さ
れている。また上部治具７は、前記下部治具５と
同様、カーボン製のもので、一方の面７ａに開口
する第２の孔８，８…が多数穿設され、下部治具
５の第１の孔６，６…と対応する位置に配置され
ている。上記第２の孔８は、スラグ２が嵌合する
大径部８ａと、該大径部８ａに連通してリード１
が挿入される小径部８ｂとからなる。９は上部治
具７の底板を兼ね、DHD型ダイオードの組付け
時、後述するように上部治具５と下部治具７の間
に開閉自在に配設されるシヤツターである。
上部治具や下部治具等からなる半導体製造装置を
利用して行われる。そこで在来の半導体製造装置
の具体例を第４図乃至第６図を参照しながら説明
する。これらの図面に示すように、下部治具５
は、例えば耐熱性を有するカーボン製のもので、
一方の面５ａに開口する第１の孔６，６…が多数
穿設されている。この第１の孔６は、後述するよ
うにガラススリーブ４の嵌挿支持座として機能す
る大径部６ａと、該大径部６ａに連通してリード
１の挿入孔として機能する小径部６ｂから構成さ
れている。また上部治具７は、前記下部治具５と
同様、カーボン製のもので、一方の面７ａに開口
する第２の孔８，８…が多数穿設され、下部治具
５の第１の孔６，６…と対応する位置に配置され
ている。上記第２の孔８は、スラグ２が嵌合する
大径部８ａと、該大径部８ａに連通してリード１
が挿入される小径部８ｂとからなる。９は上部治
具７の底板を兼ね、DHD型ダイオードの組付け
時、後述するように上部治具５と下部治具７の間
に開閉自在に配設されるシヤツターである。
前記上部治具５、下部治具７及びシヤツター９
からなる半導体製造装置を利用するガラススリー
ブ４の封着は以下に示す要領で行われる。即ち、
第４図に示すように下部治具５に適宜の手段にて
多数個のガラススリーブ４，４…を供給し、下部
治具５の第１の孔６，６…内の大径部６ａ，６ａ
…に嵌挿する。次に上記第１の孔６，６…内にリ
ード１，１…を挿入してガラススリーブ４，４…
内に該リード１，１…のスラグ２，２…を配置
し、更に上記ガラススリーブ４，４…内のスラグ
２，２…上に半導体ペレツト３，３…を載置す
る。一方、上部治具７には、その一方の面７ａを
上にした状態で、第２の孔８，８…内に多数のリ
ード１，１…を嵌挿し、上部治具７の一方の面７
ａに、シヤツター９を被着させて第２の孔８，８
…を閉塞する。この状態で上部治具７を上下逆に
して下部治具５の上方に、第１、第２の孔６，６
…，８，８…を対応させて配置する。そして第５
図に示すように、シヤツター９の下面と下部治具
５の一方の面５ａとを掌合させ、上部治具５、下
部治具７間にシヤツター９を配設する。その後、
第６図に示すように上記シヤツター９を摺動させ
て開き、上部治具７の第２の孔８，８…内に収納
されているリード１，１…を、その自重により落
下させ、該リード１，１…のスラグ２，２…を下
部治具５のガラススリーブ４，４…内に嵌挿す
る。この状態で上部治具５、下部治具７を加熱し
てガラススリーブ４，４…を加熱軟化させること
により、リード１，１…のスラグ２，２…の外周
面とガラススリーブ４，４…の内周面とを溶着さ
せて内部を気密封止する。
からなる半導体製造装置を利用するガラススリー
ブ４の封着は以下に示す要領で行われる。即ち、
第４図に示すように下部治具５に適宜の手段にて
多数個のガラススリーブ４，４…を供給し、下部
治具５の第１の孔６，６…内の大径部６ａ，６ａ
…に嵌挿する。次に上記第１の孔６，６…内にリ
ード１，１…を挿入してガラススリーブ４，４…
内に該リード１，１…のスラグ２，２…を配置
し、更に上記ガラススリーブ４，４…内のスラグ
２，２…上に半導体ペレツト３，３…を載置す
る。一方、上部治具７には、その一方の面７ａを
上にした状態で、第２の孔８，８…内に多数のリ
ード１，１…を嵌挿し、上部治具７の一方の面７
ａに、シヤツター９を被着させて第２の孔８，８
…を閉塞する。この状態で上部治具７を上下逆に
して下部治具５の上方に、第１、第２の孔６，６
…，８，８…を対応させて配置する。そして第５
図に示すように、シヤツター９の下面と下部治具
５の一方の面５ａとを掌合させ、上部治具５、下
部治具７間にシヤツター９を配設する。その後、
第６図に示すように上記シヤツター９を摺動させ
て開き、上部治具７の第２の孔８，８…内に収納
されているリード１，１…を、その自重により落
下させ、該リード１，１…のスラグ２，２…を下
部治具５のガラススリーブ４，４…内に嵌挿す
る。この状態で上部治具５、下部治具７を加熱し
てガラススリーブ４，４…を加熱軟化させること
により、リード１，１…のスラグ２，２…の外周
面とガラススリーブ４，４…の内周面とを溶着さ
せて内部を気密封止する。
考案が解決しようとする問題点
上述のように従来の半導体製造装置では、ガラ
ススリーブ４，４…の封着時に、スラグ２，２や
ガラススリーブ４，４の位置決め固定手段として
カーボンあるいはステンレス鋼製の上部治具５お
よび下部治具７を使用している。このため、ガラ
ス封着工程が複雑化すると共に、ガラススリーブ
４やスラグ２の種類に応じて多数の治具を常時用
意しておかなければならず、これに起因して、設
備投資効率の向上と治具管理の容易化が大幅に阻
害される。またリード１，１…の形状が線条件に
限定されているため、電極特性に応じた加工を行
うことがむづかしく、製造可能な半導体装置の形
式も著しく制約される。
ススリーブ４，４…の封着時に、スラグ２，２や
ガラススリーブ４，４の位置決め固定手段として
カーボンあるいはステンレス鋼製の上部治具５お
よび下部治具７を使用している。このため、ガラ
ス封着工程が複雑化すると共に、ガラススリーブ
４やスラグ２の種類に応じて多数の治具を常時用
意しておかなければならず、これに起因して、設
備投資効率の向上と治具管理の容易化が大幅に阻
害される。またリード１，１…の形状が線条件に
限定されているため、電極特性に応じた加工を行
うことがむづかしく、製造可能な半導体装置の形
式も著しく制約される。
本発明の主要な目的は、在来の位置決め固定治
具を使用する半導体装置の製造方法に認められる
上記の如き問題点の解決手段を提供することにあ
る。
具を使用する半導体装置の製造方法に認められる
上記の如き問題点の解決手段を提供することにあ
る。
問題点を解決するための手段
斯かる目的に鑑みて本発明は、ガラススリーブ
内に対をなして挿入されたスラグの間に半導体ペ
レツトを挾持し、該スラグの外周面とガラススリ
ーブの内周面とを封着してなる半導体装置の製造
方法であつて、予め用意された第１のリードフレ
ームのリード本体に第１のスラグを固着する工程
と、該スラグにガラススリーブを被嵌した後、該
ガラススリーブ内に半導体ペレツトを挿入する工
程と、予め用意された第２のリードフレームのリ
ード本体に第２のスラグを固着する工程と、前記
第１のリードフレームと第２のリードフレームを
重ね合わせ第２のスラグを前記ガラススリーブ内
に嵌装する工程と、前記重ね合わせ構造を有する
中間製品を加熱炉内に導入し第１および第２のス
ラグの外周面とガラススリーブの内周面とを封着
する工程と、加熱炉から取り出した前記中間製品
からリードフレームの連結部を切り離し個々の半
導体装置を得る工程とからなる半導体装置の製造
方法を要旨とするものである。
内に対をなして挿入されたスラグの間に半導体ペ
レツトを挾持し、該スラグの外周面とガラススリ
ーブの内周面とを封着してなる半導体装置の製造
方法であつて、予め用意された第１のリードフレ
ームのリード本体に第１のスラグを固着する工程
と、該スラグにガラススリーブを被嵌した後、該
ガラススリーブ内に半導体ペレツトを挿入する工
程と、予め用意された第２のリードフレームのリ
ード本体に第２のスラグを固着する工程と、前記
第１のリードフレームと第２のリードフレームを
重ね合わせ第２のスラグを前記ガラススリーブ内
に嵌装する工程と、前記重ね合わせ構造を有する
中間製品を加熱炉内に導入し第１および第２のス
ラグの外周面とガラススリーブの内周面とを封着
する工程と、加熱炉から取り出した前記中間製品
からリードフレームの連結部を切り離し個々の半
導体装置を得る工程とからなる半導体装置の製造
方法を要旨とするものである。
作 用
予め用意されたリードフレームの端部にスラグ
を直接固着し、該スラグを支持部材としてガラス
スリーブおよび半導体ペレツトを固定することに
よつて、位置決め固定治具を使用することなく半
導体装置を製造する。
を直接固着し、該スラグを支持部材としてガラス
スリーブおよび半導体ペレツトを固定することに
よつて、位置決め固定治具を使用することなく半
導体装置を製造する。
実施例 １
第１図は本発明の第１の実施態様を説明する工
程図である。図示するように、予め用意さた第１
のリードフレーム１０のそれぞれのリード本体１
０ａの上面に、受圧フランジ１１ａを形成しての
なる第１のスラグ１１を熔接する。次いで該スラ
グ１１にガラススリーブ１２を被嵌し、該ガラス
スリーブ１２内に半導体ペレツト１３を挿入す
る。また、予め用意された第２のリードフレーレ
ーム１４のそれぞれのリード本体１４ａの下面
に、受圧フランジ１５ａを形成してなる第２のス
ラグ１５を熔接する。この後、第２のスラグ１５
を前記ガラススリーブ１２の上面に対向させた状
態で第１のリードフレーム１０と第２のリードフ
レーム１４とを重ね合わせ、第２のスラグ１５を
ガラススリーブ１２内に嵌挿する。斯くして得ら
れたDHD型半導体装置の中間製品を加熱炉〔図
示省略〕内に導入し、常法に従つてガラススリー
ブ１２を溶融させ、第１のスラグ１１および第２
のスラグ１５の外周面とガラススリーブ１２の内
周面とを封着する。最後に加熱炉から取り出した
前記中間製品からリードフレーム１０，１４を切
り離し、DHD型半導体装置を形成する。このリ
ードフレーム１０，１４の切り離し形状を選択す
ることによつて、スラグ１１，１５の端面からリ
ードが延出しておらないリードレス型半導体装置
やスラグ１１，１５の端部に溶着されたリードを
有する自立型半導体装置を製造することができ
る。
程図である。図示するように、予め用意さた第１
のリードフレーム１０のそれぞれのリード本体１
０ａの上面に、受圧フランジ１１ａを形成しての
なる第１のスラグ１１を熔接する。次いで該スラ
グ１１にガラススリーブ１２を被嵌し、該ガラス
スリーブ１２内に半導体ペレツト１３を挿入す
る。また、予め用意された第２のリードフレーレ
ーム１４のそれぞれのリード本体１４ａの下面
に、受圧フランジ１５ａを形成してなる第２のス
ラグ１５を熔接する。この後、第２のスラグ１５
を前記ガラススリーブ１２の上面に対向させた状
態で第１のリードフレーム１０と第２のリードフ
レーム１４とを重ね合わせ、第２のスラグ１５を
ガラススリーブ１２内に嵌挿する。斯くして得ら
れたDHD型半導体装置の中間製品を加熱炉〔図
示省略〕内に導入し、常法に従つてガラススリー
ブ１２を溶融させ、第１のスラグ１１および第２
のスラグ１５の外周面とガラススリーブ１２の内
周面とを封着する。最後に加熱炉から取り出した
前記中間製品からリードフレーム１０，１４を切
り離し、DHD型半導体装置を形成する。このリ
ードフレーム１０，１４の切り離し形状を選択す
ることによつて、スラグ１１，１５の端面からリ
ードが延出しておらないリードレス型半導体装置
やスラグ１１，１５の端部に溶着されたリードを
有する自立型半導体装置を製造することができ
る。
実施例 ２
第２図は前記第１図に示す実施態様の改良例の
説明図である。上記実施例１に於いては、ガラス
スリーブ１２の嵌挿支持部材として機能する第１
のスラグ１１が平板状をなすリード本体１０ａの
上面に熔接され、また同様の機能を有する第２の
スラグ１５がガラススリーブ１２と前記受圧フラ
ンジ１１ａ，１５ａとの合計厚みに略等しい高さ
の折れ曲がり部分１４ｂを有するリード本体１４
ａの下面に熔接されている。このため、上記折れ
曲がり部分１４ｂの加工制度が適切な水準に維持
されていない場合には、ガラススリーブ１２内へ
の第１のスラグ１１および第２のスラグ１５の押
込み圧力にバラツキが発生するおそれがある。本
発明の第２の実施例に於いては斯かる実用上の制
約を解除する目的で、前記第１のリード本体１０
ａの下面および第２のリード本体１４ａの上面に
予め挾持間隔を調整された剛直な押圧治具１６
ａ，１６ｂを当接配置し、これによつて第１のリ
ード本体１０および第２のリード本体１４ａの締
付けストロークを制御し、ガラススリーブ１２、
第１のスラグ１１および第２のスラグ１５に伝達
される加圧力の均一化を図つている。この実施態
様によれば、リードフレーム１０，１４が押圧治
具１６ａ，１６ｂによつて均一に締付けられるか
ら、リード本体１０ａ，１４ａ、ガラススリーブ
１２、第１のスラグ１１および第２のスラグ１５
相互の位置決め精度が向上し、横置き状態でも正
確な封着動作が実行される。またリード本体１０
ａ，１４ａの全面に亘つて分酸押圧荷重を作用せ
しめる押圧治具１６ａ，１６ｂの使用により、単
位面積当りの加圧力を低下せしめることが可能で
あるから、過度の押圧に起因するガラススリーブ
１２の破損も減少する。更にガラススリーブ１２
の溶融に際し、リード本体１０ａ，１４ａ、スラ
グ１１，１５およびガラススリーブ１２が押圧治
具１６ａ，１６ｂから伝達さる輻射熱によつて均
一に加熱されるから、熱効率が向上し、封着のバ
ラツキも減少する。
説明図である。上記実施例１に於いては、ガラス
スリーブ１２の嵌挿支持部材として機能する第１
のスラグ１１が平板状をなすリード本体１０ａの
上面に熔接され、また同様の機能を有する第２の
スラグ１５がガラススリーブ１２と前記受圧フラ
ンジ１１ａ，１５ａとの合計厚みに略等しい高さ
の折れ曲がり部分１４ｂを有するリード本体１４
ａの下面に熔接されている。このため、上記折れ
曲がり部分１４ｂの加工制度が適切な水準に維持
されていない場合には、ガラススリーブ１２内へ
の第１のスラグ１１および第２のスラグ１５の押
込み圧力にバラツキが発生するおそれがある。本
発明の第２の実施例に於いては斯かる実用上の制
約を解除する目的で、前記第１のリード本体１０
ａの下面および第２のリード本体１４ａの上面に
予め挾持間隔を調整された剛直な押圧治具１６
ａ，１６ｂを当接配置し、これによつて第１のリ
ード本体１０および第２のリード本体１４ａの締
付けストロークを制御し、ガラススリーブ１２、
第１のスラグ１１および第２のスラグ１５に伝達
される加圧力の均一化を図つている。この実施態
様によれば、リードフレーム１０，１４が押圧治
具１６ａ，１６ｂによつて均一に締付けられるか
ら、リード本体１０ａ，１４ａ、ガラススリーブ
１２、第１のスラグ１１および第２のスラグ１５
相互の位置決め精度が向上し、横置き状態でも正
確な封着動作が実行される。またリード本体１０
ａ，１４ａの全面に亘つて分酸押圧荷重を作用せ
しめる押圧治具１６ａ，１６ｂの使用により、単
位面積当りの加圧力を低下せしめることが可能で
あるから、過度の押圧に起因するガラススリーブ
１２の破損も減少する。更にガラススリーブ１２
の溶融に際し、リード本体１０ａ，１４ａ、スラ
グ１１，１５およびガラススリーブ１２が押圧治
具１６ａ，１６ｂから伝達さる輻射熱によつて均
一に加熱されるから、熱効率が向上し、封着のバ
ラツキも減少する。
発明の効果
本発明によれば位置決め固定治具を使用するこ
となくスラグの封着を実行することができるか
ら、治具管理方式が簡易化されるだけでなく、リ
ード本体の形状の選択範囲が大幅に拡大する。こ
のため、例えば四角形のリードを使用することに
よつて実装時の安定性が向上し、またリード本体
に電極特性に応じた所望の加工を施すことによつ
て極性の表示も可能になる。更に本発明によれ
ば、リードフレームの切断形状を選択することに
よつて、リードレス型半導体装置や自立型半導体
装置を選択的に製造することができる。
となくスラグの封着を実行することができるか
ら、治具管理方式が簡易化されるだけでなく、リ
ード本体の形状の選択範囲が大幅に拡大する。こ
のため、例えば四角形のリードを使用することに
よつて実装時の安定性が向上し、またリード本体
に電極特性に応じた所望の加工を施すことによつ
て極性の表示も可能になる。更に本発明によれ
ば、リードフレームの切断形状を選択することに
よつて、リードレス型半導体装置や自立型半導体
装置を選択的に製造することができる。
第１図は本発明の第１の実施態様を説明する工
程図であり、第２図はその改良例の説明図であ
る。また第３図はDHD型ダイオードの一例を示
す断面図、第４図は従来の半導体製造装置の具体
例を示す断面図、第５図および第６図は第４図の
半導体製造装置によるガラススリーブの封着要領
を説明する断面図である。 １０……第１のリードフレーム、１０ａ……リ
ード本体、１１……スラグ、１２……ガラススリ
ーブ、１３……半導体ペレツト、１４……リード
フレーム、１４ａ……リード本体、１５……スラ
グ、１６ａ，１６ｂ……押圧治具。
程図であり、第２図はその改良例の説明図であ
る。また第３図はDHD型ダイオードの一例を示
す断面図、第４図は従来の半導体製造装置の具体
例を示す断面図、第５図および第６図は第４図の
半導体製造装置によるガラススリーブの封着要領
を説明する断面図である。 １０……第１のリードフレーム、１０ａ……リ
ード本体、１１……スラグ、１２……ガラススリ
ーブ、１３……半導体ペレツト、１４……リード
フレーム、１４ａ……リード本体、１５……スラ
グ、１６ａ，１６ｂ……押圧治具。
Claims (1)
- １ ガラススリーブ内に対をなして挿入されたス
ラグの間に半導体ペレツトを挾持し、該スラグの
外周面とガラススリーブの内周面とを封着してな
る半導体装置の製造方法であつて、予め用意され
た第１のリードフレームのリード本体に第１のス
ラグを固着する工程と、該スラグにガラススリー
ブを被嵌した後、該ガラススリーブ内に半導体ペ
レツトを挿入する工程と、予め用意された第２の
リードフレームのリード本体に第２のスラグを固
着する工程と、前記第１のリードフレームと第２
のリードフレームを重ね合わせ第２のスラグを前
記ガラススリーブ内に嵌装する工程と、前記重ね
合わせ構造を有する中間製品を加熱炉内に導入し
第１および第２のスラグの外周面とガラススリー
ブの内周面とを封着する工程と、加熱炉から取り
出した前記中間製品からリードフレームの連結部
を切り離し個々の半導体装置を得る工程とによつ
て構成されていることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101599A JPS62257752A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101599A JPS62257752A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257752A JPS62257752A (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0368535B2 true JPH0368535B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=14304852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61101599A Granted JPS62257752A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62257752A (ja) |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61101599A patent/JPS62257752A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62257752A (ja) | 1987-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0368535B2 (ja) | ||
| EP0205727A2 (en) | Method of manufacturing miniature tipless halogen lamp and apparatus for carrying out the same | |
| JP4133958B2 (ja) | ワークを加熱または冷却するための装置と、その製造方法 | |
| JPS598471B2 (ja) | 吸熱マウントの製法 | |
| JP2615081B2 (ja) | 縦型熱処理炉 | |
| CN100440411C (zh) | 用于生产真空管的焊接环及生产这种焊接环和真空管的方法 | |
| JPH026056A (ja) | 金属製有底容器及びその溶接方法 | |
| JPH07308775A (ja) | 半田付け接合方法 | |
| US4277013A (en) | Method for braze-assembling metal components having low softening temperatures, without disrupting regions of stabilized dimensions | |
| US3644970A (en) | Method of manufacturing an anode member for an x-ray tube | |
| JPS6321111Y2 (ja) | ||
| JPH0410691Y2 (ja) | ||
| US2977257A (en) | Method and apparatus for fabricating junction transistors | |
| JPS6032772Y2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| JPH03155463A (ja) | 容器蓋の真空ろう付け方法 | |
| JPS6032767Y2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| JP3680276B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| KR920006850Y1 (ko) | 음극선관 봉입장치 | |
| JPS5940444Y2 (ja) | 拡散治具 | |
| US3180020A (en) | Method of brazing a plurality of leads to apertures in a ceramic wafer | |
| JPS62299811A (ja) | 光学部品の固定方法 | |
| JPS59117042A (ja) | 封止用環状部品の製造方法 | |
| JPH02121796A (ja) | ろう付け方法 | |
| JP2650190B2 (ja) | 大出力白熱電球の製造方法 | |
| SU1764091A1 (ru) | Кассета дл герметизации полупроводниковых приборов |