JPH0368594A - ポリヌクレオチドの製造法 - Google Patents
ポリヌクレオチドの製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポリヌクレオチドの製造法に関し、更に詳細に
は遺伝子組換え材料として有用なポリヌクレオチドの新
規な化学合成法に関する。
は遺伝子組換え材料として有用なポリヌクレオチドの新
規な化学合成法に関する。
近年の分子生物学、とりわけ遺伝子m換え技術の進歩は
めざましいが、それに伴ない遺伝子の化学合成の重要性
も増大しつつある。従来、遺伝子、すなわちポリヌクレ
オチドの合成法としてはリン酸ジエステル法C)I、
G、 Khorana; rsome RecentD
evelopments in the Chemis
try of Phosphateasters of
8io1ogical rnterastJ、 Jo
hn Wileyand 5ons、 Inc、、
New York (1961))が広く知られている
が、縮合反応に長時間を要し、分離も困難であるという
欠点があった。
めざましいが、それに伴ない遺伝子の化学合成の重要性
も増大しつつある。従来、遺伝子、すなわちポリヌクレ
オチドの合成法としてはリン酸ジエステル法C)I、
G、 Khorana; rsome RecentD
evelopments in the Chemis
try of Phosphateasters of
8io1ogical rnterastJ、 Jo
hn Wileyand 5ons、 Inc、、
New York (1961))が広く知られている
が、縮合反応に長時間を要し、分離も困難であるという
欠点があった。
リン酸ジエステル法の改良法として、リン酸トリエステ
ル法、ホスファイト法[R,L。
ル法、ホスファイト法[R,L。
Letsinger、 W、 B、 Lun5f
ord; J、 A+n、 Cham、 Sac、
。
ord; J、 A+n、 Cham、 Sac、
。
98、3655 (1976) ) 、ホスホロアミダ
イト法[5゜し、 Beaucage、 M、
H,Caruthers; Tetrahed
ronLett、 、 22.1859 (1981)
)などが報告されている。
イト法[5゜し、 Beaucage、 M、
H,Caruthers; Tetrahed
ronLett、 、 22.1859 (1981)
)などが報告されている。
ところでヌクレオシド亜リン酸エステルを原料として用
いる、いわゆるH−ホスホネート法[8,C,Froe
hler and M、 D、Mattaucci;T
etrahedron Lett、、 27.469
(1986)及びP、 J。
いる、いわゆるH−ホスホネート法[8,C,Froe
hler and M、 D、Mattaucci;T
etrahedron Lett、、 27.469
(1986)及びP、 J。
Garegg、 T、Regberg、 J、 Sta
winski、 and R。
winski、 and R。
Str6mbarg、 Tetrahedron La
tt、、 27.4055(1986))は反応時間が
短く、ヌクレオシド亜リン酸エステルユニットが化学的
に安定で、さらにリン酸の保護基を必要としないため、
精製が容易であるなどの利点がある。
tt、、 27.4055(1986))は反応時間が
短く、ヌクレオシド亜リン酸エステルユニットが化学的
に安定で、さらにリン酸の保護基を必要としないため、
精製が容易であるなどの利点がある。
しかし、このH−ホスホネート法は、使用されている縮
合剤ピバロイルクロライドが溶媒中で不安定であること
、副反応が生起することなどの欠点があった。
合剤ピバロイルクロライドが溶媒中で不安定であること
、副反応が生起することなどの欠点があった。
従って、種々の利点を有するH−ホスホネート法をさら
に改良したポリヌクレオチドの製造法の開発が望まれて
いた。
に改良したポリヌクレオチドの製造法の開発が望まれて
いた。
かかる実情に鑑み本発明者らは、前記課題を解決すべく
種々検討した結果、H−ホスホネート法においてヌクレ
オシド亜リン酸エステルの縮合剤として特定のイミダゾ
リウム化合物を用いれば、副反応が生起することなく、
極めて高収率でポリヌクレオシド亜リン酸エステルが得
られること、さらにこれを酸化すればポリヌクレオチド
も効率よく製造できることを見出し本発明を完成した。
種々検討した結果、H−ホスホネート法においてヌクレ
オシド亜リン酸エステルの縮合剤として特定のイミダゾ
リウム化合物を用いれば、副反応が生起することなく、
極めて高収率でポリヌクレオシド亜リン酸エステルが得
られること、さらにこれを酸化すればポリヌクレオチド
も効率よく製造できることを見出し本発明を完成した。
すなわち、本発明は次の一般式(1,)以下余白
(III)
X
〔式中、Aはピリミジン塩基又はプリン塩基を示し、R
′はヒドロキシ基の保護基又はモノもしくはポリヌクレ
オシド亜リン酸エステル残基を示し、R2は水素原子又
はカチオン性基を示す〕で表わされるヌクレオシド亜リ
ン酸エステル誘導体(以下H−ホスホネートユニットと
略す)と次の一般式(II) 〔式中、R4及びRsは低級アルキル基を示し、X及び
Yはハロゲン原子を示す〕 で表わされるイミダゾリニウム化合物の存在下に反応さ
せることを特徴とする一般式(rV)〔式中、Bはピリ
ミジン塩基又はプリン塩基を示し、R3はヒドロキシ基
の保護基又はモノもしくはポリスクレオシド亜リン酸エ
ステル残基を示す〕で表わされるヌクレオシド類とを、
次の一般式〔式中、A SB SR’及びR1は前記と
同じ意味を有する〕 で表わされるポリヌクレオシド亜リン酸エステル類の製
造法、並びに当該縮合反応を利用したポリヌクレオチド
の製造法を提供するものである。
′はヒドロキシ基の保護基又はモノもしくはポリヌクレ
オシド亜リン酸エステル残基を示し、R2は水素原子又
はカチオン性基を示す〕で表わされるヌクレオシド亜リ
ン酸エステル誘導体(以下H−ホスホネートユニットと
略す)と次の一般式(II) 〔式中、R4及びRsは低級アルキル基を示し、X及び
Yはハロゲン原子を示す〕 で表わされるイミダゾリニウム化合物の存在下に反応さ
せることを特徴とする一般式(rV)〔式中、Bはピリ
ミジン塩基又はプリン塩基を示し、R3はヒドロキシ基
の保護基又はモノもしくはポリスクレオシド亜リン酸エ
ステル残基を示す〕で表わされるヌクレオシド類とを、
次の一般式〔式中、A SB SR’及びR1は前記と
同じ意味を有する〕 で表わされるポリヌクレオシド亜リン酸エステル類の製
造法、並びに当該縮合反応を利用したポリヌクレオチド
の製造法を提供するものである。
本発明は次の反応式で示される。
〔式中、R1−R5,^、8、x及びYは前記と同じ意
味を有する〕 本発明方法の原料であるH−ホスホネートユニット(1
)において、Aはピリミジン塩基又はプリン塩基であり
、具体的にはアデニン、グアニン、シトシン又はチミン
を示す。R’で示されるヒドロキシ基の保護基としては
、一般にポリヌクレオチドの合成において用いられるヒ
ドロキシ基の保護基であればいずれも用いることができ
るが、ジメトキシトリチル基、9−フルオレニルメチル
オキシカルボニル基、レブニリル基等が好ましい。また
、R2で示されるカチオン性基としては、トリエチルア
ミン、1,5−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデク
−5−エン(OBtl)、等の三級塩基が挙げられる。
味を有する〕 本発明方法の原料であるH−ホスホネートユニット(1
)において、Aはピリミジン塩基又はプリン塩基であり
、具体的にはアデニン、グアニン、シトシン又はチミン
を示す。R’で示されるヒドロキシ基の保護基としては
、一般にポリヌクレオチドの合成において用いられるヒ
ドロキシ基の保護基であればいずれも用いることができ
るが、ジメトキシトリチル基、9−フルオレニルメチル
オキシカルボニル基、レブニリル基等が好ましい。また
、R2で示されるカチオン性基としては、トリエチルア
ミン、1,5−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデク
−5−エン(OBtl)、等の三級塩基が挙げられる。
式(I)のH−ホスホネートユニットは、例えば5′位
を保護したヌクレオシドにトリス(1,l、 1゜3、
3.3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ〉ホスフィン
、ビス(N、N−ジイソプロピルアミノ)クロロホスフ
ィン、ビス(N、N−ジエチルアミノ〉クロロホスフィ
ン等のホスフィン類を反応させることによって製造する
ことができる。
を保護したヌクレオシドにトリス(1,l、 1゜3、
3.3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ〉ホスフィン
、ビス(N、N−ジイソプロピルアミノ)クロロホスフ
ィン、ビス(N、N−ジエチルアミノ〉クロロホスフィ
ン等のホスフィン類を反応させることによって製造する
ことができる。
本発明方法の他方の原料であるヌクレオシド類(II)
においてBで示されるピリミジン塩基、プリン塩基の例
としては前記^と同様のものが挙げられる。またヒドロ
キシ基の保護基としては、−般にポリヌクレオチドの台
底において用いられる保護基及び固相担体が挙げられる
。固相担体としては、ポリスチレン、ポリジメチルアク
リルアミド、ポリアクリルモルホリド、シリカゲル、多
孔質ガラスピーズ等が挙げられる。なお、かかる固相担
体との結合にあたっては通常コハク酸エステル等の架橋
剤を介して結合される。
においてBで示されるピリミジン塩基、プリン塩基の例
としては前記^と同様のものが挙げられる。またヒドロ
キシ基の保護基としては、−般にポリヌクレオチドの台
底において用いられる保護基及び固相担体が挙げられる
。固相担体としては、ポリスチレン、ポリジメチルアク
リルアミド、ポリアクリルモルホリド、シリカゲル、多
孔質ガラスピーズ等が挙げられる。なお、かかる固相担
体との結合にあたっては通常コハク酸エステル等の架橋
剤を介して結合される。
固相担体として多孔質ガラスピーズを用い、架橋剤とし
て無水コハク酸を用いた場合のモノヌクレオシド類(I
I)は、例えば5′位保護ヌクレオシドに無水コハク酸
を反応させ、得られた5′位保1ii−3’ −〇−サ
クシニルヌクレオシドと多孔質ガラスピーズをジシクロ
カルボジイミド、トリエチルアミン及びジメチルアミノ
ピリジンの存在下に反応させることにより得られる。
て無水コハク酸を用いた場合のモノヌクレオシド類(I
I)は、例えば5′位保護ヌクレオシドに無水コハク酸
を反応させ、得られた5′位保1ii−3’ −〇−サ
クシニルヌクレオシドと多孔質ガラスピーズをジシクロ
カルボジイミド、トリエチルアミン及びジメチルアミノ
ピリジンの存在下に反応させることにより得られる。
また本発明に用いられる縮合剤であるイミダゾリニウム
化合物(III)は、例えば入手容易な溶剤として知ら
れている次の一般式(V) (式中、R4及びR5は前記した意味を有する)で表わ
される1、3−ジアルキル−2−イミダゾリジノンにハ
ロゲン化剤を反応せしめることにより製造される。
化合物(III)は、例えば入手容易な溶剤として知ら
れている次の一般式(V) (式中、R4及びR5は前記した意味を有する)で表わ
される1、3−ジアルキル−2−イミダゾリジノンにハ
ロゲン化剤を反応せしめることにより製造される。
ここで使用されるハロゲン化剤としては、オキザリルハ
ロゲニド、三ハロゲン化リン、五ハロゲン化リン、オキ
シハロゲン化リン、ホスゲン、トリクロロメチルクロロ
ホルメート等が挙げられる。
ロゲニド、三ハロゲン化リン、五ハロゲン化リン、オキ
シハロゲン化リン、ホスゲン、トリクロロメチルクロロ
ホルメート等が挙げられる。
反応は1.3−ジアルキル−2−イミダゾリジノン又は
ハロゲン化剤の何れか一方を四塩化炭素等の適当な溶媒
に溶かしておき、これに他方を少量ずつ添加し、更に、
室温ないし70℃で数時間〜十数時間反応させることに
よって行われる。
ハロゲン化剤の何れか一方を四塩化炭素等の適当な溶媒
に溶かしておき、これに他方を少量ずつ添加し、更に、
室温ないし70℃で数時間〜十数時間反応させることに
よって行われる。
斯くして得られる1、3−ジアルキル−2−ハロゲノ−
イミダゾリニウム・ハロゲニドは単離することもできる
が、単離することなく、その反応液を本発明の縮合反応
に使用することもできる。
イミダゾリニウム・ハロゲニドは単離することもできる
が、単離することなく、その反応液を本発明の縮合反応
に使用することもできる。
本発明を実施例するにはヌクレオシド類(If)に対し
て、H−ホスホネートユニット(I)を1〜50倍モル
用いイミダゾリニウム化合物(III)1〜250倍モ
ルの存在下に数分〜数十分縮合反応させればよい。反応
温度は室温が好ましく、反応溶媒としてはアセトニトリ
ル、ピリジン、これらの混合溶媒などを用いるのが好ま
しい。
て、H−ホスホネートユニット(I)を1〜50倍モル
用いイミダゾリニウム化合物(III)1〜250倍モ
ルの存在下に数分〜数十分縮合反応させればよい。反応
温度は室温が好ましく、反応溶媒としてはアセトニトリ
ル、ピリジン、これらの混合溶媒などを用いるのが好ま
しい。
かかる縮合反応を順次繰り返すことにより得られるポリ
ヌクレオシド亜リン酸エステルを常法に従い、酸化せし
めればポリヌクレオチドを製造することができる。
ヌクレオシド亜リン酸エステルを常法に従い、酸化せし
めればポリヌクレオチドを製造することができる。
ポリヌクレオチドの製造にあたっては、前述のポリヌク
レオシド亜リン酸エステルの合成は固相で行うのが好ま
しい。固相担体上のポリヌクレオシド亜リン酸エステル
の酸化は例えばテトラヒドロフラン−ピリジン−水中で
ヨウ素を反応させることにより行うことができる。さら
に固相担体上のポリヌクレオチドを脱離するにはアルカ
リ、例えばアンモニア水等により処理すればよい。なお
、かかるポリヌクレオチド合成は市販のDNA合戒台底
利用するのが好ましい。
レオシド亜リン酸エステルの合成は固相で行うのが好ま
しい。固相担体上のポリヌクレオシド亜リン酸エステル
の酸化は例えばテトラヒドロフラン−ピリジン−水中で
ヨウ素を反応させることにより行うことができる。さら
に固相担体上のポリヌクレオチドを脱離するにはアルカ
リ、例えばアンモニア水等により処理すればよい。なお
、かかるポリヌクレオチド合成は市販のDNA合戒台底
利用するのが好ましい。
得られたポリヌクレオチドを精製するには、例えば、イ
オン交換もしくは、逆相シリカゲル高速液体クロマトグ
ラフィー等を利用するのが好ましい。
オン交換もしくは、逆相シリカゲル高速液体クロマトグ
ラフィー等を利用するのが好ましい。
次に実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発明
はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
実施例1
(1)5’−〇−ジメトキシトリチルデオキシリボヌク
レオシドの製造: チミジン(10mM、 2.4g)に少量の無水ピリジ
ンを加え減圧乾固する。この操作を3回繰り返し脱水し
た後、無水ピリジン(50−)に溶かし、ジメトキシト
リチルクロライド(12mM、 4.1g)を加え、室
温で30〜60分ごとにTLCにより検索し原料のチミ
ジンのスポットが消失するまで反応させた。この反応溶
液に氷水を注ぎ、塩化メチレンで抽出し有機層を水で数
回洗浄した後、硫酸ナトリウムで脱水し、これを濾別除
去し有機層を減圧S縮した後、残渣を少量の塩化メチレ
ンに溶かし5〜10%エーテル−ヘキサン溶液により再
沈澱させると5′−〇−ジメトキシトリチルチミジン(
d−DMTrT)の白色結晶(8,8g、 1 ad、
80%ンが得られた。
レオシドの製造: チミジン(10mM、 2.4g)に少量の無水ピリジ
ンを加え減圧乾固する。この操作を3回繰り返し脱水し
た後、無水ピリジン(50−)に溶かし、ジメトキシト
リチルクロライド(12mM、 4.1g)を加え、室
温で30〜60分ごとにTLCにより検索し原料のチミ
ジンのスポットが消失するまで反応させた。この反応溶
液に氷水を注ぎ、塩化メチレンで抽出し有機層を水で数
回洗浄した後、硫酸ナトリウムで脱水し、これを濾別除
去し有機層を減圧S縮した後、残渣を少量の塩化メチレ
ンに溶かし5〜10%エーテル−ヘキサン溶液により再
沈澱させると5′−〇−ジメトキシトリチルチミジン(
d−DMTrT)の白色結晶(8,8g、 1 ad、
80%ンが得られた。
(2) デオキシリボヌクレオチド−3’ −H−ホ
スホネートの製造: 5′−ジメトキシトリチルチミジン(DMTrT)(3
,5mM、 1.92g)に少量の無水ピリジンを加え
、3回減圧乾固し脱水する。これに無水ピリジン(17
,5mMりを加え、無水トリエチルアミン(31,5m
M、 4.4mt’ )を加えさらにトリス(1,1,
1,3゜3.3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ)ホ
スフィン(10,5mM、 3.12m1! )を加え
窒素雰囲気下、室温で30分ごとにTLCにより検索し
反応終了後0.1M1.5−ジアザビシクロ[5,4,
0]ウンデク−5−エン(080)水溶液で加水分解し
、塩化メチレンで3回抽出し有機層を0゜1Mトリエチ
ルアンモニウムビカーボネート(TBAB) : )リ
エチルアミン(Bt、N)= 50 : 1 (V/v
)、 0. IM TBAB’?’順次5〜lo回洗浄
を行った。この時、水層に対してTLCにより時々検索
しホスホネートユニットが残っていないかを確める。洗
浄が終わった後、有機層を減圧濃縮し、最後にこれを2
%BtaNを含む塩化メチレンの溶出液でシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにまり単離精製したところ、目
的とするヌクレオシド−H−ホスホネートのDBtl塩
(3,03mM、 87%、 2.306g )が得
られた。
スホネートの製造: 5′−ジメトキシトリチルチミジン(DMTrT)(3
,5mM、 1.92g)に少量の無水ピリジンを加え
、3回減圧乾固し脱水する。これに無水ピリジン(17
,5mMりを加え、無水トリエチルアミン(31,5m
M、 4.4mt’ )を加えさらにトリス(1,1,
1,3゜3.3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ)ホ
スフィン(10,5mM、 3.12m1! )を加え
窒素雰囲気下、室温で30分ごとにTLCにより検索し
反応終了後0.1M1.5−ジアザビシクロ[5,4,
0]ウンデク−5−エン(080)水溶液で加水分解し
、塩化メチレンで3回抽出し有機層を0゜1Mトリエチ
ルアンモニウムビカーボネート(TBAB) : )リ
エチルアミン(Bt、N)= 50 : 1 (V/v
)、 0. IM TBAB’?’順次5〜lo回洗浄
を行った。この時、水層に対してTLCにより時々検索
しホスホネートユニットが残っていないかを確める。洗
浄が終わった後、有機層を減圧濃縮し、最後にこれを2
%BtaNを含む塩化メチレンの溶出液でシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにまり単離精製したところ、目
的とするヌクレオシド−H−ホスホネートのDBtl塩
(3,03mM、 87%、 2.306g )が得
られた。
(3)デオキシリボヌクレオシド−H−ホスホネートジ
エステルの製造: (2)で得られた5′−ジメトキシトリチルチミジン−
3′−H−ホスホネートの080塩1mmof、3′−
〇−ベンゾイルチミジン1.1mmo !、および1゜
3−ジメチル−2−クロロ−イミダゾリニウム・クロラ
イド2.0mmo 1をアセトニトリル−ピリジン(1
:1)溶媒中で、室温でIO分攪拌した。反応を3IP
−NMRでモニターしたところ、原料であるH−ホスホ
ネートのシグナルが完全に消失し、新しいシグナルが8
.21と7.20ppmに現われ、デオキシリボヌクレ
オシド−H−ホスホネートジエステルの生成を確認した
。
エステルの製造: (2)で得られた5′−ジメトキシトリチルチミジン−
3′−H−ホスホネートの080塩1mmof、3′−
〇−ベンゾイルチミジン1.1mmo !、および1゜
3−ジメチル−2−クロロ−イミダゾリニウム・クロラ
イド2.0mmo 1をアセトニトリル−ピリジン(1
:1)溶媒中で、室温でIO分攪拌した。反応を3IP
−NMRでモニターしたところ、原料であるH−ホスホ
ネートのシグナルが完全に消失し、新しいシグナルが8
.21と7.20ppmに現われ、デオキシリボヌクレ
オシド−H−ホスホネートジエステルの生成を確認した
。
実施例2
(1) コントロール・ボア・グラス(CPG)への
ヌクレオシドの導入 l)5′−〇−ジメトキシトリチルー3’ −0−サク
シニルチミジンの合成 5′−〇−ジメトキシトリチルチミジン(DMTrT)
(10mM、 5.44g)を少量の無水ピリジンに
より脱水を行い、これに無水ピリジン(30Tnl)
、 ジメチルアミノピリジン(15mM、 1.8g)
。
ヌクレオシドの導入 l)5′−〇−ジメトキシトリチルー3’ −0−サク
シニルチミジンの合成 5′−〇−ジメトキシトリチルチミジン(DMTrT)
(10mM、 5.44g)を少量の無水ピリジンに
より脱水を行い、これに無水ピリジン(30Tnl)
、 ジメチルアミノピリジン(15mM、 1.8g)
。
無水コハク酸(15mM、 1.5g)を加え、室温下
で5時間攪拌し、TLCによりOMTrTのスポットが
消えるまで反応させた。反応終了後、これを減圧濃縮し
塩化メチレン(100mg)で抽出して5%炭酸す)
IJウム水溶液で3回、水で3回洗浄し硫酸す) IJ
ウムで脱水する。これを減圧濃縮してピリジン臭を完全
に抜き再沈澱(5%エーテルへキサン溶液)を行った結
果、目的とする5′−〇−ジメトキシトリチルー3′−
〇−サクシニルチミジン(DMTrTCO(CI(−)
*C00H)が50%の収率で得られた。
で5時間攪拌し、TLCによりOMTrTのスポットが
消えるまで反応させた。反応終了後、これを減圧濃縮し
塩化メチレン(100mg)で抽出して5%炭酸す)
IJウム水溶液で3回、水で3回洗浄し硫酸す) IJ
ウムで脱水する。これを減圧濃縮してピリジン臭を完全
に抜き再沈澱(5%エーテルへキサン溶液)を行った結
果、目的とする5′−〇−ジメトキシトリチルー3′−
〇−サクシニルチミジン(DMTrTCO(CI(−)
*C00H)が50%の収率で得られた。
1f)CPGへの導入
初めに減圧乾固したアルキルアミノCPG(rアミノプ
ロピルCPG AMPO[l 500BJ 、BLB(
’TR0−NtJCLBONICS社、 1.5g)
に5′−〇−ジメトキシトリチルー3′−〇−サクシニ
ルチミジン(1,4mM。
ロピルCPG AMPO[l 500BJ 、BLB(
’TR0−NtJCLBONICS社、 1.5g)
に5′−〇−ジメトキシトリチルー3′−〇−サクシニ
ルチミジン(1,4mM。
1、204g)とジクロロカルボジイミド(7mM。
1.442g) 、無水トリエチルアミン(1,4tn
M、 0.196−)、無水ジメチルホルムアミド(7
mMり、 ジメチルアミノピリジン(数片)を加え、
室温下でアジテータ−を用いて12時間反応させた。反
応終了後、ヌクレオシドを担持させたCPGを無水ジメ
チルホルムアミド、ピリジン、メタノール、無水エーテ
ルで順に洗浄し、減圧乾固させた。これを少量測りとり
、過塩素酸を加えジメトキシトリチル基を除去し、この
トリチルカチオンの比色定量を行なった結果、目的とす
るヌクレオシドが担持量39μIIIo1/g導入され
ていることを確認した。
M、 0.196−)、無水ジメチルホルムアミド(7
mMり、 ジメチルアミノピリジン(数片)を加え、
室温下でアジテータ−を用いて12時間反応させた。反
応終了後、ヌクレオシドを担持させたCPGを無水ジメ
チルホルムアミド、ピリジン、メタノール、無水エーテ
ルで順に洗浄し、減圧乾固させた。これを少量測りとり
、過塩素酸を加えジメトキシトリチル基を除去し、この
トリチルカチオンの比色定量を行なった結果、目的とす
るヌクレオシドが担持量39μIIIo1/g導入され
ていることを確認した。
これを無水酢酸:ピリジン= 1 : 9 (V/V)
と数片のジメチルアミノピリジンにより1時間キャッピ
ングすることによりアルキルアミノ基の未反応の部分を
アシル化した。
と数片のジメチルアミノピリジンにより1時間キャッピ
ングすることによりアルキルアミノ基の未反応の部分を
アシル化した。
(2) d−Tpl 4Tの台底
グラスフィルターのついた内径15開のガラス反応管に
チミジンが導入されたCPG(28■)を入れ、初めに
CPGのキャッピングを行う。無水酢酸:ルチジン:T
HF=10:10:80と7%ジメチルアミノピリジン
のテトラヒドロフラン溶液を各IWLl加え30分間反
応させた。反応後無水アセトニトリルで洗浄した。次に
2.5%ジクロロ酢酸の塩化メチレン溶液でジメトキシ
トリチル基を完全に除去し、塩化メチレン、無水アセト
ニトリルで順次洗浄し10分間減圧乾固させた。減圧乾
固後、H−ホスホネートユニット(55μmo1゜50
eq) 、1. 3−ジメチル−2−クロロ−イミダゾ
リニウム・クロライド(137,5μm01゜125
eq)を1mlの無水アセトニトリル:無水ピリジン=
1 : 1 (V/V)に溶かし、1o分間反応させ
た。反応後、無水ジメチルホルムアミド、無水アセトニ
トリル:無水ピリジン= 1 : 1 (V/V)、無
水アセトニトリル、塩化メチレンの順で3〜5回洗浄を
行った。この一連の操作を14回繰り返しd−DMTr
Tp r <To/XAJCPGを合成した。各縮合収
率は過塩素酸:エタノール= 3 : 2 (V/V)
によりトリチルカチオンの発色(Ls’t)を可視スペ
クトルにより比色定置し求めた。その結果を表1に示す
。
チミジンが導入されたCPG(28■)を入れ、初めに
CPGのキャッピングを行う。無水酢酸:ルチジン:T
HF=10:10:80と7%ジメチルアミノピリジン
のテトラヒドロフラン溶液を各IWLl加え30分間反
応させた。反応後無水アセトニトリルで洗浄した。次に
2.5%ジクロロ酢酸の塩化メチレン溶液でジメトキシ
トリチル基を完全に除去し、塩化メチレン、無水アセト
ニトリルで順次洗浄し10分間減圧乾固させた。減圧乾
固後、H−ホスホネートユニット(55μmo1゜50
eq) 、1. 3−ジメチル−2−クロロ−イミダゾ
リニウム・クロライド(137,5μm01゜125
eq)を1mlの無水アセトニトリル:無水ピリジン=
1 : 1 (V/V)に溶かし、1o分間反応させ
た。反応後、無水ジメチルホルムアミド、無水アセトニ
トリル:無水ピリジン= 1 : 1 (V/V)、無
水アセトニトリル、塩化メチレンの順で3〜5回洗浄を
行った。この一連の操作を14回繰り返しd−DMTr
Tp r <To/XAJCPGを合成した。各縮合収
率は過塩素酸:エタノール= 3 : 2 (V/V)
によりトリチルカチオンの発色(Ls’t)を可視スペ
クトルにより比色定置し求めた。その結果を表1に示す
。
以下余白
(3) d−TP、TO〜〜CPGの酸化・脱離・精
製・構造確認 d−Tp + aToNXJcPGの酸化は、O,1M
ヨウ素のテトラヒドロフラン:ピリジン:水=44 :
3 : 3溶液で室温下1時間行なった後、無水アセ
トニトリルで洗浄を行った。これによりホスホネートを
ホスフェートへと酸化した。さらに28%アンモニア水
により室温下で30分間反応させ、生成物をCPGから
脱離した。これを20%アセトニトリルを含むギ酸アン
モニウム水溶液(pH6,8) (OJ8〜0、94M
)のグラジェント溶媒を用いてイオン交換)IPLC(
TSK get DRAB−23W)にまり単離精製を
行った。
製・構造確認 d−Tp + aToNXJcPGの酸化は、O,1M
ヨウ素のテトラヒドロフラン:ピリジン:水=44 :
3 : 3溶液で室温下1時間行なった後、無水アセ
トニトリルで洗浄を行った。これによりホスホネートを
ホスフェートへと酸化した。さらに28%アンモニア水
により室温下で30分間反応させ、生成物をCPGから
脱離した。これを20%アセトニトリルを含むギ酸アン
モニウム水溶液(pH6,8) (OJ8〜0、94M
)のグラジェント溶媒を用いてイオン交換)IPLC(
TSK get DRAB−23W)にまり単離精製を
行った。
その結果20分付近に目的物であるd−’rp14Tが
(100口)得られた。この目的物を20%ポリアクリ
ルアミドゲル電気泳動により確認したところ比較のオリ
ゴチミジンと一致することから目的とするd−TP、T
であることを確認した。
(100口)得られた。この目的物を20%ポリアクリ
ルアミドゲル電気泳動により確認したところ比較のオリ
ゴチミジンと一致することから目的とするd−TP、T
であることを確認した。
実施例3
H−ホスホネートユニットを30 eq、用い、1゜3
−ジメチル−2−クロロ−イミダゾリニウム・クロライ
ドを150 eq、用いる以外は実施例2と同様にして
c+−’rp l 4Tの合成を行った。この場合の収
率を表2に示す。
−ジメチル−2−クロロ−イミダゾリニウム・クロライ
ドを150 eq、用いる以外は実施例2と同様にして
c+−’rp l 4Tの合成を行った。この場合の収
率を表2に示す。
さらに、実施例2の(3)と同様に酸化を行い、d−T
p t aTが(2゜50D)得られた。
p t aTが(2゜50D)得られた。
以下余白
実施例4
H−ホスホネートユニットを40 eq、用い、1゜3
−ジメチル−2−クロロ−イミダゾリニウム・クロライ
ドを100 eq、用いる以外は実施例2と同様にして
d−TI’+*Tの合成を行った。この場合の収率を表
3に示す。
−ジメチル−2−クロロ−イミダゾリニウム・クロライ
ドを100 eq、用いる以外は実施例2と同様にして
d−TI’+*Tの合成を行った。この場合の収率を表
3に示す。
さらに実施例2の(3)と同様に酸化を行い、d−Tp
+mTが(1800)得られた。
+mTが(1800)得られた。
以下余白
〔発明の効果〕
叙上の如く本発明によればH−ホスホネート(1)とヌ
クレオシド類(II)の縮合反応を、多くの有機溶媒に
可溶で、かつ安定なイミダゾリニウム化合物(III)
を用いることにより、短時間でかつ副反応を生起するこ
となく高収率で行うことができる。従って本発明方法は
遺伝子の合成、特に固相上でのON八へ台底極めて有用
である。また、この方法は自動合成機にも応用すること
ができる。
クレオシド類(II)の縮合反応を、多くの有機溶媒に
可溶で、かつ安定なイミダゾリニウム化合物(III)
を用いることにより、短時間でかつ副反応を生起するこ
となく高収率で行うことができる。従って本発明方法は
遺伝子の合成、特に固相上でのON八へ台底極めて有用
である。また、この方法は自動合成機にも応用すること
ができる。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、Aはピリミジン塩基又はプリン塩基を示し、R
^1はヒドロキシ基の保護基又はモノもしくはポリヌク
レオシド亜リン酸エステル残基を示し、R^2は水素原
子又はカチオン性基を示す〕で表わされるヌクレオシド
亜リン酸エステル誘導体と次の一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、Bはピリミジン塩基又はプリン塩基を示し、R
^3はヒドロキシ基の保護基又はモノもしくはポリヌク
レオシド亜リン酸エステル残基を示す〕で表わされるヌ
クレオシド類とを、次の一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R^4及びR^5は低級アルキル基を示し、X
及びYはハロゲン原子を示す〕 で表わされるイミダゾリニウム化合物の存在下に反応さ
せることを特徴とする一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 〔式中、A、B、R^1及びR^3は前記と同じ意味を
有する〕 で表わされるポリヌクレオシド亜リン酸エステル類の製
造法。 2、ヌクレオシド亜リン酸エステルを順次縮合させ、得
られたポリヌクレオシド亜リン酸エステルを酸化せしめ
るポリヌクレオチドの製造法において、ヌクレオシド亜
リン酸エステルの縮合反応を次の一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R^4及びR^5は低級アルキル基を示し、X
及びYはハロゲン原子を示す〕 で表わされるイミダゾリニウム化合物の存在下に行うこ
とを特徴とするポリヌクレオチドの製造法。 3、固相担体上において、ヌクレオシド亜リン酸エステ
ルを順次縮合させ、得られたポリヌクレオシド亜リン酸
エステルを酸化してポリヌクレオチドとなし、次いで、
ポリヌクレオチドを固相から脱離せしめるポリヌクレオ
チドの製造法において、ヌクレオシド亜リン酸エステル
の縮合反応を次の一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R^4及びR^5は低級アルキル基を示し、X
及びYはハロゲン原子を示す〕 で表わされるイミダゾリニウム化合物の存在下に行うこ
とを特徴とするポリヌクレオチドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206545A JPH0368594A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | ポリヌクレオチドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206545A JPH0368594A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | ポリヌクレオチドの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368594A true JPH0368594A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16525157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206545A Pending JPH0368594A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | ポリヌクレオチドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368594A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510282A (ja) * | 1999-09-25 | 2003-03-18 | ユニバーシティ オブ アイオワ リサーチ ファウンデーション | 免疫刺激核酸 |
| WO2006025154A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Gifu University | 修飾オリゴヌクレオチド |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1206545A patent/JPH0368594A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510282A (ja) * | 1999-09-25 | 2003-03-18 | ユニバーシティ オブ アイオワ リサーチ ファウンデーション | 免疫刺激核酸 |
| WO2006025154A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Gifu University | 修飾オリゴヌクレオチド |
| JPWO2006025154A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2008-05-08 | 国立大学法人岐阜大学 | 修飾オリゴヌクレオチド |
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